JPH01168036A - 半導体素子のボンディング用被覆線 - Google Patents

半導体素子のボンディング用被覆線

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JPH01168036A
JPH01168036A JP62328010A JP32801087A JPH01168036A JP H01168036 A JPH01168036 A JP H01168036A JP 62328010 A JP62328010 A JP 62328010A JP 32801087 A JP32801087 A JP 32801087A JP H01168036 A JPH01168036 A JP H01168036A
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白川　信次
Sukehito Iga
祐人 伊賀
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体素子のチップ電極と外部リードを接続づ
る導線として用いられる被覆ｍにｌ１１１ｊる。
（従来の技術） 半導体デバイスが高密度化・高集積化するに従い、ボン
ディングワイヤは狭い面積に多数ワイヤボンディングさ
れることになる。その結果、従来から使われているボン
デイングワイＩｔ　（例えば金線、アルミニウム線、銅
線等）ではデバイスを樹脂封止するときにボンディング
ワイヤ同士が接触して電気的に短絡しやすくなる。この
ような点を改善するものとして、エナメル被ＷＩＩｉｌ
やポリウレタン被覆線（特開昭６１−１９４７３号）等
がある。また、ボンデイングワイＶはその表面に酸化膜
が出来るとボンダビリティ−が悪くなる。
前述の被覆線はアルミニウム線、銅線等、線表面に酸化
膜ができやすいボンディングワイヤに比べてボンダビリ
ティ−を悪化させることがないという利点も合わせ持っ
ている。
（発明が解決しようとする問題点） ところで、斯くの如き利点を右゛するエナメル被覆線や
ポリウレタン被覆線においても次の問題を抱えている。
ボール形成時に樹脂の炭化物が残ったり、キャピラリー
内面との滑りが悪くて詰ったり、異物を発生さＵたすす
るなど、被覆樹脂が原因どなるボンダビリティ−の問題
がある。
そこで本発明者は被覆樹脂に注［［シ、■線の酸化防止
と絶縁、■ボールを形成する手段として用いる電気アー
クを利用して積極的に還元性雰囲気をつくって酸化物を
除去する、■炭化物が形成されない、Ｏａ＋擦係数が小
さく潤滑性に富む、などの諸特性全てが満たされる被覆
樹脂を検討した。
そして本発明者は、ｒｌＪ擦係数が小さくて潤滑性に富
む弗素樹脂に着目し検討した結果、■〜■の各項が満足
されることを突きとめたが、０項の絶縁性の問題が以前
として解決されずに残り、ざらに○第２ボンドで不圧着
を起こすというボンダビリティ−の新たな問題が生じた
。
本発明者はさらに研究を進め、その結果、０項の絶縁性
の問題は、被覆膜厚が０．５μ未満であると解消されな
いものの、０．５μ以上であれば解決できること、又、
第２ボンドで不圧着を起こすボンダビリティ−の問題は
、被１ｉｌｌｉ厚が３μを超えると問題を生じるが、３
μ以下であればその不圧着が起らないことを知見し、本
発明を完成したものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、被覆膜厚が０，５〜３μになるように弗素樹
脂を形成したことを特徴とする。
（実施例） 以下、本発明の実施の一例を詳細に説明する。
被覆線（Ａ）は金属、アルミニウム線、銅線などの金属
線（１）に弗素樹脂からなる被覆１１１（２）をその膜
厚が０．５〜３μの範囲に形成している。
次に被覆線（Ａ＞の製造例を、図面に例示した被覆銅線
の場合で説明する。
高純度銅縮装の金属線（１）を脱脂処理した後、この金
１に線（１）に弗化ビニル塗料をローラコート法により
膜厚が１μとなるようにコーティングし、モしてキユア
リングして、膜厚が１μの弗素樹脂製被１１１（２＞を
有する被覆Ｉ１８！（Ａ）すなわち被覆銅線を得た。
取去は本発明の被覆線（Ａ）が、優れていることを比較
例工〜Ｖとの関係で示している。
本発明、被覆膜二弗素樹脂　、膜厚：０．５〜３μＩ　
、被覆膜：弗素樹脂　、膜厚：０．５μ未満■　、被覆
膜：弗素樹脂　、膜厚：３μ超■　、被覆膜：エナメル
樹脂 ■　、被覆膜：ポリウレタン樹脂 ■　、裸線 （発明の効果） したがって本発明によれば、次の利点がある。
■絶縁性に優れ、しかも被覆膜自体が積極的に酸化物を
除去する還元性雰囲気をつくり出して酸化膜の発生を抑
止して酸化膜ができす、さらに被覆樹脂の炭化物もなく
、キセピラリー内面との滑りが良くて請りがなく、そし
て第２ボンドで不圧着を起こすこともないところの絶縁
性並びにボンダビリティ−ともに良好である特徴がある
。
■高密度・高集積化が進んでいる半導体のボンディング
用に有益である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明被覆線の一実施例を示す正面図。 第２図はＩＩ−ＩＩ線に沿える縦断面図である。 図中 く１）は金属線 （２）は被覆膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　被覆膜が弗素樹脂で形成され且つその膜厚が０．５〜
    ３μに設定されていることを特徴とする半導体素子のボ
    ンディング用被覆線。
JP62328010A 1987-12-23 1987-12-23 半導体素子のボンディング用被覆線 Expired - Lifetime JP2575163B2 (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5799749A (en) * 1980-12-12 1982-06-21 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS62265735A (ja) * 1986-05-14 1987-11-18 Nec Corp Ｉｃパツケ−ジ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5799749A (en) * 1980-12-12 1982-06-21 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS62265735A (ja) * 1986-05-14 1987-11-18 Nec Corp Ｉｃパツケ−ジ

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