JPH01201490A - 半導体基板用ウェーハのエッチング方法 - Google Patents
半導体基板用ウェーハのエッチング方法Info
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- JPH01201490A JPH01201490A JP2519488A JP2519488A JPH01201490A JP H01201490 A JPH01201490 A JP H01201490A JP 2519488 A JP2519488 A JP 2519488A JP 2519488 A JP2519488 A JP 2519488A JP H01201490 A JPH01201490 A JP H01201490A
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- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体基板用ウェーハの加工変質層を除去
する場合に用いて好適なエツチング方法に関する。
する場合に用いて好適なエツチング方法に関する。
［従来の技術］
半導体基板用ウェーハ（以下、ウェー７′Ｓと略称する
）は、半導体素子及び集積回路の基板となる超高純度の
シリコン単結晶等からなる円盤状薄板である。
）は、半導体素子及び集積回路の基板となる超高純度の
シリコン単結晶等からなる円盤状薄板である。
上記ウェーハの製造工程は、まず原料の単結晶インゴッ
トから薄く切断した後、ラッピング加工を施して所要の
平面度に加工し、さらに所要の面粗度を得るために鏡面
仕上げを施して終了するのが一般的である。ところが、
切断加工やう・ソピング加工によってウェーハ表面には
加工変質層が生じるため、ラッピング加工終了後のウェ
ー／’％をそのまま鏡面仕上げすると、所要の面粗度や
平面度が得られないばかりでなく、後のつｚ −／Ｘプ
ロセスによってウェーハ表面に形成される素子の不良や
動作特性劣化を招いてしまう。従って、その製造工程に
は、上記加工変質層を化学的に除去し、ウェーハ表面の
面粗度を改善するエツチング工程が設けらている。
トから薄く切断した後、ラッピング加工を施して所要の
平面度に加工し、さらに所要の面粗度を得るために鏡面
仕上げを施して終了するのが一般的である。ところが、
切断加工やう・ソピング加工によってウェーハ表面には
加工変質層が生じるため、ラッピング加工終了後のウェ
ー／’％をそのまま鏡面仕上げすると、所要の面粗度や
平面度が得られないばかりでなく、後のつｚ −／Ｘプ
ロセスによってウェーハ表面に形成される素子の不良や
動作特性劣化を招いてしまう。従って、その製造工程に
は、上記加工変質層を化学的に除去し、ウェーハ表面の
面粗度を改善するエツチング工程が設けらている。
このエツチング方法は、ウェーハをエッチング液で満た
されたエツチング槽内に浸して加工変質層を化学的に溶
失させるものである。一般のエツチング方法では、エツ
チング液とウェーハ表面が均等に満遍なく反応できるよ
うにウェーハを回転させており、以下、このエツチング
方法を、半導体基板として最も多く用いられているシリ
コンウェーハを例にとり、第１図を参照して装置、手順
の順に説明する。
されたエツチング槽内に浸して加工変質層を化学的に溶
失させるものである。一般のエツチング方法では、エツ
チング液とウェーハ表面が均等に満遍なく反応できるよ
うにウェーハを回転させており、以下、このエツチング
方法を、半導体基板として最も多く用いられているシリ
コンウェーハを例にとり、第１図を参照して装置、手順
の順に説明する。
第１図において符号！はエツチング槽である。
このエツチング槽ｌは、上面が開放された容器であり、
その内部には、シリコンウェーハＷを互いに間隔を空け
て保持する図示しない治具が設けられ、図示しない駆動
装置と連結されて、シリコンウェーハＷに軸線回りの回
転運動を与えることができるようになっている。そして
、上記エツチング槽ｌは、シリコンウェーハＷ表面の加
工変質層を化学的に溶失させるエツチング液２で満たさ
れている。このエツチング液２としては、例えば、弗酸
、硝酸、酢酸を、容重比３：５：３の割合で混合した混
酸に微量の添加剤を添加したものなどが用いられる。
その内部には、シリコンウェーハＷを互いに間隔を空け
て保持する図示しない治具が設けられ、図示しない駆動
装置と連結されて、シリコンウェーハＷに軸線回りの回
転運動を与えることができるようになっている。そして
、上記エツチング槽ｌは、シリコンウェーハＷ表面の加
工変質層を化学的に溶失させるエツチング液２で満たさ
れている。このエツチング液２としては、例えば、弗酸
、硝酸、酢酸を、容重比３：５：３の割合で混合した混
酸に微量の添加剤を添加したものなどが用いられる。
以上の構成からなるエツチング装置を用いてエツチング
を行うには、エツチング槽１をエツチング液２で満たす
と共に、複数のシリコンウェーハ〜Ｖを図示しない治具
に保持させ、該治具を図示しない駆動装置と連結させて
、各シリコンウェーハ〜■を、それぞれの軸線回りに正
回転（矢印Ｙ方向）させる。なお、この時のシリコンウ
ェーハＷの回転数およびその継続時間は、例えば第３図
に示すように、回転数が７０ｒ、ｐ、ｍ程度の速度に、
継続時間が約１２０秒程度に設定される。
を行うには、エツチング槽１をエツチング液２で満たす
と共に、複数のシリコンウェーハ〜Ｖを図示しない治具
に保持させ、該治具を図示しない駆動装置と連結させて
、各シリコンウェーハ〜■を、それぞれの軸線回りに正
回転（矢印Ｙ方向）させる。なお、この時のシリコンウ
ェーハＷの回転数およびその継続時間は、例えば第３図
に示すように、回転数が７０ｒ、ｐ、ｍ程度の速度に、
継続時間が約１２０秒程度に設定される。
すると、シリコンウェーハＷ表面にエツチング液２の相
対的な流れが生じ、化学反応によってシリコンウェーハ
Ｗ表面の加工変質層がエツチング液３に溶失し、シリコ
ンウェーハＷ表面は片面につき２０μｍ程度エツチング
され、その面粗度が改善されるのである。
対的な流れが生じ、化学反応によってシリコンウェーハ
Ｗ表面の加工変質層がエツチング液３に溶失し、シリコ
ンウェーハＷ表面は片面につき２０μｍ程度エツチング
され、その面粗度が改善されるのである。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、上述した従来のエツチング方法において、シ
リコンウェーハＷを７ Ｏｒ、ｐ、ｎ＋、程度の速度で
回転させる理由は、シリコンウェーハＷ表面をエツチン
グ液２と満遍なく反応させるためにある。
リコンウェーハＷを７ Ｏｒ、ｐ、ｎ＋、程度の速度で
回転させる理由は、シリコンウェーハＷ表面をエツチン
グ液２と満遍なく反応させるためにある。
すなわち、エツチングにおいては、エツチング液２の組
成あるいはエツチング時間を一定に保つことが、加工精
度の優劣を左右する重要な要件であり、加工中には、シ
リコンウェーハＷとエツチング液２が反応することによ
り生成される反応生成物を、速やかにシリコンウェーハ
Ｗ表面かう離脱させ、シリコンウェーハＷ表面に活性度
の高いエツチング液２を滞りなく供給しなければならな
い。この手段として、シリコンウェーハＷを既述のよう
に回転させているのである。
成あるいはエツチング時間を一定に保つことが、加工精
度の優劣を左右する重要な要件であり、加工中には、シ
リコンウェーハＷとエツチング液２が反応することによ
り生成される反応生成物を、速やかにシリコンウェーハ
Ｗ表面かう離脱させ、シリコンウェーハＷ表面に活性度
の高いエツチング液２を滞りなく供給しなければならな
い。この手段として、シリコンウェーハＷを既述のよう
に回転させているのである。
しかしながら、この回転数が高いと、シリコンウェーハ
Ｗの表面に対するエツチング液２の流れ状態が、層流状
態から乱流状態へと変化し、シリコンウェーハＷ表面で
キャビテーションが生じるなどして、エツチング液２が
シリコンウェーハＷｌ′ 表面を均一に流れなくなることがある。パ１従って、シ
リコンウェーハＷは、乱流が発生しない速度として７
Ｏｒ、ｐ、ｍ、程度の速度で回転させられるのである。
Ｗの表面に対するエツチング液２の流れ状態が、層流状
態から乱流状態へと変化し、シリコンウェーハＷ表面で
キャビテーションが生じるなどして、エツチング液２が
シリコンウェーハＷｌ′ 表面を均一に流れなくなることがある。パ１従って、シ
リコンウェーハＷは、乱流が発生しない速度として７
Ｏｒ、ｐ、ｍ、程度の速度で回転させられるのである。
ところが、上記理由によりシリコンウェーハＷを、７０
ｒ、ｐ、ｎ＋、程度の速度で回転させると、また、以
下に述べる課題があった。
ｒ、ｐ、ｎ＋、程度の速度で回転させると、また、以
下に述べる課題があった。
すなわち、エツチング液２には粘性抵抗があるために、
シリコンウェーハＷを上記速度で回転させると、時間が
経過するにつれてエツチング液２に、シリコンウェーハ
Ｗの回転と同調した流れが発生し、反応生成物の離脱と
、活性度の高いエツチング液２の供給が速やかに行われ
なくなる。従って、シリコンウェーハＷを所定時間回転
させてもエツチング量が不足気味になり、所要の加工精
度が得られないのである。
シリコンウェーハＷを上記速度で回転させると、時間が
経過するにつれてエツチング液２に、シリコンウェーハ
Ｗの回転と同調した流れが発生し、反応生成物の離脱と
、活性度の高いエツチング液２の供給が速やかに行われ
なくなる。従って、シリコンウェーハＷを所定時間回転
させてもエツチング量が不足気味になり、所要の加工精
度が得られないのである。
この発明は、このような背景の下になされたもので、反
応生成物を絶えずウェーハ表面から離脱させると共に、
活性度の高いエツチング液を滞りなく供給して、ウェー
ハ表面を均一に、かつ速やかにエツチングすることがで
きるエツチング方法を提供することを目的とする。
応生成物を絶えずウェーハ表面から離脱させると共に、
活性度の高いエツチング液を滞りなく供給して、ウェー
ハ表面を均一に、かつ速やかにエツチングすることがで
きるエツチング方法を提供することを目的とする。
「課題を解決するための手段コ
上記課題を解決するためにこの発明は、ウェーハを、そ
の軸線回りに不等速度でかつ正逆両方向へ回転させなが
らエツチングを行うようにした。
の軸線回りに不等速度でかつ正逆両方向へ回転させなが
らエツチングを行うようにした。
［作用］
本発明によれば、ウェーハの反転変速動作によって、エ
ツチング液との反応による反応生成物か従来の一方向定
速回転の場合に比して、より速やかにウェーハ表面から
離脱し、活性度の高いエツチング液がウェーハ全面に供
給される。よって、ウェーハ表面が満遍なくエツチング
液と反応して、均一に、かつ速やかにエツチングされる
のである。
ツチング液との反応による反応生成物か従来の一方向定
速回転の場合に比して、より速やかにウェーハ表面から
離脱し、活性度の高いエツチング液がウェーハ全面に供
給される。よって、ウェーハ表面が満遍なくエツチング
液と反応して、均一に、かつ速やかにエツチングされる
のである。
［実施例コ
以下、第１図及び第２図を参照して、本発明の詳細な説
明する。なお、本実施例で使用するエツチング装置は、
第１図に示す上記従来例で使用したエツチング装置と同
一であるため、その説明は省略する。また、第２図の横
軸に示す、回転数の正負符号については、第１図の矢印
Ｙ方向を正とした。
明する。なお、本実施例で使用するエツチング装置は、
第１図に示す上記従来例で使用したエツチング装置と同
一であるため、その説明は省略する。また、第２図の横
軸に示す、回転数の正負符号については、第１図の矢印
Ｙ方向を正とした。
本実施例のエツチング方法は、第１図に示す複数のシリ
コンウェーハＷを、それぞれの回転方向及び回転数を同
時に変化さけながら回転させ、この変化を周期的に繰り
返してエツチングを行うものであり、以下その手順を具
体的に説明する。
コンウェーハＷを、それぞれの回転方向及び回転数を同
時に変化さけながら回転させ、この変化を周期的に繰り
返してエツチングを行うものであり、以下その手順を具
体的に説明する。
まず、エツチング槽Ｉをエツチング液２で満たすと共に
、図示しない治具により各シリコンウェーハＷを互いに
間隔を空けて保持させる。なお、エツチング液２として
は、例えば上記従来と同様に、弗酸、硝酸、酢酸を容量
比３：５：３の割合で混合した混酸に微量の添加剤を添
加したものなどが用いられる。
、図示しない治具により各シリコンウェーハＷを互いに
間隔を空けて保持させる。なお、エツチング液２として
は、例えば上記従来と同様に、弗酸、硝酸、酢酸を容量
比３：５：３の割合で混合した混酸に微量の添加剤を添
加したものなどが用いられる。
そして、図示しない治具を、図示しない駆動装置と連結
して、駆動装置により各シリコンウェーハＷを、第２図
に示すように、まず３０ ｒ、ｐ、ｍ、で正回転、つい
でｌ ２ Ｏｒ、ｐ、ｍ、で逆回転、そして、！ ２
Ｏｒ、ｐ、ａ＋、で正回転、さらに３０ ｒ、ｐ、ｍ、
て逆回転という順序で、１０秒間に反転かつ変速させる
。
して、駆動装置により各シリコンウェーハＷを、第２図
に示すように、まず３０ ｒ、ｐ、ｍ、で正回転、つい
でｌ ２ Ｏｒ、ｐ、ｍ、で逆回転、そして、！ ２
Ｏｒ、ｐ、ａ＋、で正回転、さらに３０ ｒ、ｐ、ｍ、
て逆回転という順序で、１０秒間に反転かつ変速させる
。
そして、この１０秒間の変化を一周期として、この周期
を１２回、すなわち時間にして１２０秒間繰り返せば、
シリコンウェーハＷ表面の加工変質層がエツチング液２
に溶失し、シリコンウェーハＷ表面は、上記従来例と同
様に片側につき２０μｍ程度エツチングされるのである
。
を１２回、すなわち時間にして１２０秒間繰り返せば、
シリコンウェーハＷ表面の加工変質層がエツチング液２
に溶失し、シリコンウェーハＷ表面は、上記従来例と同
様に片側につき２０μｍ程度エツチングされるのである
。
本実施例においては、シリコンウェーハＷか短い時間で
反転変速動作を繰り返すため、エツチング液２の粘性が
原因となって、シリコンウェーハＷ表面近傍にエツチン
グ液２の流れが生じても、この流れは、シリコンウェー
ハＷの回転と同調しない。従って、シリコンウェーハＷ
とエツチング液２とが反応することにより生成される反
応生成物が、従来に比してより速やかにシリコンウェー
ハＷ表面から離脱し、活性度の高いエツチング液２がウ
ェーハ全面に供給されて、反応も滞りなく行われるので
ある。従って、本実施例によれば、シリコンウェーハＷ
表面は、均一に、かつ速やかにエツチングされるのであ
る。
反転変速動作を繰り返すため、エツチング液２の粘性が
原因となって、シリコンウェーハＷ表面近傍にエツチン
グ液２の流れが生じても、この流れは、シリコンウェー
ハＷの回転と同調しない。従って、シリコンウェーハＷ
とエツチング液２とが反応することにより生成される反
応生成物が、従来に比してより速やかにシリコンウェー
ハＷ表面から離脱し、活性度の高いエツチング液２がウ
ェーハ全面に供給されて、反応も滞りなく行われるので
ある。従って、本実施例によれば、シリコンウェーハＷ
表面は、均一に、かつ速やかにエツチングされるのであ
る。
なお、本実施例で示したエツチング時間や、反転変速の
周期、あるいはエツチング液の組成比等のエツチング条
件は、あくまで−例を示すものであり、エツチング最あ
るいは対象とするウェーハの種類により、これらの値は
当然に変化するものである。
周期、あるいはエツチング液の組成比等のエツチング条
件は、あくまで−例を示すものであり、エツチング最あ
るいは対象とするウェーハの種類により、これらの値は
当然に変化するものである。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明は、ウェーハを、その軸
線回りに不等速度でかつ正逆両方向に回転させたため、
ウェーハ表面がエツチング液と反応して生成された反応
生成物が速やかにウェーハ表面から離脱し、ウェーハ全
面に渡って活性度の高いエツチング液が滞りなく供給さ
れる。従って本発明のエツチング方法によれば、ウェー
ハ表面を均一に、かつ速やかにエツチングすることがで
きるのである。
線回りに不等速度でかつ正逆両方向に回転させたため、
ウェーハ表面がエツチング液と反応して生成された反応
生成物が速やかにウェーハ表面から離脱し、ウェーハ全
面に渡って活性度の高いエツチング液が滞りなく供給さ
れる。従って本発明のエツチング方法によれば、ウェー
ハ表面を均一に、かつ速やかにエツチングすることがで
きるのである。
第１図はエツチング装置の概略を一部断面で示した図、
第２図は本発明の実施例におけるエツチング時間とウェ
ーハ回転数の関係を示す図、第３図は従来のエツチング
方法におけるエツチング時間とウェーハ回転数の関係を
示す図である。 ｌ・・・・・エツチング槽、 ２・・・・・エツチン
グ液、Ｗ・・・・・・ウェーハ（シリコンウェーハ）。
第２図は本発明の実施例におけるエツチング時間とウェ
ーハ回転数の関係を示す図、第３図は従来のエツチング
方法におけるエツチング時間とウェーハ回転数の関係を
示す図である。 ｌ・・・・・エツチング槽、 ２・・・・・エツチン
グ液、Ｗ・・・・・・ウェーハ（シリコンウェーハ）。
Claims (1)
- 円柱状の原料インゴットの状態から、円盤状薄板に加工
されるまでの機械加工によって、その表面に加工変質層
が生じた半導体基板用ウェーハを、エッチング液で満た
されたエッチング槽に浸し、その軸線回りに回転させて
加工変質層を除去する半導体基板用ウェーハのエッチン
グ方法において、半導体基板用ウェーハを、その軸線回
りに不等速度でかつ正逆両方向へ回転させて加工変質層
を除去することを特徴とする半導体基板用ウェーハのエ
ッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2519488A JP2672822B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体基板用ウェーハのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2519488A JP2672822B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体基板用ウェーハのエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201490A true JPH01201490A (ja) | 1989-08-14 |
| JP2672822B2 JP2672822B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=12159155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2519488A Expired - Lifetime JP2672822B2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 半導体基板用ウェーハのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2672822B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018127561A1 (en) | 2017-01-09 | 2018-07-12 | Institut National De La Santé Et De La Recherche Médicale (Inserm) | Method and apparatus for etching a substrate |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP2519488A patent/JP2672822B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018127561A1 (en) | 2017-01-09 | 2018-07-12 | Institut National De La Santé Et De La Recherche Médicale (Inserm) | Method and apparatus for etching a substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2672822B2 (ja) | 1997-11-05 |
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