JPH01185995A - 多層配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、所定の線幅で印刷された配線基板を少なく
とも２枚以上重ねて構成されている多層配線基板に関す
るものである。

〔従来の技術〕

多層配線基板は、通常セラミックなどの強誘電体の基板
上面に導体部を印刷し、それを複数枚重ねて焼成して構
成されている。

第６図は、従来の多層配線基板の製造工程を示すもので
ある。同図（ａ）で示すように、第一の基板１には導体
部１ａ％　１　ａｓ第二の基板２には導体部２ａ％２ａ
がそれぞれ上面に印刷されている。これらの基板１．２
は、重ね合わせられた後、焼成などにより多層配線基板
が構成される。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、第一の基板１の導体部１ａ、１ａと第二の基板
２の導体部２ａ、２ａとが互いに交差する場合、たとえ
ば交差部分Ａではセラミック（比誘電率　８．５〜１０
．０）などの強誘電体を導体で挾むことに°なる。

第７図は、交差部分Ａを拡大したものである。

同図で示すように、交差部分Ａでは強誘電体部１ｂを、
導体で構成された導体部１ａ、２ａで挾む構造になるた
め静電容量を持ち、特性インピーダンスの不整合やクロ
ストークを生じるという問題があった。この場合、静電
容量は挾まれる強誘電体の誘電率及び導体部が交差する
ときの交差面積に影響される。

〔課題を解決するための手段〕

そこで、この発明は上記課題を達成するため、所定の線
幅から成る導体部を配設した基板を少なくとも２枚以上
重ねて構成されている多層配線基板において、重ねるこ
とにより形成された配線交差部における交差面積が、所
定の線幅の導体部を交差させて形成される交差面積より
小さく構成されていることを特徴とする。

〔作用〕

この発明は、以上のように構成されているので、交差面
積を小さくすることにより導体部の交差部における静電
容量を減少させることができる。

〔実施例〕

以下、この発明に係る多層配線基板の一実施例を添付図
面に基づき説明する。なお、説明において同一要素には
同一符号を用い、重複する説明は省略する。

第１図は、この発明の一実施例を示す分解斜視図である
。同図（ａ）で示すように、第一の基板３は、たとえば
セラミックなどの強誘電体３ａで形成されており、上面
に導体から成る導体部３ｂ。

３ｂがスクリーン印刷などで形成されている。同様に、
第二の基板４は、たとえばセラミックなどの強誘電体４
ａで形成されており、上面に導体から成る導体部４ｂが
スクリーン印刷などで形成されている。これらの基板３
．４は、同図（ｂ）で示すように焼成法等により、重ね
合わせられる。

この発明で重要なことは、２つの基板を重ね合わせる際
に生じる導体部３ｂ、３ｂと導体部４ｂとの交差部Ｂ、
Ｃを形成する線幅が小さく構成されている点である。

第２図は、交差部の拡大したものである。一定の誘電率
（たとえば、ε１）を有する強誘電体を所定の幅の平面
導体（たとえば、３ｂ、４ｂ）で挾んだ場合、静電容量
の大きさは一般的に交差部分の面積に比例する。すなわ
ち、たとえば導体部の幅がＷ３、Ｗ４であれば、交差部
分の面積であるＷ３ＸＷ、４に比例する。そのため、こ
の実施例においては導体部に傾斜部を設けることにより
、交差部分に相当する線幅を小さく構成（Ｗ３−ｄ３、
Ｗ４→ｄ４）したものである。

第３図は、上述した実施例の変形例として、多層配線基
板の交差部を示す要部斜視図である。同図（ａ）の交差
部分は、傾斜部分ではなく四角形の切り欠き部を設けて
構成されている。交差面積が広範囲で小さくなるので、
静電容量を有効に減少させることができる。同図（ｂ）
の交差部は、所定の形状の穴を形成したものである。こ
の実施例では、四角形を図示するが、この形状に限定さ
れないことはいうまでもない。たとえば、同図（ｃ）で
示す交差部のように菱形でも良い。重要なことは、交差
面積が減少している点である。また、交差部分の面積を
減少させる一例として、同図（ｄ）で示すように、一方
の導体部として同図（ａ）のものを使用し、他方の導体
部として同図（ｂ）のものを使用することにより、交差
面積を減少させても良い。なお、上述した実施例では積
層される基板数は２枚であったが、この数が２枚に限定
されないことはいうまでもない。

第４図は、この発明の他の実施例として、積層される基
板数が３枚の多層配線基板を示す分解斜視図である。同
図（ａ）で示すように、第一の基板３は、たとえばセラ
ミックなどの強誘電体３ａで形成されており、上面に導
体から成る導体部３ｂがスクリーン印刷などで形成され
ている。同様に、第二の基板４及び５は、たとえばセラ
ミックなどの強誘電体４ａ、５ａで形成されており、上
面に導体から成る導体部４ｂ、５ｂがスクリーン印刷な
どで形成されている。これらの基板３．４及び５は、同
図（ｂ）で示すように焼成法等により、重ね合わせられ
る。この場合、第一の基板３と第二の基板４との交差部
りは、前述したような構成により交差面積が減少されて
おり、静電容量が小さくなっている。同様に、第二の基
板４と第三の基板５との交差部Ｅも、前述したような構
成により交差面積が減少されており、静電容量が小さく
なっている。このように、この発明は積層される基板数
に拘らず適用することができ、有効に静電容量を減少さ
せることができる。

第５図は、この発明の別の実施例を示す分解斜視図であ
る。同図（ａ）で示すように、第一の基板３は、たとえ
ばセラミックなどの強誘電体３ａで形成されており、下
面に導体から成る導体部３ｂ、３ｂがスクリーン印刷法
などで形成されている。同様に、第二の基板４は、たと
えばセラミックなどの強誘電体４ａで形成されており、
上面に導体から成る導体部４ｂ、４ｂがスクリーン印刷
法などで形成されている。さらに、これらの基板の間に
は、上記基板３．４を重ね合わせたとき構成される配線
交差部と対応する位置にスルーホール（エアブリッジ）
６　ａｓ　６　ａ１６　ａ１６ａを設けた基板６が介在
される。これらの基板３．４．６は、同図（ｂ）で示す
ように焼成法等で重ね合わせられる。従って、交差部を
構成する第一の基板３に配設された導体部３ｂと、同様
に交差部を構成する第二の基板４に配設された導体部４
ｂは、基板６に形成された空洞部６ａで連通される。す
なわち、導体部３ｂと導体部４ｂは基板材料である強誘
電体（たとえば、セラミック、）ではなく、誘電率が極
めて低い空気を挾むことになるので、静電容量の値は最
小限に減少する。

なお、このスルーホールに誘電率の低い物質を充填し、
誘電率を低下させてもよい。この充填材としては、基板
材料より低いものであればよい。

さらに、スルーホールの形状は円形に限定されるもので
はない。たとえば角形、十字形、楕円形でもよい。重要
なことは、基板材料の誘電率より低い物質を介在するこ
とにより、静電容量を極力減少させている点である。

以下、この発明の一実施例を適用した実験例を示す。厚
さが２７０μｍのアルミナセラミック基板（比誘電率９
，１）に配線幅が１５０μｍの導体部をスクリーン印刷
しく特性インピーダンス５０Ω）、複数の基板を重ねあ
わせ、ストリップラインを形成したときの交差部分にお
ける線幅を１００μｍとしたとき、特性インピーダンス
は著しく改善された。

〔発明の効果〕

この発明は、以上説明したように構成されているので、
特性インピーダンスの不整合を極力減少させることがで
き、高周波特性の向上が図れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例に係る多層配線基板を示
す斜視図、第２図は、第１図の多層配線基板の交差部を
拡大した要部斜視図、第３図は、第１図の実施例におけ
る交差部の変形例を示す要部斜視図、第４図は、この発
明の他の実施例に係る多層配線基板を示す斜視図、第５
図は、この発明の別の実施例に係る多層配線基板を示す
斜視図、第６図は、従来技術の多層配線基板を示す斜視
図、第７図は、第６図の従来技術における交差部を拡大
した図である。 １．３・・・第一の基板　　２．４・・・第二の基板５
・・・第三の基板　　　　６・・・基板交差部拡大図 第２図 （ａ） デ （ｃ） し例 ３図 第４図 （ｂ） （ａ）　　　　　　　　　　　　　Ｂｌｌ第 （ｂ） １の実施例 ：５図 従来 第（ 技術 ５図 交差ヂ 第 （ｂ） 邦拡大図 ７図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　所定の線幅から成る導体部を配設した基板を少なくと
   も２枚以上重ねて構成されている多層配線基板において
   、 重ねることにより形成された配線交差部における交差面
   積が、前記所定の線幅の導体部を交差させて形成される
   交差面積より小さく構成されていることを特徴とする多
   層配線基板。