JPH0218933A - 化合物半導体ウエハの鏡面エッチング方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、化合物半導体ウェハの鏡面エツチング方法及
び装置に関するものである。

［従来の技術］ 発光ダイオードやレーザダイオード、或いは電界効果ト
ランジスタ（ＦＥＴ）や各種ＩＣにはガリウム・ヒ素（
ＧａＡｓ）やインジウム・リン（Ｉｎｐ）等の化合物半
導体ウェハが用いられるが、これらのウェハの表面は高
度の平坦性が要求されるため鏡面研磨が終了した後表面
に生ずる破砕層を除去するため化学エツチングが行なわ
れるが、当初はこのエツチングを行なう場合、ウェハを
１枚づつ処理していたが作業効率が悪いため次第に多数
枚同時処理方式が用いられるようになった。

第３図（ａ）　、（ｂ）はその−例を示すもので、１は
ウェハ、２はウェハ１を収納するテフロン等のバスケッ
トで、このバスケットをエツチング液内で回転成いは上
下動させて多数ウェハの同時処理を行うものである。

［発明が解決しようとする課題］ 上述したようにウェハをエツチングする場合はバスケッ
ト内にウェハを整列させてこれをエツチング液に浸漬さ
せ、揺動させながらエツチングするのであるが、この時
バスケットと接しているウェハの周辺部にはエツチング
液との接触が十分でないためエツチングむらが生じ易い
。又この場合はウェハの裏面も同時にエツチングされる
からエツチング不良等を生じた場合に再研磨や再エツチ
ングを行って修正することが不可能となる。

このようにバスケットによる揺動方式はエツチングにバ
ラツキが生じ易く、エツチング作業の規準を定める場合
足間化しにくい嫌いがある。

本発明の目的は、多数枚のウェハを同時かつ均一にエツ
チングすることが可能な化合物半導体ウェハの鏡面エツ
チング方法及び装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、化合物半導体ウェハを鏡面エツチングする場
合、このウェハを耐食性に優れ表面の平坦度が直径方向
で３μｍ以下に保持されている円板に貼付し、この円板
を円形のエツチング構内で自転及び公転させながら化学
エツチングする第１の発明と、前記円板には９５％以上
のアルミナを含有するセラミックスを用いる第２の発明
とにより、ウェハの多数同時処理が可能で均一性が得ら
れるようにして目的の達成を計っている。

［作　　用］ 本発明の化合物半導体ウェハの鏡面エツチング方法及び
装置は、ウェハをエツチング液に浸漬させてエツチング
する場合、ウェハを９５％以上のアルミナを含有する円
形セラミックス板に貼付けこれをエツチング槽内で自転
かつ公転させながらエツチングするもので、例えば上記
の円形セラミックス板の周辺に歯車を刻み、この歯車を
これも円形のエツチング槽の内側に刻まれた歯車部分と
噛み合うようにし、回転機構により円板を回転させると
同時にエツチング槽の内周を回転するようにしであるの
で、ウェハは円板の上を自転しながら更にエツチング槽
の中を公転することになり、エツチングむらが発生せず
極めて優れたエツチングを行うことができる。

［実　施　例］ 以下、本発明の一実施例について図を用いて説明する。

第１図は本発明の化合物半導体ウェハの鏡面エツチング
装置の一実施例を示す要部断面図、第２図は要部上面図
である。

両図において３はウェハ１を貼付する円板でウェハを貼
付して使用する研磨用治具がそのまま用いられる。４は
エツチング槽、５はエツチング液、６は円板３の外周部
に切削された歯車、７はエツチング１１４の内周部に切
削された歯車で、両歯車は噛み合うように製作されてい
る。８は円板３を支持するシャフト、９は円板３を矢印
Ａ方向に自転させながら矢印Ｂ方向に公転させる回転体
、１０はモータ等の駆動機構を示す。

鏡面研磨されたＱａＡｓ、ｌｎｐ等のウェハ１は表面の
平坦度が２μｍ以下のセラミックス円板３に貼付されエ
ツチング液５に浸漬されるが、この時歯車６と歯車７と
が噛み合うようにセットされる。

この状態で駆動機構１０を回転させると円板３は回転体
９、シャフト８により矢印へ方向に自転すると同時に矢
印Ｂ方向に公転する。この動作を数回繰返した後駆動機
構１０を反転させると円板３は矢印Ａ、Ｂと反対方向に
回転するので、つ■ハ１はエツチング液と万遍なく接触
することになり、極めて効果的なエツチングを行うこと
ができる。

このようにしてφ３″のＧａＡｓウェハにｌｉｉ！Ｉ酸
系のエツチング液を用いてエツチングを行った結果、ウ
ェハの平坦度の低下は１μｍ以下で、従来方式に比べ大
幅に低減することができた。又この場合エツチング液は
温度上昇が殆どなく極めて安定なので繰返し使用ができ
るとともにエツチングの作業Ｍ準を定めることが可能と
なる。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば次のような効果が１ｑ
られる。

（１）エツチングする場合、研磨用治具と兼用して用い
られるセラミックス円板にウェハを貼付して使用するこ
とができるので、研磨作業とエツチング作業とを同一円
板を用いて連続して行うことができ、両作業時にウェハ
の着脱工程が不要となる。又鏡面のみをエツチングする
ので必要に応じて再研磨、再エツチングすることが可能
となる。

（２）ウェハ貼付用円板の自転、公転周期を一定周期で
運転するとともに正転、逆転も可能なのでウェハとエツ
チング液との接触が完全となり、均一なエツチングを行
うことができる。

（３）　　エツチング液の温度上昇が小さいので繰返し
使用が可能で経流的に有利である。

（４）エツチングの作業規準を定量的に定めることがで
きる。

（５）円板に９５％以上のアルミナを含有するセラミッ
クスを用いているので長寿命化を計ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の化合物半導体ウェハの鏡面エツチング
装置の一実施例を示す要部断面図、第２図は第１図にお
ける要部上面図、第３図は従来のエツチング装置の説明
図である。 １：ウェハ、 ３：円板、 ４：エツチング槽、 ５：エツチング液、 ６．７：歯車、 ８：シャフト、 ９：回転体、 １０：駆動機構。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、化合物半導体ウェハのエッチング方法において、該
   ウェハを耐食性に優れ表面の平坦度が直径方向で３μｍ
   以下に保持されている円板に貼付し、該円板を円形のエ
   ッチング槽内で自転及び公転させながら化学エッチング
   することを特徴とする化合物半導体ウェハの鏡面エッチ
   ング方法。 ２、化合物半導体ウェハのエッチング装置において、前
   記ウェハを円板に貼付して化学エッチングする場合、該
   円板は、９５％以上のアルミナからなるセラミックスに
   より形成されることを特徴とする化合物半導体ウェハの
   鏡面エッチング装置。