JPS63182882A - 光集積素子の製造方法 - Google Patents
光集積素子の製造方法Info
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- JPS63182882A JPS63182882A JP1419587A JP1419587A JPS63182882A JP S63182882 A JPS63182882 A JP S63182882A JP 1419587 A JP1419587 A JP 1419587A JP 1419587 A JP1419587 A JP 1419587A JP S63182882 A JPS63182882 A JP S63182882A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は光集積素子に係り、特にレーザダイオードと三
次元光導波路の集積化に関する。
次元光導波路の集積化に関する。
（従来の技術）
従来、第２図に示す如く、レーザダイオード１０と光導
波路１１とを集積化する場合、レーザ光出射面１２を基
板主面に重直に露出させて段差部１３を形成し、光導波
路１１を設ける。半導体基板１４の屈曲率は３程度と大
きい為、その上に設ける光導波路１１との間に低屈曲率
のバッファ層１５が必要である。
波路１１とを集積化する場合、レーザ光出射面１２を基
板主面に重直に露出させて段差部１３を形成し、光導波
路１１を設ける。半導体基板１４の屈曲率は３程度と大
きい為、その上に設ける光導波路１１との間に低屈曲率
のバッファ層１５が必要である。
バッファ層形成法として電子ビーム蒸着法を用いると１
段差部１３に於てバッファ層とレーザ光出射面の間に鋭
角な切れ込みが形成され、この上に形 、成する光導波
層の堆積不整により散乱が生じ、レーザダイオードから
と光導波路への光結合を行なう上で不都合であった。ま
た常圧の化学気相成長法（以下化学気相成長法をＣＶＤ
法と略す）を用いると段差部１３に於て被覆形状が悪く
マイクロクラックが入り、レーザ光を散乱させてしまい
不具合であった。一方スバッタリング法は被覆の形状は
良好であるが、運動エネルギーを持った粒子がレーザ光
出射面に飛来し、レーザ特性に影響を及ぼすことがあり
不具合であった。また常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法は堆
積温度が４００℃から４５０℃と高温であり、ＩｎＰを
基板とする場合、その変成が生じることがあり不都合で
あった。
段差部１３に於てバッファ層とレーザ光出射面の間に鋭
角な切れ込みが形成され、この上に形 、成する光導波
層の堆積不整により散乱が生じ、レーザダイオードから
と光導波路への光結合を行なう上で不都合であった。ま
た常圧の化学気相成長法（以下化学気相成長法をＣＶＤ
法と略す）を用いると段差部１３に於て被覆形状が悪く
マイクロクラックが入り、レーザ光を散乱させてしまい
不具合であった。一方スバッタリング法は被覆の形状は
良好であるが、運動エネルギーを持った粒子がレーザ光
出射面に飛来し、レーザ特性に影響を及ぼすことがあり
不具合であった。また常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法は堆
積温度が４００℃から４５０℃と高温であり、ＩｎＰを
基板とする場合、その変成が生じることがあり不都合で
あった。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明の目的は上記従来技術の欠点に鑑み、レーザ特性
を劣化させることなくレーザと光導波路の良好な光結合
を実現する光集積素子の製造方法を提供するにある。
を劣化させることなくレーザと光導波路の良好な光結合
を実現する光集積素子の製造方法を提供するにある。
（問題点を解決するための手段）
レーザダイオードを形成した半導体表面を蝕刻し基板主
面に垂直な光出射部を露出せしめ、この上に強制対流束
を用いたＣＶＤ法によりバッファ層を設ける。このバッ
ファ層の上にレーザ光輪に沿った三次元導波路を設け、
光集積素子を完成する。
面に垂直な光出射部を露出せしめ、この上に強制対流束
を用いたＣＶＤ法によりバッファ層を設ける。このバッ
ファ層の上にレーザ光輪に沿った三次元導波路を設け、
光集積素子を完成する。
（作用）
レーザダイオードと光導波路とを同一基板上に集積化す
る上でバッファ層形状が重要である。良好なレーザ特性
と光導波特性を得る為に、強制対流束を用いた減圧ＣＶ
Ｄ法を用いると化学反応による膜形成が主であるために
、レーザ光出射端面に損傷を与えることが無い、また数
−の段差が形成されているレーザ光出射部にはマイクロ
ラック等がなく被覆状態が良い、更に従来の常圧或は減
圧ＣＶＤの形成温度より１００℃程度低くすることがで
き、基板の変成を避けることが出来る。
る上でバッファ層形状が重要である。良好なレーザ特性
と光導波特性を得る為に、強制対流束を用いた減圧ＣＶ
Ｄ法を用いると化学反応による膜形成が主であるために
、レーザ光出射端面に損傷を与えることが無い、また数
−の段差が形成されているレーザ光出射部にはマイクロ
ラック等がなく被覆状態が良い、更に従来の常圧或は減
圧ＣＶＤの形成温度より１００℃程度低くすることがで
き、基板の変成を避けることが出来る。
（実施例）
本発明の実施例を試料断面図を用いて、第１図に示す、
第１図（イ）にはＩｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓＰから
なるレーザダイオード活性層２を形成し、クラッド３を
被着した後、ドライエラチンフグによりレーザ光出射端
面４を形成した状態を示す、端面４は基板主面に垂直で
あり、その段差は７−である１次に第１図（ロ）に示す
如く強制対流束を用いた減圧ＣＶＤ法によりＳｉＯ□膜
を３−成長せしめバッファ層５とする。続いてコーニン
グ７０５９ガラス膜６をスパッタリング法により被着し
光導波路層とし、バターニングにより三次元導波路を得
、レーザダイオードと結合する。その上に保護膜７とな
るＳｉｎ、膜を形成し、レーザダイオードの電極８形成
を行い光集積素子を完成する。
第１図（イ）にはＩｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓＰから
なるレーザダイオード活性層２を形成し、クラッド３を
被着した後、ドライエラチンフグによりレーザ光出射端
面４を形成した状態を示す、端面４は基板主面に垂直で
あり、その段差は７−である１次に第１図（ロ）に示す
如く強制対流束を用いた減圧ＣＶＤ法によりＳｉＯ□膜
を３−成長せしめバッファ層５とする。続いてコーニン
グ７０５９ガラス膜６をスパッタリング法により被着し
光導波路層とし、バターニングにより三次元導波路を得
、レーザダイオードと結合する。その上に保護膜７とな
るＳｉｎ、膜を形成し、レーザダイオードの電極８形成
を行い光集積素子を完成する。
本発明ではバッファ層、保護膜としてＳｉｎ、を用いた
が光導波層の屈折率よりも低ければよく、光導波層とし
て７０５９ガラスのみならずシリコンのオキシナイトラ
イドでも、酸化アルミニュウム等でもよく、バッファ層
、保護膜と光導波層との組合せはレーザダイオード或は
光ファイバとの結合効率等を考慮し選択する事ができる
。
が光導波層の屈折率よりも低ければよく、光導波層とし
て７０５９ガラスのみならずシリコンのオキシナイトラ
イドでも、酸化アルミニュウム等でもよく、バッファ層
、保護膜と光導波層との組合せはレーザダイオード或は
光ファイバとの結合効率等を考慮し選択する事ができる
。
本発明によりレーザ特性を損なうことなく、光導波特性
も良好で、高効率のレーザ・光導波路の光結合が可能な
光集積素子を実現することができる。
も良好で、高効率のレーザ・光導波路の光結合が可能な
光集積素子を実現することができる。
２・・・レーザダイオード活性層
３・・・クラッド
４・・・端面
５．１５・・・バッファ層
６・・・ガラス膜
７・・・保護膜
８・・・電極
１０・・・レーザダイオード
１１・・・光導波路
１２・・・レーザ光出射面
１３・・・段差部
１４・・・半導体基板
代理人 弁理士 則 近 憲 佑
同 竹花喜久男
Claims (1)
- 半導体基板上にレーザダイオードを形成し、蝕刻法によ
り該レーザダイオードのレーザ光出射面を基板主面に垂
直に露出させた後、強制対流束を用いた減圧化学気相成
長法、を用いて所定厚みのバッファ層を設け、その全体
上に前記バッファ層より屈曲率の高い薄膜を所定厚み配
置し、前記屈折率の高い薄膜を前記レーザダイオードの
レーザ光出射位置並びにレーザ光輪に整合して所定幅加
工して三次元光導波路と作すことを特徴とする光集積素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1419587A JPS63182882A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 光集積素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1419587A JPS63182882A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 光集積素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63182882A true JPS63182882A (ja) | 1988-07-28 |
Family
ID=11854340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1419587A Pending JPS63182882A (ja) | 1987-01-26 | 1987-01-26 | 光集積素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63182882A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6480640B1 (en) | 1997-11-28 | 2002-11-12 | Sharp Kabushiki Haisha | Integrated optical circuit device and method for producing the same |
| WO2003073147A1 (de) * | 2002-02-21 | 2003-09-04 | Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Strahlführendes und/oder frequenzkonvertierendes optisches system sowie verfahren zur herstellung |
| WO2004068542A3 (en) * | 2003-01-24 | 2004-12-09 | Xponent Photonics Inc | Etched-facet semiconductor optical component with integrated end-coupled waveguide and methods of fabrication and use thereof |
| US20180034238A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical semiconductor device |
-
1987
- 1987-01-26 JP JP1419587A patent/JPS63182882A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6480640B1 (en) | 1997-11-28 | 2002-11-12 | Sharp Kabushiki Haisha | Integrated optical circuit device and method for producing the same |
| US6597823B2 (en) | 1997-11-28 | 2003-07-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Integrated optical circuit device and method for producing the same |
| WO2003073147A1 (de) * | 2002-02-21 | 2003-09-04 | Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Strahlführendes und/oder frequenzkonvertierendes optisches system sowie verfahren zur herstellung |
| WO2004068542A3 (en) * | 2003-01-24 | 2004-12-09 | Xponent Photonics Inc | Etched-facet semiconductor optical component with integrated end-coupled waveguide and methods of fabrication and use thereof |
| US6985646B2 (en) | 2003-01-24 | 2006-01-10 | Xponent Photonics Inc | Etched-facet semiconductor optical component with integrated end-coupled waveguide and methods of fabrication and use thereof |
| US7233713B2 (en) | 2003-01-24 | 2007-06-19 | Xponent Photonics Inc. | Etched-facet semiconductor optical component with integrated end-coupled waveguide and methods of fabrication and use thereof |
| US7599585B2 (en) | 2003-01-24 | 2009-10-06 | Hoya Corporation Usa | Etched-facet semiconductor optical component with integrated end-coupled waveguide and methods of fabrication and use thereof |
| US20180034238A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical semiconductor device |
| US10374388B2 (en) * | 2016-07-28 | 2019-08-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical semiconductor device |
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