JPH01201103A - 接触検出装置 - Google Patents
接触検出装置Info
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- JPH01201103A JPH01201103A JP63025320A JP2532088A JPH01201103A JP H01201103 A JPH01201103 A JP H01201103A JP 63025320 A JP63025320 A JP 63025320A JP 2532088 A JP2532088 A JP 2532088A JP H01201103 A JPH01201103 A JP H01201103A
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Landscapes
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は接触検出装置、特に物体に接触したときの三次
元座標系における接触点の座標または接触点の微小面の
方向を検出する接触検出装置に関する。
元座標系における接触点の座標または接触点の微小面の
方向を検出する接触検出装置に関する。
従来、機械加工において製品の寸法は最も重要な商品価
値となる。寸法の測定をするためには種々の自動計4p
1技術が開発され、そして、利用されてきた。その中に
は空気マイクロメータを利用した自動定寸装置、また、
物品の寸法および形状を測定する接触式センサがある。
値となる。寸法の測定をするためには種々の自動計4p
1技術が開発され、そして、利用されてきた。その中に
は空気マイクロメータを利用した自動定寸装置、また、
物品の寸法および形状を測定する接触式センサがある。
この接触式センサはプローブが物品に接触し、物品の表
面を辿ることにより三次元方向の寸法および形状を測定
するものである。プローブが受けた変位は接触または非
接触となるスイッチの信号に変換されるものが多い。し
たがって、この信号はスイッチのon。
面を辿ることにより三次元方向の寸法および形状を測定
するものである。プローブが受けた変位は接触または非
接触となるスイッチの信号に変換されるものが多い。し
たがって、この信号はスイッチのon。
offに基づいたディジタル出力信号である。この他に
プローブの変位を差動トランスや感圧ゴムが受けること
により変位をアナログ信号として出力するものもある。
プローブの変位を差動トランスや感圧ゴムが受けること
により変位をアナログ信号として出力するものもある。
しかしながら上記のような従来の接触センサはプローブ
の微小な動作をみると、プローブか物体の表面に接触し
たり離れたりするもので精度の良い接触センサとは言え
ない。また、プローブが物体の表面に接触してもプロー
ブが物体に接触している微小面の方向が検知できない。
の微小な動作をみると、プローブか物体の表面に接触し
たり離れたりするもので精度の良い接触センサとは言え
ない。また、プローブが物体の表面に接触してもプロー
ブが物体に接触している微小面の方向が検知できない。
さらに、プローブが物体に接触している微小面の方向を
連続的に検知することができない。
連続的に検知することができない。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり
、受けた力を正確に電気信号に変換し、接触子が物体に
接触することにより受けた力の方向を容易に検出でき、
また、接触子が物体に接触している微小面の方向を検知
できる接触検出装置を提供することを目的とする。
、受けた力を正確に電気信号に変換し、接触子が物体に
接触することにより受けた力の方向を容易に検出でき、
また、接触子が物体に接触している微小面の方向を検知
できる接触検出装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために本発明は、物体に対して接触
を行う接触子と、物体との接触に起因して接触子に加わ
る力を機械的変形に変換する起歪平板と、を有する力変
換手段と、起歪平板に連接され、この起歪平板で変換さ
れた機械的変形に基づいて抵抗値か変化する抵抗素子を
接触子の接触端に加わった力の方向を認識しうるような
配列で形成した半導体基板と、起歪平板を装置本体に対
して支持する支持手段とを備えたものである。
を行う接触子と、物体との接触に起因して接触子に加わ
る力を機械的変形に変換する起歪平板と、を有する力変
換手段と、起歪平板に連接され、この起歪平板で変換さ
れた機械的変形に基づいて抵抗値か変化する抵抗素子を
接触子の接触端に加わった力の方向を認識しうるような
配列で形成した半導体基板と、起歪平板を装置本体に対
して支持する支持手段とを備えたものである。
上記のような構成の接触検出装置は接触子の接触端が物
体に接触することにより力を受けると、この力は起歪平
板に機械的変形を与える。起歪平成が受けた機械的変形
は接触子に加わった力の方向を認識するように配列され
た抵抗素子の抵抗値を変化させる。この変化した抵抗値
を検出することにより接触端に加わった力の方向と、接
触子が物体に接触している微小面の方向がわかる。
体に接触することにより力を受けると、この力は起歪平
板に機械的変形を与える。起歪平成が受けた機械的変形
は接触子に加わった力の方向を認識するように配列され
た抵抗素子の抵抗値を変化させる。この変化した抵抗値
を検出することにより接触端に加わった力の方向と、接
触子が物体に接触している微小面の方向がわかる。
以下に本発明の接触検出装置を図面に基づいて説明する
。第1図は本発明の接触検出装置1を示す一実施例であ
り、接触検出装置1の断面図である。接触検出装置1は
装置本体としてのケース2内に部品を組み込んだもので
ある。ケース2には開口3が形成されており、この開口
3から接触子としてのスタイラス4が突出ている。スタ
イラス4にはケース2を挟んでケース2の外側と内側に
開口3の径よりも大きな停止片5が形成されている。こ
の停止片5はスタイラス4の変位を制限するものである
。スタイラス4の先端部は外側の停止片5と内側の停止
片5との間で分れる状態にねじ止めされている。また、
内側の停止片5を有するスタイラス4は後述する起歪平
板としての起歪体6から突出ている誘歪部としての突起
部7にねじ止めされている。なお、上記したスタイラス
4の接続はねじ止めに代わり差込み式や互いに噛合った
ものであってもよい。
。第1図は本発明の接触検出装置1を示す一実施例であ
り、接触検出装置1の断面図である。接触検出装置1は
装置本体としてのケース2内に部品を組み込んだもので
ある。ケース2には開口3が形成されており、この開口
3から接触子としてのスタイラス4が突出ている。スタ
イラス4にはケース2を挟んでケース2の外側と内側に
開口3の径よりも大きな停止片5が形成されている。こ
の停止片5はスタイラス4の変位を制限するものである
。スタイラス4の先端部は外側の停止片5と内側の停止
片5との間で分れる状態にねじ止めされている。また、
内側の停止片5を有するスタイラス4は後述する起歪平
板としての起歪体6から突出ている誘歪部としての突起
部7にねじ止めされている。なお、上記したスタイラス
4の接続はねじ止めに代わり差込み式や互いに噛合った
ものであってもよい。
起歪体6は第2図に示すように円形であって、上記の突
起部7は起歪体6の軸線上に突出ている。
起部7は起歪体6の軸線上に突出ている。
起歪体6の支持部6aは台板8にねじ止めされており、
起歪体6の突起部7は台板8に形成された窓部9を貫通
している。この窓部9の径に対応する起歪体6の突起部
7の周りは他の部分よりも幾分薄く形成された可撓部1
0となっている。起歪体6の材質としてはSi単結晶基
板の線膨張係数に近い金属、例えばコバール(鉄、コバ
ルト、ニッケルの合金)等が用いられている。
起歪体6の突起部7は台板8に形成された窓部9を貫通
している。この窓部9の径に対応する起歪体6の突起部
7の周りは他の部分よりも幾分薄く形成された可撓部1
0となっている。起歪体6の材質としてはSi単結晶基
板の線膨張係数に近い金属、例えばコバール(鉄、コバ
ルト、ニッケルの合金)等が用いられている。
台板8は第1図に断面で示されているが円形のものであ
る。スタイラス4が延びている側の台板8の面で、かつ
、外周部近くは支持体11にねじ止めされている。この
支持体11はケース2内に固定されている。
る。スタイラス4が延びている側の台板8の面で、かつ
、外周部近くは支持体11にねじ止めされている。この
支持体11はケース2内に固定されている。
スタイラス4が形成された側とは反対側の起歪体s上に
は半導体基板としての単結晶基板12が接着されている
。この単結晶基板12は第2図に示すように四角い形状
であり、三次元座標とじて矢印でX軸、そして、Y軸を
定め、第1図に矢印でZ軸を定める。第2図においてシ
リコンの単結晶基板12上には合計12個の抵抗素子R
が形成されている。抵抗素子Rxl〜Rx4はX軸上に
配され、X軸方向に受ける応力による電気抵抗の検出に
用いられる。抵抗素子Ry1〜Ry4はY軸上に配され
、Y軸方向に受ける応力による電気抵抗の検出に用いら
れる。抵抗素子Rzl〜Rz4はX軸に平行で、この近
傍にある軸上に配されZ軸方向に受ける応力による電気
抵抗の検出に用いられる。それぞれの抵抗素子Rの具体
的な構造およびその製造方法については後述するとして
、これらの抵抗素子Rは機械的変形により電気抵抗が変
化するピエゾ抵抗効果を有する素子である。単結晶基板
12上には保護カバー13が披されており、単結晶基板
12を保護している。
は半導体基板としての単結晶基板12が接着されている
。この単結晶基板12は第2図に示すように四角い形状
であり、三次元座標とじて矢印でX軸、そして、Y軸を
定め、第1図に矢印でZ軸を定める。第2図においてシ
リコンの単結晶基板12上には合計12個の抵抗素子R
が形成されている。抵抗素子Rxl〜Rx4はX軸上に
配され、X軸方向に受ける応力による電気抵抗の検出に
用いられる。抵抗素子Ry1〜Ry4はY軸上に配され
、Y軸方向に受ける応力による電気抵抗の検出に用いら
れる。抵抗素子Rzl〜Rz4はX軸に平行で、この近
傍にある軸上に配されZ軸方向に受ける応力による電気
抵抗の検出に用いられる。それぞれの抵抗素子Rの具体
的な構造およびその製造方法については後述するとして
、これらの抵抗素子Rは機械的変形により電気抵抗が変
化するピエゾ抵抗効果を有する素子である。単結晶基板
12上には保護カバー13が披されており、単結晶基板
12を保護している。
第3図には接触検出装置1の他の実施例か示されている
。この例は第1図に基づいて説明した接触検出装置1と
同じ構成を有するので同じ構成には同じ符号を付し、詳
細な説明は省略する。この場合、スタイラス4が延びて
いる側の台板8の面で、かつ、外周部近くには、1字状
の環状溝14が形成されている。この環状溝14にはケ
ース2内に固定されている他の支持体としての環状支持
体11aの鋭い支持エツジ15が接触している。
。この例は第1図に基づいて説明した接触検出装置1と
同じ構成を有するので同じ構成には同じ符号を付し、詳
細な説明は省略する。この場合、スタイラス4が延びて
いる側の台板8の面で、かつ、外周部近くには、1字状
の環状溝14が形成されている。この環状溝14にはケ
ース2内に固定されている他の支持体としての環状支持
体11aの鋭い支持エツジ15が接触している。
即ち、環状支持体11aが台板8を支持している。
単結晶基板12上の保護カバー13には座板16が被さ
れ、この座板16にはコイルスプリング17の一端が固
定されている。コイルスプリング17の他端はコイルス
プリング17に弾発力を与える状態にケース2の内側に
固定されている。
れ、この座板16にはコイルスプリング17の一端が固
定されている。コイルスプリング17の他端はコイルス
プリング17に弾発力を与える状態にケース2の内側に
固定されている。
したがって、コイルスプリング17の弾発力によな構成
によりスタイラス4が力を受けたときに力に応じた応力
歪みが起歪体6の可撓部10に生ずる。
によりスタイラス4が力を受けたときに力に応じた応力
歪みが起歪体6の可撓部10に生ずる。
上記した第1図および第3図に示す接触検出装置1に共
通するそれぞれの抵抗素子Rは基本的に第4図に示すよ
うな配線がなされる。即ち、抵抗素子RXI−RX4は
第4図(a)に示すようなブリッジ回路に組まれる。抵
抗素子Ryl〜Ry4および抵抗素子Rzl−Rz4も
それぞれ第4図(b)、第4図(C)に示すようなブリ
ッジ回路に組まれる。それぞれのブリッジ回路には電源
18から所定の電圧または電流が供給されておりスタイ
ラス4が受けた力により起歪体6の可撓部10に歪みが
生ずると、歪みを生じた抵抗素子Rのうちいずれかの抵
抗素子の電気抵抗が変化するのでブリッジ回路の平衡条
件がくずれて電圧計19の針が振れることになる。
通するそれぞれの抵抗素子Rは基本的に第4図に示すよ
うな配線がなされる。即ち、抵抗素子RXI−RX4は
第4図(a)に示すようなブリッジ回路に組まれる。抵
抗素子Ryl〜Ry4および抵抗素子Rzl−Rz4も
それぞれ第4図(b)、第4図(C)に示すようなブリ
ッジ回路に組まれる。それぞれのブリッジ回路には電源
18から所定の電圧または電流が供給されておりスタイ
ラス4が受けた力により起歪体6の可撓部10に歪みが
生ずると、歪みを生じた抵抗素子Rのうちいずれかの抵
抗素子の電気抵抗が変化するのでブリッジ回路の平衡条
件がくずれて電圧計19の針が振れることになる。
このように応力を生じた抵抗素子の電気抵抗を■1定す
るために、第2図に示す単結晶基板12上おいて、それ
ぞれの抵抗素子Rは電気的にポンディングパッド20に
接続され、ポンディングパッド20はボンディングワイ
ヤ21によって外部配線用の電極22に接続されている
。電極22は配線孔23を通り制御装置(図示省略)に
接続される。
るために、第2図に示す単結晶基板12上おいて、それ
ぞれの抵抗素子Rは電気的にポンディングパッド20に
接続され、ポンディングパッド20はボンディングワイ
ヤ21によって外部配線用の電極22に接続されている
。電極22は配線孔23を通り制御装置(図示省略)に
接続される。
次に、第5図ないし第7図に基づいて接触検出装置1の
基本的な動作を説明する。
基本的な動作を説明する。
スタイラス4が物体に接触してスタイラス4が力を受け
ると起歪体6の可撓部10に歪みが生ずる。
ると起歪体6の可撓部10に歪みが生ずる。
この可撓部10に生じた歪みか第5図はX軸方向に生じ
た場合、第6図はY軸方向に生じた場合、第7図はX軸
方向に生じた場合であり、それぞれの抵抗素子Rに加わ
る応力(伸びる方向を+、縮む方向を一1変化なしをO
で示す)を示したものである。各図は、第2図に示す抵
抗素子RXI〜RX4に沿った断面を(a)、抵抗素子
Ryl〜Ry4に沿った断面を(b)、そして、X軸に
平行で抵抗素子Rzl〜Rz4に沿った断面を(c)と
して示している。
た場合、第6図はY軸方向に生じた場合、第7図はX軸
方向に生じた場合であり、それぞれの抵抗素子Rに加わ
る応力(伸びる方向を+、縮む方向を一1変化なしをO
で示す)を示したものである。各図は、第2図に示す抵
抗素子RXI〜RX4に沿った断面を(a)、抵抗素子
Ryl〜Ry4に沿った断面を(b)、そして、X軸に
平行で抵抗素子Rzl〜Rz4に沿った断面を(c)と
して示している。
まず、X軸方向の場合、第5図(a)、(b)、(c)
の矢印Fx (第5図(b)では紙面に垂直な方向)
で示す方向に力が加わり、それぞれ図示する極性の応力
が発生する。それぞれの抵抗素子Rには、この応力に対
応した抵抗変化が生じる。
の矢印Fx (第5図(b)では紙面に垂直な方向)
で示す方向に力が加わり、それぞれ図示する極性の応力
が発生する。それぞれの抵抗素子Rには、この応力に対
応した抵抗変化が生じる。
例えば、抵抗素子Rxlの抵抗は減り(−)、抵抗素子
Rx2の抵抗は増え(+)、抵抗素子Rylの抵抗は変
化しない(0)。また、Y軸方向およびX軸方向の場合
は、上記した説明と同様にそれぞれ第6図(a)、(b
)、(c)および第7図(a)、(b)、(c)に示す
ような矢印FyおよびFzで示す方向に力が加わり、図
示の通り応力が発生する。それぞれの抵抗素子Rには、
この応力に対応した抵抗変化が生じる。結局、加わる力
と各抵抗素子Rの変化の関係を表にまとめると、く表
1〉 上記のような接触検出装置1の基本的な動作に基づいて
、第1図に示す接触検出装置1の動作を説明する。スタ
イラス4が物体にX軸方向またはY軸方向から接触する
ことにより起歪体6の可撓部10の部分にはモーメント
が生ずる。このモーメントにより可撓部10には歪みが
生ずる。そして、X軸方向に力がかかると同じように可
撓部10には歪みが生ずる。この歪みは上記したよう(
;X軸方向、Y軸方向およびX軸方向の方向性を持たせ
たそれぞれの抵抗素子Rの抵抗値を変化させるので、こ
の信号を検出することによりスタイラス4が受けた力の
方向(接触した物体の微小な面の傾きおよび座標)が検
出される。
Rx2の抵抗は増え(+)、抵抗素子Rylの抵抗は変
化しない(0)。また、Y軸方向およびX軸方向の場合
は、上記した説明と同様にそれぞれ第6図(a)、(b
)、(c)および第7図(a)、(b)、(c)に示す
ような矢印FyおよびFzで示す方向に力が加わり、図
示の通り応力が発生する。それぞれの抵抗素子Rには、
この応力に対応した抵抗変化が生じる。結局、加わる力
と各抵抗素子Rの変化の関係を表にまとめると、く表
1〉 上記のような接触検出装置1の基本的な動作に基づいて
、第1図に示す接触検出装置1の動作を説明する。スタ
イラス4が物体にX軸方向またはY軸方向から接触する
ことにより起歪体6の可撓部10の部分にはモーメント
が生ずる。このモーメントにより可撓部10には歪みが
生ずる。そして、X軸方向に力がかかると同じように可
撓部10には歪みが生ずる。この歪みは上記したよう(
;X軸方向、Y軸方向およびX軸方向の方向性を持たせ
たそれぞれの抵抗素子Rの抵抗値を変化させるので、こ
の信号を検出することによりスタイラス4が受けた力の
方向(接触した物体の微小な面の傾きおよび座標)が検
出される。
第3図に示す接触検出装置1の場合は第1図の説明と同
じようにスタイラス4が物体に接触すると、接触した方
向がX軸またはY軸方向の場合は起歪体6の可撓部10
の部分にモーメントが生ずる。また、スタイラス4が2
軸方向の場合は可撓部10の部分に力が生ずる。この生
じたモーメントまたは力により起歪体6の可撓部10に
歪みを生ずる。スタイラス4が力を受けたときは、その
力に応じて台板8の一部が環状支持体11aから離れ、
台板8と環状支持体11aとの接触部分は弧の接触とな
る。この弧の接触は台板8と支持エツジ15とは円形と
なっているので円形上の任意の部分で生ずることになり
、スタイラス4の受ける力がいかなる方向であろうとも
起歪体6の可撓部10に生ずる歪みの方向はスタイラス
4が受けた力の方向に一致することなる。したがって、
それぞれの抵抗素子Rはスタイラス4が受けた力の方向
を正確な電気抵抗に変化することができる。
じようにスタイラス4が物体に接触すると、接触した方
向がX軸またはY軸方向の場合は起歪体6の可撓部10
の部分にモーメントが生ずる。また、スタイラス4が2
軸方向の場合は可撓部10の部分に力が生ずる。この生
じたモーメントまたは力により起歪体6の可撓部10に
歪みを生ずる。スタイラス4が力を受けたときは、その
力に応じて台板8の一部が環状支持体11aから離れ、
台板8と環状支持体11aとの接触部分は弧の接触とな
る。この弧の接触は台板8と支持エツジ15とは円形と
なっているので円形上の任意の部分で生ずることになり
、スタイラス4の受ける力がいかなる方向であろうとも
起歪体6の可撓部10に生ずる歪みの方向はスタイラス
4が受けた力の方向に一致することなる。したがって、
それぞれの抵抗素子Rはスタイラス4が受けた力の方向
を正確な電気抵抗に変化することができる。
したがって、スタイラス4が受けた力の方向(接触した
物体の微小な面の傾きおよび座標)が検出される。さら
に、スタイラス4が強い力を受けた検出装置1の説明で
は可撓部10において、Z軸方向は力、X軸、Y軸方向
はモーメントとして力(変位:変位は力に比例する)を
検出したが、スタイラス4の長さの変化に対応するため
にはX軸、Y軸およびZ軸の全ての方向は力によって検
出した方が望ましい場合がある。このX軸方向およびY
軸方向を力成分として検出する説明は特願昭62−10
1272号(発明の名称二力検出装置)に開示されてい
る。
物体の微小な面の傾きおよび座標)が検出される。さら
に、スタイラス4が強い力を受けた検出装置1の説明で
は可撓部10において、Z軸方向は力、X軸、Y軸方向
はモーメントとして力(変位:変位は力に比例する)を
検出したが、スタイラス4の長さの変化に対応するため
にはX軸、Y軸およびZ軸の全ての方向は力によって検
出した方が望ましい場合がある。このX軸方向およびY
軸方向を力成分として検出する説明は特願昭62−10
1272号(発明の名称二力検出装置)に開示されてい
る。
第8図は接触検出装置1の他の例である。このスタイラ
ス4が物体に接触することにより力を受けると、保護カ
バー13が紙面上で左右に回転する変位を受ける。この
時、保護カバー13の上面が湾曲しているので、保護カ
バー13は座板16をコイルスプリング17の弾発力に
抗して押しあげるように作用する。この時、座板16は
ケース2の内側に沿って上方に動くので座板16は案内
となる。この案内の作用はこの接触検出装置1を第3図
に示した接触検出装置1と同様に倣い検出装置として使
用する場合に有効である。
ス4が物体に接触することにより力を受けると、保護カ
バー13が紙面上で左右に回転する変位を受ける。この
時、保護カバー13の上面が湾曲しているので、保護カ
バー13は座板16をコイルスプリング17の弾発力に
抗して押しあげるように作用する。この時、座板16は
ケース2の内側に沿って上方に動くので座板16は案内
となる。この案内の作用はこの接触検出装置1を第3図
に示した接触検出装置1と同様に倣い検出装置として使
用する場合に有効である。
なお、第1図、第3図および第8図おいて、スタイラス
4に形成されている停止片5はスタイラス4が受ける変
位が大き過ぎる時に起歪体6の可B部10を破損しない
ようにすることができる。
4に形成されている停止片5はスタイラス4が受ける変
位が大き過ぎる時に起歪体6の可B部10を破損しない
ようにすることができる。
スタイラス4に大きい力がかかり、スタイラス4の先端
が破損しても先端はねじ止めとなっているので新しいも
のに取り替えることができる。
が破損しても先端はねじ止めとなっているので新しいも
のに取り替えることができる。
また、スタイラス4が受けるX軸方向、Y軸方向および
Z軸方向の力によってブリッジ回路から出力される1=
号を検出しながらスタイラス4を物体の表面に沿って移
動させれば、物体の寸法や形状を二次元の成分で高精度
に表すことができる。
Z軸方向の力によってブリッジ回路から出力される1=
号を検出しながらスタイラス4を物体の表面に沿って移
動させれば、物体の寸法や形状を二次元の成分で高精度
に表すことができる。
さらに、環状支持体11aには支持エツジ15を形成し
たが、この支持エツジ15に 代わり環状に複数の突起を形成することもできる。
たが、この支持エツジ15に 代わり環状に複数の突起を形成することもできる。
第9図は接触検出装置1の他の例である。このスタイラ
ス4と、起歪体6の可撓部10に形成されている突起部
7との間には弾性部材としてのコイルスプリング24が
それぞれに固定されている。
ス4と、起歪体6の可撓部10に形成されている突起部
7との間には弾性部材としてのコイルスプリング24が
それぞれに固定されている。
この例は第3図に示した接触検出装置1と同様に倣いプ
ローブとして有効である。コイルスプリング24を取付
けたことによってスタイラス4が物体に接触し、そして
、スタイラス4が力を受けたときに生ずる変位はコイル
スプリング240弾性力の作用により大きくすることが
できる。この例も同じようにスタイラス4が横方向から
力を受けると起歪体6の可撓部10の部分にはモーメン
トが生ずる。Z軸方向に力がかかると可撓部10の部分
に力が生ずる。このモーメントまたは力によって抵抗素
子Rの抵抗値を変化させることは上記に説明したものと
同様である。なお、コイルスプリング24の代わりに、
ゴムや合成樹脂等を使用することもできる。
ローブとして有効である。コイルスプリング24を取付
けたことによってスタイラス4が物体に接触し、そして
、スタイラス4が力を受けたときに生ずる変位はコイル
スプリング240弾性力の作用により大きくすることが
できる。この例も同じようにスタイラス4が横方向から
力を受けると起歪体6の可撓部10の部分にはモーメン
トが生ずる。Z軸方向に力がかかると可撓部10の部分
に力が生ずる。このモーメントまたは力によって抵抗素
子Rの抵抗値を変化させることは上記に説明したものと
同様である。なお、コイルスプリング24の代わりに、
ゴムや合成樹脂等を使用することもできる。
次に、ピエゾ抵抗効果を有する抵抗素子Rの製造方法を
簡単に説明する。
簡単に説明する。
以下に述べる抵抗素子Rの配置および半導体基板の条件
等については特開昭62−101269号(発明の名称
二カ検出装置)に開示されている。
等については特開昭62−101269号(発明の名称
二カ検出装置)に開示されている。
この抵抗素子Rは半導体基板上に半導体ブレーナプロセ
スにより形成されるものである。まず、第10図(a)
に示すように、N!2のシリコン基板101を熱酸化し
、表面に酸化シリコン層102を形成する。
スにより形成されるものである。まず、第10図(a)
に示すように、N!2のシリコン基板101を熱酸化し
、表面に酸化シリコン層102を形成する。
続いて同図(b)に示すように、この酸化シリコン層1
02を写真法によってエツチングして、開口部103を
形成する。
02を写真法によってエツチングして、開口部103を
形成する。
続いて同図(C)に示すように、この開口部からほう素
を熱拡散し、P型拡散領域104を形成する。なお、こ
の熱拡散の工程で、開口部103には酸化シリコン層]
05が形成されることになる。
を熱拡散し、P型拡散領域104を形成する。なお、こ
の熱拡散の工程で、開口部103には酸化シリコン層]
05が形成されることになる。
次に、同図(d)に示すように、CVD法によって窒化
シリコン層106を積層し、 窒化シリコン層106を保護層として形成する。
シリコン層106を積層し、 窒化シリコン層106を保護層として形成する。
そして同図(e)に示すように、この窒化シリコン層1
06および酸化シリコン層105に写真法によってコン
タクトホールを開口した後、同図(f)に示すように、
アルミニウム配線層107を薄石形成する。
06および酸化シリコン層105に写真法によってコン
タクトホールを開口した後、同図(f)に示すように、
アルミニウム配線層107を薄石形成する。
そして、最後にこのアルミニウム配線層107を写真法
によりパターニングし、同図(g)に示すような構造を
得る。
によりパターニングし、同図(g)に示すような構造を
得る。
なお、上記の製造工程は一例として示したちのであり、
本発明は要するにピエゾ抵抗効果を有する抵抗素子であ
ればどのようなものを用いても実現可能である。
本発明は要するにピエゾ抵抗効果を有する抵抗素子であ
ればどのようなものを用いても実現可能である。
以上述べたことから本発明の接触検出装置は接触子の受
けた力が起歪平板に機械的変形を生じさせ、この機械的
変形は接触子に加わった力の方向を認識するように配さ
れた抵抗素子によって電気抵抗に変換されるので、接触
子が物体に接触することにより受けた力を正確に電気信
号に変化させることができ、また、接触子の受けた力が
どの方向から受けたものかを容易に検出することができ
る。
けた力が起歪平板に機械的変形を生じさせ、この機械的
変形は接触子に加わった力の方向を認識するように配さ
れた抵抗素子によって電気抵抗に変換されるので、接触
子が物体に接触することにより受けた力を正確に電気信
号に変化させることができ、また、接触子の受けた力が
どの方向から受けたものかを容易に検出することができ
る。
即ち、接触子が物体に接触した接触点の座標および接触
点の微小な面の傾き等の方向を検出することができ、さ
らに、力の方向を認識するように配されたそれぞれの抵
抗素子の出力信号を検出しながら連続的に接触点の座標
および接触点の微小な面の傾き等の方向を検出すること
ができる。
点の微小な面の傾き等の方向を検出することができ、さ
らに、力の方向を認識するように配されたそれぞれの抵
抗素子の出力信号を検出しながら連続的に接触点の座標
および接触点の微小な面の傾き等の方向を検出すること
ができる。
第1図は本発明の接触検出装置を示す断面図、第2図は
第1図に矢印A−Aにより示す横断面図、第3図は接触
検出装置の他の例を示す断面図、第4図は第2因に示す
抵抗素子のブリッジ構成を示す回路図、第5図、第6図
および第7図は第2図に示す抵抗素子のX軸、Y軸、Z
軸方向に力がかかったときに発生する応力を示す断面図
、第8図は接触検出装置の他の例を示す断面図、第9図
は接触検出装置の他の例を示す断面図、第10図は第2
図に示す抵抗素子を単結晶基板上に形成する工程図であ
る。 1・・・接触検出装置、2・・・装置本体(ケース)、
(4・・・接触子(スタイラス)、6・・・起歪平板(
起歪体))・・・力変換手段、6a・・・支持部、7・
・・誘歪部(突起部)、8・・・台板、10・・・可撓
部、(11・・・支持体、lla・・・環状支持体)・
・・支持手段、12・・・半導体基板(単結晶基板)、
14・・・環状溝、15・・・支持エツジ、17.24
・・・弾性部材(コイルスプリング)、R・・・抵抗素
子。 図面の浄吉(内容(こ変更なし) 嵩l 図 為4 図 ハロ図 為7図 2 娩8図 )2・1 娩9図 /102 ′106 嶌10図 手続補正書坊式) 昭和63年6月 日 1、事件の表示 昭和63年 特許願第25320号 2、発明の名称 接触検出装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 埼玉県浦和市常盤三丁目23番5号4、補正命令
の日付 昭和63年5月11日 (発送臼 昭和63年5月31日) 5、補正の対象 図 面
第1図に矢印A−Aにより示す横断面図、第3図は接触
検出装置の他の例を示す断面図、第4図は第2因に示す
抵抗素子のブリッジ構成を示す回路図、第5図、第6図
および第7図は第2図に示す抵抗素子のX軸、Y軸、Z
軸方向に力がかかったときに発生する応力を示す断面図
、第8図は接触検出装置の他の例を示す断面図、第9図
は接触検出装置の他の例を示す断面図、第10図は第2
図に示す抵抗素子を単結晶基板上に形成する工程図であ
る。 1・・・接触検出装置、2・・・装置本体(ケース)、
(4・・・接触子(スタイラス)、6・・・起歪平板(
起歪体))・・・力変換手段、6a・・・支持部、7・
・・誘歪部(突起部)、8・・・台板、10・・・可撓
部、(11・・・支持体、lla・・・環状支持体)・
・・支持手段、12・・・半導体基板(単結晶基板)、
14・・・環状溝、15・・・支持エツジ、17.24
・・・弾性部材(コイルスプリング)、R・・・抵抗素
子。 図面の浄吉(内容(こ変更なし) 嵩l 図 為4 図 ハロ図 為7図 2 娩8図 )2・1 娩9図 /102 ′106 嶌10図 手続補正書坊式) 昭和63年6月 日 1、事件の表示 昭和63年 特許願第25320号 2、発明の名称 接触検出装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 埼玉県浦和市常盤三丁目23番5号4、補正命令
の日付 昭和63年5月11日 (発送臼 昭和63年5月31日) 5、補正の対象 図 面
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、物体に対して接触を行う接触子と、物体との接触に
起因して前記接触子に加わる力を機械的変形に変換する
起歪平板と、を有する力変換手段と、 前記起歪平板に連接され、この起歪平板で変換された機
械的変形に基づいて抵抗値が変化する抵抗素子を前記接
触子の接触端に加わった力の方向を認識しうるような配
列で形成した半導体基板と、前記起歪平板を装置本体に
対して支持する支持手段と、 を備えることを特徴とする接触検出装置。 2、起歪平板が、支持手段によって装置本体に固着され
る支持部と、接触子に加わった力を受ける誘歪部と、前
記支持部と前記誘歪部との間に設けられた可撓性を有す
る可撓部と、を有することを特徴とする請求項1に記載
の接触検出装置。 3、誘歪部と接触子とが弾性的に接続されていることを
特徴とする請求項2に記載の接触検出装置。 4、起歪平板が、支持手段によって装置本体に支持され
る支持部と、接触子に加わった力を受ける誘歪部と、前
記支持部と前記誘歪部との間に設けられた可撓性を有す
る可撓部と、を有し、支持手段が、装置本体に固着され
上面に少なくとも3つの支持点をもった支持体と、前記
支持点によって下面が支持され前記支持部に固着された
台板と、前記台板を前記支持点に向けて押圧する弾性部
材と、を有することを特徴とする請求項1に記載の接触
検出装置。 5、起歪平板が、支持手段によって装置本体に支持され
る支持部と、接触子に加わった力を受ける誘歪部と、前
記支持部と前記誘歪部との間に設けられた可撓性を有す
る可撓部と、を有し、支持手段が、装置本体に固着され
上面に環状の支持エッジをもった支持体と、下面に前記
支持エッジに適合する環状溝をもち前記支持部に固着さ
れた台板と、前記台板を前記支持エッジに向けて押圧す
る弾性部材と、を有することを特徴とする請求項1に記
載の接触検出装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63025320A JPH01201103A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 接触検出装置 |
EP88908323A EP0333872B1 (en) | 1987-09-18 | 1988-09-14 | Gripper for a robot |
US07/362,399 US5092645A (en) | 1987-09-18 | 1988-09-14 | Robotic gripper having strain sensors formed on a semiconductor substrate |
PCT/JP1988/000930 WO1989002587A1 (en) | 1987-09-18 | 1988-09-14 | Force detection apparatus using resistance element and its application |
DE3854347T DE3854347D1 (de) | 1987-09-18 | 1988-09-14 | Greifer für Roboter. |
US07/765,588 US5263375A (en) | 1987-09-18 | 1991-09-25 | Contact detector using resistance elements and its application |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63025320A JPH01201103A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 接触検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01201103A true JPH01201103A (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12162689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63025320A Pending JPH01201103A (ja) | 1987-09-18 | 1988-02-05 | 接触検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01201103A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05332705A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-14 | Mitsutoyo Corp | タッチ信号プローブ |
JP2003505688A (ja) * | 1999-07-23 | 2003-02-12 | エムケイエス・インストゥルメンツ・インコーポレーテッド | 改良された電極支持部を備えた容量型圧力変換器 |
JP2008151775A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-07-03 | Railway Technical Res Inst | 荷重測定装置及びすり板の接触力測定装置 |
JP2010181398A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-08-19 | Nippon Soken Inc | 作用力検出装置 |
CN111076641A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-28 | 浙江水利水电学院 | 一种用于高抗汽蚀性能诱导轮毛坯体的外凸部检测方法 |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63025320A patent/JPH01201103A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05332705A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-14 | Mitsutoyo Corp | タッチ信号プローブ |
JP2003505688A (ja) * | 1999-07-23 | 2003-02-12 | エムケイエス・インストゥルメンツ・インコーポレーテッド | 改良された電極支持部を備えた容量型圧力変換器 |
JP4880154B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2012-02-22 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | 改良された電極支持部を備えた容量型圧力変換器 |
JP2008151775A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-07-03 | Railway Technical Res Inst | 荷重測定装置及びすり板の接触力測定装置 |
JP2010181398A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-08-19 | Nippon Soken Inc | 作用力検出装置 |
CN111076641A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-28 | 浙江水利水电学院 | 一种用于高抗汽蚀性能诱导轮毛坯体的外凸部检测方法 |
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