JPH10200055A - 集積回路のスプリアス放射減少端末構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、遮蔽されていないボードネットワ
ークの集積回路による電源ラインとＩ／Ｏラインにおけ
るスプリアス放射を廉価の手段で減少させることを目的
とする。 【解決手段】 集積回路2 は、内部電源ライン11,12,13
と電源接触パッド2.1 〜2.4 までの範囲において基本的
に無線周波数電流成分を有する第１のサブ回路5と、基
本的に低周波数電流成分を有する第２のサブ回路6 とに
分離され、第２のサブ回路6 はボードネットワーク上の
Ｉ／ＯラインIOi に接続されている駆動回路を含んでお
り、外部フィルタ手段C1,C2,D と電源接触パッド2.1 〜
2.4により空間的に限定された接続部分Ａ内で、第１、
第２のサブ回路5, 6に対する供給電流は別々の通路でそ
れぞれ伝送され、接地側では、集積回路2 の接地点VS,
2.4を設けるために第１、第２の供給電流通路は抵抗お
よびインダクタンスの低い接続15によって相互接続され
ていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は集積回路のスプリア
ス放射減少端末構造に関し、特にパッケージまたはプラ
スティック容器内に配置されるモノリシック集積回路に
関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路において増加を続ける機能数に
対応して一体化を進める傾向は、さらに小さい設計形態
およびより高い処理速度を要求している。クロックされ
たＣＭＯＳ回路が使用されるならば、電流ドレインは高
度に正確にクロック同期し、パルス動作される。ハイブ
リッド回路は、アナログ回路部分は別として、パッケー
ジが急峻な電流パルスエッジを有するクロックされた回
路、特にＣＭＯＳ回路を含んでいるならば、このことに
関して異なっていない。高パルス電流ドレインを有する
クロック回路の例として種々のアプリケーションのため
の制御装置、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセ
ッサが挙げられる。小型化の進展および、それに関する
スイッチング速度の増加により、これらの供給パルスの
高調波成分および負荷電流は増加する。結果として導電
された電磁波は給電ラインおよびＩ／Ｏライン（Ｉ／Ｏ
＝入力／出力）を通って集積回路から外部に伝送され
る。これは相互作用回路アレイにおける干渉または他の
電子装置の動作に干渉する許容できないレベルの妨害電
磁放射を生じる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】遮蔽を使用しない印刷
回路板および関連する接続導線が価格面から要求され、
クロック回路の重要な臨界的なアプリケーションとして
自動車分野がにあり、自動車の分野では無線周波数妨害
電磁波が遮蔽されていないボード構造から容易に外部に
伝播される可能性が高い。妨害電磁波は無線装置、自動
車電話等で信号に混入されて可聴雑音信号となる。特
に、このアプリケーションの分野では、ＥＭＣ（＝電磁
的適合性）についての基準が議論されており、新しいシ
ステムはこの放射制限の基準を満たさなければならな
い。

【０００４】給電ラインにチョークを設置することによ
って妨害電磁波が集積回路から外部へ漏れることを防止
する手段を使用すると、集積回路の電圧供給に臨界的な
変動を生じる可能性が高く、供給電圧は許容された最小
値よりも低い値に短時間低下する状態が発生することが
予想される。さらに、給電ラインに設置したチョークで
はＩ／Ｏラインにより導かれる妨害電磁波を抑制するこ
とはできない。このような妨害電磁波の減少は現存の各
Ｉ／Ｏラインに対して別々の手段を設けることを必要と
する。

【０００５】パルス供給源および負荷電流が遮蔽されて
いないボードネットワークの給電ライン源とＩ／Ｏライ
ンを経て動作する態様が、関連する無線周波数および低
周波数電流成分によって図１および２に概略的に示され
ている。簡単にするため、示されているネットワークの
オーム抵抗は無線周波数電流成分の実効的なリアクタン
スと比較して小さいと仮定される。

【０００６】周囲に無線周波数電流が流れる領域は直接
磁気的に放射領域を限定し、したがって放射された電磁
エネルギに比例するので、無線周波数電流成分が比較的
大きな領域の電流ループを経て導電される場合の妨害電
磁波は特に好ましくない。クロック回路段の給電ライン
が主として影響される。しかし出力駆動装置もＩ／Ｏラ
インと、Ｉ／Ｏラインの分布キャパシタンスと、ディス
プレイ等のシステムの入力キャパシタンスとを経てこの
ような電流ループを形成する。供給電源または接地接続
ラインにより電流フィードバックが生じる。Ｉ／Ｏライ
ンの場合、非常に大きな領域の電流ループが生じ、これ
はその後、類似の方法で磁気的に放射する領域として動
作するようになる。しかし、電流が流れなくても、Ｉ／
Ｏラインは信号エッジの容量性放射を通じて妨害電磁波
を生じて不所望なレベルの不連続を生成する。

【０００７】適切なＩ／Ｏラインと接地ラインの経路設
定は別として、Ｉ／Ｏラインの信号エッジにより生じる
妨害電磁波は、信号エッジの減速または非常に稀に不規
則にのみスイッチング事象が生じるようにアレンジする
ことによって減少されることができる。しかしながら、
出力駆動装置の信号エッジの減速は、急速のレベルの変
動がＩ／Ｏラインに依然として存在するならば部分的に
のみ有効である。これらの不所望なレベルの変動は、そ
れぞれＩ／Ｏ駆動装置の供給電源または接地面の急速な
レベル変動により生じ、前述したように給電ラインの不
十分なチョークが基本的な役割を行う。ともかく、Ｉ／
Ｏラインのレベル変動は急峻な信号エッジを有するＩ／
Ｏ駆動装置が存在するのと同一の効果を有する。

【０００８】本発明の目的は、廉価の手段により遮蔽さ
れていないボードネットワークの給電ラインおよびＩ／
Ｏラインにおける放射問題を解決することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の本発明の目的は、
請求項１の特徴にしたがった、ボードネットワーク内の
集積回路の適切な端末構造の設定によって達成される。
本発明において、集積回路は、給電ラインにおいて基本
的に無線周波数電流成分を生成する第１のサブ回路と、
給電ラインにおいて基本的に低周波数電流成分を生成す
る第２のサブ回路とに分割され、前記無線周波数および
低周波数電流成分は無線周波数電流成分を阻止するため
の外部フィルタ手段に接続されている別々の給電通路に
よって伝送される。共通の接地は給電通路の接地側の抵
抗およびインダクタンスの低い接続部により形成され
る。

【００１０】給電通路の分離は他の給電通路の電流成分
の供給に影響せずに、関連する給電通路の無線周波数電
流成分を実効的に阻止することを可能にする。したがっ
て、妨害電磁波の唯一の原因である無線周波数電流成分
は外部ボードラインから隔離され、給電ラインまたはＩ
／Ｏラインとして集積回路へ接続される。遮蔽されてい
ないボードネットワークを介したキャパシタおよび／ま
たは電磁放射はしたがって阻止される。低周波数サブ回
路、特にＩ／Ｏ駆動回路では、安定な供給電源および接
地電位が利用可能にされる。本発明は、さらにパッケー
ジのないチップバージョン、またはスプリアス放射が生
じずにこのような遮蔽されていないボードネットワーク
でカプセル化された部品として使用されることができる
集積回路に関する。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明および好ましい実施形態を
添付図面を参照してさらに詳細に説明する。図１は遮蔽
されていないボードネットワークＢの等価回路を示して
おり、ここで集積回路２の無線周波数電流成分ｉｈはチ
ョークＤ手段により阻止されている。ボードネットワー
クＢの機能ユニットおよび回路モジュールは電圧調整装
置１、パッケージ３または容器内の集積回路２、集積回
路２を電圧調整装置１へ接続する給電ラインｖ１、ｖ
２、集積回路２へ接続されている幾つかのＩ／Ｏライン
Ｉ／Ｏ１乃至Ｉ／Ｏ４である。電圧調整装置１と集積回
路２または関連するパッケージ３との間の距離は２つの
給電ラインｖ１、ｖ２により連結されている。電圧調整
装置１はその出力端子で供給電源電位ＶＤＤを提供す
る。他方の端子ＶＳＳは接地点に接続されている。ボー
ドネットワークＢの接地ラインｖ２はできる限り小さい
抵抗およびインダクタンスを有するべきであり、それに
よって安定な基準電位がボード全体で得られる。価格面
では、この必要条件はほぼ満たされる。

【００１２】適切な妨害電磁波信号ソースは集積回路２
内に位置し、多数のクロック制御されたスイッチング段
により形成され、最悪の場合、短時間の分流電流がここ
を通って流れる。しかしながら主要な電流貢献は多数の
ゲートキャパシタンスから到来し、これはクロック制御
された同期で充電または放電される。クロックされた段
は第１のサブ回路５で概略して結合されており、これは
回路シンボルとして無線周波数電源ｑｈを含んでいる。
第２のサブ回路６は複数の信号ラインによりサブ回路５
に接続されている。第２のサブ回路６は基本的に給電ラ
インに無線周波数電流を発生しない部分を含んでいる。
これらの部分はアナログ回路または低速度の処理クロッ
クにロックされる回路であり、したがって低速度の立上
り信号エッジのみを発生しなければならない。それらは
特にＩ／Ｏ回路を含んでおり、これはデータまたは信号
をＩ／ＯラインＩ／Ｏｉ上で交換する。サブ回路６で
は、低周波数電流ｉｌは低周波数電流源ｑ１によりシン
ボル化されている。

【００１３】集積回路２は相互接続４．ｉにより関連す
るパッケージ端子３．ｉに接続される周縁接触パッド
２．ｉを有する。パッケージ端子３．ｉは通常の方法、
例えばはんだ結合によってボードネットワークＢのライ
ンに接続されている。集積回路２またはボードネットワ
ークＢ上の無線周波数電流成分ｉｈ、ラインｌ１、１
２、またはｖ１、ｖ２はもはや理想的ではないが、オー
ム抵抗を生じることに加えて、これらはインダクタンス
と浮遊容量を有する。インダクタンスの基本的な部分は
相互接続４．ｉにより与えられ、これは通常結合ワイヤ
として設けられる。例えば直径２５マイクロメータ、長
さ１．５ｍｍの金のワイヤでは、インダクタンスＬ１、
Ｌ２、Ｌｉは約１．５ｎＨの値を有する。

【００１４】集積回路２は通常、無線周波数電流ｉｈの
一部分ｉｈ１を阻止する内部キャパシタＣs を含んでい
る。ハイブリッド回路では、このキャパシタＣs は空間
的にクロックされるサブ回路５と近接して接続されてい
る付加的な部品であり、それによってその効率性は誘導
性導線により妨害されない。モノリシック集積回路の場
合でさえも、内部阻止キャパシタＣs は例えばエッジ領
域と自由領域の二重ワイヤレベルによってオンチップに
含まれてもよい。リード線インダクタンスは最小であ
る。残念ながら、達成可能なキャパシタンスは価格と面
積の理由で限定される。

【００１５】図１の等価ボード回路は無線周波数電流成
分ｉｈに重要な全ての機能ユニットを含んでいる。電流
源ｑｈ、ｑｌと個別の導電通路から開始して、それぞれ
の低周波数および無線周波数電流成分が与えられ、これ
は第１、第２の供給電源線ｖ１、ｖ２を経て最終的に電
圧調整装置１へ到達する。第１のサブ回路５は無線周波
数電流成分ｉｈと直流電流成分を含む低周波数電流成分
ｉｌ５とを発生する。第２のサブ回路６は低周波数電流
成分ｉｌを発生し、これも消費される電流として直流電
流成分を含んでいる。全ての電流成分は集積回路２のそ
れぞれ第１および第２の接触パッド2.1 と2.2 に接続さ
れている第１および第２の内部給電ラインｌ１、ｌ２に
到達する。無線周波数電流成分ｉｈの一部分ｉｈ１は接
触パッド2.1 と2.2 に到達しないで、内部キャパシタＣ
s により短絡される。無線周波数電流成分の残りの部分
ｉｈ２と比較したこの部分ｉｈ１の大きさは、電圧調節
装置１を通る電源電流通路のアドミッタンスと比較した
内部キャパシタＣs のアドミッタンスの高さにのみ依存
する。図１のボードネットワークＢでは、電源電流の通
路のこのアドミッタンスは第１の給電ラインｖ１に挿入
されるチョークＤのインダクタンスＬｄにより低く維持
され、そのインダクタンスは２つの相互接続4.1 と4.2
のインダクタンスＬ１、Ｌ２に付加されなければなら
ず、チョークＤのインダクタンスＬｄは２、３倍程度相
互接続４．ｉのインダクタンスＬｉよりも大きい。

【００１６】内部キャパシタＣs に外部キャパシタを付
加することも可能であり、外部キャパシタはチョークＤ
と第１のパッケージ端子3.1 との間の第１の給電ライン
ｖ１へ接続されている１端子を有し、その第２の端子は
第２の給電ラインｖ２に接続されなければならず、その
接続点はできる限り第１、第２のパッケージ端子3.1、
3.2 に近接されなければならない。この場合、電流通路
は誘導性の相互接続4.1 、4.2 を経て第１のサブ回路５
の無線周波数電流成分ｉｈの一部に利用可能であり、こ
れはチョークＤによって阻止されるべきである。即ち図
２のキャパシタＣ１および、関連する無線周波数電流成
分ｉｈ３により阻止される。図１（即ち外部キャパシタ
Ｃ１のない）では、チョークＤを丁度通過した無線周波
数電流成分ｉｈ４は相互接続4.1 、4.2 を経て伝送され
る電流成分ｉｈ２と同一である。

【００１７】図１の等価回路から、無線周波数電流成分
ｉｈ２とｉｈ４はチョークＤとインダクタンスＬ１、Ｌ
２を横切ってクロック同期電圧の低下を生じさせ、それ
によって減少された供給電圧ＶＤのみが接触パッド2.1
、2.2 で利用可能である。電圧ＶＤは特にクロック信
号と同期する一時的な変動を受け、電圧スパイクを有す
る。内部供給電位ＶＤＳと内部接地電位ＶＳの両者は変
動する。図１では、これはスパイクｖｄとｖｓにより概
略して示されている。２つの相互接続部4.1 、4.2 のイ
ンダクタンスＬ１、Ｌ２および２つの給電ラインｖ１、
ｖ２と比較したチョークＤのインダクタンスＬｄの値に
応じて、スパイクｖｄとｖｓは多かれ少なかれ完全に供
給電圧側にシフトする。チョークＤのインダクタンスＬ
ｄが比較的大きい場合、接地側のスパイクｖｓは供給電
圧側のスパイクｖｄと比較して無視できる程度である。
これは第２のサブ回路６の駆動段の出力信号に対応する
影響を与える。論理状態に基づいて、駆動段は外部Ｉ／
Ｏラインを内部供給電位ＶＤＳまたは内部接地電位ＶＳ
へ接続する。これらの電位のスパイクｖｄとｖｓはした
がって低抵抗通路によってＩ／Ｏラインへ送られる。従
って、針形状のレベル変動が電圧スパイクおよび／また
は補償電流において生じる。従って、容量性または誘導
性雑音が発生される。

【００１８】前述したように、チョークＤに外部キャパ
シタＣ１が付加されているならば、スパイクｖｄとｖｓ
は大きさにおいて相互に近付き、反対の極性は維持され
る。これはキャパシタＣ１を通る比較的低いインダクタ
ンス電流により生じ、このキャパシタＣ１を通って無線
周波数電流成分ｉｈ３が流れることができる（図２参
照）。チョークＤを通る誘導性電流通路と比較して、電
流成分ｉｈ３は実質上電流成分ｉｈ４よりも大きい（数
桁程度の可能性がある）。電流成分ｉｈ３とｉｈ４は共
に相互接続部4.1 と4.2 を通ってながれ、そのインダク
タンスＬ１、Ｌ２を介して電圧スパイクｖｄとｖｓを生
成し、これは等しいインダクタンスＬ１とＬ２で大きさ
において等しい。内部供給側ＶＤＳにおけるスパイクｖ
ｄの減少に対するペナルティーは内部接地電位ＶＳの劣
化である。従って妨害電磁波抑制手段の効果は外部キャ
パシタＣ１によりかなり変化され、厳密に言うならば、
これは異なった抑制手段であり、むしろ図２の妨害電磁
波抑制に対応している。

【００１９】図２の等価回路は基本的に図１の等価回路
と同じ回路モジュールおよび機能ユニットを含んでい
る。同じ部分は同じ参照符号で示されており、それ故再
度新たに説明をする必要はない。図２と図１の基本的な
差は外部手段の設計にあり、それによって無線周波数電
流成分ｉｈは第１、第２の給電ラインｖ１、ｖ２から離
れて維持されている。図１では、これは第１の給電ライ
ンｖ１のチョークＤにより実現されている。図２では、
基本的なフィルタ手段は外部キャパシタＣ１である。図
１よりも優れた図２の装置の利点は、できる限りパッケ
ージ３に近接して位置されることのできるキャパシタＣ
１が集積回路２、電圧調節装置１の追従速度の非常に低
い無線周波数電流成分ｉｈ３に対して利用可能にされて
いることである。チョークＤは付加的に第１の給電ライ
ンｖ１に挿入される。図１参照。しかしながら図１およ
び２の外部給電ラインｖ１、ｖ２におけるチョークＤと
キャパシタＣ１組合わせは、自己発振が励起される可能
性のある共振回路を形成するのでこれもまた問題を有す
る。

【００２０】図１と比較した図２の妨害電磁波抑制回路
の効果は、図２で内部供給端子2.1と2.2 の反対方向を
向いた電圧スパイクｖｄとｖｓは大きさがほぼ同一であ
り、電圧スパイクｖｄはそれ自体が実質上小さく、例え
ば図１のスパイクｖｄの半分のみである事実によるもの
である。これに対するペナルティーは内部接地電位ＶＳ
のスパイクｖｓが図１のようにもはや無視できないこと
である。図１と２の妨害電磁波抑制回路間の差はＩ／Ｏ
ラインのそれぞれの駆動装置を介して示され、この駆動
装置はそれぞれの論理状態を変化せずに妨害電磁波信号
として電圧スパイクｖｄとｖｓを低インピーダンス通路
によってＩ／Ｏラインへ送る。

【００２１】図２のボードネットワークＢでは、第１の
サブ回路５の無線周波数電流成分ｉｈは内部キャパシタ
Ｃs により成分ｉｈ１、ｉｈ２へ分割され、成分ｉｈ２
は相互接続部4.1 と4.2 を通ってパッケージ端子3.1 と
3.2 へ導かれる。ここで成分ｉｈ２は無線周波数電流成
分ｉｈ３、ｉｈ４へ分割される。成分ｉｈ３は外部キャ
パシタＣ１を通って流れ、成分ｉｈ４は電圧調整装置１
を通って流れる。内部供給電源端子2.1 と2.2 の電圧ス
パイクｖｄとｖｓに対して、それぞれの無線周波数電流
成分ｉｈ４とｉｈ２および、供給電流通路のそれぞれの
インダクタンスＬｄ、Ｌ１、Ｌ２は図１のように応答性
がある。

【００２２】図１、２の２つの等価回路図から、外部フ
ィルタ手段Ｄ、Ｃ１によれば、限定された妨害電磁波抑
制だけしか供給電圧側または接地側に電圧スパイクｖｄ
とｖｓをシフトすることによって可能であるに過ぎな
い。さらにフィルタ手段Ｄ、Ｃ１は十分に選択的ではな
く、それによってそれぞれの他の電流成分は常に悪影響
される。

【００２３】図３に概略的に示されているボードネット
ワークＢは本発明の端末構造を有する集積回路２を具備
しており、基本的に図１、２のボードネットワークＢと
同一の機能ユニットを含んでいる。同じ回路モジュール
または機能ユニットは３つの図面を通じて同じ参照符号
により示されており、その説明を反復する必要はない。
第１、第２のサブ回路５、６がそれらの供給電流ｉｈ＋
ｉｌ５、ｉｌに関して共通の内部給電ラインｌ１、ｌ２
に接続されている図１、２の端末構造と対照的に、図３
の端末構造では第１、第２のサブ回路５、６の内部給電
ラインもまた互いに完全に分離されている。第１のサブ
回路５は第１のラインｌ１により第１の接触パッド2.1
に、また第２のラインｌ２により第２の接触パッド2.2
に接続されている。内部キャパシタＣs は第１のライン
ｌ１と第２のラインｌ２の間に接続されており、図１ま
たは図２と同様に第１のサブ回路５の無線周波数電流成
分ｉｈの一部ｉｈ１を短絡する。

【００２４】第２のサブ回路６には、供給電圧および接
地電位が別々に、即ち第３のラインｌ３と第４のライン
ｌ４によってそれぞれ供給され、これらのラインはそれ
ぞれ第３の接触パッド2.3 と第４の接触パッド2.4 に接
続されている。供給電流の別々の供給は相互接続部４．
ｉとパッケージ端子３．ｉの領域まで継続する。第３、
第４の相互接続部4.3 、4.4 と第３、第４のパッケージ
端子3.3 、3.4 が設けられている。図２と同様に、無線
周波数電流成分用の外部阻止キャパシタＣ１は第１、第
２のパッケージ端子3.1 と3.2 に接続されている。

【００２５】外部阻止キャパシタＣ１は無線周波数電流
成分ｉｈ３により横断され、これは本発明にしたがっ
て、接触パッド2.1 と2.2 の無線周波数電流成分ｉｈ２
にできる限り同一にされるべきである。このことは電圧
調整装置１を通って流れなければならない残りの電流成
分ｉｈ４が無視できる程度、即ちゼロに近付いた場合の
み可能である。これはキャパシタＣ１が接続される第１
の電圧端子3.1 と、第１の給電ラインｖ１との間に挿入
されるチョークＤにより達成され、そのリアクタンスは
第２のサブ回路６の低周波数電流成分ｉｌと独立して十
分に高く選択されることができる。

【００２６】第３、第４のパッケージ端子3.3 と3.4 は
さらに外部キャパシタンスＣ２により有効に分流されて
いるが、しかしながらこれは第１のサブ回路５の無線周
波数成分に影響を与えず、第２のサブ回路６の電流成分
ｉｌを満たす役目を行う。第２のサブ回路６で生じる無
線周波数電流成分は図２のようにキャパシタＣ２を通る
低インダクタンスの電流通路を流れ、従って給電ライン
ｖ１、ｖ２に到達するまでに減少させることができる。
さらに、スイッチングプロセスでは、Ｉ／Ｏ駆動装置の
消費電流ｉｌは電圧調整装置１の電流生成量よりも多
く、そのカットオフ周波数は例えば１メガヘルツであ
る。キャパシタＣ２はしたがってバッファ機能も有す
る。

【００２７】パッケージ３および集積回路２の別々の供
給電流通路へ第１、第２の給電ラインｖ１、ｖ２を分割
することは、ボードＢの別々の供給電流通路の限界を定
めている図３の接続部分Ａを参照して、電流分岐回路の
方法でボードネットワークＢ上の外部フィルタ手段Ｄ、
Ｃ１、Ｃ２により行われる。第１のサブ回路５に対する
低周波数電流成分ｉｌ５と、ゼロに近付きつつあるこの
サブ回路の残りの電流成分ｉｈ４はチョークＤを通って
流れ、チョークＤはその一方の端部が第１の給電ライン
ｖ１に接続され、他方の端部が第１のパッケージ端子3.
1 に接続されている。チョークＤの設計は任意であり、
通常、コンパクトな設計であるために価格面からフェラ
イト材料が使用される。

【００２８】低周波数電流成分ｉｌ５は第２の接触パッ
ド2.2 と第４の接触パッド2.4 との間の抵抗およびイン
ダクタンスの低い接続部ｌ５を介して電圧調整装置１へ
帰還される。第４の接触パッド2.4 後、２つの電流成分
ｉｌ、ｉｌ５は第４の相互接続部4.4 と、第４のパッケ
ージ端子3.4 とを経て、さらに最後に第２の給電ライン
ｖ２を経て伝送される。低抵抗および低インダクタンス
の接続部ｌ５はワイヤボンドとして構成されるべきでは
なく、それによって電流成分ｉｌ５に重畳されている残
りの無線周波数電流成分ｉｈ４は結合ワイヤのインダク
タンスを通って内部接地電位ＶＳに影響を与えることが
できない。

【００２９】電流成分が示されている図３の概略回路図
から、ゼロに近付いている電流成分ｉｈ４を除いた第１
のサブ回路の無線周波数電流成分ｉｈ、ｉｈ２、ｉｈ３
は全体的なボードネットワークＢにおける第２のサブ回
路６の低周波数電流成分ｉｌから完全に分離されている
ことが認められる。従って、内部基準電位ＶＳは妨害電
磁波に影響されず安定なレベルを有し、このレベルは電
圧調整装置１の基準レベルＶＳＳと基本的に同一であ
る。

【００３０】２つのサブ回路５、６に対する別々の電流
通路は、第１のサブ回路５の低周波数電流成分ｉｌ５の
みがチョークＤを通過し、ゼロに近付いている残留する
電流ｉｈ４を除いた無線周波数電流成分はそこを通過し
ないので、チョークＤの大きさが限定されないという付
加的な利点を有する。それ故、チョークＤの選択性は、
これが単に無線周波数電流成分ｉｈ、ｉｈ２、ｉｈ３を
給電ラインｖ１、ｖ２から離して維持するのに十分であ
るので重要である。チョークＤおよびキャパシタＣ１に
より形成される結果的な共振周波数は非常に低いので、
スプリアス放射として放射される電磁波はない。共振回
路の内部減衰の適切な選択により、発振はあらゆる場合
に防止される。この端末構造は、第２のサブ回路６が安
定な内部供給電圧ＶＤＳまたは安定な内部接地電位ＶＳ
に接続された駆動段を有することを確実にするので、Ｉ
／Ｏラインに急速なレベル変動は生じない。これは説明
した端末構造のスプリアス放射減少効果に対する基本的
な理由である。給電ラインｖ１、ｖ２およびＩ／Ｏライ
ンの領域で電流ループにより形成される放射領域はでき
る限り小さく維持されなければならないことは言うまで
もない。

【図面の簡単な説明】

【図１】給電ラインの無線周波数電流成分がチョークに
より阻止される集積回路を具備している遮蔽されていな
いボードネットワークの等価回路図。

【図２】給電ライン上の無線周波数電流成分が阻止キャ
パシタにより阻止されており、集積回路を具備した遮蔽
されていない別のボードネットワークの等価回路図。

【図３】本発明にしたがった端末構造が実質上減少され
たスプリアス放射を生じる集積回路を有する遮蔽されて
いないボードネットワークの等価回路図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウルリヒ・テウス ドイツ連邦共和国、デー − 79194 グ ンデルフィンゲン、シェーンベルクシュト ラーセ ５ベー

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 遮蔽されていないボードネットワーク内
   で動作可能な集積回路用のスプリアス放射減少端末構造
   において、 前記集積回路は、内部給電ラインと供給電源接触パッド
   までの範囲において基本的に無線周波数電流成分を有す
   る第１のサブ回路と、基本的に低周波数電流成分を有す
   る第２のサブ回路とに分離され、 第２のサブ回路はボードネットワーク上のＩ／Ｏライン
   に接続されている駆動回路を含んでおり、 少なくとも外部フィルタ手段および供給電源接触パッド
   により空間的に限定された接続部分内で、第１、第２の
   サブ回路に対する供給電流は別々の通路、即ち第１の供
   給電流通路と第２の供給電流通路でそれぞれ伝送され、 接地側では、集積回路の接地点を設定するために第１、
   第２の供給電流通路は抵抗およびインダクタンスの値の
   低い接続部によって相互接続されていることを特徴とす
   る端末構造。
2. 【請求項２】 外部フィルタ手段が第１の阻止キャパシ
   タとチョークを具備し、 第１の阻止キャパシタは内部阻止キャパシタにより遮断
   されない無線周波数電流成分に対する外部の第１の供給
   電流通路を閉じ、 チョークは第１の供給電流通路を接地されていない供給
   電圧側の第２の供給電流通路に接続することを特徴とす
   る請求項１記載の端末構造。
3. 【請求項３】 フィルタ手段は第２のサブ回路の無線周
   波数電流成分に対する第２の供給電流通路を短絡する阻
   止キャパシタを具備していることを特徴とする請求項１
   または２記載の端末構造。
4. 【請求項４】 パッケージに収納され、ボードネットワ
   ーク内で動作可能である集積回路用のスプリアス放射減
   少端末構造において、 集積回路は、内部給電ラインと供給接触パッドまでの範
   囲において基本的に無線周波数電流成分を有する第１の
   サブ回路と、基本的に低周波数電流成分を有する第２の
   サブ回路に分離され、 第２のサブ回路はボードネットワーク上のＩ／Ｏライン
   に接続されなければならない駆動回路を含んでおり、 パッケージおよびその端子内で、第１、第２のサブ回路
   に対する供給電流は別々の通路、すなわち、第１の供給
   電流通路と第２の供給電流通路でそれぞれ伝送され、 接地側では、第１および第２の供給電流通路は集積回路
   の接地点を設定するため抵抗およびインダクタンスの低
   い接続部により相互接続されていることを特徴とする端
   末構造。
5. 【請求項５】 パッケージ内で、内部阻止キャパシタに
   より無線周波数電流成分の少なくとも一部の通路のため
   に特に短い電流通路が設けられていることを特徴とする
   請求項４記載の端末構造。
6. 【請求項６】 ボードネットワーク内で動作可能な集積
   回路用のスプリアス放射減少端末構造において、 集積回路は、内部給電ラインと供給電源接触パッドまで
   の範囲において基本的に無線周波数電流成分を有する第
   １のサブ回路と、基本的に低周波数電流成分を有する第
   ２のサブ回路に分離され、 第２のサブ回路はボードネットワークのＩ／Ｏラインに
   接続されなければならない駆動回路を含んでおり、 第１、第２のサブ回路の供給電流は別々の通路、すなわ
   ち、関連する接触パッドを有する第１の供給電流通路
   と、関連する接触パッドを有する第２の供給電流通路に
   よってそれぞれ集積回路内に供給され、 集積回路内において、接地側では第１、第２の供給電流
   通路は接地点を設定するため抵抗およびインダクタンス
   の低い接続部によって相互接続されていることを特徴と
   する端末構造。
7. 【請求項７】 集積回路内で、内部阻止キャパシタによ
   り無線周波数電流成分の少なくとも一部の通路のための
   が特に短い電流通路が設けられていることを特徴とする
   請求項６記載の端末構造。