JPH01194333A - 低雑音半導体装置 - Google Patents

低雑音半導体装置

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Publication number
JPH01194333A
JPH01194333A JP63018111A JP1811188A JPH01194333A JP H01194333 A JPH01194333 A JP H01194333A JP 63018111 A JP63018111 A JP 63018111A JP 1811188 A JP1811188 A JP 1811188A JP H01194333 A JPH01194333 A JP H01194333A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistors
channel lengths
noise
output
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63018111A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Ishizawa
石澤 孝二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は配線マスクの変更により倫理機能を変。
更する事が可能な半導体に関する。
〔従来の技術〕
従来の技術としては入出力倫理部と内部倫理部を同−設
計規則により設計され、入出力部と内部倫理部は同一チ
ヤネル長に構成されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかるに従来の半導体装置は高集積化のために微細化さ
れ、その結果動作速度は速くなってきている。このため
、このような高速デバイスを使用した装置に於いては、
半導体デバイスより輻射する電磁波エネルギが多くなり
他の装置へ影響を与える危険が多くなってきている。
また高速なため、半導体デバイス自身が外部雑音に応答
してしまい誤動作が発生する危険も増加している。
この雑音対策は、従来半導体デバイス使用者が実施して
おり、これらの対策として、プリント板の改良、コンデ
ンサ、抵抗、インダクタンス等、部品の追加、部品のシ
ールド、装置のシールド等費用と時間をかけて対策をし
ている。その為、部品コストの上昇、装置の大型化、開
発期間の長期化を伴うという問題を有していた。
そこで本発明の目的は、従来半導体デバイス使用者が実
施していた対策を半導体デバイスにより実施し、雑音の
発生を少くし、かつ雑音に強い半導体デバイスを提供す
る事にある。
また他の目的は雑音対策に要する部品数を減少させると
ともに対策に要する時間を短縮し、装置の小型化とコス
トの低下を計る事にある。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決するため、本発明の半導体デバイスは、
入出力倫理部を構成するトランジスタのチャネル長を、
内部倫理部を構成するトランジスタのチャネル長より大
きくする事により、入出力部の動作速度を内部動作速度
より遅くし、出力部より発生する雑音を押えるとともに
、入力部では雑音による応答を押え、不要な誤動作を低
減する事が出来る。
〔実 施 例〕
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
1図は半導体デバイスの平面図、1は入出力倫理部でト
ランジスタのチャネル長を3μとしである。2は内部倫
理部でトランジスタのチャネル長を1.5μとしである
第2図は本発明による最も簡単な実施例である。
3″は入力部でチャンネル長3μのトランジスタにて構
成されている。“4″は内部倫理部によるインバータで
チャンネル長1.5μのトランジスタにより構成されて
いる。“5″は出力部でチャンネル長3μのトランジス
タにて構成されている。
第3図は第2図のトランジスタレベルの回路図である。
“6”、“7”は入力部を構成するインバータで3μの
チャンネル長で構成されている。
“8”は内部倫理部でチャンネル長1.5μのトランジ
スタで構成されている。
第4図はこの実施例の回路に信号を印加した場合の応答
である。“11”は印加波形で、“12パの位置に、パ
ルス幅、8nsのノイズを印加しである。
13の波形は入出力部、内部とも1.5μの半導体デバ
イスの応答であり、8nsのパルスは出力に伝搬されて
おり高遠応嚇を示しているが、本来、伝搬する必要のな
い信号である。
“15″の波形は本発明による実施例の応答である、8
nsのノイズパルスは出力へは伝搬されず、極めて良好
なフィルタ効果を有しているとともに、出力部より副射
するエネルギ周波帯域も低くする事が出来る。
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明したように、入出力部のトランジス
タレベルネル長を、内部倫理部のトランジスタ長より大
きくする事により、雑音性のパルスを内部へ伝搬させず
、誤動作を防止するという効果と、出力部に於いては内
部の電圧、電流の変化に対し、よりゆるやかに変化する
ため、不要副射によるエネルギ放出を低下させる効果が
ある。
また、出力波形に振動が少なくなり、プリント板上での
雑音対策が容易になるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による半導体デバイスの平面図、第2図
及び第3図は実施例の倫理回路図とトランジスタ回路図
、第4図は、本発明による入出力波形図。 1・・・入出力部 2・・・内部倫理部 3・・・入力部 4・・・内部インバータ 5・・・出力部 6・・・入力インバータ1 7・・・入力インバータ2 8・・・内部インバータ 9・・・出力インバータ1 10・・・出力インバータ2 11・・・入力波形 12・・・挿入雑音 13・・・未対策出力波形 14・・・雑音出力 15・・・本発明による出力 16・・・雑音出力 以上 第2g 学3図 $4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  入出力倫理部と内部倫理部を配線マスクの変更により
    倫理回路の変更を行う半導体に於いて、入出力倫理を構
    成するトランジスタのチャネル長が内部倫理部を構成す
    るトランジスタのチャネル長より大きい事を特徴とする
    低雑音半導体装置。
JP63018111A 1988-01-28 1988-01-28 低雑音半導体装置 Pending JPH01194333A (ja)

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JPH01194333A true JPH01194333A (ja) 1989-08-04

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009124465A (ja) * 2007-11-15 2009-06-04 Seiko Epson Corp ノイズフィルタ回路、およびその方法、ならびに、サーマルヘッドドライバ、サーマルヘッド、電子機器、および印刷システム
JP2009147742A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Seiko Epson Corp ノイズフィルタ回路、デッドタイム回路、遅延回路、およびその方法、ならびに、サーマルヘッドドライバ、サーマルヘッド、制御回路、電子機器、および印刷システム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009124465A (ja) * 2007-11-15 2009-06-04 Seiko Epson Corp ノイズフィルタ回路、およびその方法、ならびに、サーマルヘッドドライバ、サーマルヘッド、電子機器、および印刷システム
JP2009147742A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Seiko Epson Corp ノイズフィルタ回路、デッドタイム回路、遅延回路、およびその方法、ならびに、サーマルヘッドドライバ、サーマルヘッド、制御回路、電子機器、および印刷システム

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