JP2006125887A - 加速度センサ - Google Patents

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Abstract

【課題】熱膨張係数差に起因する応力の問題を解消し，ノイズを軽減した加速度センサを提供する。
【解決手段】三次元座標系における三軸方向の加速度を検出する加速度センサであって，半導体基板で一体に形成された、四辺を有する支持枠と，前記支持枠内に位置する錘部と，片端が前記錘部を支持するように前記錘部に接続され，他端が前記四辺の対応する辺の中央部に接続された，前記四辺のそれぞれに対応する４本の可撓部を有し，前記四本の可撓部のそれぞれに，前記錘部に加わる加速度に応じた前記可撓部の撓みを検出する検出素子が形成され，前記支持枠の四辺のそれぞれに，ギャップを有して形成される一対の接合部が形成され，一の辺に形成される前記一対の接合部間のギャップは，前記一の辺の中央部を対称に所定の長さを有する。
【選択図】図１Ａ

Description

本発明は，加速度センサに関する。特に温度特性向上を実現した，３軸のそれぞれの加速度を検出可能な加速度センサに関する。
自動車、船舶等の移動体、ロボット、機械製造装置あるいは、使用者により把持されて使用される移動機器、例えばノートＰＣ、携帯電話、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant），ＤＶＣ（Digital Video Camera），ＤＳＣ(Digital Still Camera)等において、種々の制御のために、その制御の目的に対応して対象物全体又はその一部に与えられる応力を検出することが重要である。この応力を対象物全体又はその一部に作用する加速度に基づくものとして検知することにより、当該加速度を検知することができる。
かかる応力あるいは加速度の検出装置として、従来種々開発され、その一つとして、半導体基板上にゲージ抵抗を形成し、ピエゾ抵抗効果により、外部から与えられる錘部に加わる力に基づいて生じる機械的な歪を電気信号に変換する装置が知られている（非特許文献１）。
さらに、前記ゲージ抵抗におけるピエゾ抵抗効果の利用に代えて、歪に対応する静電容量の変化を利用することも可能であることが上記非特許文献１に解説されている。
特に、かかる非特許文献１において説明される発明の特徴は、半導体基板上に形成した複数軸方向の力センサにより、一つの装置で、複数種類のセンサ即ち、３軸力センサ、３軸加速度センサ、３軸角速度センサ、６軸モーションセンサの４種のセンサを構成することを可能とするものである。
かかる非特許文献１に記載の原理を用いた半導体加速度センサに関し，種々の課題に対し，それぞれ提案がなされている。種々の課題の一つとして，加速度センサの適用される環境（どのような機器に使用されるか）によって，予想外の大きな衝撃が加わることがあり得る。かかる場合，錘部が大きく変位し，これに伴いゲージ抵抗を破壊するおそれがある。
かかる不都合を解消するために，錘部の変位を制限するストッパーを設ける構成が提案されている（特許文献１）。
一方，加速度センサを構成する部位間の熱膨張係数差，たとえば，半導体基板と前記ストッパーとの熱膨張係数差，あるいは，半導体基板と検出素子の出力を外部に出力するために設けられる電極パットとの熱膨張係数差に起因する応力による検出誤差の問題がある。
そして，かかる熱膨張係数差に起因する問題を解決する一構成が提案されている（特許文献２）。かかる特許文献２に記載される発明は，矩形の支持枠の四隅から伸びる支持部の先端でストッパーを形成する構成である。これにより支持枠（フレーム）とストッパーとの接合面積を小さくして半導体基板と前記ストッパーとの熱膨張係数差に起因する問題を解消しようとするものである。
"３軸センサの開発" 雑誌「発明」５２頁〜６３頁、2003. 9 発明協会発行 特開２０００−１８７０４１号公報 特開２０００−３０４７６２号公報
上記特許文献２に記載の発明では，ストッパーが四隅から伸びている為、支持枠（フレーム）上の電気的接続に使用するパッドが梁（可撓部）付近に集中する。これによりフレームとパッドの熱膨張係数差に起因する熱応力が可撓部に発生し易い構成である。
したがって，本発明の目的は，熱膨張係数差に起因する応力の問題に関し，かかる従来の発明における不都合を解消する加速度センサを提供することにある。
上記の発明の目的を達成する本発明に従う加速度センサの第１の態様は，三次元座標系における三軸方向の加速度を検出する加速度センサであって，半導体基板で一体に形成された、四辺を有する支持枠と，前記支持枠内に位置する錘部と，片端が前記錘部を支持するように前記錘部に接続され，他端が前記四辺の対応する辺の中央部に接続された，前記四辺のそれぞれに対応する４本の可撓部を有し，前記四本の可撓部のそれぞれに，前記錘部に加わる加速度に応じた前記可撓部の撓みを検出する検出素子が形成され，前記支持枠の四辺のそれぞれに，ギャップを有して形成される一対の接合部が形成され，一の辺に形成される前記一対の接合部間のギャップは，前記一の辺の中央部を対称に所定の長さを有することを特徴とする。
上記の発明の目的を達成する本発明に従う加速度センサの第２の態様は，第１の態様において，前記一対の接合部のそれぞれは，前記検出素子につながる所定の電極リードに接続された複数の電極端子を有し，前記複数の電極端子は，対応する前記辺に沿って等間隔に配置されていることを特徴とする。
さらに，上記の発明の目的を達成する本発明に従う加速度センサの第３の態様は，第１又は第２の態様において，前記一対の接合部間のギャップの大きさにより，前記検出素子により検出されるオフセット電圧が調整されていることを特徴とする。
上記の発明の目的を達成する本発明に従う加速度センサの第４の態様は，第１の態様において，前記支持枠は，所定の厚みを有し，前記一対の接合部が形成される面と反対側面に，前記所定の厚みより薄い領域を前記支持枠の辺に沿って所定長さ分均一に形成する凹部を前記四辺のそれぞれに有し，前記反対側面に対向して台座に接合され，前記凹部が，前記基板と前記支持枠との間に有するスペース溝を形成することを特徴とする。
また，上記の発明の目的を達成する本発明に従う加速度センサの第５の態様は，第１の態様において，前記支持枠は，所定の厚みを有し，少なくとも前記一対の接合部が形成される領域を前記支持枠の辺に沿って前記所定の厚みより薄い所定長さ分均一に形成された凹部により形成し，前記一対の接合部に対向してストッパ基板に接合され，前記凹部が，前記ストッパ基板と前記支持枠との間に有するスペース溝を形成することを特徴とする。
上記の発明の目的を達成する本発明に従う加速度センサの第６の態様は，第４の態様において，前記支持枠に接合される台座は，回路基板，パッケージ底部，或いは，パッケージカバーであることを特徴とする。
さらに，上記の発明の目的を達成する本発明に従う加速度センサの第７の態様は，第４又は５の態様において，前記凹部の所定長さにより，前記検出素子により検出されるオフセット電圧が調整されていることを特徴とする。
さらにまた，上記の発明の目的を達成する本発明に従う加速度センサの第８の態様は，第４又は５の態様において，前記支持枠の凹部の中央部で，更に前記可撓部の方向と一致する方向に，前記支持枠の裏面側に溝部が形成されていることを特徴とする。
また，上記の発明の目的を達成する本発明に従う加速度センサの第９の態様は，第４又は５の態様において，前記支持枠の表面側で，前記支持枠の４隅角に対応する位置に溝部が形成されていることを特徴とする。
本発明の特徴は，以下に図面に従い説明される発明の実施の形態より更に明らかになる。
本発明により、簡易な構成で熱膨張係数差に起因する応力の問題を解消し，温度特性を向上する加速度センサが提供可能である。
以下図面に従い、本発明の実施の形態例を説明する。なお、実施の形態例は本発明の理解のためのものであり、本発明の技術的範囲はこれに制限されるものではない。
[第1の実施の形態]
本発明の第1実施の形態を図１Ａ〜図１Ｃに示す。図１Ａは本発明に従う加速度センサの上面図（図１Ａ，I）とa-b線での横断面図（図１Ａ,II）を示している。加速度センサは，周囲を囲う四辺を有する支持枠１とその支持枠１内に位置する錘部２と支持枠１と錘部２との間に形成された可撓部３とがセンサ基体１０として半導体基板で一体形成されている。さらに，センサ基体１０の裏面側は，ガラス，アルミナセラミック等のパッケージ材である台座４に載置固定されている。
かかる構成において，錘部２に上下或いは横方向に応力が加わると，可撓部３が応力に対応した撓みを生じる。この撓みを可撓部３に形成した検出素子５により歪みとして検出し，応力を生じている加速度として求めることができる。
図１Ｂは，センサ基体１０と台座４との接合を説明する図である。センサ基体１０と台座４は，台座４の周辺に形成された接合部６で陽極接合又は樹脂等により接合されている。
一方，センサ基体１０の表面側は，検出素子５から導かれる図示しないリードに接続された電極を外部に引出すためにＡｌ等の導電性材料のパッド（接合部）７を介して同様にガラス，アルミナセラミック等のストッパ基板８で覆われる。ストッパ基板８は，基体１０に対応した大きさの平板であっても，図１Ｂに示される様に梁状に形成され，基体１０の対角で両端が固定されるものであってもよい。
ここで，上記構成では，上記センサ基体１０を載置固定する台座４はストッパ基板８と伴に，錘部２の上下方向の動きを制限する機能も有する。
しかし，接合部６，７と半導体基板であるセンサ基体１０との熱膨張係数の相違が問題となる。すなわち，かかる熱膨張係数の相違により熱応力が発生する。これに伴い，加速度が加わらない０Ｇの状態でも可撓部３に歪みを与え，検出素子５から信号（以下，オフセットドリフトと呼ぶ）が発生する。そして，先に従来例として説明した特許文献２において，かかるオフセットドリフトを解決する一方法が提案されているが，支持枠１と接合部７の熱膨張係数差に起因する熱応力が可撓部３に発生し易い構成である。
したがって，本発明は，かかる不都合を解決するものである。
第１の実施の形態例においては，本発明の特徴として支持枠１の四辺のそれぞれに，ギャップを有して形成される一対の接合部７ａ，７ｂを有する様に構成されている。
図１Ｃは，第１の実施の形態の温度特性図であり，接合間ギャップ９をギャップがない状態即ち，ギャップ０から広げ，それぞれのギャップにおいて−４５℃〜＋８５℃まで温度を変化させたときの最大オフセット電圧を，２５℃の時のオフセット電圧で規格化した値をプロットしたグラフである。
図１Ｃに示すように，接合部間ギャップ９が大きくなるほど規格化オフセット電圧は，小さくなることが理解できる。
このように，本発明の第１の実施の形態は，支持枠１の平面内（Ｘ−Ｙ平面）に接合部７を形成し、可撓部３の長手方向線対称中心に直交する方向に接合部間ギャップ９を形成している。これにより，接合部７と半導体基板の線膨張係数差により発生する熱応力を抑制することが可能であり，温度オフセットドリフトを抑制することが出来る。
また，付加的効果として，図１Ｂに示される台座４とセンサ基体１０との接合部６により，支持枠１全面を台座４に固定することが可能である。これにより，第１の実施の形態は，耐衝撃性にも優れている。
[第２の実施の形態]
図２Ａ，図２Ｂ及び図２Ｃは，本発明の第２の実施の形態を示す図であり，それぞれ，図１Ａ，図１Ｂ図及び図１Ｃに対応する図である。
したがって，図２Ａ，図２Ｂにおいて，図１Ａ，図１Ｂと同じ参照番号は同じ部位を示している。ただし，この第２の実施の形態は，第１の実施の形態例の接合部７と異なり，複数の個別接合部７ａの形態を有している。
図３は，図２Ａの平面図（I）を拡大して示す図である。なお，図３においては，図２Ｂと異なりストッパ基板８をＸ状にして，４端子を基体１０の４隅で固定する様にした例を示している。
図３において，Ｘ軸方向の加速度を検出するためのピエゾ抵抗Ｒx1〜Ｒx4，Ｙ軸方向の加速度を検出するためのピエゾ抵抗Ｒy1〜Ｒy4，及びＺ軸方向の加速度を検出するためのピエゾ抵抗Ｒz1〜Ｒz4が可撓部３に形成されている。
そして，これらピエゾ抵抗の両端子は，リードを介して対応する電極パッドである個別接合部７ａに接続されている。なお，図３には，ピエゾ抵抗に接続されていない個別接合部７ａもあるが，これは各辺で応力バランスを保つためのダミーのパッドである。
個別接合部７ａから導かれて図示しない外部回路において，ホイートストンブリッジに組まれ，可撓部３の歪み量が加速度として検知される。かかる検出のための回路構成は本発明と直接の関係を有しないので更なる説明は省略する。
図２Ｃに戻り説明する。図２Ｃは，図１Ｃと同様に，それぞれの接合間ギャップ９において−４５℃〜＋８５℃まで温度を変化させたときの最大オフセット電圧を，２５℃の時のオフセット電圧で規格化した値をプロットしたグラフである。
図２Ｃにおいて，グラフＡは第１の実施の形態の特性であり図１Ｃと同じである。これに対しグラフＢは，第２の実施の形態の特性を示している。図２Ｃに示すグラフから第２の実施の形態の方が，接合間ギャップ９を大きくしたときの規格化オフセット電圧の変化が大きいことが理解できる。すなわち，第２の実施の形態は，同一接合間ギャップ９でも第１の実施の形態に比べ，より温度ドリフトを抑制出来ることが理解できる。
したがって，温度ドリフトを０とする条件では，第２の実施の形態は，第１の実施の形態に比べ，より接合間ギャップ９を小さくすることができる（図２Ｃ，両矢印区間Ｃ参照）。
図４Ａ，図４Ｂは，かかる第１の実施の形態と比較した時の接合間ギャップ９を小さくすることができることにより，接合長Ｌを大きくできる理由を更に説明する図である。
図４Ａは，第１の実施の形態における接合間ギャップ９について同じ大きさ，従って第１の実施の形態と同じ接合長Ｌを持つように個別接合部７ａの間隔を定めた例である。かかる場合であっても，図２Ｃに示すように，第２の実施の形態では，第１の実施の形態の場合より，より小さい規格化オフセット電圧を示す。
図４Ｂは，第２の実施の形態において，温度ドリフトを０とする条件で，第１の実施の形態における接合間ギャップ９より小さなギャップを有するように個別接合部７ａの間隔を定めた例である。接合間ギャップ９が図４Ａに比べ，小さくなっているので，接合長Ｌを大きくすることができる。
[第３の実施の形態]
図５Ａ〜図５Ｃは，本発明に従う第３の実施の形態を示す図である。先の第１，第２の実施の形態と同じ参照番号は同じ部位を示している。
この第３の実施の形態は，先の第１又は第２の実施の形態の特徴を備え，更に別の特徴として台座４とセンサ基体１０との間にスペース溝１１を有している。ここで，台座４は，先の第１，第２の実施の形態とともにパッケージ，回路基板等の導電性接合部を有する基板を含むものである。
台座４へのセンサ基体１０の接合は，四辺の隅に形成される柱部１２を陽極接合又は樹脂等により接合することによって行われる。かかる柱１２の存在により台座４とセンサ基体１０との間に有するスペース溝１１の幅は，両隅の２つの柱１２の間の長さである。
ここで，図５Ｂに示す様に，２つの柱１２の間の長さ即ち，スペース溝１１の幅をＷ１とし，センサ基体１０の一辺の長さをＷとする。図５Ｃは，Ｗ１／Ｗの比率に対するオフセット電圧の変化を示すグラフである。各Ｗ１／Ｗの比率において，−４５℃〜＋８５℃まで温度を変化させたときの最大オフセット変化（電圧）をプロットしたグラフである。
図５Ｃから理解される様に，第三の実施の形態において，Ｗ１／Ｗの比率を調整することにより，先の実施の形態例で述べたように，線膨張係数差に起因して発生する熱応力を調整し、オフセットドリフトを抑制することが出来る。
[第４の実施の形態]
図６Ａは，本発明に従う第４の実施の形態である。この実施の形態は，第３の実施の形態において，更にスペース溝１１の高さｔ1とセンサ基体１０の高さＴと比率ｔ1／Ｔを変えることによりオフセット変化を０として，熱膨張件数差に起因する問題を解消したものである。
すなわち，図６Ｂは，スペース溝１１の長さＷ１を，ほぼ可撓部３の長さに等しく設定し，比率ｔ1／Ｔを変え，−４５℃〜＋８５℃まで温度を変化させたときの最大オフセット変化（電圧）をプロットしたグラフである。図６Ｂからスペース溝１１の高さｔ1を一定以上設けることにより，温度変化に対しては，影響が無いことが理解できる。
[第５の実施の形態]
図７Ａ，図７Ｂは，図５Ａの第３の実施の形態の拡張例である。図５Ａの実施の形態において形成したスペース溝１１に対応するスペース溝１１ａをセンサ基体１０の表面側に形成しストッパ基板８との間に空間を設けた例が，図７Ａに示される。また，図７Ｂに示す例では，スペース溝１１とスペース溝１１ａの両方を備えた実施の形態である。
センサ基体１０の支持枠１の表面側及び裏面側にカバーもしくは回路基板，パッケージ，導電性接合部を有する基板を電気的もしくは機械的に接合した際の線膨張係数差により発生する熱応力が検出素子へ影響し、オフセットドリフトが発生するが、かかる図７Ａ，図７Ｂに示す構成によっても支持枠にスペース溝１１，１１ａを形成することにより、接合部７，７ａの熱応力を低減することにより、可撓部３，従って検出素子５への熱応力の影響を抑制し温度オフセットドリフトを抑制することが出来る。
[第６の実施の形態]
図８は，更に別の本発明に従う第６の実施の形態例である。図８に示す実施の形態においては，図５Ａ乃至図７Ｂに示したセンサ基体１０と台座４との間に設けた支持枠１の凹部であるスペース溝１１の中央部に，更に可撓部３の方向と一致する方向に，支持枠１の裏面側に第二の溝部１１ｂが形成されてある。
かかる構成により，第一のスペース溝１１で前述した熱応力を抑制し、溝幅の狭 い第二のスペース溝１１ｂで支持枠１全体の強度を維持しながら更に検出素子４への熱応力の影響を抑制することが出来るなお，支持枠１の裏面のみならず表面に，スペース溝１２に垂直方向に第三の溝を形成しても同様である。ここで，スペース溝１２の幅は可撓部３の幅とほぼ同じである。
[第７の実施の形態]
図９は，更に本発明に従う第７の実施の形態例である。図９に示す実施の形態例では，図５Ａ乃至図７Ｂに示したセンサ基体１０の表面側の支持枠１の４隅角に柱部１２に対応して溝部１１ｃが設けられている。かかる構成により，熱応力の発生し易い支持枠１の４つの隅角部分の熱応力が低減される。これにより，可撓部３，従って検出素子５への熱応力の影響を抑制し，温度オフセットドリフトを抑制することができる。
図１０Ａ乃至図１０Ｄは，本発明に従う加速度センサをパッケージ化した実施例を示す図である。
図１０Ａは，図２Ａ，図２Ｂに示した第２の実施の形態のセンサをパッケージ本体１１０とパッケージ蓋部１１１で形成されるパッケージ内に収容した例であり，その横断面図を示している。
パッケージ本体１１０のブロックに接続された導電性ワイヤ１０１により外部から電力を供給し，或いは，外部に検出信号を取り出す構成である。台座４を回路基板として，検出素子５の検出信号を処理して加速度を求める演算素子を搭載することも可能である。
さらに，台座４とパッケージ１１０の底面は，導電性樹脂１０２により電気的に接続され，接地電位に固定することにより回路動作の安定と外部ノイズの影響を回避することができる。
図１０Ｂは，図５Ａの実施の形態のセンサをパッケージ１１０に収容した例であり，センサ基体１０と台座１４との間にスペース溝１１を有している。他の構成は，図１０Ａに説明した通りである。
図１０Ｃ，図１０Ｄは，図１０Ａ，図１０Ｂに対応するが，センサのストッパ基板８を省略した例である。
また，図１０Ａ，図１０Ｄにおいて，センサ基体１０と台座４の間にスペース溝１１を有するものであるが，図７Ａ，図７Ｂ，図８の他の実施の形態であってもよいことはいうまでもない。
上記に実施の形態を説明したように，本発明により熱膨張係数差に起因する応力の問題を解消し，ノイズを軽減した加速度センサを提供することが可能である。したがって，加速度に関連して制御を行う機器に，本発明に従う加速度センサが組み込まれた時に，信頼性の高い加速度制御を可能とし，よって産業上寄与するとところ大である。
本発明に従う加速度センサの第１の実施の形態の上面図と横断面図を示す図である。 第１の実施の形態のセンサ基体と台座との接合を説明する図である。 第１の実施の形態の温度特性図である。 本発明に従う加速度センサの第２の実施の形態の上面図と横断面図を示す図である。 第２の実施の形態のセンサ基体と台座との接合を説明する図である。 第２の実施の形態の温度特性図である。 図２Ａの平面図（I）を拡大して示す図である。 第１の実施の形態における接合間ギャップ９について同じ大きさを持つように個別接合部７ａの間隔を定めた例である。 第２の実施の形態で温度ドリフトを０とする条件で個別接合部７ａの間隔を定めた例である。 第３の実施の形態の斜目から観察した図である。 第３の実施の形態におけるスペース溝の長さを説明する図である。 第３の実施の形態の温度特性図である。 第４の実施の形態の斜めから観察した図である。 第４の実施の形態におけるスペース溝の高さを説明する図である。 第４の実施の形態の変形例であって，第５の実施の形態としてスペース溝をセンサ基体の上面側に置いた例を示す図である。 第４の実施の形態の変形例であって，第５の実施の形態としてスペース溝をセンサ基体の上下面側に置いた例を示す図である。 第６の実施の形態で，さらに第２の溝を設けた実施の形態例である。 本発明に従う第７の実施の形態例である。 本発明に従う加速度センサをパッケージ化の第１の実施例を示す図である。 本発明に従う加速度センサをパッケージ化の第２の実施例を示す図である。 本発明に従う加速度センサをパッケージ化の第３の実施例を示す図である。 本発明に従う加速度センサをパッケージ化の第４の実施例を示す図である。
符号の説明
１ 支持枠
２ 錘部
３ 可撓部
４ 台座
５ 検出素子
６，７，７ａ 接合部
８ ストッパ基板
９ 接合間ギャップ
１０ センサ基体

Claims (9)

  1. 三次元座標系における三軸方向の加速度を検出する加速度センサであって，
    半導体基板で一体に形成された、四辺を有する支持枠と，前記支持枠内に位置する錘部と，片端が前記錘部を支持するように前記錘部に接続され，他端が前記四辺の対応する辺の中央部に接続された，前記四辺のそれぞれに対応する４本の可撓部を有し，
    前記四本の可撓部のそれぞれに，前記錘部に加わる加速度に応じた前記可撓部の撓みを検出する検出素子が形成され，
    前記支持枠の四辺のそれぞれに，ギャップを有して形成される一対の接合部が形成され，
    一の辺に形成される前記一対の接合部間のギャップは，前記一の辺の中央部を対称に所定の長さを有する
    ことを特徴とする加速度センサ。
  2. 請求項１において，
    前記一対の接合部のそれぞれは，前記検出素子につながる所定の電極リードに接続された複数の電極端子を有し，前記複数の電極端子は，対応する前記辺に沿って等間隔に配置されていることを特徴とする加速度センサ。
  3. 請求項１又は２において，
    前記一対の接合部間のギャップの大きさにより，前記検出素子により検出されるオフセット電圧が調整されていることを特徴とする加速度センサ。
  4. 請求項１において，
    前記支持枠は，所定の厚みを有し，前記一対の接合部が形成される面と反対側面に，前記所定の厚みより薄い領域を前記支持枠の辺に沿って所定長さ分均一に形成する凹部を前記四辺のそれぞれに有し，
    前記反対側面に対向して台座に接合され，前記凹部が，前記基板と前記支持枠との間に有するスペース溝を形成する
    ことを特徴とする加速度センサ。
  5. 請求項１において，
    前記支持枠は，所定の厚みを有し，少なくとも前記一対の接合部が形成される領域を前記支持枠の辺に沿って前記所定の厚みより薄い所定長さ分均一に形成された凹部により形成し，
    前記一対の接合部に対向してストッパ基板に接合され，前記凹部が，前記ストッパ基板と前記支持枠との間に有するスペース溝を形成する
    ことを特徴とする加速度センサ。
  6. 請求項４において，
    前記支持枠に接合される台座は，回路基板，パッケージ底部，或いは，パッケージカバーであることを特徴とする加速度センサ。
  7. 請求項４又は５において，
    前記凹部の所定長さにより，前記検出素子により検出されるオフセット電圧が調整されていることを特徴とする加速度センサ。
  8. 請求項４又は５において，
    前記支持枠の凹部の中央部で，更に前記可撓部の方向と一致する方向に，前記支持枠の裏面側に溝部が形成されていることを特徴とする加速度センサ。
  9. 請求項４又は５において，
    前記支持枠の表面側で，前記支持枠の４隅角に対応する位置に溝部が形成されていることを特徴とする加速度センサ。
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