JPH01199395A - 書込み・消去時間制御回路 - Google Patents
書込み・消去時間制御回路Info
- Publication number
- JPH01199395A JPH01199395A JP63023383A JP2338388A JPH01199395A JP H01199395 A JPH01199395 A JP H01199395A JP 63023383 A JP63023383 A JP 63023383A JP 2338388 A JP2338388 A JP 2338388A JP H01199395 A JPH01199395 A JP H01199395A
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は書込み・消去時間制御回路に関し、特にマイク
ロコンピュータと電気的に書換え可能な記憶装置(以下
EEFROMという)とを同一半導体集積回路内に形成
するEEPROMの書込み・消去時間制御回路に関°す
る。
ロコンピュータと電気的に書換え可能な記憶装置(以下
EEFROMという)とを同一半導体集積回路内に形成
するEEPROMの書込み・消去時間制御回路に関°す
る。
従来、この種のEEPROMを内蔵したマイクロコンピ
ュータにおいては、EEPROMの書込み・消去時間と
して数msが必要であるため、そのタイミング信号を作
るのに専用の書込み・消去時間制御回路を有している0
例えば、書込み・消去時間が5ms、マイクロコンピュ
ータの基本動作クロックの周期167nsの場合に、5
msのパルス幅を作成するには、5ms÷167ns均
29940クロック分のパルスの計数を要し、これをマ
イクロコンピュータのプログラム処理(こより行なうと
マイクロコンピュータの負担が大きくなり、また制御が
複雑となるので、従来は専用の書込み・消去時間制御回
路を有している。
ュータにおいては、EEPROMの書込み・消去時間と
して数msが必要であるため、そのタイミング信号を作
るのに専用の書込み・消去時間制御回路を有している0
例えば、書込み・消去時間が5ms、マイクロコンピュ
ータの基本動作クロックの周期167nsの場合に、5
msのパルス幅を作成するには、5ms÷167ns均
29940クロック分のパルスの計数を要し、これをマ
イクロコンピュータのプログラム処理(こより行なうと
マイクロコンピュータの負担が大きくなり、また制御が
複雑となるので、従来は専用の書込み・消去時間制御回
路を有している。
第2図はこの従来の書込み・消去時間制御回路の代表例
の回路図で、バイナリカウンタ回路1はクロック信号2
とインバータ3より作成される逆相のクロック信号とに
よりクロック信号2をカウントする。NORゲート4.
5により構成されるフリップフロップに書込み要求信号
6が入力された場合について、第3図に示すタイミング
図を参照して、第2図の動作を説明する。書込み要求信
号6が1クロツクサイクル間“H”レベルになるとNO
Rゲート4,5により構成されるフリップフロップが反
転し、NORゲート5の出力がH”レベルとなり、NO
Rゲート7の出力は“L”レベルとなってバイナリカウ
ンタ回路1のリセット信号が解除されてカウント動作を
開始する(第3図の(b)、(C)、(d)、(e))
。
の回路図で、バイナリカウンタ回路1はクロック信号2
とインバータ3より作成される逆相のクロック信号とに
よりクロック信号2をカウントする。NORゲート4.
5により構成されるフリップフロップに書込み要求信号
6が入力された場合について、第3図に示すタイミング
図を参照して、第2図の動作を説明する。書込み要求信
号6が1クロツクサイクル間“H”レベルになるとNO
Rゲート4,5により構成されるフリップフロップが反
転し、NORゲート5の出力がH”レベルとなり、NO
Rゲート7の出力は“L”レベルとなってバイナリカウ
ンタ回路1のリセット信号が解除されてカウント動作を
開始する(第3図の(b)、(C)、(d)、(e))
。
このカウンタ回路1の最終段のバイナリカウンタ11の
Q出力が“H″レベルなるまでの期間は、書込み信号1
2は“H”レベルとなり、バイナリカウンタ11の出力
が“H”レベルとなった時点で書込み信号12は“L”
レベルとなる(第3図の(f)、(g))、従って、こ
の従来例の場合、1クロツクサイクルのパルス幅の書込
み要求信号が入力されると167 n5x215勢5.
4msのパルス幅を持つ書込み信号を自動的に作成する
ことができる。消去の場合も消去要求信号によりNOR
ゲート13.14により作られるフリップフロップが反
転し、以下、書込み時と同様な動作を行う。
Q出力が“H″レベルなるまでの期間は、書込み信号1
2は“H”レベルとなり、バイナリカウンタ11の出力
が“H”レベルとなった時点で書込み信号12は“L”
レベルとなる(第3図の(f)、(g))、従って、こ
の従来例の場合、1クロツクサイクルのパルス幅の書込
み要求信号が入力されると167 n5x215勢5.
4msのパルス幅を持つ書込み信号を自動的に作成する
ことができる。消去の場合も消去要求信号によりNOR
ゲート13.14により作られるフリップフロップが反
転し、以下、書込み時と同様な動作を行う。
しかしながら、上述した従来の書込み・消去時間制御回
路は、BEPROMの書込み・消去時間が固定されてい
るため、例えば書き込み・消去時間が5msでEEFR
OMのメモリ容量が256バイトの場合に、全アドレス
に対し書込みおよび消去を行うためには、5 m5X2
56 X2 = 2.56secの時間が必要となる。
路は、BEPROMの書込み・消去時間が固定されてい
るため、例えば書き込み・消去時間が5msでEEFR
OMのメモリ容量が256バイトの場合に、全アドレス
に対し書込みおよび消去を行うためには、5 m5X2
56 X2 = 2.56secの時間が必要となる。
ところが、この固定された書込み、消去時間は温度によ
る特性変動、その他の製造マージン等を含んでいて、E
EPROMの標準状態に対し大幅に余裕をとって(場合
によっては10倍以上)設定されている。従って、前述
の従来の書込み・消去時間制御回路では、試験時にEE
FROMに対し高速に書込みまたは消去ができるにもか
かわらず、通常動作時と同じ低速でしか書込み・消去が
行なえないため、試験時間を短縮できないという欠点が
ある。
る特性変動、その他の製造マージン等を含んでいて、E
EPROMの標準状態に対し大幅に余裕をとって(場合
によっては10倍以上)設定されている。従って、前述
の従来の書込み・消去時間制御回路では、試験時にEE
FROMに対し高速に書込みまたは消去ができるにもか
かわらず、通常動作時と同じ低速でしか書込み・消去が
行なえないため、試験時間を短縮できないという欠点が
ある。
本発明の書込み・消去時間制御回路は、電気的に書換え
可能な記憶装置の書込み・消去時間制御回路において、
書込みまたは消去要求信号によってセットされ制御時間
出力を出力するフリップフロップと、前記フリップフロ
ップがセットされたときにクロック信号のカウントを開
始するカウンタ回路と、テスト信号の入力により前記カ
ウンタの各ビットの出力のうち予め設定された複数のビ
ットの出力の中の一つを選択する選択回路と、この選択
回路の出力により前記フリップフロップをリセットして
制御時間出力を停止するリセット回路とを有することに
より構成される。
可能な記憶装置の書込み・消去時間制御回路において、
書込みまたは消去要求信号によってセットされ制御時間
出力を出力するフリップフロップと、前記フリップフロ
ップがセットされたときにクロック信号のカウントを開
始するカウンタ回路と、テスト信号の入力により前記カ
ウンタの各ビットの出力のうち予め設定された複数のビ
ットの出力の中の一つを選択する選択回路と、この選択
回路の出力により前記フリップフロップをリセットして
制御時間出力を停止するリセット回路とを有することに
より構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す図で、第2図の従来の
書込み・消去時間制御回路に対して、バイナリカウンタ
回路1の出力の最上位ビットからの出力とその下位ビッ
トからの出力とをテスト信号16の有無によって切換え
る切換え回路15が付加されている。
書込み・消去時間制御回路に対して、バイナリカウンタ
回路1の出力の最上位ビットからの出力とその下位ビッ
トからの出力とをテスト信号16の有無によって切換え
る切換え回路15が付加されている。
次に第1図の動作について説明する0通常動作時におい
ては、テスト信号16は“L″レベルなっているため、
書込みまたは消去時間はバイナリカウンタ回路1の15
ビット分のカウント時間で決定され、例えばクロック周
期が167nsの場合はパルス幅tp=167 n5X
2 ” 絢5.4 mSと通常の書込み・消去時間を確
保できる。試験時にはテスト信号16を“H”レベルと
するためバイナリカウンタ回路1の14ビツト目の出力
が“H”レベルとなった時点で、カウンタ制御用のNO
Rゲート4,5によるフリップフロップが反転し、書込
み信号12が“L IIレベルとなる。従って、その時
の書込みまたは消去のパルス幅tpはtp=167 n
5X2 ” #2.7 msとなり、通常動作時の半分
となるので、テストモード時のEEPROMの書込みま
たは消去時間を半分にすることができる。この場合は前
述したように、室温状態においては、EEPROMの書
込み・消去時間は規格に対し2倍以上のマージンを持っ
ているため、書込み、消去時間を半分にしても誤動作は
しない。
ては、テスト信号16は“L″レベルなっているため、
書込みまたは消去時間はバイナリカウンタ回路1の15
ビット分のカウント時間で決定され、例えばクロック周
期が167nsの場合はパルス幅tp=167 n5X
2 ” 絢5.4 mSと通常の書込み・消去時間を確
保できる。試験時にはテスト信号16を“H”レベルと
するためバイナリカウンタ回路1の14ビツト目の出力
が“H”レベルとなった時点で、カウンタ制御用のNO
Rゲート4,5によるフリップフロップが反転し、書込
み信号12が“L IIレベルとなる。従って、その時
の書込みまたは消去のパルス幅tpはtp=167 n
5X2 ” #2.7 msとなり、通常動作時の半分
となるので、テストモード時のEEPROMの書込みま
たは消去時間を半分にすることができる。この場合は前
述したように、室温状態においては、EEPROMの書
込み・消去時間は規格に対し2倍以上のマージンを持っ
ているため、書込み、消去時間を半分にしても誤動作は
しない。
なお、上述の実施例においてはテスト信号16の有無に
より、2種類の書込み・消去時間を得るようにしている
が、複数のテスト信号を用いることにより、3種類以上
の書込み・消去時間を設定することも同様に構成するこ
とができる。
より、2種類の書込み・消去時間を得るようにしている
が、複数のテスト信号を用いることにより、3種類以上
の書込み・消去時間を設定することも同様に構成するこ
とができる。
以上説明したように本発明は、EEPROMの書込み・
消去時間を通常動作時と試験時とで変化させることがで
きるなめ、試験時のみ書込み・消去時間を短くすること
により、EEPROMの全アドレスに対する書込み・消
去の試験時間を短縮できるという効果が得られる。
消去時間を通常動作時と試験時とで変化させることがで
きるなめ、試験時のみ書込み・消去時間を短くすること
により、EEPROMの全アドレスに対する書込み・消
去の試験時間を短縮できるという効果が得られる。
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は従来の書
込み・消去時間制御回路の代表例の回路図、第3図は第
2図の主要点におけるタイミング図である。 1・・・バイナリカウンタ回路、2・・・クロック信号
、3.17..18・・・インバータ、4,5.7,1
3゜14・・・NORゲート、6・・・書込み要求信号
、8゜9.11・・・バイナリカウンタ、12・・・書
込み信号、16・・・テスト信号、15・・・切換え回
路。
込み・消去時間制御回路の代表例の回路図、第3図は第
2図の主要点におけるタイミング図である。 1・・・バイナリカウンタ回路、2・・・クロック信号
、3.17..18・・・インバータ、4,5.7,1
3゜14・・・NORゲート、6・・・書込み要求信号
、8゜9.11・・・バイナリカウンタ、12・・・書
込み信号、16・・・テスト信号、15・・・切換え回
路。
Claims (1)
- 電気的に書換え可能な記憶装置の書込み・消去時間制
御回路において、書込みまたは消去要求信号によってセ
ットされ制御時間出力を出力するフリップフロップと、
前記フリップフロップがセットされたときにクロック信
号のカウントを開始するカウンタ回路と、テスト信号の
入力により前記カウンタの各ビットの出力のうち予め設
定された複数のビットの出力の中の一つを選択する選択
回路と、この選択回路の出力により前記フリップフロッ
プをリセットして制御時間出力を停止するリセット回路
とを有することを特徴とする書込み・消去時間制御回路
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63023383A JPH01199395A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 書込み・消去時間制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63023383A JPH01199395A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 書込み・消去時間制御回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01199395A true JPH01199395A (ja) | 1989-08-10 |
Family
ID=12109001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63023383A Pending JPH01199395A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 書込み・消去時間制御回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01199395A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4724774B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2011-07-13 | 富士通株式会社 | 半導体回路装置、メモリテスト回路及び半導体回路装置の試験方法 |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP63023383A patent/JPH01199395A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4724774B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2011-07-13 | 富士通株式会社 | 半導体回路装置、メモリテスト回路及び半導体回路装置の試験方法 |
US8412983B2 (en) | 2007-03-29 | 2013-04-02 | Fujitsu Limited | Memory test circuit, semiconductor integrated circuit, and memory test method |
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