JPH01195557A - データ処理システムにおけるデータ転送方法 - Google Patents
データ処理システムにおけるデータ転送方法Info
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- JPH01195557A JPH01195557A JP63301096A JP30109688A JPH01195557A JP H01195557 A JPH01195557 A JP H01195557A JP 63301096 A JP63301096 A JP 63301096A JP 30109688 A JP30109688 A JP 30109688A JP H01195557 A JPH01195557 A JP H01195557A
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 8
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- 239000000872 buffer Substances 0.000 abstract description 28
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1048—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
- G06F11/1056—Updating check bits on partial write, i.e. read/modify/write
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Detection And Correction Of Errors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、中央処理装置(CPU)からの部分ワード・
サイズのデータを、単一ビット・エラー訂正(ECC)
フード・ビットを付加された、それよりも大きなフルワ
ード・サイズでデータを記憶する主記憶装置に転送する
ための、改善された方法に関するものである。
サイズのデータを、単一ビット・エラー訂正(ECC)
フード・ビットを付加された、それよりも大きなフルワ
ード・サイズでデータを記憶する主記憶装置に転送する
ための、改善された方法に関するものである。
B、従来技術
そのようなシステムは、まず記憶装置から選択されたフ
ルワードを読み取り、CPUから転送された部分ワード
・ビットでフルワードの対応するビットを置き換え、変
更されたフルワードを記憶装置に書き戻すことを特徴と
する、読取り一変更−書込み(RMW)型の動作を使用
する。そのようなシステムでエラー訂正を行なう際、選
択されたフルワードについてエラーの有無が検査され、
単一ビット・エラーがある場合は訂正される。次に、訂
正されたワードがCPUビットによって変更され、新し
いFCCビットが発生され、訂正され変更されたワード
及びFCCビットが記憶装置に書き込まれる。
ルワードを読み取り、CPUから転送された部分ワード
・ビットでフルワードの対応するビットを置き換え、変
更されたフルワードを記憶装置に書き戻すことを特徴と
する、読取り一変更−書込み(RMW)型の動作を使用
する。そのようなシステムでエラー訂正を行なう際、選
択されたフルワードについてエラーの有無が検査され、
単一ビット・エラーがある場合は訂正される。次に、訂
正されたワードがCPUビットによって変更され、新し
いFCCビットが発生され、訂正され変更されたワード
及びFCCビットが記憶装置に書き込まれる。
選択されたフルワードを変更する前にエラーを検査し、
訂正するステップを、順に踏まなければならないため、
システムの処理能力が大幅に低下する。
訂正するステップを、順に踏まなければならないため、
システムの処理能力が大幅に低下する。
このシステム環境における種々のトレードオフが、R1
:lロディ(Korody )及びり、ローム(Roa
um)の論文「メモリ・アレイからのベスキー〇エラー
〇ビットの除去(Purge Your Memory
Array of Pe5ky Error Bits
) J E D N11980年5月20日、I)I)
、153−158のp、157に詳しく考察されている
。この論文は、ハミング・コード原理に基づいたエラー
検出訂正回路の詳細な考察も含んでいる。しかし、上述
の順次ステップによって生じるシステムの効率低下に対
する滴定すべき解決策は提供されていない。
:lロディ(Korody )及びり、ローム(Roa
um)の論文「メモリ・アレイからのベスキー〇エラー
〇ビットの除去(Purge Your Memory
Array of Pe5ky Error Bits
) J E D N11980年5月20日、I)I)
、153−158のp、157に詳しく考察されている
。この論文は、ハミング・コード原理に基づいたエラー
検出訂正回路の詳細な考察も含んでいる。しかし、上述
の順次ステップによって生じるシステムの効率低下に対
する滴定すべき解決策は提供されていない。
1つの手法は、より小さなCPU部分ワード・サイズに
ついてECCを実行し、フルワードでなく部分ワードを
(記憶システムが許容する場合)記憶装置に書き込むこ
とである。しかし、そうすると−層多くの検査が必要に
なるので、記憶システムがより高価になる。
ついてECCを実行し、フルワードでなく部分ワードを
(記憶システムが許容する場合)記憶装置に書き込むこ
とである。しかし、そうすると−層多くの検査が必要に
なるので、記憶システムがより高価になる。
C0発明の要旨
本発明はRMW動作中のシステム効率を大幅に高める。
これは、今日の技術では、主記憶装置から検索されるデ
ータがほとんどエラーを含まない(たとえば、99%)
という前提に基づいている。
ータがほとんどエラーを含まない(たとえば、99%)
という前提に基づいている。
上述の順次ステップによる効率低下を、検索データが単
一ビット・エラーを有するRMW動作だけに限定するこ
とができれば、システム全体の処理能力は高まるはずで
ある。さらに、ECCビット中、またはCPUビットに
よって変更/置換されるビット中に単一ビット・エラー
が存在するとき、順次ステップが排除されれば、処理能
力の一層の向上が実現される。
一ビット・エラーを有するRMW動作だけに限定するこ
とができれば、システム全体の処理能力は高まるはずで
ある。さらに、ECCビット中、またはCPUビットに
よって変更/置換されるビット中に単一ビット・エラー
が存在するとき、順次ステップが排除されれば、処理能
力の一層の向上が実現される。
これらの能力向上は、以下のように働<RMW動作によ
って実現される。
って実現される。
1、データ・ワード全体及びその検査ビットを記憶装置
から読み取る。
から読み取る。
2、記憶データ(エラーがないものと仮定する)をCP
Uデータで変更し、新しいECC検査ビットを発生する
。同時に未変更データ内の単一エラー・ビットの訂正を
開始する。
Uデータで変更し、新しいECC検査ビットを発生する
。同時に未変更データ内の単一エラー・ビットの訂正を
開始する。
3、未変更データ中にエラーがなかった場合は、変更さ
れたデータ・ワードと新しい検査ビットを記憶装置に書
き戻し、また、単一ビット・エラーがあうた場合は、C
PUデータを訂正された記憶データと結合し、新しい検
査ビットを発生し、記憶装置に書き戻す。
れたデータ・ワードと新しい検査ビットを記憶装置に書
き戻し、また、単一ビット・エラーがあうた場合は、C
PUデータを訂正された記憶データと結合し、新しい検
査ビットを発生し、記憶装置に書き戻す。
記憶ワード中にエラーがない場合に記憶装置からCPU
バッファに読み取られるデータ用の「高速経路」を設け
ることにより、CPU読取リサイクルも機能強化される
。記憶ワードが単一ビット・エラーを含む場合は、八−
ドウエアがエラーを検出及び訂正し、訂正されたワード
をバッフ1に送る。
バッファに読み取られるデータ用の「高速経路」を設け
ることにより、CPU読取リサイクルも機能強化される
。記憶ワードが単一ビット・エラーを含む場合は、八−
ドウエアがエラーを検出及び訂正し、訂正されたワード
をバッフ1に送る。
D、実施例
第1図は、CPUデータ・バス3、記憶データ・バス4
、及び記憶制御装置5を介してランダム・アクセス記憶
装置2に結合されたCPU 1を有するデータ処理シス
テムの概略図である。記憶制御装置5は、ECCビット
発生機構6及びFCC訂正論理回路7を含む。検査ビッ
ト発生機構6は、記憶装置に書き込まれるデータに対す
るパリティ・ビットを発生させる。機構6は、最小限単
一エラー訂正を行なうハミング・コードに基づく任意の
形式のアルゴリズムを使用することができる。好ましい
実施例では、単一エラー訂正に6ビツトが必要であり、
32ビツト・ワード・サイズの記憶装置では2重エラー
検出用にもう1ビツトが使用される。
、及び記憶制御装置5を介してランダム・アクセス記憶
装置2に結合されたCPU 1を有するデータ処理シス
テムの概略図である。記憶制御装置5は、ECCビット
発生機構6及びFCC訂正論理回路7を含む。検査ビッ
ト発生機構6は、記憶装置に書き込まれるデータに対す
るパリティ・ビットを発生させる。機構6は、最小限単
一エラー訂正を行なうハミング・コードに基づく任意の
形式のアルゴリズムを使用することができる。好ましい
実施例では、単一エラー訂正に6ビツトが必要であり、
32ビツト・ワード・サイズの記憶装置では2重エラー
検出用にもう1ビツトが使用される。
多重化/多重化解除バッファ8は、CPU読取り及びR
MW動作中にCPU1との間で転送されるデータをラッ
チし、16ビツトCPU経路(バス3)と32ビツト記
憶経路(バス4)の間でのデータ転送を制御する。バブ
718はバス9、ドライバ10、データ・ミキサ11、
ECCビット発生機構6、バス13、ドライバ12及び
バス4を介して記憶装置2に結合される。好ましい実施
例では、データ・ミキサ11は、CPUIから送られる
データ(16ビツト)と、RMW動作中に記憶装置2か
ら読み取られるデータ(32ビツトのうちの16ビツト
)から32ビツトのフルワードを形成する。
MW動作中にCPU1との間で転送されるデータをラッ
チし、16ビツトCPU経路(バス3)と32ビツト記
憶経路(バス4)の間でのデータ転送を制御する。バブ
718はバス9、ドライバ10、データ・ミキサ11、
ECCビット発生機構6、バス13、ドライバ12及び
バス4を介して記憶装置2に結合される。好ましい実施
例では、データ・ミキサ11は、CPUIから送られる
データ(16ビツト)と、RMW動作中に記憶装置2か
ら読み取られるデータ(32ビツトのうちの16ビツト
)から32ビツトのフルワードを形成する。
データ・エラーが発生しないときは、CPUの読取りサ
イクル中に、記憶装置2がバス4、ドライバ18及びバ
ス9からなる高速経路4aを経てバッファ8に結合され
る。
イクル中に、記憶装置2がバス4、ドライバ18及びバ
ス9からなる高速経路4aを経てバッファ8に結合され
る。
バッファ17は、CPU読取り及びRMW動作中に記憶
装置2から読み取られたデータ及びECCピットを記憶
する。このデータ及びECCピットは、シンドローム発
生機構14、エラー・デコーダ15、及び単一ビット・
エラー訂正回路16に結合される。単一エラー訂正回路
16は、一般に上記のEDN論文に記載された種類のも
のでよい。
装置2から読み取られたデータ及びECCピットを記憶
する。このデータ及びECCピットは、シンドローム発
生機構14、エラー・デコーダ15、及び単一ビット・
エラー訂正回路16に結合される。単一エラー訂正回路
16は、一般に上記のEDN論文に記載された種類のも
のでよい。
シンドローム発生機構14は、バス19を介してデータ
・ビットを回路16に送る。シンドローム発生機構14
はまた、記憶装置から読み取られたデータに基づいて一
組の検査ビットを発生し、それらを記憶装置2から読み
取られたECC検査ビットと比較する。これにより、エ
ラー状態の単一ビットを識別することができる独自のコ
ード・ワード(シンドローム)が得られる。このシンド
ローム・ワードはバス20上に現われ、データまたはE
CCピット中の単一エラーを指す。
・ビットを回路16に送る。シンドローム発生機構14
はまた、記憶装置から読み取られたデータに基づいて一
組の検査ビットを発生し、それらを記憶装置2から読み
取られたECC検査ビットと比較する。これにより、エ
ラー状態の単一ビットを識別することができる独自のコ
ード・ワード(シンドローム)が得られる。このシンド
ローム・ワードはバス20上に現われ、データまたはE
CCピット中の単一エラーを指す。
デコーダ15はシンドロームを復号する。単一ビット・
データ・エラーが存在する場合は、エラー状態のデータ
・ビット位置に対応するバス21内の線上に信号を発生
させ、発生された信号が回路16にエラー状態のビット
を反転させる。他のすべてのデータ・ビットは変更され
ずに回路16を通過する。
データ・エラーが存在する場合は、エラー状態のデータ
・ビット位置に対応するバス21内の線上に信号を発生
させ、発生された信号が回路16にエラー状態のビット
を反転させる。他のすべてのデータ・ビットは変更され
ずに回路16を通過する。
デコーダ15はまた、エラーが発生しなかった(データ
有効Dv)、ECCビットまたはデータツバイト1.2
.3または4に単一ビット・エラーが発生した、または
2重エラーが発生した(データ無効DI)ことを示す出
力状況ビットを、バスERRSTAT上に発生する。R
MW動作中に1つの検査ビット中で、またはCPUデー
タによって重ね書きされる1つのハーフワードのデータ
・ビット中で単一ビット・エラー(些細なエラー)が発
見された場合は、好ましい実施例では訂正は不要である
。
有効Dv)、ECCビットまたはデータツバイト1.2
.3または4に単一ビット・エラーが発生した、または
2重エラーが発生した(データ無効DI)ことを示す出
力状況ビットを、バスERRSTAT上に発生する。R
MW動作中に1つの検査ビット中で、またはCPUデー
タによって重ね書きされる1つのハーフワードのデータ
・ビット中で単一ビット・エラー(些細なエラー)が発
見された場合は、好ましい実施例では訂正は不要である
。
CPUの読取り動作中に、単一データ・ビット・エラー
が検出されると、回路16からの訂正済みデータがバス
22、ドライバ23及びバス9を介してバッファ8に転
送される。
が検出されると、回路16からの訂正済みデータがバス
22、ドライバ23及びバス9を介してバッファ8に転
送される。
RMW動作中、データ・マルチプレクサ24は記憶’J
t 12から生データまたは訂正済みデータのいずれか
を選択する。選択は生の記憶データがを効か否かに基づ
いて行なわれる。したがって、バス25のデータ経路2
5aは、バッファ17の出力をマルチプレクサ24に結
合し、バス22は訂正回路16の出力を°マルチプレク
サ24に結合する。
t 12から生データまたは訂正済みデータのいずれか
を選択する。選択は生の記憶データがを効か否かに基づ
いて行なわれる。したがって、バス25のデータ経路2
5aは、バッファ17の出力をマルチプレクサ24に結
合し、バス22は訂正回路16の出力を°マルチプレク
サ24に結合する。
マルチプレクサ24の出力はデータ・ミキサ11に結合
される。
される。
CPU読取り動作及びRMW動作中のデータ転送のため
に通常のタイミング及び制御論理回路30が設けられて
いる。デコーダ15からのエラー状況バスERR3TA
Tは論理回路30の入力に結合される。cputからの
タイミング及び制御バス31も論理回路30に結合され
る。論理回路30からの出力CISないしC9は、デー
タ転送動作の種々のステップを制御する。
に通常のタイミング及び制御論理回路30が設けられて
いる。デコーダ15からのエラー状況バスERR3TA
Tは論理回路30の入力に結合される。cputからの
タイミング及び制御バス31も論理回路30に結合され
る。論理回路30からの出力CISないしC9は、デー
タ転送動作の種々のステップを制御する。
第2図は、第1図の種々の要素に対する入力(CISな
いしC9)を発生するタイミング及び制御論理回路30
内の論理回路の一部の概略図である。さらに、第3図な
いし第6図に、第2図の論理回路のタイミング及び制御
入出力信号を示す。
いしC9)を発生するタイミング及び制御論理回路30
内の論理回路の一部の概略図である。さらに、第3図な
いし第6図に、第2図の論理回路のタイミング及び制御
入出力信号を示す。
したがって、バッファ8に対する入力CISは、読取り
動作及びRMW動作中のCPUIとの間でのデータ転送
のため、バス31のアドレス・バス部分の下から2番目
のビットA22に結合されて、バッファ8内の4バイト
・ワードの下位2バイトまたは上位2バイトを選択する
。
動作及びRMW動作中のCPUIとの間でのデータ転送
のため、バス31のアドレス・バス部分の下から2番目
のビットA22に結合されて、バッファ8内の4バイト
・ワードの下位2バイトまたは上位2バイトを選択する
。
バッファ8に対する入力CILは、読取り動作及びRM
W動作中に、時点T1及びTOでそれぞれANDゲート
31a、31b及びORゲート32を介して印加される
。
W動作中に、時点T1及びTOでそれぞれANDゲート
31a、31b及びORゲート32を介して印加される
。
ドライバ18に対する入力C2は、CPUの読取り動作
中にのみ、線CPU/Rが高電圧になる時点T2でAN
Dゲート33を介して印加される(第3図及び第4図参
照)。
中にのみ、線CPU/Rが高電圧になる時点T2でAN
Dゲート33を介して印加される(第3図及び第4図参
照)。
ドライバ10に対する入力C3は、RMW動作中に線C
PU/Wが高電圧である間、時点T3でANDゲート3
4を介して印加される(第5図及び第6図参照)。
PU/Wが高電圧である間、時点T3でANDゲート3
4を介して印加される(第5図及び第6図参照)。
ドライバ23に対する入力C4は、単一ビット・エラー
が存在し、訂正しなければならないとき、すなわち、C
PU/R時間が延長されるとき、CPUの読取り動作中
に時点T4で印加される。
が存在し、訂正しなければならないとき、すなわち、C
PU/R時間が延長されるとき、CPUの読取り動作中
に時点T4で印加される。
下位アドレス・ビットA22、A23、−A22、−A
23は、記憶装置2に転送すべき新しい4バイト・ワー
ドを形成するために、バッファ8からのCPUデータの
どの2バイトとデータ・マルチプレクサ24からの記憶
データのどの2バイトを組み合わせるかをORゲート3
6及びANDゲート37−40を介して決定する。した
がって、これらの線は、入力5Aないし5Dを発生し、
それらの入力は全RMW動作中に印加される。
23は、記憶装置2に転送すべき新しい4バイト・ワー
ドを形成するために、バッファ8からのCPUデータの
どの2バイトとデータ・マルチプレクサ24からの記憶
データのどの2バイトを組み合わせるかをORゲート3
6及びANDゲート37−40を介して決定する。した
がって、これらの線は、入力5Aないし5Dを発生し、
それらの入力は全RMW動作中に印加される。
CPUから1または3バイトを転送することが望ましい
場合は、線−CYB上の信号を使用することができる。
場合は、線−CYB上の信号を使用することができる。
ドライバ12に対する入力C6は、RMW動作中、線C
PU/Wが高電圧である間、時点T8でANDゲート4
1を介して印加される。
PU/Wが高電圧である間、時点T8でANDゲート4
1を介して印加される。
データ・マルチプレクサ24に対する入力C7は通常、
各RMW動作中にバッファ17からデータ・ミキサ11
に送る状態にあり、その状態は、デコーダ15によって
ERR8TATバス上に単一ビット・エラーを示すデー
タ無効信号が発生されたとき、時点T7でANDゲート
42を介して変更される。C7が変更された状態のとき
、回路16からの訂正済みデータがマルチプレクサ24
を介してデータ・ミキサ11に送られる。
各RMW動作中にバッファ17からデータ・ミキサ11
に送る状態にあり、その状態は、デコーダ15によって
ERR8TATバス上に単一ビット・エラーを示すデー
タ無効信号が発生されたとき、時点T7でANDゲート
42を介して変更される。C7が変更された状態のとき
、回路16からの訂正済みデータがマルチプレクサ24
を介してデータ・ミキサ11に送られる。
エラー・デコーダ15に対する入力C8は、CPU読取
り及びRMW動作中にCP U/R線またはCPU/W
線が高電圧である間、ORゲート43とANDゲート4
4を介して佇効になり、デコーダ15に適当な出力信号
をバスERR8TAT上に発生させる。
り及びRMW動作中にCP U/R線またはCPU/W
線が高電圧である間、ORゲート43とANDゲート4
4を介して佇効になり、デコーダ15に適当な出力信号
をバスERR8TAT上に発生させる。
バッフ117に対する入力C9は、CPU読取り及びR
MW動作中、線CP U/RまたはCPU/Wが高電圧
であるとき、時点T9でORゲート43とANDゲート
45を介して印加される。
MW動作中、線CP U/RまたはCPU/Wが高電圧
であるとき、時点T9でORゲート43とANDゲート
45を介して印加される。
次に、第1図、第2図及び第3図を参照して、データ・
エラーのないときのCPU読取り動作について詳細に説
明する。CPU/R線は高電圧になり、5TGRD線を
高電圧にして、バス31内のアドレス線AO−A23に
よって決定される記憶装置内の記憶位置からのデータ及
びECCビットの読取りを開始する。記憶データ及びE
CCビットがバス4及びそのデータ・バス部分4aで使
用可能になる。C9上の信号はデータ及びECCビット
をバッファ17内にゲートし、C2上の信号はデータを
ドライバ18を介してバス9にのみゲートする。CIL
上の信号はデータをバッファ8にラッチし、このときデ
ータは、第3図に示すように、MOX/DEMUXバッ
フ1の出力線上でCPUIにとって使用可能になる。
エラーのないときのCPU読取り動作について詳細に説
明する。CPU/R線は高電圧になり、5TGRD線を
高電圧にして、バス31内のアドレス線AO−A23に
よって決定される記憶装置内の記憶位置からのデータ及
びECCビットの読取りを開始する。記憶データ及びE
CCビットがバス4及びそのデータ・バス部分4aで使
用可能になる。C9上の信号はデータ及びECCビット
をバッファ17内にゲートし、C2上の信号はデータを
ドライバ18を介してバス9にのみゲートする。CIL
上の信号はデータをバッファ8にラッチし、このときデ
ータは、第3図に示すように、MOX/DEMUXバッ
フ1の出力線上でCPUIにとって使用可能になる。
時点T8で、デコーダ15からのバスERR3TATの
エラー状況線DVが、バッフ117のデータが有効であ
ることを示す場合、制御装置30のDONE線がAND
ゲート46及びORゲート47を介して付勢されて、(
1)バス31を介して信号をCPU1に送って、CIS
によって決定されるバッファ8内のデータの2バイトの
読取りを開始し、(2)CPU/R信号を終了させて、
読取り動作の終了を開始させる。
エラー状況線DVが、バッフ117のデータが有効であ
ることを示す場合、制御装置30のDONE線がAND
ゲート46及びORゲート47を介して付勢されて、(
1)バス31を介して信号をCPU1に送って、CIS
によって決定されるバッファ8内のデータの2バイトの
読取りを開始し、(2)CPU/R信号を終了させて、
読取り動作の終了を開始させる。
しかし、時点T8で、バッフ117のデータが単一ビッ
ト・エラーを含み無効であることをエラー状況線が示す
場合は、時点T8で、ERR8TATバス上のデータ無
効信号DI(DVでなく)によってDONE線の付勢が
禁止される。時点T4で、線C4上のゲート信号が、ド
ライバ23を介して回路16からバス9に訂正済みデー
タを送り、時点T1で線CIL上の信号(第4図、2回
目の発生)が訂正済みデータをバッファ8にゲートし、
したがってエラー・データを重ね書きする。
ト・エラーを含み無効であることをエラー状況線が示す
場合は、時点T8で、ERR8TATバス上のデータ無
効信号DI(DVでなく)によってDONE線の付勢が
禁止される。時点T4で、線C4上のゲート信号が、ド
ライバ23を介して回路16からバス9に訂正済みデー
タを送り、時点T1で線CIL上の信号(第4図、2回
目の発生)が訂正済みデータをバッファ8にゲートし、
したがってエラー・データを重ね書きする。
DONE線は線Tll、DI及びCP U/R上の信号
によりゲート48及び47を介して付勢され、バッファ
8からCPUIへの訂正済みデータの読取り及び読取り
動作の終了を開始させる。
によりゲート48及び47を介して付勢され、バッファ
8からCPUIへの訂正済みデータの読取り及び読取り
動作の終了を開始させる。
次に、第1図、第2図及び第5図を参照して、データ・
エラーのない場合のRMW動作について説明する。CP
U/W線(第5図)は時点TOで高電圧になり、5T
GRD線を高電圧にして、バス31のアドレス線AO−
A23によって決定される記憶装置2内の記憶位置から
のデータ及びECCビットの読取りを開始する。線CI
L上の信号は、CPU1からのデータの2バイトを、A
22上の信号によって決定されるように、ワード・バッ
ファ8内にゲートシ、バッファ8の他の2バイトは「0
」にドライブされる。時点T9で、線C9上の信号が記
憶データ(STGデータ)及びECCビットをバス25
aを介してバッフ117内にゲートし、その結果、その
信号がバス25上で使用可能になり、そのデータ部分2
5aがデータ・ミキサ11に送られる。マルチプレクサ
24はバス25aを介してバッフy17からデータ・ミ
キサ11にデータを送る。時点T3で、線C3は高電圧
になって、ドライバ10にCPUデータをバス9を介し
てバッファ8からデータ・ミキサ11に送らせる。入力
C5A−C5Dは、データ・ミキサ11にバッファ8及
び17からのデータを適当に(たとえば、各バッファか
ら2バイトずつ)結合して、新しい4バイト・データ・
ワードを形成させ、ECCビット発生機構6は新しいデ
ータ・ワードのECCビットを作成する。時点T8で、
線C6上の信号がドライバ12に新しいデータ・ワード
及びそのECCビットをバス4に載せさせる。
エラーのない場合のRMW動作について説明する。CP
U/W線(第5図)は時点TOで高電圧になり、5T
GRD線を高電圧にして、バス31のアドレス線AO−
A23によって決定される記憶装置2内の記憶位置から
のデータ及びECCビットの読取りを開始する。線CI
L上の信号は、CPU1からのデータの2バイトを、A
22上の信号によって決定されるように、ワード・バッ
ファ8内にゲートシ、バッファ8の他の2バイトは「0
」にドライブされる。時点T9で、線C9上の信号が記
憶データ(STGデータ)及びECCビットをバス25
aを介してバッフ117内にゲートし、その結果、その
信号がバス25上で使用可能になり、そのデータ部分2
5aがデータ・ミキサ11に送られる。マルチプレクサ
24はバス25aを介してバッフy17からデータ・ミ
キサ11にデータを送る。時点T3で、線C3は高電圧
になって、ドライバ10にCPUデータをバス9を介し
てバッファ8からデータ・ミキサ11に送らせる。入力
C5A−C5Dは、データ・ミキサ11にバッファ8及
び17からのデータを適当に(たとえば、各バッファか
ら2バイトずつ)結合して、新しい4バイト・データ・
ワードを形成させ、ECCビット発生機構6は新しいデ
ータ・ワードのECCビットを作成する。時点T8で、
線C6上の信号がドライバ12に新しいデータ・ワード
及びそのECCビットをバス4に載せさせる。
エラーがないと仮定すると、線DV、TIO及びCPU
/W上の信号が、ANDゲート49及びOR’7’−)
50.47を介Lt”DONE線及び記憶書込み5TG
WR線を付勢する。5TGWR上の信号が、新しいデー
タ・ワード及びそのECCビットを、データが読み取ら
れたばかりの記憶位置に書き戻させる。DONE線上の
信号は、RMW動作の終了を開始させる。
/W上の信号が、ANDゲート49及びOR’7’−)
50.47を介Lt”DONE線及び記憶書込み5TG
WR線を付勢する。5TGWR上の信号が、新しいデー
タ・ワード及びそのECCビットを、データが読み取ら
れたばかりの記憶位置に書き戻させる。DONE線上の
信号は、RMW動作の終了を開始させる。
しかし、時点TIOで、ERR8TATバスの線DI上
に単一ビット・エラー信号が現われた(すなわち、時点
T8で線C8上の信号によってゲートされた)場合は、
線5TGWR及びDONE上の信号は時点T6まで遅延
される。時点T7(遅延中)で、線C7上の信号は、マ
ルチプレクサ24に回路16からの訂正済みデータ・ワ
ードをデータ・ミキサ11に結合させる。訂正済みワー
ドは、依然としてミキサ11に結合されたCPUデータ
によって変更され、変更された訂正済みワードのECC
ビットがECCビット発生機構6によって形成される。
に単一ビット・エラー信号が現われた(すなわち、時点
T8で線C8上の信号によってゲートされた)場合は、
線5TGWR及びDONE上の信号は時点T6まで遅延
される。時点T7(遅延中)で、線C7上の信号は、マ
ルチプレクサ24に回路16からの訂正済みデータ・ワ
ードをデータ・ミキサ11に結合させる。訂正済みワー
ドは、依然としてミキサ11に結合されたCPUデータ
によって変更され、変更された訂正済みワードのECC
ビットがECCビット発生機構6によって形成される。
Ce上の信号は依然として高電圧であり、ドライバ12
に、変更された訂正済みワード及びそのECCビットを
バス4に載せさせる。
に、変更された訂正済みワード及びそのECCビットを
バス4に載せさせる。
時点T6(第8図)で、線5TGWR及びり。
NEはゲー)51.50及び47を介して線cpU/W
、DI及びT6により付勢されて、変更された訂正済み
ワード及びそのECCビットを記憶装置2に書き込み、
RMW動作の終了を開始する。
、DI及びT6により付勢されて、変更された訂正済み
ワード及びそのECCビットを記憶装置2に書き込み、
RMW動作の終了を開始する。
上記説明では、記憶装置から読み取られたデータ/FC
Cビットにエラーがあった場合、第4図及び第6図の読
取り及びRMW動作サイクルを長くする必要があると仮
定した。
Cビットにエラーがあった場合、第4図及び第6図の読
取り及びRMW動作サイクルを長くする必要があると仮
定した。
エラー・デコーダ15などは、エラーの位置を判定する
論理回路を備えているので、FCCビット内に単一ビッ
ト・エラーがある場合、データ無効信号DIは発生され
ず、データ宵効信号DVが発生される。
論理回路を備えているので、FCCビット内に単一ビッ
ト・エラーがある場合、データ無効信号DIは発生され
ず、データ宵効信号DVが発生される。
記憶装置2から読み取られた4バイトのデータ中に単一
ビット・エラーがある場合、エラーの位置(バイト0,
1または2.3内の)を論理回路52で線A22上の信
号と比較することができる。
ビット・エラーがある場合、エラーの位置(バイト0,
1または2.3内の)を論理回路52で線A22上の信
号と比較することができる。
この信号は、RMW動作中にCPUIからどの2バイト
(0,1または2.3)を受は取るか、または、読取り
動作中にCPUIにどの2バイトが送られるかを示す。
(0,1または2.3)を受は取るか、または、読取り
動作中にCPUIにどの2バイトが送られるかを示す。
CPU読取り動作中、記憶データのエラーが、線A22
で必要としない2バイト中にある場合、回路52はイン
バータ53にデコーダ15からのDI信号を反転させて
、線DIでなく線DV上に信号を発生させる。第3図に
示す動作はこれで完了する。
で必要としない2バイト中にある場合、回路52はイン
バータ53にデコーダ15からのDI信号を反転させて
、線DIでなく線DV上に信号を発生させる。第3図に
示す動作はこれで完了する。
CPUのRMW動作中に、線A22上の信号によって決
定されるCPUデータによって置き換えられる2バイト
中に記憶データの単一ビット・エラーがある場合は、回
路52はインバータ53にDI信号を反転させて、線D
I”でなく線DV上に信号を発生させる。第5図に示す
動作は次に、線DV及びDIの代わりに線DV”及びD
I’上の信号を使って完了する。
定されるCPUデータによって置き換えられる2バイト
中に記憶データの単一ビット・エラーがある場合は、回
路52はインバータ53にDI信号を反転させて、線D
I”でなく線DV上に信号を発生させる。第5図に示す
動作は次に、線DV及びDIの代わりに線DV”及びD
I’上の信号を使って完了する。
2重ビット・エラーが発生した場合は、動作は終了し、
CPUはバス31の線DBL ERR(第1図)上の
信号に応答して適当な処置を講じる。
CPUはバス31の線DBL ERR(第1図)上の
信号に応答して適当な処置を講じる。
上記の説明では、記憶速度とFCC検査論理回路の速度
との関係から、検査の後でのみ書込みが可能になるもの
と仮定した。しかし、ページ・モード機能、縮小サイク
ル付きのダイナミックRAM(DRAM) 、及びスタ
ティックRAM(SRAM)などある種の記憶システム
はFCC検査と比べて非常に速いので、記憶装置に対し
て2回の書込み、すなわち、単一ビット・エラーを有す
る可能性のあるデータの書込みと、続いてそのようなエ
ラーの訂正済みデータの書込みを実行することが可能で
ある。最初の書込みはECC検査機能の前に完了し、エ
ラーがない場合は、書込みサイクルは第5図の時点T8
で終了することができる。
との関係から、検査の後でのみ書込みが可能になるもの
と仮定した。しかし、ページ・モード機能、縮小サイク
ル付きのダイナミックRAM(DRAM) 、及びスタ
ティックRAM(SRAM)などある種の記憶システム
はFCC検査と比べて非常に速いので、記憶装置に対し
て2回の書込み、すなわち、単一ビット・エラーを有す
る可能性のあるデータの書込みと、続いてそのようなエ
ラーの訂正済みデータの書込みを実行することが可能で
ある。最初の書込みはECC検査機能の前に完了し、エ
ラーがない場合は、書込みサイクルは第5図の時点T8
で終了することができる。
第1図は、本発明を具体化したシステムのブロック・ダ
イヤグラムである。 第2図は、タイミング及び制御用の特定の論理回路を示
す。 第3図及び第4図はそれぞれ、エラーのない状態及び単
一ビット・エラー状態の場合のCPU読取りタイミング
図である。 第5図及び第6図はそれぞれ、エラーのない状態及び単
一ビット・エラー状態の場合のRMWタイミング図であ
る。 1・・・・CPU、2・・・・記憶装置、5・・・・記
憶制御装置、6・・・・ECCビット発生機構、7・・
・・ECC検出訂正論理回路、8・・・・多重化/多重
化解除バッフ1.10.12.18.23・・・・ドラ
イバ、11・・・・データ・ミキサ、14・・・・シン
ドローム発生機構、15・・・・エラー・デコーダ、1
6・・・・単一ビット・エラー訂正回路、24・・・・
データ・マルチプレクサ、30・・・・タイミング及び
制御論理回路。 出願人 インターナシロナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 復代理人 弁理士 澤 1) 俊 夫駕2図 笛5図 エラーのない曖合 笑60 坏−エラー、、4合
イヤグラムである。 第2図は、タイミング及び制御用の特定の論理回路を示
す。 第3図及び第4図はそれぞれ、エラーのない状態及び単
一ビット・エラー状態の場合のCPU読取りタイミング
図である。 第5図及び第6図はそれぞれ、エラーのない状態及び単
一ビット・エラー状態の場合のRMWタイミング図であ
る。 1・・・・CPU、2・・・・記憶装置、5・・・・記
憶制御装置、6・・・・ECCビット発生機構、7・・
・・ECC検出訂正論理回路、8・・・・多重化/多重
化解除バッフ1.10.12.18.23・・・・ドラ
イバ、11・・・・データ・ミキサ、14・・・・シン
ドローム発生機構、15・・・・エラー・デコーダ、1
6・・・・単一ビット・エラー訂正回路、24・・・・
データ・マルチプレクサ、30・・・・タイミング及び
制御論理回路。 出願人 インターナシロナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 復代理人 弁理士 澤 1) 俊 夫駕2図 笛5図 エラーのない曖合 笑60 坏−エラー、、4合
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数のアドレス可能ロケーションを有し、これらアドレ
ス可能ロケーションの各々にデジタル情報セグメント及
びこのデジタル情報セグメントのエラー検査訂正コード
を記憶するデータ記憶モジュールと、上記デジタル情報
セグメントより小さな単位で情報処理を行なうプロセッ
サと、選択された上記デジタル情報セグメントの一部に
上記プロセッサからの情報単位を結合して新しい上記デ
ジタル情報セグメント及びエラー検査訂正コードを形成
して上記データ記憶モジュールへと転送する手段とを有
するデータ処理システムにおけるデータ転送方法におい
て、 上記アドレス可能ロケーションの1つからの選択された
第1セグメントの一部に上記プロセッサからの情報単位
を結合して第2セグメントを生成し、かつ第2セグメン
ト用のエラー検査訂正コードを生成する処理と、上記選
択された第1セグメントにエラーが含まれていないかま
たは単一ビット・エラーを含むかを判別する処理とを同
時に実行するステップと、 上記第1セグメントにエラーが含まれていないと判別さ
れたときに上記第2セグメント及びそのエラー検査訂正
コードを上記アドレス可能ロケーションの1つに記憶す
るステップと、 上記選択された第1セグメントに単一ビット・エラーが
含まれていると判別されたときに上記第1セグメントを
訂正して第3セグメントを生成するステップと、 上記訂正して得た第3セグメントの一部に上記プロセッ
サからの上記情報単位を結合し第4セグメントを生成す
るとともにこの第4セグメント用のエラー検査訂正コー
ドを生成するステップと、上記第4セグメント及びその
エラー検査訂正コードを上記アドレス可能ロケーション
の1つに記憶するステップとを有することを特徴とする
データ処理システムにおけるデータ転送方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US138429 | 1987-12-28 | ||
US07/138,429 US4884271A (en) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | Error checking and correcting for read-modified-write operations |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01195557A true JPH01195557A (ja) | 1989-08-07 |
Family
ID=22481967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63301096A Pending JPH01195557A (ja) | 1987-12-28 | 1988-11-30 | データ処理システムにおけるデータ転送方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4884271A (ja) |
EP (1) | EP0323030A3 (ja) |
JP (1) | JPH01195557A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06250938A (ja) * | 1991-08-29 | 1994-09-09 | American Teleph & Telegr Co <Att> | Ramアレイのテスト及び制御を行なう回路及びその方法 |
JPH07191915A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-07-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | コンピュータ・システム、メモリ・カード、及びその操作方法 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5008886A (en) * | 1989-01-27 | 1991-04-16 | Digital Equipment Corporation | Read-modify-write operation |
US5048022A (en) * | 1989-08-01 | 1991-09-10 | Digital Equipment Corporation | Memory device with transfer of ECC signals on time division multiplexed bidirectional lines |
US5325375A (en) * | 1991-06-28 | 1994-06-28 | Sun Microsystems, Inc. | Method and apparatus for non-atomic level parity protection for storing data in a random access memory |
US5313475A (en) * | 1991-10-31 | 1994-05-17 | International Business Machines Corporation | ECC function with self-contained high performance partial write or read/modify/write and parity look-ahead interface scheme |
US5369650A (en) * | 1991-11-22 | 1994-11-29 | Honeywell, Inc. | Error detection and correction apparatus in a BY-4 RAM Device |
US5289418A (en) * | 1992-02-14 | 1994-02-22 | Extended Systems, Inc. | Memory apparatus with built-in parity generation |
JP3183719B2 (ja) * | 1992-08-26 | 2001-07-09 | 三菱電機株式会社 | アレイ型記録装置 |
US5430742A (en) * | 1992-10-14 | 1995-07-04 | Ast Research, Inc. | Memory controller with ECC and data streaming control |
US5388108A (en) * | 1992-10-23 | 1995-02-07 | Ncr Corporation | Delayed initiation of read-modify-write parity operations in a raid level 5 disk array |
US5751744A (en) * | 1993-02-01 | 1998-05-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Error detection and correction circuit |
AU677673B2 (en) * | 1993-10-12 | 1997-05-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for executing an atomic read-modify-write instruction |
US6820093B2 (en) * | 1996-07-30 | 2004-11-16 | Hyperphrase Technologies, Llc | Method for verifying record code prior to an action based on the code |
US7013298B1 (en) | 1996-07-30 | 2006-03-14 | Hyperphrase Technologies, Llc | Method and system for automated data storage and retrieval |
DE19635240A1 (de) * | 1996-08-30 | 1998-03-05 | Siemens Ag | Speichersystem |
US5857069A (en) * | 1996-12-30 | 1999-01-05 | Lucent Technologies Inc. | Technique for recovering defective memory |
US5987628A (en) * | 1997-11-26 | 1999-11-16 | Intel Corporation | Method and apparatus for automatically correcting errors detected in a memory subsystem |
US6279072B1 (en) | 1999-07-22 | 2001-08-21 | Micron Technology, Inc. | Reconfigurable memory with selectable error correction storage |
US6701480B1 (en) * | 2000-03-08 | 2004-03-02 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | System and method for providing error check and correction in memory systems |
US7051264B2 (en) * | 2001-11-14 | 2006-05-23 | Monolithic System Technology, Inc. | Error correcting memory and method of operating same |
US7392456B2 (en) * | 2004-11-23 | 2008-06-24 | Mosys, Inc. | Predictive error correction code generation facilitating high-speed byte-write in a semiconductor memory |
US7954034B1 (en) * | 2005-09-30 | 2011-05-31 | Emc Corporation | Method of and system for protecting data during conversion from an ECC protection scheme to a parity protection scheme |
US20080168331A1 (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-10 | Thomas Vogelsang | Memory including error correction code circuit |
TW200935433A (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-16 | Asmedia Technology Inc | Method for reducing data error when flash memory storage device using copy back command |
US9658780B2 (en) | 2011-09-16 | 2017-05-23 | Avalanche Technology, Inc. | Magnetic random access memory with dynamic random access memory (DRAM)-like interface |
US9251882B2 (en) | 2011-09-16 | 2016-02-02 | Avalanche Technology, Inc. | Magnetic random access memory with dynamic random access memory (DRAM)-like interface |
US8751905B2 (en) | 2011-09-16 | 2014-06-10 | Avalanche Technology, Inc. | Memory with on-chip error correction |
US9391638B1 (en) * | 2011-11-10 | 2016-07-12 | Marvell Israel (M.I.S.L) Ltd. | Error indications in error correction code (ECC) protected memory systems |
US9081700B2 (en) * | 2013-05-16 | 2015-07-14 | Western Digital Technologies, Inc. | High performance read-modify-write system providing line-rate merging of dataframe segments in hardware |
US10606596B2 (en) * | 2013-07-15 | 2020-03-31 | Texas Instruments Incorporated | Cache preload operations using streaming engine |
US9898362B2 (en) * | 2016-04-07 | 2018-02-20 | Atmel Corporation | Multi-channel RAM with ECC for partial writes |
KR102456582B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2022-10-20 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
CN116594924B (zh) * | 2023-05-19 | 2023-10-24 | 无锡众星微系统技术有限公司 | 一种片上ecc存储器的访问方法和装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61110247A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-28 | Nec Corp | 記憶装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3568153A (en) * | 1968-09-16 | 1971-03-02 | Ibm | Memory with error correction |
US3814921A (en) * | 1972-11-15 | 1974-06-04 | Honeywell Inf Systems | Apparatus and method for a memory partial-write of error correcting encoded data |
US4072853A (en) * | 1976-09-29 | 1978-02-07 | Honeywell Information Systems Inc. | Apparatus and method for storing parity encoded data from a plurality of input/output sources |
US4077565A (en) * | 1976-09-29 | 1978-03-07 | Honeywell Information Systems Inc. | Error detection and correction locator circuits |
JPS5478049A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-21 | Hitachi Ltd | Information converter |
IT1089225B (it) * | 1977-12-23 | 1985-06-18 | Honeywell Inf Systems | Memoria con dispositivo rivelatore e correttore a intervento selettivo |
US4319356A (en) * | 1979-12-19 | 1982-03-09 | Ncr Corporation | Self-correcting memory system |
US4317201A (en) * | 1980-04-01 | 1982-02-23 | Honeywell, Inc. | Error detecting and correcting RAM assembly |
US4335459A (en) * | 1980-05-20 | 1982-06-15 | Miller Richard L | Single chip random access memory with increased yield and reliability |
DE3473365D1 (en) * | 1984-05-26 | 1988-09-15 | Honeywell Bull Spa | Single error correction circuit for system memory |
-
1987
- 1987-12-28 US US07/138,429 patent/US4884271A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-11-24 EP EP19880311128 patent/EP0323030A3/en not_active Withdrawn
- 1988-11-30 JP JP63301096A patent/JPH01195557A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61110247A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-28 | Nec Corp | 記憶装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06250938A (ja) * | 1991-08-29 | 1994-09-09 | American Teleph & Telegr Co <Att> | Ramアレイのテスト及び制御を行なう回路及びその方法 |
JPH07191915A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-07-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | コンピュータ・システム、メモリ・カード、及びその操作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0323030A2 (en) | 1989-07-05 |
EP0323030A3 (en) | 1991-01-09 |
US4884271A (en) | 1989-11-28 |
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