JPH01179336A - ワイヤボンディング装置 - Google Patents
ワイヤボンディング装置Info
- Publication number
- JPH01179336A JPH01179336A JP62336117A JP33611787A JPH01179336A JP H01179336 A JPH01179336 A JP H01179336A JP 62336117 A JP62336117 A JP 62336117A JP 33611787 A JP33611787 A JP 33611787A JP H01179336 A JPH01179336 A JP H01179336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire bonding
- lead frame
- wire
- lead
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 abstract description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000026058 directional locomotion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/787—Means for aligning
- H01L2224/78743—Suction holding means
- H01L2224/78744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1016—Shape being a cuboid
- H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発ＢＡは牛導体装置等のリードフレーム上に形成され
た電極もしくはリードフレーム上に固着された半導体素
子又は回路基板上の電極に対″′ｆるリード細線の接続
に好適な超音波利用のワイヤボンディング方法に関する
。
た電極もしくはリードフレーム上に固着された半導体素
子又は回路基板上の電極に対″′ｆるリード細線の接続
に好適な超音波利用のワイヤボンディング方法に関する
。
［従来の技術］
超音波振動を利用し次ワイヤボンディングは周知であり
１例えば第４囚に示す樹脂封止型パワートランジスタの
大造にも利用されている。第４図に示すリードフレーム
組立体１は、リードフレーム２とパワートランジスタチ
ップ３とリード細線４から成る。リードフレーム２は支
持板５、支持＆５の一端に配置された外部リード６、外
部＋７−ド６を平行に連結するタイバー７及び第１の連
結細条８．支持板５の他端に連結された位置決めリード
９１位置決めリード９を平行に連結する第２の連結細条
１０から成る。リードフレーム２は内示のように、複数
個の支持板５が平行に連結され几多素子取り用のリード
フレームとなっている。
１例えば第４囚に示す樹脂封止型パワートランジスタの
大造にも利用されている。第４図に示すリードフレーム
組立体１は、リードフレーム２とパワートランジスタチ
ップ３とリード細線４から成る。リードフレーム２は支
持板５、支持＆５の一端に配置された外部リード６、外
部＋７−ド６を平行に連結するタイバー７及び第１の連
結細条８．支持板５の他端に連結された位置決めリード
９１位置決めリード９を平行に連結する第２の連結細条
１０から成る。リードフレーム２は内示のように、複数
個の支持板５が平行に連結され几多素子取り用のリード
フレームとなっている。
リードフレーム組立体１を炸裂する際には、リードフレ
ーム２の支持１７ＨＬ５上にパワートランジスタチップ
３を固着し、続いてパワートランジスタチップ３上の電
極と外部リード６即ち外部接続電極とをリード細線４で
接続する。ここで、パワートランジスタチップ３の固着
及びリード細＃４の接続はそれぞれ周知のダイボンディ
ング及びワイヤボンディングにて行われる。しかる後、
リードフレーム組立体１に樹脂制止体１５を周知のトラ
ンス７アモールドにより形成し、所定の工程を施した後
にタイバー７、第１及び第２の連結細条８゜１０及び位
置決めリード９を切断除去することによって個別化され
た樹脂封止型トランジスタとする。
ーム２の支持１７ＨＬ５上にパワートランジスタチップ
３を固着し、続いてパワートランジスタチップ３上の電
極と外部リード６即ち外部接続電極とをリード細線４で
接続する。ここで、パワートランジスタチップ３の固着
及びリード細＃４の接続はそれぞれ周知のダイボンディ
ング及びワイヤボンディングにて行われる。しかる後、
リードフレーム組立体１に樹脂制止体１５を周知のトラ
ンス７アモールドにより形成し、所定の工程を施した後
にタイバー７、第１及び第２の連結細条８゜１０及び位
置決めリード９を切断除去することによって個別化され
た樹脂封止型トランジスタとする。
第５図に示すリードｍ線４を超音波振動を利用して接続
するためのボンディング装置は１周知の自動ワイヤボン
ダーのキャヒ゛ラリ１２と、このキャピラリ１２の駆動
装置１２ａと、載置台１６と。
するためのボンディング装置は１周知の自動ワイヤボン
ダーのキャヒ゛ラリ１２と、このキャピラリ１２の駆動
装置１２ａと、載置台１６と。
固定用治具１４と、この固定用治具１４の駆動装置ｉ
１４ ａと、ガイドビン１１と、このガイドビン１１の
駆動装置１１ａとから成る。ワイヤボンディング時には
、キャピラリ１２からリード、ｍ、ｉ！ｉ１４を繰り出
し、リードＭｔ１４をトランジスタチップ３の電極にキ
ャピラリ１２で押し付けると共にキャピラリ１２に電極
の表面と平行な方向に超音波振動を加える。つまり、リ
ード細ｓ４を電極に押し付けこすり合わせて接続する。
１４ ａと、ガイドビン１１と、このガイドビン１１の
駆動装置１１ａとから成る。ワイヤボンディング時には
、キャピラリ１２からリード、ｍ、ｉ！ｉ１４を繰り出
し、リードＭｔ１４をトランジスタチップ３の電極にキ
ャピラリ１２で押し付けると共にキャピラリ１２に電極
の表面と平行な方向に超音波振動を加える。つまり、リ
ード細ｓ４を電極に押し付けこすり合わせて接続する。
リードフレーム２の外部リード６（外部接続用電極）Ｋ
ワイヤボンディングをする時はリードフレーム２を載置
台１６の上に置き、固定用治具１４で所定の箇所を押え
つけて行う。
ワイヤボンディングをする時はリードフレーム２を載置
台１６の上に置き、固定用治具１４で所定の箇所を押え
つけて行う。
ところで、この超音波振動法を利用したワイヤボンディ
ングＶＣは以下のような問題がある。
ングＶＣは以下のような問題がある。
リード細線４を接続すべき電極（第５図では、パワート
ランジスタチップ３上の電極）にキャピラリ１２で押し
付けると、キャピラリ１２の超音波振動が接続部分を通
じてリードフレーム２に加わる。この振動により、リー
ドフレーム２は僅かではあるがその揚動方向に載置台１
３上が滑動する。この滑動が生じるとリード細線４の接
続部（ワイヤボンディングＳ）に超音波振動が十分に加
らず接続が不十分となる。また、滑動が生じない場合で
あっても、リードフレーム２の変形等に基づいて載置台
１３に対するリードフレーム２の密着性が悪く、ワイヤ
ボンディングを良好に行うことができないことがある。
ランジスタチップ３上の電極）にキャピラリ１２で押し
付けると、キャピラリ１２の超音波振動が接続部分を通
じてリードフレーム２に加わる。この振動により、リー
ドフレーム２は僅かではあるがその揚動方向に載置台１
３上が滑動する。この滑動が生じるとリード細線４の接
続部（ワイヤボンディングＳ）に超音波振動が十分に加
らず接続が不十分となる。また、滑動が生じない場合で
あっても、リードフレーム２の変形等に基づいて載置台
１３に対するリードフレーム２の密着性が悪く、ワイヤ
ボンディングを良好に行うことができないことがある。
この種の問題は固定用治具１４によるリードフレーム２
の固定箇所がワイヤボンディング部から離れているため
に生じるので１本発明者は固定用治具１４を多数個設け
て多数箇所でリードフレーム２を固定する方法を試みた
。しかし、キャピラリ１２の移動を妨害しないように多
数の固定箇所を設けてリードフレーム２を十分に固定す
ることはできなかった。
の固定箇所がワイヤボンディング部から離れているため
に生じるので１本発明者は固定用治具１４を多数個設け
て多数箇所でリードフレーム２を固定する方法を試みた
。しかし、キャピラリ１２の移動を妨害しないように多
数の固定箇所を設けてリードフレーム２を十分に固定す
ることはできなかった。
そこで１本発明の目的はキャピラリの移動の自由度を低
下させることなしに良好なワイヤボンディングを行うこ
とができる方法を提供することにある。
下させることなしに良好なワイヤボンディングを行うこ
とができる方法を提供することにある。
上記問題点を解決し、上記目的を達成するための不発ｑ
ｉ＝、支持体とこの支持体に固着された電子素子及び
／又は回路基板とから成る組立体に含筐れる電極にリー
ド細測を接続する際に、前記組立体を載置台に載せ、前
記リード細線を繰り出しているキャピラリに前記電極の
表面ｔｌｃ略平行な方向に超音波振動を加えた状態で前
記リード細線を前記電極に対して前記キャピラリで押圧
して接続する超音波利用のワイヤボンディング方法にお
いて、前記支持体の裏面を吸引するための吸引孔を前記
載置台に予め設けｔものを用意し、前記超音波振動を利
用して前記リード細線を前記電極に接続する時に前記吸
引孔を使用して前記支持体を吸引することを特徴とする
ワイヤボンディング方法に係わるものである。
ｉ＝、支持体とこの支持体に固着された電子素子及び
／又は回路基板とから成る組立体に含筐れる電極にリー
ド細測を接続する際に、前記組立体を載置台に載せ、前
記リード細線を繰り出しているキャピラリに前記電極の
表面ｔｌｃ略平行な方向に超音波振動を加えた状態で前
記リード細線を前記電極に対して前記キャピラリで押圧
して接続する超音波利用のワイヤボンディング方法にお
いて、前記支持体の裏面を吸引するための吸引孔を前記
載置台に予め設けｔものを用意し、前記超音波振動を利
用して前記リード細線を前記電極に接続する時に前記吸
引孔を使用して前記支持体を吸引することを特徴とする
ワイヤボンディング方法に係わるものである。
上記発明においては、載置台の吸引孔がリードフレーム
の裏面側の固定手段として機能する。このため、リード
フレームの裏面側に画定手段を設けないか又は簡単な固
定手段を設けたのみの状態で超音波ワイヤボンディング
時のリードフレームの滑動抑制及び密着性の向上ができ
、リード細線のボンディングを良好に溝底することがで
きる。
の裏面側の固定手段として機能する。このため、リード
フレームの裏面側に画定手段を設けないか又は簡単な固
定手段を設けたのみの状態で超音波ワイヤボンディング
時のリードフレームの滑動抑制及び密着性の向上ができ
、リード細線のボンディングを良好に溝底することがで
きる。
次に１本発明の実施例に係わる樹脂封止型パワートラン
ジスタの装造方法を説明する。但し、第１図〜第３図で
符号１〜１４及び８ａ、１１ａ。
ジスタの装造方法を説明する。但し、第１図〜第３図で
符号１〜１４及び８ａ、１１ａ。
１２ａ、１４ａで示す部分は第４図及び第５図で同一の
符号で示す部分と実質的に同一であるので、その説明を
省略する。
符号で示す部分と実質的に同一であるので、その説明を
省略する。
第１図〜第３図において第４図及び第５図と相違してい
る点は、載置台１３を第１の部分１３ａと第２の部分１
１ｂに分割し、それぞれに、吸引孔１６を設け、ここに
バイブ１７を介して真空ボンツ１８を結合したことであ
る。なお、吸引孔１６の開口１９は載置台１３の表面に
位置する。
る点は、載置台１３を第１の部分１３ａと第２の部分１
１ｂに分割し、それぞれに、吸引孔１６を設け、ここに
バイブ１７を介して真空ボンツ１８を結合したことであ
る。なお、吸引孔１６の開口１９は載置台１３の表面に
位置する。
各部を更に評しく説明すると、載置台１３は支持板５１
位置決めリード９及び連結細条１０を載せる第１の部分
１３ａと、外部リード６及び連結細条８を載せる第２の
部分１３ｂとの組み合せから成り、第２の部分１３ｂを
第１の部分１３ａに相対的に移動することができるよう
に構成されている。
位置決めリード９及び連結細条１０を載せる第１の部分
１３ａと、外部リード６及び連結細条８を載せる第２の
部分１３ｂとの組み合せから成り、第２の部分１３ｂを
第１の部分１３ａに相対的に移動することができるよう
に構成されている。
第１の部分１３ａには支持板５が載置される第１の載置
面２０と５位置決めリード９及び連結細条１０が載置さ
れる第２０載置面２１とが設けられ、第１及び第２の載
置面２０．２１の境界に傾斜面２２が設けられている。
面２０と５位置決めリード９及び連結細条１０が載置さ
れる第２０載置面２１とが設けられ、第１及び第２の載
置面２０．２１の境界に傾斜面２２が設けられている。
即ち、支持板５の肉厚が位置決めリード９の肉厚よりも
大きいために住じている段差部２３及び支持板５の下面
及び位置決めリード９の下面に対応するように第１の部
分１３ａの上面が形成されている。更に、第１の部分１
３ａは連結細条１０の右方向へのずれを防ぐための突出
部２４を有する。
大きいために住じている段差部２３及び支持板５の下面
及び位置決めリード９の下面に対応するように第１の部
分１３ａの上面が形成されている。更に、第１の部分１
３ａは連結細条１０の右方向へのずれを防ぐための突出
部２４を有する。
第２の部分１３ｂは外部リード６及び連結細条８を載置
する上面２５を有する。この上面２５と第１の部分１５
ａの第１の載置面２０との間には。
する上面２５を有する。この上面２５と第１の部分１５
ａの第１の載置面２０との間には。
支持板５と外部リード６との段差に応じた段差がある。
第２の部分１３ｂの突出部２６は連結細条８の左方向へ
のずれを防ぐように形成されている。
のずれを防ぐように形成されている。
但し、第１及び第２の突出部２．ｉ、２６の相互間はリ
ードフレーム２０幅（外部リード６の延びる方向の暢〕
方向の移動を許すように設定されている。
ードフレーム２０幅（外部リード６の延びる方向の暢〕
方向の移動を許すように設定されている。
吸引孔１６の開口１９は、第３因から明らかな如く、矢
印２７で示すキャピラリ１２の超音波振動の方向Ｃ外部
リード６の延びる方向）Ｋ＠交し且つリード細線４のワ
イヤボンディングｓ４ ａ ヲ通る直＃２８を基皐にし
て一方の側の領域（左側領域）と他方の側の領域（右側
領域）との両方に配置されている。トランジスタチップ
３のワイヤボンディングｓ４ａに対しては、トランジス
タチップ３０４つの角にほぼ対応して４つの開口１９か
配置されている。外部リード６のボンディング部４ａに
おいては、このボンディング部ａａを通り且つ矢印２７
で示す超音波振動方向に直交ｊる直線２９の一方の側と
他方の伽に１個づつ開口１９が配置されている。この２
つの開口１９とワイヤボンディング部４ａとはほぼ−直
線士に位置する。
印２７で示すキャピラリ１２の超音波振動の方向Ｃ外部
リード６の延びる方向）Ｋ＠交し且つリード細線４のワ
イヤボンディングｓ４ ａ ヲ通る直＃２８を基皐にし
て一方の側の領域（左側領域）と他方の側の領域（右側
領域）との両方に配置されている。トランジスタチップ
３のワイヤボンディングｓ４ａに対しては、トランジス
タチップ３０４つの角にほぼ対応して４つの開口１９か
配置されている。外部リード６のボンディング部４ａに
おいては、このボンディング部ａａを通り且つ矢印２７
で示す超音波振動方向に直交ｊる直線２９の一方の側と
他方の伽に１個づつ開口１９が配置されている。この２
つの開口１９とワイヤボンディング部４ａとはほぼ−直
線士に位置する。
ワイヤボンディングする時ｖｃは、第４図及び第５図で
説明した場合と同様にリードフレーム組立体１を用意し
、リードフレーム２の下面働を載置台１３ＶＣ＠合させ
るように配置し、真空ポンプ１８に結合された吸引孔１
６によってリードフレーム２の裏面を吸引する。また固
定用治具１４によって従来例と同様に支持板５に連結さ
れた外部リード６の幅広Ｓな押える。
説明した場合と同様にリードフレーム組立体１を用意し
、リードフレーム２の下面働を載置台１３ＶＣ＠合させ
るように配置し、真空ポンプ１８に結合された吸引孔１
６によってリードフレーム２の裏面を吸引する。また固
定用治具１４によって従来例と同様に支持板５に連結さ
れた外部リード６の幅広Ｓな押える。
次に、従来例と同様にキャピラリ１２に超音波振動を加
えて、パワートランジスタチップ３上の電極にリードａ
８４の一端を接続し、他端を外部リード６に接続する。
えて、パワートランジスタチップ３上の電極にリードａ
８４の一端を接続し、他端を外部リード６に接続する。
この時、リードフレーム２は開口１９で真空吸引されて
いるので、載置台１３上を滑動することが抑制され、ｆ
ｌつリードフレーム２のワイヤボンディング部対応領域
の載置台１３に対する密着性が良くなり、リード細線４
の良好なボンディングが達成される。
いるので、載置台１３上を滑動することが抑制され、ｆ
ｌつリードフレーム２のワイヤボンディング部対応領域
の載置台１３に対する密着性が良くなり、リード細線４
の良好なボンディングが達成される。
次の支持＆５のトランジスタチップ６に対してワイヤボ
ンディングする時には、固定用治具１４によるリードフ
レーム２の固定を解除し、且つ真壁ポンプ１８による吸
引を中止して、第２の部分１３ｂを上方向に移動ｊるこ
とによってリードフレーム組立体１を第２内に示すよう
に持ち上げ。
ンディングする時には、固定用治具１４によるリードフ
レーム２の固定を解除し、且つ真壁ポンプ１８による吸
引を中止して、第２の部分１３ｂを上方向に移動ｊるこ
とによってリードフレーム組立体１を第２内に示すよう
に持ち上げ。
支持板５を第１の部分１３ａから浮かせてリードフレー
ム組立体１をこの長手方向即ち外部リード６の並置方向
（直線２８の方向）に移動し、キャピラリ１２の下にワ
イヤボンディングすべき次のトランジスタチップ３を位
置決めする。ナオ、リードフレーム組立体１の矢ａ１２
Ｂの方向の移動は連結細条８のガイドビン挿入用孔８ａ
にガイドビン１１を挿入し、ガイドビン駆動装置１１ａ
によってガイドビン１１を矢印２８の方向に移動するこ
とによって達成する。
ム組立体１をこの長手方向即ち外部リード６の並置方向
（直線２８の方向）に移動し、キャピラリ１２の下にワ
イヤボンディングすべき次のトランジスタチップ３を位
置決めする。ナオ、リードフレーム組立体１の矢ａ１２
Ｂの方向の移動は連結細条８のガイドビン挿入用孔８ａ
にガイドビン１１を挿入し、ガイドビン駆動装置１１ａ
によってガイドビン１１を矢印２８の方向に移動するこ
とによって達成する。
本実施例は次の利点を有する。
ｆＩＩ リードフレーム２のワイヤボンディング部４
ａに対応する領域が開口１９で吸引されるので、この領
域の載置台１３に対する密着性が良くなり。
ａに対応する領域が開口１９で吸引されるので、この領
域の載置台１３に対する密着性が良くなり。
良好な超音波ワイヤボンディングが可能になる。
なお、ワイヤボンディング部４ａの直下に開口１９を設
けると、キャピラリ１２によるリード細線４の押し付け
が弱められるが、本実施例では直下に開口１９を設けて
いないので、上述の問題が生じない。
けると、キャピラリ１２によるリード細線４の押し付け
が弱められるが、本実施例では直下に開口１９を設けて
いないので、上述の問題が生じない。
（２）リードフレーム２の支持板５を固定用治具で直接
に固定する必要がないので、キャピラリ１２の移動の自
由度を低下させないでトランジスタチップ３に対するワ
イヤボンディングを行うことができる。
に固定する必要がないので、キャピラリ１２の移動の自
由度を低下させないでトランジスタチップ３に対するワ
イヤボンディングを行うことができる。
（３１開口１９がワイヤボンディング部４ａを通り且つ
キャピラリ１２の振動方向ＶＣ＠交する直線２８．２９
の両側に配置されているので、キャピラリ１２の超音波
振動方向にリードフレーム２が滑動することを有効に防
止できる。また、リードフレーム２の変形に基づく載置
台１３に対する密着性の低下の改ＩＩが有効に達成され
る。
キャピラリ１２の振動方向ＶＣ＠交する直線２８．２９
の両側に配置されているので、キャピラリ１２の超音波
振動方向にリードフレーム２が滑動することを有効に防
止できる。また、リードフレーム２の変形に基づく載置
台１３に対する密着性の低下の改ＩＩが有効に達成され
る。
（４１第６図に示すように支持板５を浮かせてリードフ
レーム２を移動するので、この移動を円滑に行うことが
できる。
レーム２を移動するので、この移動を円滑に行うことが
できる。
（５１載置台１６の上面がリードフレーム２の下面の段
差に対応した段差を有し、リードフレーム２の下面の実
負的に全面が載置台１３に接するように形成され、更に
突出部２４．２６を有するので、リードフレーム２の外
部リード６の延びる方向の移動を効果的に抑制すること
かできる。
差に対応した段差を有し、リードフレーム２の下面の実
負的に全面が載置台１３に接するように形成され、更に
突出部２４．２６を有するので、リードフレーム２の外
部リード６の延びる方向の移動を効果的に抑制すること
かできる。
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく。
例えば次の変形が可能なものである。
ｆＩＩ 載置台１３を第１及び第２の部分１６ａ。
１３ｂに分離しない構成にしてもよい。また、載置台１
３を３以上に分割してもよい。
３を３以上に分割してもよい。
（２１り −）”細線４としてＡｕ Ｉ／Ｍ、ＡＩ線等
の種々の細線を使用することかできる。また、熱圧着法
と超音波振動法とを併用したワイヤボンディングＣボー
ルボンディングやステッチボンディング等〕にも適用可
能である。
の種々の細線を使用することかできる。また、熱圧着法
と超音波振動法とを併用したワイヤボンディングＣボー
ルボンディングやステッチボンディング等〕にも適用可
能である。
（３） リードフレーム２の裏面及び／又は載置台１
６の上面の一部又は全部な粗面又は凹凸面とし、両者の
保合関係を強めてもよい。
６の上面の一部又は全部な粗面又は凹凸面とし、両者の
保合関係を強めてもよい。
（４１ｇ６図に示すようにワイヤボンディングすべぎ電
極を含むトランジスタチップ３を囲むように吸引用開口
１９を設けてもよい。
極を含むトランジスタチップ３を囲むように吸引用開口
１９を設けてもよい。
上述のように１本発明によれば、信和性の高いワイヤボ
ンディングを容易に達成することができる。
ンディングを容易に達成することができる。
第１図は本発明の実施例に係わるリードフレーム組立体
及びボンディング装置を示す断面図。 第２図はリードフレーム組立体を移動する状態を示す断
面図。 第３図は第１図の載置台及びリードフレーム組立体（破
線で示す）の平面図。 第４図ａ Ｉ７−ドフレーム組立体の平面図、第５図は
従来のリードフレーム組立体とボンディング装置を第４
囚のＶ−マ線に対応する部分で示す断面図。 第６図は載置台における吸引開口の変形例を示す平面図
である。 １・・・リードフレーム組立体、２・・・リードフレー
ム、６・・・トランジスタチップ、４・・・リード細線
、５・・・支詩板、６・・・外部リード、１２・・・キ
ャピラリ。 １６・・・載置台、１４・・・固定用治具、１６・・・
吸引孔。 １９・・・開口。 第１図 第２図 第４図
及びボンディング装置を示す断面図。 第２図はリードフレーム組立体を移動する状態を示す断
面図。 第３図は第１図の載置台及びリードフレーム組立体（破
線で示す）の平面図。 第４図ａ Ｉ７−ドフレーム組立体の平面図、第５図は
従来のリードフレーム組立体とボンディング装置を第４
囚のＶ−マ線に対応する部分で示す断面図。 第６図は載置台における吸引開口の変形例を示す平面図
である。 １・・・リードフレーム組立体、２・・・リードフレー
ム、６・・・トランジスタチップ、４・・・リード細線
、５・・・支詩板、６・・・外部リード、１２・・・キ
ャピラリ。 １６・・・載置台、１４・・・固定用治具、１６・・・
吸引孔。 １９・・・開口。 第１図 第２図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕支持体とこの支持体に固着された電子素子及び／
又は回路基板とから成る組立体に含まれる電極にリード
細線を接続する際に、前記組立体を載置台に載せ、前記
リード細線を繰り出しているキャピラリに前記電極の表
面に略平行な方向に超音波振動を加えた状態で前記リー
ド細線を前記電極に対して前記キャピラリで押圧して接
続する超音波利用のワイヤボンディング方法において、
前記支持体の裏面を吸引するための吸引孔を前記載置台
に予め設けたものを用意し、 前記超音波振動を利用して前記リード細線を前記電極に
接続する時に前記吸引孔を使用して前記支持体を吸引す
ることを特徴とするワイヤボンディング方法。 〔２〕前記支持体は、前記電子素子及び／又は回路基板
を固着する支持板とこの支持板に連結された外部リード
とを有するリードフレームである特許請求の範囲第１項
記載のワイヤボンディング方法。 〔３〕前記吸引孔は、前記リード細線のワイヤボンディ
ング部の直下に開口を有さないように前記載置台に形成
されたものである特許請求の範囲第１項又は第２項記載
のワイヤボンディング方法。 〔４〕前記吸引孔は、前記リード細線のワイヤボンディ
ング部を通り且つ前記超音波振動の方向に直交する方向
に延びる仮想直線を基準にして前記載置台の表面の一方
の側と他方の側とに吸引開口を有するものである特許請
求の範囲第１項又は第２項又は第３項記載のワイヤボン
ディング方法。 〔５〕前記吸引開口は前記仮想直線に直交し且つ前記ワ
イヤボンディング部を通る別の仮想直線上に配置された
ものである特許請求の範囲第４項記載のワイヤボンディ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336117A JPH01179336A (ja) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | ワイヤボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336117A JPH01179336A (ja) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | ワイヤボンディング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179336A true JPH01179336A (ja) | 1989-07-17 |
| JPH0573343B2 JPH0573343B2 (ja) | 1993-10-14 |
Family
ID=18295867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62336117A Granted JPH01179336A (ja) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | ワイヤボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01179336A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5545214U (ja) * | 1978-09-14 | 1980-03-25 | ||
| JPS6060732A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | ボンディング装置 |
| JPS6173343A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-15 | Hitachi Ltd | ワイヤボンダ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2227721A5 (ja) * | 1973-04-03 | 1974-11-22 | Yoshida Nederland Bv |
-
1987
- 1987-12-30 JP JP62336117A patent/JPH01179336A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5545214U (ja) * | 1978-09-14 | 1980-03-25 | ||
| JPS6060732A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | ボンディング装置 |
| JPS6173343A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-15 | Hitachi Ltd | ワイヤボンダ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0573343B2 (ja) | 1993-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100445073B1 (ko) | 듀얼 다이 패키지 | |
| JP2855719B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100721280B1 (ko) | 반도체 칩 조립체의 형성 방법과 기판 상의 회로로부터반도체 칩으로 와이어 본드부를 형성하는 장치 | |
| JPH01179336A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JP3670371B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3102241B2 (ja) | 電子部品のボンディング装置およびボンディング方法 | |
| JPS62262447A (ja) | 半導体パツケ−ジとその実装方法 | |
| JP2514798Y2 (ja) | 半導体チップの吸着装置 | |
| JP4604384B2 (ja) | 回路基板実装体の実装方法 | |
| JPH0477463B2 (ja) | ||
| JPH11111750A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0539630Y2 (ja) | ||
| JP2001291729A (ja) | 半導体素子の孔版印刷樹脂封止方法、及び該方法に用いる孔版及びスキージ | |
| JP2914577B2 (ja) | 表面実装電子デバイスの製造方法 | |
| JPH06209065A (ja) | 電子部品搭載装置 | |
| KR100721274B1 (ko) | 반도체 칩 조립체의 형성 방법 | |
| JPH0524665B2 (ja) | ||
| US6172318B1 (en) | Base for wire bond checking | |
| JPS5915492Y2 (ja) | ボンデイングツ−ル | |
| JPH06151525A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JPH09148516A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6173343A (ja) | ワイヤボンダ | |
| JPS6334289Y2 (ja) | ||
| JPH04324948A (ja) | ボンディング方法 | |
| CN115621209A (zh) | 半导体封装结构及其形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |