JPH01197545A - 光学的記憶媒体のための基層としてのポリカーボネート及びスチレン重合体の混合物の使用 - Google Patents

光学的記憶媒体のための基層としてのポリカーボネート及びスチレン重合体の混合物の使用

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JPH01197545A
JPH01197545A JP63315227A JP31522788A JPH01197545A JP H01197545 A JPH01197545 A JP H01197545A JP 63315227 A JP63315227 A JP 63315227A JP 31522788 A JP31522788 A JP 31522788A JP H01197545 A JPH01197545 A JP H01197545A
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フオルカー・ゼリニ
Klaus Berg
クラウス・ベルク
Ulrich Grigo
ウルリツヒ・グリゴ
Leo Morbitzer
レオ・モルビツツアー
Karl-Erwin Piejko
カルル−エルビン・ピージコ
Klaus Suemmermann
クラウス・ズユマーマン
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L25/00Compositions of, homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L25/02Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
    • C08L25/04Homopolymers or copolymers of styrene
    • C08L25/06Polystyrene
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光学的記憶媒体のための基層としての a) 重量で5〜95%の、その中の線状連鎖が0.1
モル%乃至50モル%の式(1)に相当する二官能性構
造単位及び99.9モル%乃至50%モル%の式(2) 式中で一〇−D−0−は式(1)中のものとは異なるジ
フェノラート残基である、に相当する他の二官能性構造
単位を含有する芳香族ポリカーボネート、 b) 重量で95〜5%の熱可塑性スチレン重合体、及
び任意的に C) 通常の量の標準的な添加剤 成分a)+b)の合計は重量で100%であり且つ 添加剤C)の量は重量で100%の成分a)+b)の合
計に基づいている、 から成る混合物の使用に関するものである。
本発明において使用することができる芳香族ポリカーボ
ネートは、好ましくは0.2〜35モル%、−層好まし
くは0.5〜25モル%、もつとも好ましくは2〜15
モル%の、式lに相当する1、1,3.4.6−ベンタ
メチルー3−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)−インダン−5−オールのポリカーボネート単位
を含有することが好ましい。
本発明の関係において、ポリカーボネートとは、特許請
求の範囲及び説明中に示した必要条件を満足する混合物
である限りは、少なくとも二つの異なるポリカーボネー
トの混合物をも含むものと了解すべきである。混合物中
のポリカーボネートの少なくとも一つは、その混合物が
全体として前記の組成に相当する限りは、本発明に従っ
て使用すべきポリカーボネートに対して挙げた組成とは
異なっていてもよい。少なくとも二つのポリカーボネー
トを用いる場合には、スチレン重合体と混合する前に、
それらを混合してもよいし、あるいは、たとえば溶融物
を経て、スチレン重合体と一緒に混合することすらでき
る。
本発明の関係においては、ポリカーボネートの混合物に
ついての上記の考察をスチレン重合体に対しても適用す
ることができ、少なくとも二つの異なるスチレン重合体
の混合物を包含することができる。
成分a)のポリカーボネートは、ドイツ−特許公開第2
.615,038号(Le  A  16842)によ
り公知であり又はドイツ特許公開筒2,615.038
号の教示に従って取得することができる。
ポリカーボネートを含有していないプラスチックと共に
可能な混合物に関しては、単に式(1)の構造単位を含
有するポリカーボネートを他の重合体材料と混合するこ
とができるということを指摘するのみである(該特許公
開の10頁、19/20行)。
光学的記憶媒体のための基材としての混合物の使用につ
いては該特許公開中に全く記載してない。
成分a)のポリカーボネートはドイツ特許公開筒2,9
01,668号(Le A 19146)によっても公
知である。これらのポリカーボネートの混合物又はその
光学的使用はドイツ特許公開筒2.901,668号中
には記されていない。
成分a)のポリカーボネートはドイツ特許公開筒2.9
01.665号(Le A 19040)からも公知で
ある。他のポリカーボネートとのこれらのポリカーボネ
ートの混合物及びこれらのポリカーボネートpvc’に
よる修飾は、ドイツ特許公開筒2,901,665号の
20頁に記されている。
修飾の場合には、ゴム修飾熱可塑性樹脂をも加えること
ができ、ドイツ特許公開筒2.901.665号中に引
用したドイツ特許公開筒2.402.177号の9頁に
よれば、ここで問題となる樹脂は熱可塑性樹脂とグラフ
ト重合体又はゴムとの混合物をも包含する。ドイツ特許
公開筒2.901,665号もまた光学的な応用につい
ては記していない。
成分a)のポリカーボネートはドイツ特許公開筒3,1
18,697号(Le A 21047)、11頁の最
後の項及び12頁の最初の項によっても公知であり、こ
こではポリアルキレンテレ7りレート及び、任意的に、
−20°C以下のガラス転移点を存する重合体と混合し
ている。この特許公開もまた光学的応用については記し
ていない。
成分a)のポリカーボネートを一20’O以下のガラス
転移点を有する重合体と混合することはドイツ特許公開
第3,118.861号(Le  A  21048)
、10頁、第1項により公知である。
この特許公開中では光学的応用を記してはいない。
成分a)のポリカーボネート、スチレン重合体及びポリ
りん酸エステルの混合物は、ドイツ特許公開第0103
230号(Le  A  21835)により公知であ
る。しかしながら、この特許公開中には光学的応用に関
する言及はない。
成分a)のポリカーボネートとスチレン重合体及びりん
酸エステルとの混合物は、ドイツ特許公開第01738
69号(L e  A  22925)により公知であ
る。しかしながら、光学的応用については記していない
日本特許公開明細書間−61−19656号は光学的機
器のための出発材料として推薦されるポリカーボネート
とスチレン樹脂の混合物を記している。ポリカーボネー
トは、2,2−ビス−(4′−ヒドロキシ−3’、5’
−ジメチルフェニル)−プロパンを包含する、いくつか
の例を挙げているビスフェノールから調製する。しかし
ながら、実施例においては、ビスフェノールAポリカー
ボネートのみを用いている。インデンビスフェノール(
3)については触れていない。
光学的な目的に対しての樹脂混合物の使用は、ヨーロッ
パ特許第0199824号にも記されている。樹脂とし
てはポリカーボネートとスチレン樹脂の両者を挙げてい
る。種々の樹脂の相溶性を第三成分によって向上させる
。しかしながら、本発明の成分a)のポリカーボネート
は、この特許中のポリカーボネートとして挙げてはいな
い。
式(2)に相当する二官能性構造単位は、式(3)に相
当するジフェノールとは異なるジフェニルに基づくもの
とすることができる。
式(4)HO〜D−OHに相当する適当なその他のジフ
ェノールは、ヒドロキノン、レソルシノール、ジヒドロ
キシジフェニル類、ビス−(ヒドロキシフェニル)−ア
ルカン類、ビス−(ヒドロキシフェニル)−シクロアル
カン類、ビス−(ヒドロキシフェニル)−スルフィド類
、ビス−(ヒドロキシフェニル)−エーテル類、ビス−
(ヒドロキシフェニル)−ケトン類、ビス−(ヒドロキ
シフェニル)−スルホキシド類、ビス−(ヒドロキシフ
ェニル)−スルホン類及びα、α′−ヒス−(ヒドロキ
シ2エニル)−ジイソプロピルベンゼン類及び相当する
置換化合物である。
式(4)のジフェノールは公知であるか又は公知の方法
によって取得することができる(たとえば、ベルマンシ
ュネル、ケミストリーアンドフイジツクスオブボリカー
ボネート、ポリカーボネ−ト、第9巻、インターサイエ
ンスバブリッシャーズ、ニューヨーク、1964、ポリ
ヵーボネートアウスol ol O’ l O′−テト
ラメチルスブスチチールテンビスシェノーレン(010
10’ 10 ’−テトラメチル置換ビスフェノール類
からのポリカーボネート)と題するV、セリm:、D、
フライターフ、H,ベルナルケンによる文献、アンゲヴ
アントマクロモレキュラーレヒエミー、55、(197
6)、175〜189及びドイツ特許公開第20630
50号、2,211.957号、2゜248.817号
及び2,615.038号参照)。
置換ジフェノール(4)の例は、2.2’−ビス−(4
−ヒドロキシフェニル)−プロパン、2゜2−ビス−(
4−ヒドロキシフェニル)−スルフィド、l、1−ビス
−(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサン、l、
1−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニル
エタン、a、σ′−ビスー(4−ヒドロキシフェニル)
−p−ジイソグロピルベンゼン、2.2−ビス−(3−
メチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロパン、2゜2
−ビス=(3,5−ジクロロ−4−ヒドロキシフェニル
)−フロパン、ビス=(3,5−ジメチル−4−ヒドロ
キシフェニル)−メタン、2.2−ビス−(3,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)−プロパン及びσ、
α′−ビス−(3,5=ジメチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)−p−ジイソプロピルベンゼンである。
好適な式(4)のジフェノールは式(5)に相当するも
のであり、 式中で置換基Rは相互に無関係に01〜C,アルキル基
、好ましくはメチル基、であり、且つXは単結合、0、
s、so’、、C01C+〜C+s及び好ましくはC3
〜C5アルキレン又はアルキリデン基、C6〜c ls
+好ましくはC6〜C3゜シクロアルキレン又はシクロ
アルキリデン基、あるいはである。
式(2)の二官能性単位は少なくとも50モル%、−層
好ましくは少なくとも80モル%、もっとも好ましくは
100モル%の式(5)i:相当するジフェノールに基
づくことが好ましい。
特に好適なジフェノール(5)は、その中でRがCH,
であり且つXは01〜C5アルキレン基又はC2〜C5
アルキリデン基である場合のものである。このようなジ
フェノールの例は、ビス−(3゜5−ジメチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)−メタン、2.2−ビス−(3,5
−ジメチル−4−ヒドロキンフェニル)−プロパン、2
.2−ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)−ブタン、2,4−ビス−(3,5−ジメチル−
4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルブタン及びσ、
σ′−ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)−p−ジイソプロピルベンゼンである。これらの
ジフェノールの中で、ビス−(3゜5−ジメチル−4−
ヒドロキシフェニル)−プロパン及び2,2−ビス−(
3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロパン
が特に好適な式(5)のジフェノールである。
先に述べたように、本発明において使用すべき成分a)
のポリカーボネートの製造は文献により公知である。
本発明に従って使用することができるポリカーボネート
の分子量を調製するためには連鎖制限剤を使用すればよ
い。連鎖制限剤は広く文献に記されている。それらは、
たとえば、アミン、フェノール、カルボン酸及びそれら
の誘導体のような、使用するビスフェノール類又は炭酸
誘導体と反応することができる単官能性の化合物である
。好適な連鎖制限剤は、たとえば、フェノール、0−ク
レゾール、2,6−シメチルフエノール、p−t−ブチ
ルフェノールのようなフェノール類であり、特に下式 式中でRは枝分れした08〜C,アルキル基である、 ニ相当するフェノール、下式: に相当するフェノールが好適であり且つ下式:CH,C
H3 に相当するフェノールが特に好適である。これらのフェ
ノール類の中で下式: %式% に相当するp−インオクチルフェノールが特に好適であ
る。
本発明に従って使用することができるポリカーボネート
の分子量は、比較的広い限界内で変えることができる。
ポリカーボネートは好ましくは6000〜125,00
0、−層好ましくは12,000〜60,000、もつ
とも好ましくは17,000〜43.000の範囲の分
子量Mwを有し、21.000〜31.000の範囲の
分子量Mwを有するポリカーボネートが特に好適である
本発明において使用することができるポリカーボネート
は、少量の、好ましくは0.05〜2モル%(使用する
ジフェノールに基づく)の、三官°能又はそれ以上の官
能性の化合物、特に三つよりも多いフェノール性ヒドロ
キシル基を有するものの混入によって、枝分れを生じさ
せることができる。この種のポリカーボネートは文献に
より公知である。本発明において使用することができる
、三つ又は三つよりも多いフェノール性ヒドロキシル基
を含有する化合物の例は、たとえば、フロログルシノー
ル、4.6−シメチルー2.4.6−トリー(4−ヒド
ロキシフェニル)−ヘプト−2−エン、4.6−シメチ
ルー2.4.6−1リー(4−ヒドロキシフェニル)−
へブタン、1.3.5−トリー(4−ヒドロキシフェニ
ル)−ベンゼン、1.1.l−トリー(4−ヒドロキシ
フェニル)−エタン、トリー(4−ヒドロキシフェニル
)−フェニルメタン、2,2−ビス−[4,4−ビス(
4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキシル]−プロパ
ン、2.4−ビス(4−ヒドロキシフェニルイソプロピ
ル)−フェノール、2.6−ビス(2−ヒドロキシ−5
′−メチルベンジル)−4−メチルフェノール、2−(
4−ヒドロキシフェニル)−2−(2,4−ヒドロキシ
フェニル)40パン、ヘキサ−[4−(4−ヒドロキシ
フェニルイソプロピル)−フェノキシ]−メタン及び1
.4−ビス[4’、4“−ジヒドロキシトリフェニル)
−メチル]−ベンゼンである。その他の三官能性化合物
は2,4−ジヒドロキシ安息香酸、トリメシン酸、塩化
シアヌル、3.3−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
2−オキソ−2,3−ジヒドロインドール及び3.3−
ビス−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−
オキソ−2,3−ジヒドロインドールである。
本発明において使用すべき成分a)のポリカーボネート
は、炭酸残基の代りに、何れの場合もポリカーボネート
中の酸エステルのモル数の合計に基づいて、40モル%
未満、好ましくは25モル%未満、−層好ましくは10
モル%未満の量で、他のジカルボン酸残基を含有するこ
とができる。
これらの他のジカルボン酸残基は脂肪族及び/又は芳香
族ジカルボン酸から、好ましくは芳香族ジカルボン酸か
ら、由来するものとすることができる。芳香族ジカルボ
ン酸の例はイソツクタル酸及びテレフタル酸且つまたそ
れらの混合物である。
本発明において使用すべき成分a)のポリカーボネート
は、炭酸残基の代りに、ポリカーボネート中の酸残基の
モル数の合計に基づいて、25モル%以下の量で、p−
ヒドロキシ安息香酸残基をも含有することができる。
本発明において、成分b)の熱可塑性スチレン重合体は
、重量で少なくとも30%、好ましくは重量で少なくと
も45%、−層好ましくは重量で少なくとも10%の、
スチレン及び共重合した形態にある、その誘導体から成
るグループからの少なくとも一つの化合物を含有する重
合体である。
その他の好適な重合体は、重量で65〜100%、好ま
しくは重量で65〜99%、−層好ましくは重量で90
〜98%、もつとも好ましくは重量で93〜98%の、
スチレン及び共重合した形態にあるその誘導体から成る
グループからの少なくとも一つの化合物を含有するもの
である。
スチレン及びその誘導体のグループは、たとえば、スチ
レン、σ−メチルスチレン、3,4−ジメチルスチレン
、〇−及びp−ジビニルベンゼン、a−クロロスチレン
、p−クロロスチレン、2゜4−ジクロロスチレン、及
びp−クロロ−α−メチルスチレンを包含する。スチレ
ン、α−メチルスチレン及びp−メチルスチレンが好適
であり、スチレンが特に好適である。
本発明による熱可塑性スチレン重合体は、スチレン及び
その誘導体の上記の量に対して補足的な量の、少なくと
も一つのコモノマーを含有することができる。適当なコ
モノマーは、少なくとも一つのすレフイン性二重結合を
含有する化合物、たとえば、アリル化合物、ジエン、ビ
ニル化合物、アクリル及びメタクリル化合物、さらには
フマル酸及びマレイン酸並びにそれらの誘導体である。
スチレン及びその誘導体に加えて、一つのコモノマー及
び複数のコモノマーの両方を用いることができる。
上記のコモノマーの中で、たとえば、アクリル酸、メタ
クリル酸、アクリル及びメタクリルアミド1.アクリル
酸ブチル、メタクリル酸メチル、アクリロニトリル及び
メタクリロニトリルのような、アクリル及びメタクリル
化合物、且つまた、たとえば、マレイン酸無水物、a−
メチルマレイン酸無水物、N−メチルマレインイミド、
N−フェニルマレインイミド、N−(p−メチルフェニ
ル)−マレインイミドのような、マレイン酸の誘導体も
また好適である。アクリロニトリル、メタクリル酸メチ
ル、マレイン酸無水物及びN−フェニルマレインイミド
が特に好適であり、アクリロニトリルがとりわけ好適で
ある。
熱可塑性スチレン重合体は、公知のラジカル重合方法に
よって、たとえば、塊状重合、溶液重合、乳化重合、又
は、たとえば、溶液、沈殿又は塊状懸濁方法のような、
組合わせ方法によって調製することができる。しかしな
がら、たとえば、イオン重合方法及び有機金属触媒を用
いる方法(チーグラー−ナツタ方法)を包含する、その
他の公知の方法をもスチレン重合体の製造に対して使用
することができる。
本発明に従って使用することができるスチレン重合体の
分子量は広い限界内で変えることができる。スチレン重
合体は5000〜5,000,000、−層好ましくは
15,000〜1.OOO,,000、もつとも好まし
くは20,000〜200゜000の範囲の分子量Mw
を有することが好ましい。
本発明において用いることができる熱可塑性重合体は、
線状又は枝分れしたものとすることができる。枝分れは
、コモノマーとして枝分れ化合物、たとえばジビニルベ
ンゼンを使用することによって、又は、他の方法によっ
て、たとえば重合プロセスの間のラジカルグラフト反応
により枝分れを形成させることによって、達成すること
ができる。
本発明による成分C)の標準的な添加剤は、ヨーロッパ
特許第0199824号による相溶性増進剤ではなく、
なかでも、本発明において使用すべきプラスチックの匝
合物中の成分a)及びb)に対する熱、紫外線及び水分
の影響に対しての安定剤である。その他の適当な添加剤
は、成分a)及びb)の混合物の光学的性質に影響する
ものでない限りは、防炎加工剤、潤滑剤及び離型剤並び
にその他の加工助剤を包含する。
成分a)及びb)、並びに任意的にC)からの本発明に
従って使用すべき成形組成物の製造は、たとえば蒸発混
練機又は蒸発押出機中における後続する溶剤の蒸発を伴
なう、有機溶剤又は溶剤涙金物中のそれらの成分の溶液
から、遂行することができる。しかしながら、たとえば
混合ロール上、混線機中又は押出機中で、溶融物から直
接に行なうこともできる。出発成分は、一般に、180
〜450°C1好ましくは220〜400°C1−層好
ましくは260〜360°C1もっとも好ましくは29
0〜340°Cの範囲の溶融温度において混合する。
成分C)の添加剤は成分a)十b)の混合物中に、引続
いて、混入することもできる。
しかしながら、添加剤含有成分a)及びb)、すなわち
、成分a)及び/又はb)と添加剤C)とのプレミック
ス、を使用することも可能である。
成分a)、b)及び、場合によっては、C)からの熱可
塑性成形組成物は、好ましくは260〜360°C1−
層好ましくは290〜340°Cの範囲の溶融物温度で
成形する。
本発明による混合物中のポリカーボネートのスチレン重
合体に対する混合比は、好ましくは90:lO乃至20
:80、−層好ましくは90:10乃至40:60、も
つとも好ましくは85:15の範囲であるが、65 :
 35乃至45:55の範囲の混合比が特に好適である
本発明に従って使用すべき混合物は重量で5〜80%の
スチレン(ポリスチレン及び/又は共重合体中のスチレ
ン成分として)、−層好ましくは重量で10〜65%、
もつとも好ましくは重量で20〜55%のスチレンを含
有することが好ましい。
本発明において使用すべき混合物は、少なくとも、それ
らの卓越した相溶性によって、光学的応用のために、特
に光学的記憶媒体の分野において、それらを適当ならし
める技術的に価値ある性質を示す。
このような光学的記憶媒体の例は、たとえば、光学的読
取り専用記憶装置(OROM)、−回書込み読取り主体
記憶装置(WORM)及び消去可能光学ディスク(E 
OD)である。公知のOR0M応用は、ビデオロングプ
レイ(VLP)、オーディオコンパクトディスク(CD
) 、CD読取り専用記憶装置(CD−ROM) 、C
Dインタラクティブ(CD−1)を包含する。消去でき
る光学ディスクは、現在のところ三つの異なる機構、す
なわち、可逆的相変化(pc) 、可逆的色変化(CC
)及び可逆的磁化(磁気光学的記録、熱磁気光学、MO
R)を使用する。
光学的記憶媒体は、たとえば、以下の文献中に記されて
いる:J、ヘニング、タンストストツフエヒュルオプテ
イッシエプラッテンスパイヒエル(光学ディスク用プラ
スチック)、クンストスト”yyエフ 5、(1985
)7.425〜43゜頁;W、シーブルグ、ポリカーポ
ナートーアインウエルクストツフヒュルオプテイッシエ
スパイヒエルメデイエン(ポリカーボネート−光学記憶
媒体用材料)、タンストストラフニー乙6(1986)
、1O1917〜919頁);エゴンシッミット、アイ
ンアイン7アツヒヤーマグネトーオプテイッシエルスパ
イヒエル(単純磁気光学的記憶媒体)、1987.3.
6.のフランクフルターアルゲマイネツアイツング、″
″科学技術″。
光学的データ記憶媒体は一般に、情報の層が付加しであ
る重合体ペースプレート又は重合体ベースフィルム(場
合によっては複合フィルム)から成っている0情報を、
記憶媒体から読出し、記憶媒体上に記録し又は、重合体
プレートあるいは重合体フィルムを通過する光線、たと
えばレーザービームによって記憶媒体から消去する。
情報保持データ記憶ディスク又はデータ記憶フィルムの
ベースプレート又はベースフィルムとして使用するため
には、僅かの重合体が適しているにすぎず、それらの重
合体すら、必要な性質のすべてを満足するわけではない
から、用途が限定される。
従来、ポリメタクリル酸メチル及び2,2−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)−プロパン(ヒスフェノールA)
のポリカーボネートが、光学的記憶媒体用のベースプレ
ート又はベースフィルムの製造のための重合体として用
いられている。既述のように、日本特許公開昭−61−
19656及びヨーロッパ特許第01,99824号も
また光学的用途に対するブラろチックの混合物の使用を
記している。
成分a)及びb)並びに場合によっては、c)の混合物
の本発明による使用は、それらの混合物が特に次に示す
きわめてすぐれた性質のスペクトルを有していることに
よって、有利である:1、高い熱変形温度 2、溶融物の高い流動性 3、高度の表面品質 4、成形中の細部の高度に正確な再生 5、高度の光沢 6、良好な金属接着 7、高い透明性 8、高い熱安定性 9、容易な離型 lO,ディスクにおける最低限の複屈折11、ディスク
上の複屈折の高度の均一性12、良好な機械的性質 13、@小亀裂形成に対する最低限の傾向14、低い吸
水性 上記のすぐれた性質の個々の性質、及び、これらのすぐ
れた性質の組合わせの両方は、従来は得られなかった品
質の光学記憶媒体用のベース材料として、本発明の成形
組成物をきわめて適当ならしめる。
本発明による重合体混合物のすぐれた機械的性質の中で
、個々の成分の組成と弾性率からの計算によって決定す
ることができる値よりも著るしく高い、驚くべきほど高
い弾性率を特に挙げることができる。これらの高弾性率
、低い吸水性、低い複屈折、及び全ディスクにわたるそ
れらの高い均一性のために、14cmよりも大きく、好
ましくは20cmよりも大きく且つ一層好ましくは25
cmよりも大きい直径を有する高品質光学ディスクを、
本発明による重合体混合物から製造することが可能であ
る。
本発明による成形組成物は、光学的読出し専用記憶装置
(OROM)に対して、特に−回書込み読出し主体(W
ORM)ディスク及び特に、消去可能光学ディスク(E
OD)に対して、特に適している。
実施例1〜5 1.1,3,4.6−ベンタメチルー3−(3,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)−インダン−5−オ
ールコポリカーボネート及びスチレンの混合物、並びに
、比較のための、2,2−ビス−(4−ヒドロキシフェ
ニル)−プロパンポリカーポ不一トとスチレン/マレイ
ン酸無水物共重合体の混合物。
使用した重合体: A、1,1,3,4.6−ベンタメチルー3−(3゜5
−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−インダン−5
−オール/2.2−ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)−フロパンコポリカーボネートモル
比7/93 (PC−JP)、連鎖制限剤としてp−イ
ンオクチルフェノールを共重合、?tel−1,240
(塩化メチレン中25°Cにおいて測定、C=5I/J
2)。
B、1,1,3,4.6−ベンタメチルー3−(3゜5
−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−インダン−5
−オール/ビス−(3,5−ジ・メチル−4−ヒドロキ
ンフェニル)−メタンコポリカーボネートモル比7/9
3 (PC−TM) 、連鎖制限剤としてp−インオク
チルフェノールを共重合、vrel” 1.236 (
塩化メチレン中で25°Cにおいて測定、C=5&#)
C,1,1,3,4,6−ベンタメチルー3−(3゜5
−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−インダン−5
−オール/2,2−ビス−(3,5−ジメチル−4−ヒ
ドロキシフェニル)−ブタンコポリカーボネートモル比
7/93 (PC−I B) 、連鎖制限剤としてp−
インオクチルフェノールを共重合、vrel= 1.2
29 (塩化メチレン中25°Cにおいて測定、C=5
,9/λ)。
D、2.2−ビス−(4−ヒドロキシフェニル)−プロ
パンポリカーポ不−1−(P(、−A) 、連鎖制限剤
としてp−t−ブチルフェノールを共重合、ηrel−
1−232(塩化メチレン中25℃において測定、C−
52/l)。
E、スチレン−アクリロニトリル共重合体、重量で94
/6部(SAN−6) 、Mw=155,000(ゲル
浸透クロマトグラフィーによって測定)。
F、スチレン/アクリロニトリル/マレイン酸無水物共
重合体、重量で94/3/3部(SAMA3−3) 、
Mw=175.OOO(ゲル浸透クロマトグラフィーに
よって測定)。
G、スチレン/マレイン酸無水物共重合体、重量で95
15部(SMA 5) 、Mw= 195 、OOO(
ゲル浸透クロマトグラフィーによって測定)。
H,スチレン/マレイン酸無水物共重合体、重量で91
/9部(SMA 9) 、MW = 250.000(
ゲル浸透クロマトグラフィーによって測定)。
J、スチレン/メタクリル酸メチル共重合体、重量で7
5/25部(3MM25) 、Mw−220゜000(
’7’ル浸透クロマトグラフィーによって測定)。
第1表中に示すように、上記の重合体を、ポリカーボネ
ートのスチレン重合体に対する60:40の比において
、280°Cで溶融混合した。次いで重合体混合物を3
20℃の溶融物温度で直径12am、厚さO,12cm
のコンパクトディスクとして押出した。次いでコンパク
トディスクを透明性について目視により調べ、また複屈
折について測定した。複屈折はディスクの中心から異な
る距離で且つまたディスクに対して三つの方向(軸方向
、接線方向、放射方向)で測定した。表中に示した結果
は、本発明によるディスクのきわめて低く且つ均一な複
屈折を示しているのに対して、比較のディスクは、かな
り高く且つ均一性の低い複屈折値を示した。
表中に示した結果は比較ディスクと異なって、本発明の
ディスクが明らかに透明であることをも示している。
実施例6〜17 第2表は実施例1〜5の重合体の混合物(実施例6〜]
0)及び出発成分(実施例11〜17)の弾性率を示し
ている。混合物は出発成分の混合比及びそれらの弾性率
から計算することができる値よりも高い弾性率を有する
ことが明らかである。
本計算値2760MPa

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 a)重量で5〜95%の、その中の線状連鎖が0.1モ
    ル%〜50モル%の式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) に相当する二官能性構造単位及び99.9モル%乃至5
    0%モル%の式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼(2) 式中で−O−D−O−は式(1)中のもの とは異なるジフェノラート残基である、 に相当する他の二官能性構造単位を含有する、芳香族ポ
    リカーボネート、 b)重量で95〜5%の熱可塑性スチレン重合体、及び
    任意的に c)通常の量の標準的な添加剤 成分a)+b)の合計は重量で100%に 等しく且つ添加剤c)の量は重量で100%の成分a)
    +b)の合計に基づいている、 から成る混合物の光学的記憶媒体のための基層としての
    使用。
JP63315227A 1987-12-22 1988-12-15 光学的記憶媒体のための基層としてのポリカーボネート及びスチレン重合体の混合物の使用 Pending JPH01197545A (ja)

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DE3743491.8 1987-12-22

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