JPH021996A - 圧電セラミックス用エッチング溶液 - Google Patents
圧電セラミックス用エッチング溶液Info
- Publication number
- JPH021996A JPH021996A JP63143316A JP14331688A JPH021996A JP H021996 A JPH021996 A JP H021996A JP 63143316 A JP63143316 A JP 63143316A JP 14331688 A JP14331688 A JP 14331688A JP H021996 A JPH021996 A JP H021996A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etching solution
- acid
- pzt
- nitric acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 16
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 abstract 2
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は圧電セラミックスより詳しくはＰＺＴのエツ
チング溶液に関する。
チング溶液に関する。
圧電セラミックス （以下ＰＺＴと記す）の精密加工手
段としては、主として、ダイシングソーが用いられてい
る。このグイシングツ−は、数十−厚のダイヤモンド砥
粒焼結刃（ブレード）を高速回転 （約１５００Ｏｒｐ
ｍ）させながら、加工物を切削していく装置である。こ
のため、グイシングツ―は、直線的な加エネｎ度の面で
は優れているが、曲線や複雑な形状の加工には向いてい
ない、また、ＰＺＴに多数の溝を加工するような場合に
は、その加工速度、すなわち量産性に問題が生じる。
段としては、主として、ダイシングソーが用いられてい
る。このグイシングツ−は、数十−厚のダイヤモンド砥
粒焼結刃（ブレード）を高速回転 （約１５００Ｏｒｐ
ｍ）させながら、加工物を切削していく装置である。こ
のため、グイシングツ―は、直線的な加エネｎ度の面で
は優れているが、曲線や複雑な形状の加工には向いてい
ない、また、ＰＺＴに多数の溝を加工するような場合に
は、その加工速度、すなわち量産性に問題が生じる。
加工方法の１つとしてエツチングが考えられる。
エツチングを用いると曲線や複雑な形状の加工も行うこ
とができるが現在ＰＺＴに対するエツチング液の組成は
よく知られておらず、−船釣な強酸類を使用してもエツ
チング速度がおそい、そのうえエツチングされた幅寸法
Ｗ１ とホトレジストの微小間隔幅Ｗ０との差即ち（Ｗ
、−Ｗ、）と工。
とができるが現在ＰＺＴに対するエツチング液の組成は
よく知られておらず、−船釣な強酸類を使用してもエツ
チング速度がおそい、そのうえエツチングされた幅寸法
Ｗ１ とホトレジストの微小間隔幅Ｗ０との差即ち（Ｗ
、−Ｗ、）と工。
チング漂さ【との比即ち（Ｗ、−ＷＯ）／Ｌがどうして
も２程度になり深さ方向の選択的エツチングができない
という問題があった。
も２程度になり深さ方向の選択的エツチングができない
という問題があった。
この発明は上述の点に迄みてなされ、その目的は混合酸
を用いることにより、エツチング速度に優れ、サイドエ
ツチングの少ないＰＺＴ用エツチング溶液を提供するこ
とにある。
を用いることにより、エツチング速度に優れ、サイドエ
ツチングの少ないＰＺＴ用エツチング溶液を提供するこ
とにある。
上述の目的はこの発明によれば、フッ酸と硝酸との混酸
からなるエツチング溶液によって達成される。
からなるエツチング溶液によって達成される。
第１図にエツチング溶液の濃度とエツチングによるＰＺ
Ｔの重ＩＮ少率との関係が示される。各曲線の内容が第
１表に示される。
Ｔの重ＩＮ少率との関係が示される。各曲線の内容が第
１表に示される。
第１表
重量減少率は直径２５鶴、厚さ２ｆｌのＰＺＴ円板を１
時間エツチング溶液に浸漬して求めることができる。第
１図より、エツチング速度の最も速いのは曲線Ａ、即ち
フ７１１１２と硝酸とのγ昆酸であることがわかる。曲
線Ｆ、Ｂも良好ではあるがエツチング熔／＆１度が低く
なると重量減少率が小さくなるので曲線Ａが好ましい。
時間エツチング溶液に浸漬して求めることができる。第
１図より、エツチング速度の最も速いのは曲線Ａ、即ち
フ７１１１２と硝酸とのγ昆酸であることがわかる。曲
線Ｆ、Ｂも良好ではあるがエツチング熔／＆１度が低く
なると重量減少率が小さくなるので曲線Ａが好ましい。
曲＆Ｉ Ａにおいてはエツチング７容液の７店度が低い
場合においても重量減少率が大きい（エツチング速度が
大）のでエツチング溶液の濃度を高める必要はなく、ホ
トレジストの保護の上から存利である。従ってエツチン
グ溶液としてはフッ酸と硝酸との混酸が用いられる。
場合においても重量減少率が大きい（エツチング速度が
大）のでエツチング溶液の濃度を高める必要はなく、ホ
トレジストの保護の上から存利である。従ってエツチン
グ溶液としてはフッ酸と硝酸との混酸が用いられる。
フッ酸と硝酸との混酸においては相互の反応により強い
酸化剤が形成されエツチング速度が増す。
酸化剤が形成されエツチング速度が増す。
次にこの発明の実施例を図面に基いて説明する。
第２図はフッ酸と硝酸との混酸につきその混合率と重量
減少率との関係を示す線図である。混酸の４度は１０％
が用いられる。フッ酸は５０％ＨＰ、硝酸は６８％ＩＮ
（ｈが用いられる０重量減少率は第１図の場合と同様に
して求められる。第２図においては混合率の最適化が行
われる。 ５０％ＨＦが２０％、６８％ＩＩ Ｎ Ｏ，
が８０％の混合率のとき重Ｎ減少率は最大、即ちエツチ
ング速度が最大となることがわかる。従って５０％ＩＩ
Ｆが２０％付近のエツチング溶液が用いられる。
減少率との関係を示す線図である。混酸の４度は１０％
が用いられる。フッ酸は５０％ＨＰ、硝酸は６８％ＩＮ
（ｈが用いられる０重量減少率は第１図の場合と同様に
して求められる。第２図においては混合率の最適化が行
われる。 ５０％ＨＦが２０％、６８％ＩＩ Ｎ Ｏ，
が８０％の混合率のとき重Ｎ減少率は最大、即ちエツチ
ング速度が最大となることがわかる。従って５０％ＩＩ
Ｆが２０％付近のエツチング溶液が用いられる。
実際の加工性を検討するために、用いられたテストパタ
ーンが第３図に示される。このマスクは、種々の寸法の
スリットがあり、エツジ部分の角度も変えである。
ーンが第３図に示される。このマスクは、種々の寸法の
スリットがあり、エツジ部分の角度も変えである。
使用レジストとして、吉川化工■製３４０．− Ｃが用
いられる。スクリーン印刷によりφ２５，２ｆｌｌ！の
ＰＺＴ仮に塗布される。
いられる。スクリーン印刷によりφ２５，２ｆｌｌ！の
ＰＺＴ仮に塗布される。
第４図に混酸濃度ｌＯ％においてフッ酸（５０％ＨＦ）
混合率１６．６％ （曲線１ ）、２０．０％ （曲線
Ｈ）、２５．０％（曲Ｌｉ Ｇ ）をパラメータとして
エツチング時間とエツチング深さとの関係が示される。
混合率１６．６％ （曲線１ ）、２０．０％ （曲線
Ｈ）、２５．０％（曲Ｌｉ Ｇ ）をパラメータとして
エツチング時間とエツチング深さとの関係が示される。
スリット幅はｌ鶴である。微細加工時のエツチング速度
は充分大きいことがわかる。
は充分大きいことがわかる。
第５図にエツチングの進行の状態が示される。
ＰＺＴＩＩの上にホトレジスト１２が塗布されている。
レジストのスリット幅はＷｏであり、このスリットを経
て混酸がＰ Ｚ Ｔ、ｌｌと接触する。そして幅Ｗ深さ
しのエツチングがなされる。今（Ｗｌ −ＷＯ）／Ｌ
を時間に対してプロットすると第６図が得られる。 （
Ｗ Ｉ Ｗ ｏ ） ／ ｔはサイドエツチングの目
安を与える。 （Ｗｌ −ｗ、 ）／Ｌが小さい程サ
イドエツチングが相対的に少ない。混酸濃度は１０％で
フッ酸の混合率は２０％で実験が行われた。エッチジグ
時間が短いとき程サイドエツチングが少ないことがわか
る。従ってＰＺＴのエッチジグにおいては、比較的短時
間のエツチング処理を行うことにより、サイドエツチン
グの少ないエツチングを進めることが可能となる。
て混酸がＰ Ｚ Ｔ、ｌｌと接触する。そして幅Ｗ深さ
しのエツチングがなされる。今（Ｗｌ −ＷＯ）／Ｌ
を時間に対してプロットすると第６図が得られる。 （
Ｗ Ｉ Ｗ ｏ ） ／ ｔはサイドエツチングの目
安を与える。 （Ｗｌ −ｗ、 ）／Ｌが小さい程サ
イドエツチングが相対的に少ない。混酸濃度は１０％で
フッ酸の混合率は２０％で実験が行われた。エッチジグ
時間が短いとき程サイドエツチングが少ないことがわか
る。従ってＰＺＴのエッチジグにおいては、比較的短時
間のエツチング処理を行うことにより、サイドエツチン
グの少ないエツチングを進めることが可能となる。
この発明によればフッ酸と硝酸とからなるエツチング溶
液を用いるので、ＰＺＴ圧電セラミックスに対するエツ
チング速度が大きいうえ、サイドエツチングの少ない精
密な加工が可能となり、ＰＺＴ板に対する多数の溝加工
や複雑な形状への切断加工等を精度良くかつ短時間に行
うことが可能となる。
液を用いるので、ＰＺＴ圧電セラミックスに対するエツ
チング速度が大きいうえ、サイドエツチングの少ない精
密な加工が可能となり、ＰＺＴ板に対する多数の溝加工
や複雑な形状への切断加工等を精度良くかつ短時間に行
うことが可能となる。
第１図は混酸からなるエツチング溶液の濃度と重量減少
率との関係を示す線図、第２図はフッ酸と硝酸の混合率
と重量減少率との関係を示す線図、第３図はエツチング
のパターン図、第４図はフッ酸混合率２０％のエツチン
グ溶液を用いた場合のエツチング時間とエツチング深さ
との関係を示す線図、第５図はサイドエツチングを示す
模式断面図、第６図はフッ酸混合率２０％のエツチング
溶液を用いた場合の （’＃＋ Ｗｏ ）／ ｔとエ
ツチング時間との関係を示す線図である。 Ｆ ０ ＨＮＯ３１００ 混８手（′Ａ） 第２図 第３図 エヅ干ソグラ＠ＩＩ句儂屓 （％） 第１図 二ヅ千ｖ７’ｔｌ午間 （分） 第４図 第５図
率との関係を示す線図、第２図はフッ酸と硝酸の混合率
と重量減少率との関係を示す線図、第３図はエツチング
のパターン図、第４図はフッ酸混合率２０％のエツチン
グ溶液を用いた場合のエツチング時間とエツチング深さ
との関係を示す線図、第５図はサイドエツチングを示す
模式断面図、第６図はフッ酸混合率２０％のエツチング
溶液を用いた場合の （’＃＋ Ｗｏ ）／ ｔとエ
ツチング時間との関係を示す線図である。 Ｆ ０ ＨＮＯ３１００ 混８手（′Ａ） 第２図 第３図 エヅ干ソグラ＠ＩＩ句儂屓 （％） 第１図 二ヅ千ｖ７’ｔｌ午間 （分） 第４図 第５図
Claims (1)
- １）フッ酸と硝酸との混酸からなる圧電セラミックス用
エッチング溶液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143316A JPH021996A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 圧電セラミックス用エッチング溶液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143316A JPH021996A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 圧電セラミックス用エッチング溶液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021996A true JPH021996A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15335944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63143316A Pending JPH021996A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 圧電セラミックス用エッチング溶液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH021996A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001015822A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Ueda Japan Radio Co Ltd | 複合圧電体及び棒状圧電セラミック焼結体 |
| KR100540644B1 (ko) * | 1998-02-19 | 2006-02-28 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 엑츄에이터 제조방법 |
| JP2006140409A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Sharp Corp | ステイン膜除去方法 |
| JP2010147088A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Tdk Corp | 圧電素子の製造方法 |
| JP2011054716A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Ricoh Co Ltd | 電気機械変換素子の製造方法、該製造方法により製造した電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP63143316A patent/JPH021996A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100540644B1 (ko) * | 1998-02-19 | 2006-02-28 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 엑츄에이터 제조방법 |
| JP2001015822A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Ueda Japan Radio Co Ltd | 複合圧電体及び棒状圧電セラミック焼結体 |
| JP4528383B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2010-08-18 | 上田日本無線株式会社 | 複合圧電体の製造方法 |
| JP2006140409A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Sharp Corp | ステイン膜除去方法 |
| JP4495572B2 (ja) * | 2004-11-15 | 2010-07-07 | シャープ株式会社 | ステイン膜除去方法 |
| JP2010147088A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Tdk Corp | 圧電素子の製造方法 |
| JP4665025B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2011-04-06 | Ｔｄｋ株式会社 | 圧電素子の製造方法 |
| JP2011054716A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Ricoh Co Ltd | 電気機械変換素子の製造方法、該製造方法により製造した電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN113825585B (zh) | 用于透明材料的激光加工的方法和装置 | |
| JP2592806B2 (ja) | 圧電材料の選択腐蝕 | |
| JPH0429640B2 (ja) | ||
| JPH021996A (ja) | 圧電セラミックス用エッチング溶液 | |
| JPS61500821A (ja) | デバイスの製造における無転移スロット分離のための方法 | |
| JPH11162953A (ja) | シリコンウェーハのエッチング方法 | |
| CN109580986A (zh) | 一种单晶硅摆片的制作方法 | |
| JPS57124438A (en) | Ion beam etching for silicon carbide | |
| JPS6351641A (ja) | 単結晶または多結晶Ｓｉ膜の微細パタ−ン形成方法 | |
| JPH03239507A (ja) | Ｓｉインゴットのワイヤソーによる切断法 | |
| JPS6334927A (ja) | ダイヤモンドの加工方法 | |
| JPS61121870A (ja) | 脆性材料の切断方法 | |
| JP2004017216A (ja) | ダイヤモンドバイト及び鏡面加工方法 | |
| CN113130305B (zh) | 一种碳化硅单晶表面微结构的构建方法 | |
| Durand et al. | An experimental analysis of a Nd: YAG laser cutting process for machining silicon nitride | |
| KR0151935B1 (ko) | 기계적 가공과 화학적 에칭가공을 조합한 실리콘 웨이퍼의 패턴가공 | |
| JPH10120500A (ja) | インゴット加工法およびそれに用いる装置 | |
| JPH04158548A (ja) | 半導体ウェハのダイシング方法 | |
| JP2003266397A (ja) | 薄膜材料の精密切り出し加工方法 | |
| JP2001285000A (ja) | 水晶振動子のベベル加工方法 | |
| JPS6474727A (en) | Dry etching method | |
| SOLDATENKO | Belarusian State University, Department of Chemistry Leningradskaya 14, 220050 Minsk, Belarus E-mail: yukhnevich (a) bsu. by | |
| JPS6076961A (ja) | 固体材料の加工方法 | |
| JP2862192B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィ−用マスクの製造方法 | |
| JPH0596528A (ja) | 硬脆材料の穴明け加工方法 |