JPH01186882A - 1,2,4―オキサジアジン誘導体、その製造方法及び除草剤 - Google Patents

1,2,4―オキサジアジン誘導体、その製造方法及び除草剤

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JPH01186882A
JPH01186882A JP63010362A JP1036288A JPH01186882A JP H01186882 A JPH01186882 A JP H01186882A JP 63010362 A JP63010362 A JP 63010362A JP 1036288 A JP1036288 A JP 1036288A JP H01186882 A JPH01186882 A JP H01186882A
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JP
Japan
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expressed
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phenyl
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JP63010362A
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Yoshinori Endo
慶典 遠藤
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Otsuka Chemical Co Ltd
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Otsuka Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な1,2.4−オキサジアジン誘導体、そ
の製造方法及び除草剤に関する。
従来技術 本発明化合物に類似する化合物としては、特公昭43−
25593号公報に記載の例えば3.5−ジオキソ−2
−メチル−4−(3,4−ジクロルフェニル”)−1,
2,4−オキサジアジン等が知られている。しかしなが
ら、該公報に記載の化合物は除草活性が弱く実用化には
到っていない。
発明の開示 本発明の誘導体は、文献未記載の新規化合物であって、
下記一般式[I]で示される。
[式中R1は水素原子、低級アルキル基、シクロアルキ
ル基又はフェニル基を示す。R2は低級アルキル基、シ
クロアルキル基、フェニル基又はベンジル基を示す。] 本明細書において′、低級アルキル基としては、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、1so−プロピル基、
n−ブチル基、5ee−ブチル基、is。
−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、1so−
ペンチル基、n−ヘキシル基等を例示でき、シクロアル
キル基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基
、シクロヘキシル基等を例示できる。
本発明者らは、種々研究の結果、上記一般式[I]で表
わされる化合物の合成に成功すると共に、2等化合物が
強い除草活性を有することを見出し、ここに本発明を完
成するに至った。
本発明の上記一般式[I]で表わされる化合物は、これ
を土壌に適用する場合(土壌処理)ではその除草活性は
弱いか又は全くないが、茎葉に適用する場合(茎葉処理
)には非常に強い除草活性を示す特徴を有している。ま
た本発明化合物は、特に広葉雑草に対する除草活性が強
く、イネ、コムギ、トウモロコシ等に対しては耐性であ
るという特徴をも有している。
本発明の化合物は、種々の方法により製造されるが、そ
の好ましい一例を示せば、一般式[式中R1及びR2は
上記に同じ。コ で示される3−又は5−イソオキサシリル尿素を閉環さ
せることにより製造される。
上記方法において出発原料として用いられる一般式[1
]の化合物は、新規化合物であり、例えば一般式 E式中R4は上記と同じ。] で示される3−又は5−イソオキサシリルカルバミド酸
フェニルと一般式 %式%[] [式中R2は上記と同じ。] で示されるヒドロキシアミン誘導体とを反応させて、一
般式 [式中R1、R2は上記と同じ。] で示される3−又は5−イソオキサシリルヒドロキシ尿
素誘導体を得た後、該化合物とハロゲノ酢酸塩とを反応
させることにより製造される。
上記反応に使用される一般式[III]の3−又は5−
イソオキサシリルカルバミド酸フェニル誘導体は、例え
ば特開昭61−47480号公報に記載される通り公知
化合物である。
上記−数式[■]の化合物と一般式[IV]で示される
ヒドロキシルアミン誘導体との反応は、無溶媒又は溶媒
中、触媒の存在下又は非存在下に行なわれる。使用され
る溶媒としては、例えばジエチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン等のエーテル類、塩化メチレン、
クロロホルム、塩化エチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化
水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶
媒、アセトニトリル、プロピオンニトリル等の、ニトリ
ル類、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル等を挙げるこ
とができる。使用される触媒としては、三級アミン類、
例えばトリエチルアミン、トリブチルアミン、ヘキサメ
チレンテトラミン、ジエチルアニリン、N−メチルモル
ホリン、N−メチルピペリジン等を挙げることができ、
その使用量としては、−数式[III]の化合物に対し
て通常約0.1〜3倍モル量、好ましくは約0.5〜1
.5倍モル量とするのがよい。−数式[m]の化合物と
一般式[IV]の化合物との使用割合は、前者に対して
後者を通常約0.5〜5倍モル量、好ましくは約1.0
〜1.5倍モル量とされるのがよく、反応温度は室温〜
約150℃、反応時間は約1〜10時間程度とされるの
が適当である。
上記反応で浸られる一般式[V]で表わされる化合物を
ハロゲン化酢酸塩と反応させることにより所望の一般式
[I[]の化合物を収得できる。該反応は水又はアルコ
ール類、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、
プロピルアルコール等及びそれらの混合溶媒中で行ない
得る。この反応には、通常脱塩酸剤としての塩基剤例え
ば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム
、炭酸カリウム等が使用される。その使用量は、−数式
[V]の化合物に対して約1〜10倍モル量、好ましく
は約1〜5倍モル量とするのがよい。−数式[V]の化
合物とハロゲン化酢酸塩との使用量は、前者に対して後
者を約0.5〜5倍モル量、好ましくは約1〜3倍モル
量とするのがよく、反応温度は室温〜約100℃、反応
時間は約1〜10時間程度とするのがよい。
かくして得られる一般式[1]で示される化合物は精製
することなく、引続き溶媒中、塩化チオニルを使用して
閉環し得る。ここで使用される溶媒としては、例えばエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエ
ーテル類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等
の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の芳香族系溶媒等を挙げることができる。塩
化チオニルの使用量は、−数式[II]の化合物に対し
て通常約0.1〜5倍モル量、好ましくは約0.5〜3
倍モル量である。反応温度は生成する塩酸ガスを除去す
るために使用する溶媒の沸点とするのがよい。
上記閉環反応によって得られる化合物は、通常の分離手
段、例えば溶媒抽出法、溶媒希釈法、再結晶法、カラム
クロマトグラフィー等により容易に単離精製することが
でき、かくして目的とする一般式[I]で示される1、
2.4−オキサジアジン誘導体を高純度で得ることがで
きる。
本発明の化合物は例えばタカサブロウ、アオビユ、クサ
ネム、スズメノテッポウ、タデ、ヨモギ、オオアレチノ
ギク、ギシギシ、アゼナ、キカシグサ、ノビエ、メヒシ
バ、オヒシバ、カヤツリグサ等の雑草に対して強力な除
草効果を示し、イネ、コムギ、トウモロシ等には耐性で
あるため、畑地、樹園地、桑園等の農作物や鉄道沿線、
水路、公園等の景観上有害な雑草の防除に特に有用であ
る。
本発明化合物を除草剤として施用するに当っては、本発
明化合物をそのまま用いてもよいが、−般には通常農薬
の製剤上使用される補助剤と混合していずれの剤型とし
ても使用することができる。
その中でも乳剤、水和剤、粒剤の形態が好適に用いられ
る。この際、効果の安全性及び効果の向上を期するため
の補助剤として、例えばケイソウ土、カオリン、クレー
、ベントナイト、ホワイトカーボン、タルクなどの増量
剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシ
エチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレ
ンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪
酸エステル、アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、
リグニンスルホン酸ナトリウム、アルキル硫酸ナトリウ
ム、ポリオキシエチレンアルキル硫酸ナトリウム等の非
イオン系又は陰イオン系界面活性剤、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、アセトン、シクロヘキサノン、メタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール、ジオキサン
、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキサイド、四
塩化炭素等の有機溶媒等を使用することができる。
本発明の除草剤組成物の配合としては、有効成分が通常
約1〜90重量%、好ましくは5〜70重量%になるよ
うに補助剤を添加することによって製剤される。施用適
量は薬剤の製剤形態、施用方法、施用時期、対象雑草の
種類等によってそれぞれ異なるものであり、広い範囲内
から適宜選択されるが、一般的には有効成分量として通
常約50〜500g/10a、好ましくは100〜40
0g/10a程度が散布される。
実施例 以下に参考例、製造例、処方例及び試験例を挙げて本発
明を更に詳しく説明する。
参考例I N−(5−tert−ブチルイソオキサゾール−3−イ
ル)−N′−イソプロピル−N′−ヒドロキシ尿素の製
造 N−(5−tert−ブチルイソオキサゾール−3−イ
ル)カルバミン酸フェニル26g (0,1モル)、N
−イソプロピルヒドロキシアミン7.5g (0,1モ
ル)、トリエチルアミン20.2g(0,2モル)をア
セトニトリル300mQに溶解した。還流下で6時間反
応後、減圧下でアセトニトリルを除去し、残渣に水を加
え、クロロホルム抽出を行なった。クロロホルム層を乾
燥後、濃縮し、結晶を得た。酢酸エチルより再結晶して
目的とする白色結晶を得た。
製造例1 3.5−ジオキソ−2−イソプロピル−4−(5−te
rt−ブチルイソオキサゾール−3−イル)−1,2,
4−オキサジアジンの製造参考例1で得たN−(5−t
ert−ブチルイソオキサゾール−3−イル)−N’ 
−イソプロピル−N′−ヒドロキシ尿素9.6g (0
,04モル)を40mQの水に懸濁し、室温攪拌下で1
0%水酸化ナトリウム水溶液25111Qを加え、更に
20%ブロム酢酸ナトリウム35mQ(0,04モル)
を滴下した。滴下後、反応混合物を50℃、5時間加熱
攪拌した。反応終了後、反応液を塩酸酸性とし、クロロ
ホルム抽出した。クロロホルム層を水洗、乾燥後、減圧
濃縮して油状物を得た。この粗生成物を精製することな
く、50mQのテトラヒドロフランに溶解し、8.6g
の塩化チオニルを加え、還流下1時間攪拌した。反応終
了後、溶媒及び過剰の塩化チオニルを減圧留去し、褐色
油状物を得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフイー(溶媒:n−ヘキサン:酢酸エチル−1=1)
により精製し9.4g(収率83.3%)の3゜5−ジ
オキソ−2−イソプロピル−4−(5−tert−ブチ
ルイソオキサゾール−3−イル)−1゜2.4−オキサ
ジアジンを淡褐色油状物として得た。
この油状物のNMR(重クロロホルム中)及びその他の
分析結果は下記の通りであった。
NMR:δ (ppa+) : 5、93 (IH,s) 4.54 (2H,s) 4.33 (IH,m) 1、34 (91,s) 1.25 (6H,d、J=7Hz) 1、R,(cs+−’)1750,17C1O。
元素分析 分析値(%)  ; C55,92H6,78N 14
.81理論値(%”)  : C55,50H6,81
N 14.94以上の結果より を確認した。
製造例2〜11 製造例1と同様の方法で製造例2〜10の化合物を製造
した。物性及び機器データーを第工表に示した。
処方例1(30%乳剤) (重量部) 化合物1             30ポリオキシエ
チレンフエニルエーテル 10キシレン       
       60処方例2(50%水和剤) (重量部) 化合物1              50リグニンス
ルホン酸ナトリウム     1ドデシルベンゼンスル
ホン酸ナトリウム 4クレー            
     45試験例1(茎葉処理テスト) 1 / 2000 aのワグナ−ポットに殺菌した沖積
土壌を入れ、第■表に示す供試植物の種子を播種し各植
物がほぼ一定の大きさくほぼ2〜3葉期)に達したとき
、処方例1に準じて製剤した乳剤を各々有効成分が25
0g/10aとなるように水で希釈したものを植物の茎
葉全面が充分−様に濡れるように散布した。散布後、3
週間目に各植物に対する除草活性をしらべた。結果を第
■表に示した。尚除草活性は肉眼観察により、っぎの基
準にしたがって無処理の場合と対比した指数で評価した
(指数)     (除草活性) 0     変化なし 1    1〜24%阻害 2    25〜49%阻害 3    50〜74%阻害 4    75〜90%阻害 5     完全枯死

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中R_1は水素原子、低級アルキル基、シクロアル
    キル基又はフェニル基を示す。R_2は低級アルキル基
    、シクロアルキル基、フェニル基又はベンジル基を示す
    。] で示される1,2,4−オキサジアジン誘導体。
  2. (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、R_1及びR_2は上記に同じ。]で表わされ
    る請求項(1)記載の化合物。
  3. (3)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中R_1及びR_2は上記と同じ。] で表わされる請求項(1)記載の化合物。
  4. (4)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中R_1は水素原子、低級アルキル基、シクロアル
    キル基又はフェニル基を示す。R_2は低級アルキル基
    、シクロアルキル基、フェニル基又はベンジル基を示す
    。] で示される3−又は5−イソオキサゾリル尿素誘導体を
    閉環反応させることを特徴とする請求項(1)記載の1
    ,2,4−オキサジアジン誘導体の製造方法。
  5. (5)請求項(1)記載の1,2,4−オキサジアジン
    誘導体を有効成分として含有する除草剤。
JP63010362A 1988-01-19 1988-01-19 1,2,4―オキサジアジン誘導体、その製造方法及び除草剤 Pending JPH01186882A (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58110917U (ja) * 1982-01-25 1983-07-28 株式会社シチズン電子 発光式メンブレンスイツチ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58110917U (ja) * 1982-01-25 1983-07-28 株式会社シチズン電子 発光式メンブレンスイツチ

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