JPH01178119A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH01178119A JPH01178119A JP106688A JP106688A JPH01178119A JP H01178119 A JPH01178119 A JP H01178119A JP 106688 A JP106688 A JP 106688A JP 106688 A JP106688 A JP 106688A JP H01178119 A JPH01178119 A JP H01178119A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録ディスク等の磁気記録媒体に関し、
特に高密度記録の達成できる磁気記録媒体に関する。
特に高密度記録の達成できる磁気記録媒体に関する。
従来、ＡＪ等の基板／上に膜厚的３００ｎｍのＣｒｒ地
膜２、膜厚的７０ｎｍのＣ０Ｎ１Ｑｒ磁性膜３、Ｃ等の
保護膜ダが順次積層された第１／図に示す様な構造の磁
気ディスクが知られている。
膜２、膜厚的７０ｎｍのＣ０Ｎ１Ｑｒ磁性膜３、Ｃ等の
保護膜ダが順次積層された第１／図に示す様な構造の磁
気ディスクが知られている。
又磁性膜を多層に分割した磁気記録媒体として、基板ｌ
上にＱｒ下下地ココ設け、該Ｑｒ Ｔ地＠２上にＣＯ磁
性膜よ、Ｃｒ中間層６を交互に積層した第１２図に示す
様な構造の磁気記録媒体が知られている。（例えばＩＥ
ＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ、 Ｖｏｌ、 Ｍａｇ −
１５ Ａ３ Ｊｕｌｙ／り７！７）〔発明が解決し
ようとする間頂点〕 一般に磁気記録媒体には、残留磁化量がある程度高く、
高い保磁力を有することが要求される。
上にＱｒ下下地ココ設け、該Ｑｒ Ｔ地＠２上にＣＯ磁
性膜よ、Ｃｒ中間層６を交互に積層した第１２図に示す
様な構造の磁気記録媒体が知られている。（例えばＩＥ
ＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ、 Ｖｏｌ、 Ｍａｇ −
１５ Ａ３ Ｊｕｌｙ／り７！７）〔発明が解決し
ようとする間頂点〕 一般に磁気記録媒体には、残留磁化量がある程度高く、
高い保磁力を有することが要求される。
特に高密度記録を行なうための媒体としては従来の低密
度記録に要求される特性以上の特性が要求される。
度記録に要求される特性以上の特性が要求される。
上記従来のＣｔｏＮｉ系合金単層磁性膜の磁気記録媒体
においては、高い保磁力を得ることが難かしく、下地膜
であるＣｒ層の膜厚を厚くすることにより多少改善され
るもののその改善値に限りがあった。又Ｑｒ下地層を厚
くすることは、生産性を低下させ、又基体からの磁性膜
はく離の問題を生じた。
においては、高い保磁力を得ることが難かしく、下地膜
であるＣｒ層の膜厚を厚くすることにより多少改善され
るもののその改善値に限りがあった。又Ｑｒ下地層を厚
くすることは、生産性を低下させ、又基体からの磁性膜
はく離の問題を生じた。
又ＣＯ複層磁性膜の磁気記録媒体においては、磁性膜が
耐候性の悪いＣＯ金金属あるため、磁気記録媒体の信頼
性が低く、又保磁力も高々／１００００ 程度のものし
か得られないという問題点があった。
耐候性の悪いＣＯ金金属あるため、磁気記録媒体の信頼
性が低く、又保磁力も高々／１００００ 程度のものし
か得られないという問題点があった。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
って、基体の上に下地膜が被覆され、該下地膜上にＣｏ
Ｎｉ系合金磁性膜が被覆された磁気記録媒体において、
該ＣｏＮｉ系合金磁性膜を非磁性中間層により分割して
いる。
って、基体の上に下地膜が被覆され、該下地膜上にＣｏ
Ｎｉ系合金磁性膜が被覆された磁気記録媒体において、
該ＣｏＮｉ系合金磁性膜を非磁性中間層により分割して
いる。
本発明に用いる非磁性中間層としては、Ｃｒ＋Ｗ、Ｍｏ
およびこれらの合金等の非磁性材料であれば使用できる
が、内でもＱｒがＣｏＮｉ系合金結晶と格子定数が近く
結晶が配向しやすいので好ましい。
およびこれらの合金等の非磁性材料であれば使用できる
が、内でもＱｒがＣｏＮｉ系合金結晶と格子定数が近く
結晶が配向しやすいので好ましい。
該非磁性中間層の厚さは、薄すぎると磁性膜を多層に分
割する効果が現れに＜＜、文庫すぎると磁性膜全体の厚
さが厚くなり、磁気情報の読み取り時に磁気ヘッドから
の距離が必然的に長くなり読み取りにくくなる。そこで
該非磁性中間層は、ｊ−ｊＯｎｍとすることが好ましい
。又内でも１０〜１５ｎｍ厚が望ましい。
割する効果が現れに＜＜、文庫すぎると磁性膜全体の厚
さが厚くなり、磁気情報の読み取り時に磁気ヘッドから
の距離が必然的に長くなり読み取りにくくなる。そこで
該非磁性中間層は、ｊ−ｊＯｎｍとすることが好ましい
。又内でも１０〜１５ｎｍ厚が望ましい。
非磁性中間層によって分割されるａｏＮｉ系合金磁性膜
各層の各々の厚さは、必要とされる残留磁束密度および
保磁力および分割される数等に基づき調整されるが、通
常の分割数２〜μの場合各層の厚さはｉｓんｐｏｎｍと
されることが好ましい。該各層の厚さがｌｊｎｍより薄
いと一層における保磁力および残留磁化が低下し、本発
明の効果が表われにくくなる。又該各層の厚さが≠ｏｎ
ｍより厚いと、非磁性層を介在させずに連続的に磁性層
を積層させた従来の磁気記録媒体の特性と近くなりやす
く、本発明の効果が表われにくくなる。
各層の各々の厚さは、必要とされる残留磁束密度および
保磁力および分割される数等に基づき調整されるが、通
常の分割数２〜μの場合各層の厚さはｉｓんｐｏｎｍと
されることが好ましい。該各層の厚さがｌｊｎｍより薄
いと一層における保磁力および残留磁化が低下し、本発
明の効果が表われにくくなる。又該各層の厚さが≠ｏｎ
ｍより厚いと、非磁性層を介在させずに連続的に磁性層
を積層させた従来の磁気記録媒体の特性と近くなりやす
く、本発明の効果が表われにくくなる。
磁性膜の分割数は前述の様に通常２〜μとされる。磁性
膜を５以上に分割した形の磁性膜も使用されうるが、保
持力向上のために各層はｌｊｎｍより厚くすることが好
ましいため、多数に分割すると磁性膜の全厚が非常に厚
くなったり、生産性が低下しやすい。
膜を５以上に分割した形の磁性膜も使用されうるが、保
持力向上のために各層はｌｊｎｍより厚くすることが好
ましいため、多数に分割すると磁性膜の全厚が非常に厚
くなったり、生産性が低下しやすい。
本発明に使用するＣｏＮｉ系合金磁性体としては、通常
使用されているｃｏＮｉ、ｃｏｙｉｃｒ、 ｃｏｗｊｗ
。
使用されているｃｏＮｉ、ｃｏｙｉｃｒ、 ｃｏｗｊｗ
。
ＣｏＮｉ Ｔａ、 ＣｏＮｉ Ｍｏ 、 ＣｏＮｉ Ｎ
ｂ 、 （３ｏＮｉ Ｐｔ等およびＣｏＮｉＣｒ Ｗ
＋ ＣｏＮｉ Ｃｒ Ｔａなど’） Ｃｏ１００−ａ−
βＮｉａ Ｍβ（タタＬ、、０≦β２ＭはＣｒ、ＷｐＴ
ａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｔよりなる群より選ばれた少なくと
も７種の金属）で示されるＣｏＮｉ系合金が使用できる
。内でもＣ’０１００−α−βＮｉαＭβ （１１≦α
≦Ｊｊ、０≦β≦ｉｔ）の合金が高保磁力、高耐候性等
の点で好ましく、Ｃｏ１ｏｏ−α舜ＮｉαＭβ （Ｘｔ
≦α≦３２．！≦β≦１０）のものが望ましい。
ｂ 、 （３ｏＮｉ Ｐｔ等およびＣｏＮｉＣｒ Ｗ
＋ ＣｏＮｉ Ｃｒ Ｔａなど’） Ｃｏ１００−ａ−
βＮｉａ Ｍβ（タタＬ、、０≦β２ＭはＣｒ、ＷｐＴ
ａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｔよりなる群より選ばれた少なくと
も７種の金属）で示されるＣｏＮｉ系合金が使用できる
。内でもＣ’０１００−α−βＮｉαＭβ （１１≦α
≦Ｊｊ、０≦β≦ｉｔ）の合金が高保磁力、高耐候性等
の点で好ましく、Ｃｏ１ｏｏ−α舜ＮｉαＭβ （Ｘｔ
≦α≦３２．！≦β≦１０）のものが望ましい。
又分割される０ｏＮｉＪ合金磁性膜各層の厚さは、各々
同一厚さであっても良いし、文具なる厚さであっても良
い。該磁性層の表面側（磁気ヘッドに近接する面）を内
面側の磁性層よりも薄く設定することは、高い保磁力を
有する磁性膜が表面側となるので好ましい。これは磁気
ヘッドを用いた情報記録の際、磁気ヘッドにより発生し
た磁界が磁気ヘッドに近いほど強く、遠ざかると弱くな
るためであり、高保持力め磁性膜は磁気ヘッドに近けれ
ば反転しやすく、磁気ヘッドから遠いと反転しにくくな
るためである。低磁界の磁気ヘッドを用いて効率良く反
転することができる磁性膜として、前記表面側の磁性層
が薄い磁性膜は有効である。
同一厚さであっても良いし、文具なる厚さであっても良
い。該磁性層の表面側（磁気ヘッドに近接する面）を内
面側の磁性層よりも薄く設定することは、高い保磁力を
有する磁性膜が表面側となるので好ましい。これは磁気
ヘッドを用いた情報記録の際、磁気ヘッドにより発生し
た磁界が磁気ヘッドに近いほど強く、遠ざかると弱くな
るためであり、高保持力め磁性膜は磁気ヘッドに近けれ
ば反転しやすく、磁気ヘッドから遠いと反転しにくくな
るためである。低磁界の磁気ヘッドを用いて効率良く反
転することができる磁性膜として、前記表面側の磁性層
が薄い磁性膜は有効である。
本発明に用いる下地層としては、非磁性中間層と同様Ｃ
ｒ＋Ｗ＋Ｍｏ およびこれらの合金等の金属層が使用
できる。また該下地層は、より厚いものにすると、より
高い保持力の磁性膜が得られる性質がみられる。
ｒ＋Ｗ＋Ｍｏ およびこれらの合金等の金属層が使用
できる。また該下地層は、より厚いものにすると、より
高い保持力の磁性膜が得られる性質がみられる。
本発明に用いる基体は、磁性膜に悪影響を与えない基体
であれば使用でき、例えばＮｉＰメッキされたアルミニ
ウム製基板、ガラス製基板、その他アルミナ等のセラミ
ックス製基板等が例示できる。
であれば使用でき、例えばＮｉＰメッキされたアルミニ
ウム製基板、ガラス製基板、その他アルミナ等のセラミ
ックス製基板等が例示できる。
第り図は、ＪＯＯｎｍ厚のＱｒ下地膜上ニａｏＮｉＣｒ
の磁性膜を積層した場合の磁性層膜厚とその磁気特性の
関係を示したものである。
の磁性膜を積層した場合の磁性層膜厚とその磁気特性の
関係を示したものである。
第２図から明らかな通り、一般に残留磁化は磁性膜の膜
厚に比例して増加するが、保持力は磁性膜の膜厚の増加
に対して、−担極大を示した後減少を示す。
厚に比例して増加するが、保持力は磁性膜の膜厚の増加
に対して、−担極大を示した後減少を示す。
従来、記録された情報を読み取るためには、ある程度の
残留磁化（約ｚｏｏａμｍ）が必要とされるので単層式
の磁性膜では膜厚的７０ｎｍと保持力が膜厚の増加に共
なって低下する領域のものが使用されて来た。
残留磁化（約ｚｏｏａμｍ）が必要とされるので単層式
の磁性膜では膜厚的７０ｎｍと保持力が膜厚の増加に共
なって低下する領域のものが使用されて来た。
本発明においては、ＱＯＮｉＣｒ磁性膜をＣｒ等の非磁
性中間層に分割しているため、ＣｏＮｉＣｒ磁性膜の各
層を保磁力の比較的高い厚さ（１５ｎｍ−弘Ｏｎｍ）と
することができる。又該残留磁化の比較的低い単層を！
ｊＩ′ｆ１１つみ重ねることにより、その総合残留磁化
は従来の磁性膜レベルを維持することができる。
性中間層に分割しているため、ＣｏＮｉＣｒ磁性膜の各
層を保磁力の比較的高い厚さ（１５ｎｍ−弘Ｏｎｍ）と
することができる。又該残留磁化の比較的低い単層を！
ｊＩ′ｆ１１つみ重ねることにより、その総合残留磁化
は従来の磁性膜レベルを維持することができる。
実施例−７
第２図に示す様な、３つの円形ターゲット１０及び加熱
部ｌ／及び基板の装入排出室１２を有すルスハッタリン
グ装置／３を用いて、ガラス基板ｌ上にＣｒ下地膜２．
３ｊｎｍ厚の第１のＣ０６２，５Ｎｉ３００ｒｔ、５磁
性層、／、２．ｊｎｍ厚のＱｒ中間層ｒ１Ｊｊｎｍ厚の
第一のＣｊＯｓｚ、５ Ｎｉ３０ Ｃｒｑ、 ５磁性層
り、４Ｌｏｎｍ厚のＣ（カーボン）保護膜≠を順次積層
した。
部ｌ／及び基板の装入排出室１２を有すルスハッタリン
グ装置／３を用いて、ガラス基板ｌ上にＣｒ下地膜２．
３ｊｎｍ厚の第１のＣ０６２，５Ｎｉ３００ｒｔ、５磁
性層、／、２．ｊｎｍ厚のＱｒ中間層ｒ１Ｊｊｎｍ厚の
第一のＣｊＯｓｚ、５ Ｎｉ３０ Ｃｒｑ、 ５磁性層
り、４Ｌｏｎｍ厚のＣ（カーボン）保護膜≠を順次積層
した。
作成された磁気記録媒体の概略断面図を第１図に示す。
Ｑｒ下地層λの膜厚な７１−ｊｊＯｎｍ と変化させ
た場合の保磁力Ｈｅの変化を第３図に示す。ここで保磁
力ＨＣは、Ｃｒ下地膜が７１ｎｍ厚の時で１０１００ｅ
ｌ Ｃｒ下地膜が３５Ｏｎｍ厚の時で１ｔｔｏ。
た場合の保磁力Ｈｅの変化を第３図に示す。ここで保磁
力ＨＣは、Ｃｒ下地膜が７１ｎｍ厚の時で１０１００ｅ
ｌ Ｃｒ下地膜が３５Ｏｎｍ厚の時で１ｔｔｏ。
ｏｅと非常に高いものであった。又該保持力Ｈａはｃｒ
下゛地膜の膜厚と共に増加していた。又残留磁化Ｍｒ
δはＣｒ下地膜の膜厚変化に対して一定であり、約ｒｏ
ｏａμｍであった。
下゛地膜の膜厚と共に増加していた。又残留磁化Ｍｒ
δはＣｒ下地膜の膜厚変化に対して一定であり、約ｒｏ
ｏａμｍであった。
Ｃｒ下地膜の膜厚がｉｉ’ｙｎｍおよび３ｊＣｒｉｍの
場合のヒステリシス特性（Ｍ−Ｈループ）を各々第弘図
および第５図に示す。
場合のヒステリシス特性（Ｍ−Ｈループ）を各々第弘図
および第５図に示す。
又各Ｑｒ下地膜厚における保磁力Ｈａ 、残留磁化Ｂδ
、角形比Ｓの値を第１表に示す。
、角形比Ｓの値を第１表に示す。
第 ｌ 表
上記の様に１本実施例の磁気記録媒体は従来法では得ら
れない高い保持力を有する磁気記録媒体である。
れない高い保持力を有する磁気記録媒体である。
実施例−２
Ｃｊｒ、０ｏＮｉＣｒ 、 Ｃｒ 、 ＣｏＮｉ Ｃｒ
、 Ｏおよびｃの順にターゲット２／、２２．コ３．λ
≠、２ｊ、２５ を取りつけた第６図に示す、基板の両
面に同時に成膜可能なたて型インライン・スパッタリン
グ装置を用いて、円盤型の基板ｌ上に上記各々の被膜を
積層した。
、 Ｏおよびｃの順にターゲット２／、２２．コ３．λ
≠、２ｊ、２５ を取りつけた第６図に示す、基板の両
面に同時に成膜可能なたて型インライン・スパッタリン
グ装置を用いて、円盤型の基板ｌ上に上記各々の被膜を
積層した。
円盤型基板としては、ＮｉＰメッキされたＡＡ’ 基板
とガラス基板とを用意しく各々直径的／ ｊ ｊｓｕ＋
）、φ板の基板が収納できるパレット３１上に納めた
後スパッタリング装置に導入した。
とガラス基板とを用意しく各々直径的／ ｊ ｊｓｕ＋
）、φ板の基板が収納できるパレット３１上に納めた
後スパッタリング装置に導入した。
真空引きによりｔｘＩＯ−７Ｔｏｒｒに脱気した後ｚｏ
ｏｎｍ７分のスピードでパレットを移動させた。
ｏｎｍ７分のスピードでパレットを移動させた。
加熱室ｌｔ内で約／ ｊ Ｏ’ＣＫ基板を加熱した後、
り１１．ｊｎｍ厚のＱｒ下地膜、３０ｎｍ厚の第１の磁
性膜（Ｃ０６２，５Ｎｉ３００ｒ７．５）、、／２．ｊ
ｎｍ厚ノＣｒ中間層、３ｏｎｍ厚の第２の磁性膜（Ｃ０
６２，５Ｎｉ３０ （３ｒ７．５） １弘ｏｎｍ厚のＣ
保護膜を順次被覆した。
り１１．ｊｎｍ厚のＱｒ下地膜、３０ｎｍ厚の第１の磁
性膜（Ｃ０６２，５Ｎｉ３００ｒ７．５）、、／２．ｊ
ｎｍ厚ノＣｒ中間層、３ｏｎｍ厚の第２の磁性膜（Ｃ０
６２，５Ｎｉ３０ （３ｒ７．５） １弘ｏｎｍ厚のＣ
保護膜を順次被覆した。
この様にして作成したガラス基板上の磁性膜の磁気的ヒ
ステリシス特性を第１図に示す。又、Ｊ、ＪＪＭＨｚの
高周波を用いたトラック平均出力強度（ＨＦＴＡＡ）
、高周波記録の低周波記録に対する分解能（Ｒｅ５ｏｌ
ｕｔｉｏｎ ） 、Ｊ ４０ Ｃｒｐｍにおけるパルス
半値巾（Ｐａｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ、ＰＷ５ｏ） 、オー
バーライド特性（Ｏｖｅｒｖｇｔｅ ） 、 Ｓ／Ｎ比
を各′測定した・結果を第２表に示す。又比較のため３
００ｎｍＱｒ下地膜、４０ｎｍ Ｃ０Ｎ１ｃｒ磁性膜、
ｕＯｎｍＱ膜の従来型ガラス基板磁気ディスクの特性を
測定し第２表に示した。
ステリシス特性を第１図に示す。又、Ｊ、ＪＪＭＨｚの
高周波を用いたトラック平均出力強度（ＨＦＴＡＡ）
、高周波記録の低周波記録に対する分解能（Ｒｅ５ｏｌ
ｕｔｉｏｎ ） 、Ｊ ４０ Ｃｒｐｍにおけるパルス
半値巾（Ｐａｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ、ＰＷ５ｏ） 、オー
バーライド特性（Ｏｖｅｒｖｇｔｅ ） 、 Ｓ／Ｎ比
を各′測定した・結果を第２表に示す。又比較のため３
００ｎｍＱｒ下地膜、４０ｎｍ Ｃ０Ｎ１ｃｒ磁性膜、
ｕＯｎｍＱ膜の従来型ガラス基板磁気ディスクの特性を
測定し第２表に示した。
Ｓ−表
本実施例の磁気ディスクは、Ｃｒ下地膜がりμ、ｊｎｍ
厚と従来の磁気ディスクとくらべて非常に薄いにもかか
わらずりｚｏｏｅ程度の高い保持力が得られている。又
各種記録再生特性も第２表かられがる通り従来の磁気デ
ィスクよりも良いものであった。
厚と従来の磁気ディスクとくらべて非常に薄いにもかか
わらずりｚｏｏｅ程度の高い保持力が得られている。又
各種記録再生特性も第２表かられがる通り従来の磁気デ
ィスクよりも良いものであった。
又、本実施例の磁気ディスクの内周付近および外周付近
の再生波形エンベロープ（読み取り出力の最高値および
最低値を連続的に出力させたもの）をコイル巻数λμの
磁気ヘッドを用いて測定した◇結果を第ｒ図に示す。第
５図を見てもわかる様に１本実施例の磁気ディスクの出
力は、ディスクの同一円周上においては非常に安定して
おり（波をうっていない）、従来本実施例の様な一方向
へ搬送しながら各被膜を被覆した磁気ディスクに見られ
るうねり（モデュレーシ目ン）が消失していることがわ
かる。そこで出力安定性の点でも本実施例の磁気記録デ
ィスクが優れていることがわかった。
の再生波形エンベロープ（読み取り出力の最高値および
最低値を連続的に出力させたもの）をコイル巻数λμの
磁気ヘッドを用いて測定した◇結果を第ｒ図に示す。第
５図を見てもわかる様に１本実施例の磁気ディスクの出
力は、ディスクの同一円周上においては非常に安定して
おり（波をうっていない）、従来本実施例の様な一方向
へ搬送しながら各被膜を被覆した磁気ディスクに見られ
るうねり（モデュレーシ目ン）が消失していることがわ
かる。そこで出力安定性の点でも本実施例の磁気記録デ
ィスクが優れていることがわかった。
上記磁気記録媒体においては、第１の磁性膜と第２の磁
性膜に同一の材質を用いているが、異なる材質の磁性体
を使用してもかまわない。
性膜に同一の材質を用いているが、異なる材質の磁性体
を使用してもかまわない。
父上記実施例の磁気記録媒体は、第１図に示す様な分割
数が２の多層型磁性膜を用いたものであ 弘るが、該磁
性膜は第１０図に示す様な分割数が３の磁性膜あるいは
分割数が弘以上のものであってもかまわない。
数が２の多層型磁性膜を用いたものであ 弘るが、該磁
性膜は第１０図に示す様な分割数が３の磁性膜あるいは
分割数が弘以上のものであってもかまわない。
本発明によれば、従来にない高保持力、高出力、高耐候
性の磁気記録媒体を作成できる。又従来の磁気記録媒体
とくらべ、薄い下地層で同程度の特性を得ることができ
るので生産性を向上させることができる。
性の磁気記録媒体を作成できる。又従来の磁気記録媒体
とくらべ、薄い下地層で同程度の特性を得ることができ
るので生産性を向上させることができる。
又生産性の高い、一方向へ搬送させながら成膜させるイ
ンライン型スパッタリング装置を用いて製造しても、再
生波形エンベロープが極めて平坦な、良好な特性を有す
る磁気記録媒体を作成することができる。
ンライン型スパッタリング装置を用いて製造しても、再
生波形エンベロープが極めて平坦な、良好な特性を有す
る磁気記録媒体を作成することができる。
又、磁性膜中の磁気特性（保持力の分布等）を磁性膜各
層の材質、厚さ、中間非磁性層の材質、厚さ、磁性膜の
分割数などを調整することによって、磁気ヘッド等の条
件による磁気的希望特性を作成することができる。
層の材質、厚さ、中間非磁性層の材質、厚さ、磁性膜の
分割数などを調整することによって、磁気ヘッド等の条
件による磁気的希望特性を作成することができる。
第１図は、実施例において作成した分割数１の磁気記録
媒体の概略断面図、第２図は実施例−／において使用し
た弘ターゲットのスパッタリング装置の概略図、第３図
は実施例において作成した磁気記録媒体のＱｒ下地膜の
膜厚と保磁力ＨＣとの関係を示す図、第μ図および第５
図は各々Ｃｒ下地膜の膜厚が／／７ｎｍおよび３ｊＯｎ
ｍの実施例により作成した磁気記録媒体の磁気的ヒステ
リシスを示す図、第６図は実施例−２に使用したインラ
イン型スパッタリング装置の概略を示す図、第１図は実
施例−λで作成した磁気ディスクの磁気的ヒステリシス
を示す図、第１図は実施例−λで作成した磁気ディスク
の再生波形エンベロープを示す図、第り図は単層型磁性
膜の磁性層膜厚と保磁力ＨＯと残留磁化）４ｒδとの関
係を示す図、第１Ｏ図は本発明の別実施例を示す図、第
１／図は従来のｃｏＮｉｃｒ磁性膜を用いた磁気記録媒
体の概略を示す断面図、第１−図はＣＯ磁性膜を用いた
従来の多層磁性膜型磁気記録媒体の概略を示す断面図で
ある。 ４ 保護膜 第１図 断面図 第２図 第３図 第４図 第１因 トー １ 周 −＋ （Ｑ）外周 （ｂ）内周 第８図 第１０囚 第１１図
媒体の概略断面図、第２図は実施例−／において使用し
た弘ターゲットのスパッタリング装置の概略図、第３図
は実施例において作成した磁気記録媒体のＱｒ下地膜の
膜厚と保磁力ＨＣとの関係を示す図、第μ図および第５
図は各々Ｃｒ下地膜の膜厚が／／７ｎｍおよび３ｊＯｎ
ｍの実施例により作成した磁気記録媒体の磁気的ヒステ
リシスを示す図、第６図は実施例−２に使用したインラ
イン型スパッタリング装置の概略を示す図、第１図は実
施例−λで作成した磁気ディスクの磁気的ヒステリシス
を示す図、第１図は実施例−λで作成した磁気ディスク
の再生波形エンベロープを示す図、第り図は単層型磁性
膜の磁性層膜厚と保磁力ＨＯと残留磁化）４ｒδとの関
係を示す図、第１Ｏ図は本発明の別実施例を示す図、第
１／図は従来のｃｏＮｉｃｒ磁性膜を用いた磁気記録媒
体の概略を示す断面図、第１−図はＣＯ磁性膜を用いた
従来の多層磁性膜型磁気記録媒体の概略を示す断面図で
ある。 ４ 保護膜 第１図 断面図 第２図 第３図 第４図 第１因 トー １ 周 −＋ （Ｑ）外周 （ｂ）内周 第８図 第１０囚 第１１図
Claims (7)
- （１）基体の上に下地膜が被覆され、該下地膜の上にＣ
ｏＮｉ系合金磁性膜が被覆された磁気記録媒体において
、該ＣｏＮｉ系合金磁性膜が非磁性中間層により分割さ
れていることを特徴とする磁気記録媒体。 - （２）該非磁性中間層により分割されたＣｏＮｉ系合金
磁性膜の一層の厚さが１５〜４０ｎｍである特許請求の
範囲第１項記載の磁気記録媒体。 - （３）該非磁性中間層の厚さが１０〜１５ｎｍである特
許請求の範囲第１項又は第２項記載の磁気記録媒体。 - （４）該ＣｏＮｉ系合金磁性膜がＣｏ＿１＿０＿０＿−
＿α＿−＿βＮｉ＿αＭ＿β｛ただし１５≦α≦３５、
０≦β≦１５、ＭはＣｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｔ
よりなる群より選ばれた少なくとも１種の金属｝である
特許請求の範囲第１項ないし第３項記載の磁気記録媒体
。 - （５）該ＣｏＮｉ系合金磁性膜がＣｏ＿１＿０＿０＿−
＿α＿−＿βＮｉ＿αＣｒ＿β｛ただし２５≦α≦３２
、５≦β≦１０｝である特許請求の範囲第１項ないし第
４項記載の磁気記録媒体。 - （６）該非磁性中間層がＣｒ膜である特許請求の範囲第
１項ないし第５項記載の磁気記録媒体。 - （７）該基体がガラス体又はＮｉＰメッキされたＡｌ基
板である特許請求の範囲第１項ないし第６項記載の磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP106688A JPH01178119A (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP106688A JPH01178119A (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01178119A true JPH01178119A (ja) | 1989-07-14 |
Family
ID=11491158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP106688A Pending JPH01178119A (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01178119A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5414712A (en) * | 1977-07-05 | 1979-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metal thin-film type magnetic recording medium |
| JPS5634139A (en) * | 1979-08-22 | 1981-04-06 | Ulvac Corp | Magnetic recording medium |
| JPS62157323A (ja) * | 1985-12-29 | 1987-07-13 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
-
1988
- 1988-01-06 JP JP106688A patent/JPH01178119A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5414712A (en) * | 1977-07-05 | 1979-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metal thin-film type magnetic recording medium |
| JPS5634139A (en) * | 1979-08-22 | 1981-04-06 | Ulvac Corp | Magnetic recording medium |
| JPS62157323A (ja) * | 1985-12-29 | 1987-07-13 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
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