JPH0584870B2 - - Google Patents

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JPH0584870B2
JPH0584870B2 JP62101270A JP10127087A JPH0584870B2 JP H0584870 B2 JPH0584870 B2 JP H0584870B2 JP 62101270 A JP62101270 A JP 62101270A JP 10127087 A JP10127087 A JP 10127087A JP H0584870 B2 JPH0584870 B2 JP H0584870B2
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JP
Japan
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acceleration
inclination
detection device
resistance element
acceleration sensor
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Kazuhiro Okada
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ENPURASU KENKYUSHO KK
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ENPURASU KENKYUSHO KK
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/084Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass

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  • Pressure Sensors (AREA)
  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 本発明は加速度・傾斜度検出装置、特に三次元
座標系における加速度・傾斜度を検出することが
できる加速度・傾斜度検出装置に関する。 〔従来の技術〕 ロボツトをはじめとする運動を伴う種々の産業
機器では、三次元座標系における加速度・傾斜度
の検出が必要になる。すなわち、XYZの3軸で
表現される三次元座標系において、加速度の向き
と大きさおよび機器の傾斜度を検出する必要が生
じる。従来、一般に用いられているこの種の検出
装置は、加速度は起因する応力歪みをストレーン
ゲージなどで電気量に変換することによつて加速
度の検出を行つている。通常は片持梁の構造体に
ストレーンゲージを貼り付け、この片持梁の応力
歪みによつて特定の方向の加速度検出を行う。ま
た、傾斜度については水準器を用いるのが最も基
本的な測定方法となるが、最近ではジヤイロを用
いて傾斜度の測定が行われている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、前述した従来の加速度・傾斜度
検出装置には、構造が複雑で量産性に適さないと
いう問題点がある。たとえば、水準器を用いて傾
斜度を測定しようとしても、水準器は傾斜だけで
なく加速度にも応答してしまうため、これを補償
する何らかの手段が必要になる。また、ジヤイロ
を用いると装置自体がかなり複雑なものとなつて
しまう。結局、加速度と傾斜度との両方を独立し
て検出でき、かつ、構造が単純な装置が従来なか
つたのである。 そこで、本発明は構造が単純で量産に適し、し
かも加速度と傾斜度との両方を独立して検出でき
る加速度・傾斜度検出装置を提供することを目的
とする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、三方向を検出軸とし、この各検出軸
方向の加速度を独立して検出しうる第1の加速度
センサと、 少なくとも二方向を検出軸とし、この各検出軸
方向の加速度を独立して検出しうる第2の加速度
センサと、 この一対のセンサの各検出軸のうち少なくとも
2組が互いに平行にはならない方向に向くよう
に、一対のセンサを固着支持する基体と、 一対のセンサのそれぞれの検出軸について得ら
れる少なくとも5つの検出値に基づいて、基体に
作用する加速度の方向と大きさ、基体の傾斜度を
求める演算装置と、 によつて加速度・傾斜度検出装置を構成したも
のである。 〔作用〕 本発明に係る装置によれば、両方のセンサから
2つまたは3つずつの検出値、合計で5つの検出
値が得られる。一対のセンサの各検出軸のうち少
なくとも2組は互いに平行ではないので、5つの
検出値は独立した値となる。ここで、求めるべき
加速度の向きをθaおよびφaの2つの角度で表し、
その大きさをαとし、求めるべき傾斜度をθtおよ
びφtの2つの角度で表すことにすれば、この5
つの未知数は、5つの独立した検出値に基づいて
演算により求めることができる。 〔実施例〕 以下本発明を図示する実施例に基づいて説明す
る。 装置の構成 第1図は本発明の一実施例に係る加速度・傾斜
度検出装置の基本構成図である。この装置は、2
つの三次元加速度センサ1および2と、基体3
と、演算装置(図示されていない)とから構成さ
れている。基体3は基準面Aと基準面Bとの2つ
の基準面を有し、これら基準面A,Bにそれぞれ
三次元加速度センサ1,2が取付けられている。
基準面A,Bのなす各βは直角以外の角度に設定
されている。三次元加速度センサ1,2の構造に
ついては後に詳述するが、いずれも互いに直交す
る三方向を検出軸とし、この各検出軸方向の加速
度を独立して検出することができる。センサ1の
3つの検出軸をx1,y1,z1とすれば、x1,y1が
基準面A内に含まれ、z1がこの基準面Aに対して
垂直方向を向くような位置にセンサ1は取付けら
れる。また、センサ2の3つの検出軸をx2,y2,
z2とすれば、x2,y2が基準面B内に含まれ、z2
がこの基準面Bに対して垂直方向を向くような位
置にセンサ2は取付けられる。しかもy1,y2が
互いに平行でない方向を向くように配置され、結
局、6つの検出軸がいずれも平行にはならないよ
うな向きに両センサが取付けられることになる。
装置の動作原理 以上のような構成により、センサ1からは、
x1,y1,z1方向の加速度Ax1,Ay1,Az1が検出
され、センサ2からは、x2,y2,z2方向の加速
度Ax2,Ay2,Az2が検出される。前述のよう
に、6つの検出軸の向きはいずれも異なるため、
この6つの検出値は独立したものとなる。いま、
第1図に示すように、基体3の一部に原点Oを定
義し、基準面A内にベクトルOPを定義する。す
ると、第2図に示すように、三次元空間での基体
3の傾斜度は、ベクトルOPの傾きで表される。
すなわち、水平方向の角度θtと垂直方向の角度φt
とによつて定義できる。また、同様にして、この
基体3に作用する加速度の方向も水平方向の角度
θaと垂直方向の角度φaとによつて定義できる。
いま、この加速度の大きさをαとすれば、結局、
基体3の加速度および傾斜度は、θa,φa,θt,
φt,αの5つの変数で表されることになる。こ
れらの変数は、それぞれセンサ1,2の検出値
Ax1,Ay1,Az1,Ax2,Ay2,Az2の関数で表
される。すなわち、 θa=f1(Ax1,Ay1,Az1,Ax2,Ay2,Az2) φa=f2(Ax1,Ay1,Az1,Ax2,Ay2,Az2) θt=f3(Ax1,Ay1,Az1,Ax2,Ay2,Az2) φt=f4(Ax1,Ay1,Az1,Ax2,Ay2,Az2) α =f5(Ax1,Ay1,Az1,Ax2,Ay2,
Az2) なる形で表されることになる。したがつて、両
センサの検出値に基づいて5つの変数、すなわち
基体3の加速度および傾斜度を求めることができ
る。 なお、上述の実施例では、6つの検出軸がいず
れも平行にはならないように、2つのセンサ1,
2を配置し、6つの異なる検出値を得る例を説明
したが、上式の5つの変数を求めるためには5つ
の独立した検出値があれば良いので、6つの検出
値のうちの少なくとも5つが異なるものになれば
足りる。したがつて、2つのセンサの各検出軸の
うち少なくとも2組が互いに平行にならない方向
に向いていれば良いことになる。 三次元加速度センサの構成例 以下、本発明に係る加速度・傾斜度検出装置に
適した三次元加速度センサの構成例を示す。この
センサは半導体基板内にピエゾ抵抗効果を有する
抵抗素子を形成したものである。第3図aにこの
加速度センサの側断面図、同図bに上面図を示
す。ここで、X軸、Y軸、Z軸を図の方向に定義
するものとする。第3図aは同図bに示す装置を
X軸に沿つて切断した断面図に相当する。 このセンサにおいて、シリコンの単結晶基板1
0上には、合計12個の抵抗素子Rが形成されてい
る。抵抗素子Rx1〜Rx4はX軸上に配されX軸
方向の加速度検出に用いられ、抵抗素子Ry1〜
Ry4はY軸上に配されY軸方向の加速度検出に
用いられ、抵抗素子Rz1〜Rz4はX軸に平行で
この近傍にある軸上に配されZ軸方向の加速度検
出に用いられる。各抵抗素子Rの具体的な構造お
よびその製造方法については後に詳述するが、こ
れら抵抗素子Rは機械的変形によつてその電気抵
抗が変化するピエゾ抵抗効果を有する素子であ
る。 この単結晶基板10は起歪体20に接着されて
いる。また、起歪体20は円盤状のフランジ部2
1と、可撓性をもたせるために肉厚を薄くした可
撓性22と、中心に突出した突出部23とから構
成される。この起歪体20の材質としてはコバー
ル(鉄、コバルト、ニツケルの合金)が用いられ
ている。コバールはシリコン単結晶基板10とほ
ぼ同程度の熱膨脹率を有するため、単結晶基板1
0に接着されていても、温度変化によつて生じる
熱応力が極めて小さいという利点を有する。起歪
体20の材質、形状は、上述のものに限定される
わけではなく、ここに示す実施例は最適な一態様
にすぎない。なお、この起歪体20は取付孔24
によつて基体3に固着される。 起歪体20の突出部23の先端には重錘体30
が取付けられている。本センサでは、この重錘体
30は金属塊で構成されている。この重錘体30
の機能は、加わる加速度に応じた応力歪みを起歪
体20に生じさせることにあり、この機能を果た
すものであればどのような材質のものをどのよう
な位置に設けてもかまわない。 起歪体20の上部には、単結晶基板10を保護
するための保護カバー40が取付けられている
(第3図bでは図示省略)。保護カバー40は、保
護の機能を有するものであればどのようなもので
もよい。 各抵抗素子には第4図に示すような配線がなさ
れる。すなわち、抵抗素子Rx1〜Rx4は第4図
aに示すようなブリツジ回路に組まれ、抵抗素子
Ry1〜Ry4は第4図bに示すようなブリツジ回
路に組まれ、抵抗素子Rz1〜Rz4は第4図cに
示すようなブリツジ回路に組まれる。各ブリツジ
回路には電源50から所定の電圧または電流が供
給され、各ブリツジ電圧は電圧計51〜53によ
つて測定される。各抵抗素子Rに対してこのよう
な配線を行うため、第3図に示すように単結晶基
板10上で各抵抗素子Rに電気的に接続されてい
るボンデイングパツド11と外部配線用の電極1
3とが、ボンデイングワイヤ12で接続される。
電極13は配線孔25を通して外部に導出されて
いる。 センサの基本原理 第3図aにおいて、センサ全体を運動させる
と、この運動によつて重錘体30に加速度がかか
り、起歪体20にこの加速度に応じた応力歪みが
生じることになる。前述のように可撓部22は肉
厚が薄く可撓性を有するため、起歪体の中心部
(以下作用部という)と周辺部(以下支持部とい
う)との間に変位が生じ、各抵抗素子Rが機械的
に変形することになる。この変形によつて各抵抗
素子Rの電気抵抗が変化し、結局、センサ全体の
運動加速度は第4図に示す各ブリツジ電圧の変化
として検出される。 第5図に、応力歪みと抵抗素子Rの電気抵抗の
変化との関係を示す。ここでは、説明の便宜上、
単結晶基板10と起歪体20の突出部23のみを
図示し、図の左から右に4つの抵抗素子R1〜R
4が形成されている場合を考える。まず、第5図
aに示すように、センサ全体が静止しているとき
は、単結晶基板10に応力歪みは加わらず、すべ
ての抵抗素子の抵抗変化は0である。ところが下
方向の加速度が加わると、重錘体の運動によつて
作用部に第5図bに示すような下向きの力F1が
かかり、単結晶基板10が図のように機械的に変
形することになる。いま、抵抗素子の導電型をP
型とすれば、この変形によつて、抵抗素子R1お
よびR4は伸びて抵抗が増え(+記号で示すこと
にする)、抵抗素子R2およびR3は縮んで抵抗
が減る(−記号を示すことにする)ことになる。
また、右方向の加速度が加わると、重錘体の運動
によつて作用部に第5図cに示すような右向きの
力F2がかかり、単結晶基板10が図のように機
械的に変形することになる。この変形によつて、
抵抗素子R1およびR3は伸びて抵抗が増え、抵
抗素子R2およびR4は縮んで抵抗が減ることに
なる。なお、各抵抗素子Rは図の横方向を長手方
向とする抵抗素子であるため、図の紙面に垂直な
方向に力を加えた場合は、各抵抗素子ともに抵抗
値の変化の無視できる。このように、本装置では
加わる力の方向によつて抵抗素子の抵抗変化特性
が異なることを利用して、各方向の加速度を独立
して検出するのである。 センサの動作 以下、第6図〜第8図を参照して本センサの動
作を説明する。第6図はX軸方向に加速度が生じ
た場合、第7図はY軸方向に加速度が生じた場
合、第8図はZ軸方向に加速度が生じた場合、の
各抵抗素子に加わる応力(伸びる方向を+、縮む
方向を−、変化なしを0で示す)をそれぞれ示し
たものである。各図では、第3図に示すセンサを
X軸に沿つて切つた断面をa、Y軸に沿つて切つ
た断面をb、そしてX軸に平行で素子Rz1〜Rz
4に沿つて切つた断面をcとして示すことにす
る。 まず、X軸方向に加速度が生じた場合、第6図
a,b,cの矢印Fx(第6図bでは紙面に垂直な
方向)で示す方向に力が加わり、それぞれ図示す
る極性の応力が発生する。この応力の極性は第5
図の説明から容易に理解できよう。各抵抗素子R
には、この応力に対応した抵抗変化が生じる。た
とえば、抵抗素子Rx1の抵抗は減り(−)、抵抗
素子Rx2の抵抗は増え(+)、抵抗素子Ry1の
抵抗は変化しない(0)。また、Y軸方向および
Z軸方向に加速度が生じた場合は、それぞれ第7
図および第8図に示すような矢印FyおよびFzで
示す方向に力が加わり、図示するような応力が発
生する。 結局、加わる力と各抵抗素子の変化の関係を表
にまとめると、表1のようになる。
【表】
【表】 ここで、各抵抗素子Rが第4図に示すようなブ
リツジを構成していることを考慮に入れると、加
わる力と各電圧計51〜53の変化の有無は表2
のような関係になる。
〔発明の効果〕
以上のとおり本発明によれば、三次元加速度セ
ンサを2つ用意し、このセンサの5つの出力から
加速度および傾斜度を演算するようにしたため、
構造が単純で量産に適し、しかも加速度と傾斜度
との両方を独立して検出できる加速度・傾斜度検
出装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る加速度・傾斜度検出装置
の基本構成図、第2図は加速度・傾斜度の表現方
法を説明する図、第3図aおよびbは本発明に係
る加速度・傾斜度検出装置に用いるのに適した三
次元加速度センサの断面図および平面図、第4図
は第3図に示すセンサの抵抗素子のブリツジ構成
を示す回路図、第5図は第3図に示すセンサにお
ける応力歪みと抵抗素子の抵抗変化との関係を示
す原理図、第6図、第7図、第8図は、第3図に
示す装置において、それぞれX軸、Y軸、Z軸方
向に力がかかつたときに発生する応力を示す図、
第9図は第3図に示すセンサに用いる抵抗素子を
単結晶基板上に形成するプロセスの工程図、第1
0図は本発明に係わる加速度・傾斜度検出装置に
用いるのに適した三次元加速度センサの別な実施
例の断面図である。 1,2……三次元加速度センサ、3……基体、
10……シリコン単結晶基板、11……ボンデイ
ングパツド、12……ボンデイングワイヤ、13
……電極、20……起歪体、21……フランジ
部、22……可撓部、23……突出部、24……
取付孔、25……配線孔、30……重錘体、40
……保護カバー、50……電源、51〜53……
電圧計、101……N型シリコン基板、102…
…酸化シリコン層、103……開口部、104…
…P型拡散領域、105……酸化シリコン層、1
06……窒化シリコン層、107……アルミニウ
ム配線層、R……抵抗素子、200……シリコン
チツプ、201……基板部、202……支持部、
203……作用部、204……垂錘部、205…
…ボンデイングワイヤ、206……リード、20
7……モールド樹脂、208……蓋板、209…
…通気孔。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 XYZの3軸で表現される三次元座標系にお
    ける加速度を、前記各軸ごとに独立して検出する
    ことができる一対の加速度センサを、前記一対セ
    ンサの3軸が互いに少なくとも2軸は平行になら
    ない方向を向くように、前記一対のセンサを基体
    に固着支持し、前記一対のセンサのそれぞれから
    検出される少なくとも5つの検出値に基づいて、
    前記基体に作用する加速度の方向と大きさ、およ
    び/または前記基体の傾斜度を求める演算装置
    と、を備えることを特徴とする加速度・傾斜度検
    出装置。 2 上記基体は、互いに直交しない2つの基準面
    を有し、この各基準面のそれぞれに上記の加速度
    センサを取り付けたことを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の加速度・傾斜度検出装置。 3 上記の加速度センサは、機械的変形によつて
    電気抵抗が変化する抵抗素子が少なくとも一面に
    形成された半導体基板と、支持部と作用部とを有
    し、前記作用部の前記支持部に対する変位に基づ
    いて前記抵抗素子に機械的変形を生じさせるよう
    に前記半導体基板に連接された起歪体と、前記起
    歪体の前記作用部に連接され、その加速度に応じ
    た変位を前記作用部に生じさせる垂錘体と、によ
    つて構成されていることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項または第2項記載の加速度・傾斜度検
    出装置。 4 上記の加速度センサは、起歪体の中心部また
    は周辺部のどちらか一方を上記支持部とし、他方
    を上記作用部としていることを特徴とする特許請
    求の範囲第3項記載の加速度・傾斜度検出装置。 5 上記の加速度センサの、上記半導体基板はシ
    リコン基板からなり、抵抗素子が半導体プレーナ
    プロセスによつて形成されていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第3項または第4項記載の加速
    度・傾斜度検出装置。 6 上記の加速度センサは、半導体基板、起歪
    体、および垂錘体がシリコンの同一チツプ内に一
    体形成されていることを特徴とする特許請求の範
    囲第5項記載の加速度・傾斜度検出装置。 7 上記の加速度センサは、各軸方向の加速度を
    検出するためにそれぞれ少なくとも4つの抵抗素
    子が設けられ、前記4つの抵抗素子によつてそれ
    ぞれブリツジが形成されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第3項乃至第6項のいずれかに記
    載の加速度・傾斜度検出装置。
JP62101270A 1987-04-24 1987-04-24 加速度・傾斜度検出装置 Granted JPS63266359A (ja)

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