JPH01202118A - 過熱遮断回路 - Google Patents
過熱遮断回路Info
- Publication number
- JPH01202118A JPH01202118A JP63026083A JP2608388A JPH01202118A JP H01202118 A JPH01202118 A JP H01202118A JP 63026083 A JP63026083 A JP 63026083A JP 2608388 A JP2608388 A JP 2608388A JP H01202118 A JPH01202118 A JP H01202118A
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- JP
- Japan
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- transistor
- resistor
- circuit
- diode
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＩＣに過度の負荷がかかり、異常発熱する場合
に、その発熱を検出してその出力を遮断し、発煙発火を
防止する過熱遮断回路（サーマルシャットダウン回路）
に関する。
に、その発熱を検出してその出力を遮断し、発煙発火を
防止する過熱遮断回路（サーマルシャットダウン回路）
に関する。
従来の技術
第３図に従来の回路の一例を示す。ブロック４９がバン
ドギャップ理論による定電圧回路であり、その出力５１
を比較器５２の十入力端子に接続し、一方、−入力端子
にはダイオード４０．４１の順方向電圧を接続し、両人
力の電圧を比較する。通常時は一入力端子の方が電位は
高い。従って、比較器５２の出力に接続されたトランジ
スタ３６は開放（オフ）状態である。ダイオードの順方
向電圧は負の温度特性を持つ。定電圧回路の出力５１は
僅かな正の温度特性を持つ。温度が上昇すると、ダイオ
ード４０．４１の順方向電圧が下がり、さらに温度が上
昇した場合、どこかで比較器５２の入力電位は反転する
。その結果、トランジスタ３６は導通（オン）し、電力
制御用トランジスタ３７のベースを接地し、出力を遮断
する。
ドギャップ理論による定電圧回路であり、その出力５１
を比較器５２の十入力端子に接続し、一方、−入力端子
にはダイオード４０．４１の順方向電圧を接続し、両人
力の電圧を比較する。通常時は一入力端子の方が電位は
高い。従って、比較器５２の出力に接続されたトランジ
スタ３６は開放（オフ）状態である。ダイオードの順方
向電圧は負の温度特性を持つ。定電圧回路の出力５１は
僅かな正の温度特性を持つ。温度が上昇すると、ダイオ
ード４０．４１の順方向電圧が下がり、さらに温度が上
昇した場合、どこかで比較器５２の入力電位は反転する
。その結果、トランジスタ３６は導通（オン）し、電力
制御用トランジスタ３７のベースを接地し、出力を遮断
する。
発明が解決しようとする課題
従来の回路では、素子数が多く、チップ面積が太き（な
るという問題点があった。本発明はこの問題点を解決す
るものであり、より少ない構成素子数で同機能を実現し
ようとするものである。
るという問題点があった。本発明はこの問題点を解決す
るものであり、より少ない構成素子数で同機能を実現し
ようとするものである。
課題を解決するための手段
本発明は、定電流回路に直列に抵抗を入れ、この抵抗に
よる電圧降下とダイオードの順方向電圧との比較で温度
の上昇を検出する構成の過熱遮断回路である。
よる電圧降下とダイオードの順方向電圧との比較で温度
の上昇を検出する構成の過熱遮断回路である。
作用
上記手段により、トランジスタ１ケで比較器を構成でき
るため、構成素子数を削減できる。
るため、構成素子数を削減できる。
実施例
第１図は本発明の実施例の回路である。ブロック２１が
バンドギャップ理論による定電流回路である。従来例と
違い、本例では定電圧は取り出さず、ブロック全体で定
電流源として回路を構成している。この実施例の回路は
、電源から抵抗１８を通り定電流回路２１を接地に接続
する第１の回路と、電源からダイオード１２．１３を通
り、抵抗１９を接地する第２の回路とをそなえ、第１の
回路の抵抗１８の一端２３をトランジスタ６のベースに
接続し、第２の回路のダイオード１３の一端２４をトラ
ンジスタ６のエミッタに接続している。ここで、ダイオ
ード１２．１３の順方向電圧にトランジスタのベース・
エミッタ間電圧を加えた値（電圧値）より、抵抗１８の
電圧降下値が低（なるように抵抗１８の値を設定する。
バンドギャップ理論による定電流回路である。従来例と
違い、本例では定電圧は取り出さず、ブロック全体で定
電流源として回路を構成している。この実施例の回路は
、電源から抵抗１８を通り定電流回路２１を接地に接続
する第１の回路と、電源からダイオード１２．１３を通
り、抵抗１９を接地する第２の回路とをそなえ、第１の
回路の抵抗１８の一端２３をトランジスタ６のベースに
接続し、第２の回路のダイオード１３の一端２４をトラ
ンジスタ６のエミッタに接続している。ここで、ダイオ
ード１２．１３の順方向電圧にトランジスタのベース・
エミッタ間電圧を加えた値（電圧値）より、抵抗１８の
電圧降下値が低（なるように抵抗１８の値を設定する。
こうすると、通常、トランジスタ６にはベース電流は流
れず、コレクタ・エミッタ間は開放で、トランジスタ８
も開放で電力制御ブロック２３には何等の影響を与えな
い。
れず、コレクタ・エミッタ間は開放で、トランジスタ８
も開放で電力制御ブロック２３には何等の影響を与えな
い。
次に、温度が゛上昇した場合、第１の回路の定電流源は
正の温度特性を持ち、抵抗１８も僅かながら正の温度特
性を持つので、同抵抗１８の一端２３の電位は温度の上
昇とともに下がる。一方、ダイオード１２．１３は負の
温度係数を持つ。
正の温度特性を持ち、抵抗１８も僅かながら正の温度特
性を持つので、同抵抗１８の一端２３の電位は温度の上
昇とともに下がる。一方、ダイオード１２．１３は負の
温度係数を持つ。
従って、トランジスタ６のエミッタ電位は温度上昇とと
もに上がる。抵抗１８の接点２３とダイオード１３の接
点２４との電位の差がトランジスタ６のベース・エミッ
タ間電圧より太き（なった時、トランジスタ６のベース
電流が流れる。その結果、トランジスタ６はオン状態に
なり、コレクタにも電流が流れ、さらに、トランジスタ
８をオンする。以降の動作は従来例と同様で、トランジ
スタ８は電力制御ブロックのトランジスタ９のベースを
強制的に接地し、トランジスタ９を遮断し過負荷による
熱破壊から保護する。
もに上がる。抵抗１８の接点２３とダイオード１３の接
点２４との電位の差がトランジスタ６のベース・エミッ
タ間電圧より太き（なった時、トランジスタ６のベース
電流が流れる。その結果、トランジスタ６はオン状態に
なり、コレクタにも電流が流れ、さらに、トランジスタ
８をオンする。以降の動作は従来例と同様で、トランジ
スタ８は電力制御ブロックのトランジスタ９のベースを
強制的に接地し、トランジスタ９を遮断し過負荷による
熱破壊から保護する。
温度に対する各電位の変化の例を第２図に示す。電位の
逆転した点６２以上の温度で保護動作に入る。グラフに
示す値は一例であり必要に応じ設定する。
逆転した点６２以上の温度で保護動作に入る。グラフに
示す値は一例であり必要に応じ設定する。
第１図に戻り、トランジスタ６のコレクタ電流を、トラ
ンジスタ８とトランジスタ７と抵抗１６で構成するライ
ドラ形のカレントミラー回路によって、抵抗１８に正帰
還する。抵抗１８には帰還分だけ余計に電流が流れ、そ
の分、電圧降下が増し、第３図の点線に示すように、抵
抗１８の接点２３の電位は下がる。遮断保護で温度が徐
々に下がってくると、第３図示の特性の交点６３の温度
点で復帰する。つまり、トランジスタ７、抵抗１６の正
帰還回路により、温度ヒステリシスを持たせている。
ンジスタ８とトランジスタ７と抵抗１６で構成するライ
ドラ形のカレントミラー回路によって、抵抗１８に正帰
還する。抵抗１８には帰還分だけ余計に電流が流れ、そ
の分、電圧降下が増し、第３図の点線に示すように、抵
抗１８の接点２３の電位は下がる。遮断保護で温度が徐
々に下がってくると、第３図示の特性の交点６３の温度
点で復帰する。つまり、トランジスタ７、抵抗１６の正
帰還回路により、温度ヒステリシスを持たせている。
発明の効果
以上、述べたように、本発明によれば、従来の過熱遮断
回路と同一機能を、電圧比較器を用いる事なく、少ない
構成要素によって実現出来る。
回路と同一機能を、電圧比較器を用いる事なく、少ない
構成要素によって実現出来る。
第１図は本発明の実施例の回路図、第２図は同実施例回
路の動作を説明するための特性図、第３図は従来例の回
路図である。 １．２，３，７．８．９・・・・・・ＮＰＮトランジス
タ、４，５．６・・・・・・ＰＮＰ トランジスタ、１
０゜１１．１２．１３・・・・・・ダイオード、１４〜
２１・・・・・・抵抗。
路の動作を説明するための特性図、第３図は従来例の回
路図である。 １．２，３，７．８．９・・・・・・ＮＰＮトランジス
タ、４，５．６・・・・・・ＰＮＰ トランジスタ、１
０゜１１．１２．１３・・・・・・ダイオード、１４〜
２１・・・・・・抵抗。
Claims (1)
- 電源と接地間に、バンドギャップ理論による定電流回
路と第１の抵抗とによる第１の回路と、ダイオードと第
２の抵抗との直列による第２の回路とをそなえ、前記第
１の抵抗の一端をトランジスタのベースにダイオードの
一端を同トランジスタのエミッタに接続し、前記第１の
抵抗の電圧降下と前記ダイオードのフォワード電圧とを
比較し、その結果を前記トランジスタのコレクタ電流と
して取り出すように構成したことを特徴とする過熱遮断
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026083A JP2543118B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 過熱遮断回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026083A JP2543118B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 過熱遮断回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01202118A true JPH01202118A (ja) | 1989-08-15 |
| JP2543118B2 JP2543118B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=12183728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63026083A Expired - Lifetime JP2543118B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 過熱遮断回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2543118B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007312529A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Ricoh Co Ltd | 過熱検出回路および該過熱検出回路を内蔵した半導体装置および電子機器 |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63026083A patent/JP2543118B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007312529A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Ricoh Co Ltd | 過熱検出回路および該過熱検出回路を内蔵した半導体装置および電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2543118B2 (ja) | 1996-10-16 |
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