JPH01199479A - 発光素子の作製方法 - Google Patents
発光素子の作製方法Info
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- JPH01199479A JPH01199479A JP63024198A JP2419888A JPH01199479A JP H01199479 A JPH01199479 A JP H01199479A JP 63024198 A JP63024198 A JP 63024198A JP 2419888 A JP2419888 A JP 2419888A JP H01199479 A JPH01199479 A JP H01199479A
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光素子の表面に球レンズを形成する方法に
関し、特に光フアイバ通信用発光ダイオードに用いられ
るものである。
関し、特に光フアイバ通信用発光ダイオードに用いられ
るものである。
〔従来の技術と発明が解決しようとする課題〕光ファイ
バ通信用発光素子、例えば発光ダイオードの構造には、
端面発光形と面発光形がある。
バ通信用発光素子、例えば発光ダイオードの構造には、
端面発光形と面発光形がある。
面発光形は、ダブルへテロ接合と垂直な方向に光が放出
され、端面発光形のような光閉込め効果がない、このた
め、光出射部となる半導体表面にマイクロレンズを装着
したり、凸レンズ状の加工を施すことにより、外部量子
効率を上昇させ、また、その結果として指向性が鋭くな
ることにより、光ファイバとの結合効率を向上させる。
され、端面発光形のような光閉込め効果がない、このた
め、光出射部となる半導体表面にマイクロレンズを装着
したり、凸レンズ状の加工を施すことにより、外部量子
効率を上昇させ、また、その結果として指向性が鋭くな
ることにより、光ファイバとの結合効率を向上させる。
従来、化合物半導体基板の表面に凸状球面を形成する方
法としては、半導体基板の光取り出し面に、該半導体を
化学エツチングするためのエツチング液に徐々に侵され
る材料で円形のマスクを被覆形成し、次に、この表面を
該エツチング液で化学エツチングすることにより、上記
にマスク下の半導体表面に凸状球面を形成する方法があ
る。他の方法としては、ホトレジストで形成したパター
ンを気相イオンエツチングする方法がある。しかしなが
ら、これらの方法には次のような問題点がある。即ち、
液相化学エツチングを用いる方法では、結晶方向により
エツチングの選択性があり、均一な円形を形成すること
が困難である。また、気相イオンエツチングを用いる方
法では、化合物半導体をエンチングするためにＣ１系の
ガスを使い、このガスは有害であり、また、排気時にポ
ンプを傷めたりするので、安全性及び経済性の面で好ま
しくない。
法としては、半導体基板の光取り出し面に、該半導体を
化学エツチングするためのエツチング液に徐々に侵され
る材料で円形のマスクを被覆形成し、次に、この表面を
該エツチング液で化学エツチングすることにより、上記
にマスク下の半導体表面に凸状球面を形成する方法があ
る。他の方法としては、ホトレジストで形成したパター
ンを気相イオンエツチングする方法がある。しかしなが
ら、これらの方法には次のような問題点がある。即ち、
液相化学エツチングを用いる方法では、結晶方向により
エツチングの選択性があり、均一な円形を形成すること
が困難である。また、気相イオンエツチングを用いる方
法では、化合物半導体をエンチングするためにＣ１系の
ガスを使い、このガスは有害であり、また、排気時にポ
ンプを傷めたりするので、安全性及び経済性の面で好ま
しくない。
いずれにしても、数１０−径の凸状球面をエツチングで
加工することは容易ではない６本発明は以上のような点
にかんがみてなされたもので、その目的とするところは
、安全かつ経済的な、凸状球面を化合物半導体表面に作
製する方法を提供することである。
加工することは容易ではない６本発明は以上のような点
にかんがみてなされたもので、その目的とするところは
、安全かつ経済的な、凸状球面を化合物半導体表面に作
製する方法を提供することである。
〔課題を解決するための手段とその作用〕上記目的を達
成するために本発明によれば、面発光形発光素子の半導
体基板からなる光取出し面上に、表面球レンズを有する
発光素子の作製方法において、前記半導体基板上に、孔
を有する遮蔽板を配置し、該半導体基板と同等な屈折率
を有する誘電体を、遮蔽板の孔を通して光取り出し面上
に堆積させることを特徴とする発光素子の作製方法が提
供される。
成するために本発明によれば、面発光形発光素子の半導
体基板からなる光取出し面上に、表面球レンズを有する
発光素子の作製方法において、前記半導体基板上に、孔
を有する遮蔽板を配置し、該半導体基板と同等な屈折率
を有する誘電体を、遮蔽板の孔を通して光取り出し面上
に堆積させることを特徴とする発光素子の作製方法が提
供される。
以上のような方法を用いると、例えば、ＣＶＤ法などに
より遮蔽板の孔を通して誘電体を半導体基板上に堆積さ
せると、孔の半導体基板上への投影面部分に、円形状に
堆積する。堆積する厚さは、円形の中心でもっとも厚く
、周辺にゆくほど薄くなり凸レンズ形状を示す、堆積物
の表面は滑らかであり、エンチングの場合に生じる荒れ
の問題はなくなる。なお、堆積物は半導体基板と同等な
屈折率を有するため、光学的な悪影響を生じることはな
い。
より遮蔽板の孔を通して誘電体を半導体基板上に堆積さ
せると、孔の半導体基板上への投影面部分に、円形状に
堆積する。堆積する厚さは、円形の中心でもっとも厚く
、周辺にゆくほど薄くなり凸レンズ形状を示す、堆積物
の表面は滑らかであり、エンチングの場合に生じる荒れ
の問題はなくなる。なお、堆積物は半導体基板と同等な
屈折率を有するため、光学的な悪影響を生じることはな
い。
以下図面に示した実施例に基づいて本発明を説明する。
第１図（ａ）、［有］）は本発明の一実施例の説明図で
あり、第１図（ａ）に示すように、ＩｎＰ基板（１）上
の電極（４）は中心部が円形に取り除かれ、ＩｎＰ基板
が露出して光取り出し面となっている。光取り出し面上
には、適当な間隔をおいて、円形の孔を有する遮蔽数（
５）を配置する。次に、スパッタリング法により、低真
空中で電界により加速したアルゴンイオンをＳｉターゲ
ットに衝突させ、ターゲットからたたき出されたＳｉ分
子を遮蔽板（５）の上から付着させると、第１図ら）に
示すように、遮蔽数（５）の孔の真下、ＩｎＰ基板上に
円形状をしたα−３五の堆積物（６ａ）が得られる。こ
の堆積物は、遮蔽板の孔の中心直下がもっとも厚い凸状
をしている。
あり、第１図（ａ）に示すように、ＩｎＰ基板（１）上
の電極（４）は中心部が円形に取り除かれ、ＩｎＰ基板
が露出して光取り出し面となっている。光取り出し面上
には、適当な間隔をおいて、円形の孔を有する遮蔽数（
５）を配置する。次に、スパッタリング法により、低真
空中で電界により加速したアルゴンイオンをＳｉターゲ
ットに衝突させ、ターゲットからたたき出されたＳｉ分
子を遮蔽板（５）の上から付着させると、第１図ら）に
示すように、遮蔽数（５）の孔の真下、ＩｎＰ基板上に
円形状をしたα−３五の堆積物（６ａ）が得られる。こ
の堆積物は、遮蔽板の孔の中心直下がもっとも厚い凸状
をしている。
なお、当然のことながら、遮蔽板（５）の上にもα−３
ｉの堆積物（６ｂ）が生じる。α−３ｔの屈折率はＩｎ
Ｐの屈折率３．４０にほぼ等しく、光学的な悪影響を生
じることはない０本実施例ではスパッタリング法を用い
たが、ＣＶＤ法によってもα−３ｉを堆積させることが
できる。
ｉの堆積物（６ｂ）が生じる。α−３ｔの屈折率はＩｎ
Ｐの屈折率３．４０にほぼ等しく、光学的な悪影響を生
じることはない０本実施例ではスパッタリング法を用い
たが、ＣＶＤ法によってもα−３ｉを堆積させることが
できる。
以上説明したように本発明によれば、半導体基板上に、
半導体基板と同等の屈折率を有する誘電体を遮蔽板の孔
を通して堆積させるため、滑らかな表面をもつ凸状球面
を形成することができるという優れた効果がある。
半導体基板と同等の屈折率を有する誘電体を遮蔽板の孔
を通して堆積させるため、滑らかな表面をもつ凸状球面
を形成することができるという優れた効果がある。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例の説明図で
ある。 １・・・ＩｎＰ基板、 ２・・・エピタキシャル層、
３・・・発光部、 ４・・・電極、 ５・・・遮蔽板、
６ａ。 ６ｂ・・・α−５ｉ堆積物。
ある。 １・・・ＩｎＰ基板、 ２・・・エピタキシャル層、
３・・・発光部、 ４・・・電極、 ５・・・遮蔽板、
６ａ。 ６ｂ・・・α−５ｉ堆積物。
Claims (1)
- 面発光形発光素子の半導体基板からなる光取り出し面
上に、表面球レンズを有する発光素子の作製方法におい
て、前記半導体基板上に、孔を有する遮蔽板を配置し、
該半導体基板と同等な屈折率を有する誘電体を、遮蔽板
の孔を通して光取り出し面上に堆積させることを特徴と
する発光素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024198A JPH01199479A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 発光素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024198A JPH01199479A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 発光素子の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01199479A true JPH01199479A (ja) | 1989-08-10 |
Family
ID=12131627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63024198A Pending JPH01199479A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 発光素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01199479A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7629554B2 (en) | 2006-07-03 | 2009-12-08 | San Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Sheet for mounting polishing workpiece and method for making the same |
| US7789738B2 (en) | 2006-07-03 | 2010-09-07 | San Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Sheet for mounting polishing workpiece and method for making the same |
| JP2011123204A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | マイクロレンズアレイシートおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-04 JP JP63024198A patent/JPH01199479A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7629554B2 (en) | 2006-07-03 | 2009-12-08 | San Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Sheet for mounting polishing workpiece and method for making the same |
| US7789738B2 (en) | 2006-07-03 | 2010-09-07 | San Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Sheet for mounting polishing workpiece and method for making the same |
| JP2011123204A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | マイクロレンズアレイシートおよびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20040528 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040601 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060822 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061016 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070130 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20070329 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070508 |