JP2637073B2 - 整流装置 - Google Patents
整流装置Info
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- JP2637073B2 JP2637073B2 JP61008038A JP803886A JP2637073B2 JP 2637073 B2 JP2637073 B2 JP 2637073B2 JP 61008038 A JP61008038 A JP 61008038A JP 803886 A JP803886 A JP 803886A JP 2637073 B2 JP2637073 B2 JP 2637073B2
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- JP
- Japan
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- resin
- capacitor
- rectifier
- protective layer
- sealing resin
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明はダイオードとともにセラミックコンデンサ
を樹脂封止した構造の整流装置に関し、特に、セラミッ
クコンデンサに絶縁耐圧等の劣化が生じないように改良
された整流装置に関するものである。
を樹脂封止した構造の整流装置に関し、特に、セラミッ
クコンデンサに絶縁耐圧等の劣化が生じないように改良
された整流装置に関するものである。
［発明の技術的背景］ 自動車等に搭載される整流装置として第７図に示す構
造の整流装置が知られている。
造の整流装置が知られている。
第７図において、１は絶縁材から成る基板、２は該基
板１上に接着されたケース、７はダイオード、５は正極
側端子、６は負極側端子、８はエポキシ樹脂から成る封
止樹脂、３はスキャイキャップ型のセラミック積層コン
デンサである。
板１上に接着されたケース、７はダイオード、５は正極
側端子、６は負極側端子、８はエポキシ樹脂から成る封
止樹脂、３はスキャイキャップ型のセラミック積層コン
デンサである。
［背景技術の問題点］ 前記の如き構造の従来の整流装置では、次のような原
因の相互作用によって該コンデンサに亀裂が発生しやす
く、そのためコンデンサの絶縁耐圧が劣化するという現
象が生じていた。
因の相互作用によって該コンデンサに亀裂が発生しやす
く、そのためコンデンサの絶縁耐圧が劣化するという現
象が生じていた。
（ａ）コンデンサの構成素材であるセラミックの引張強
度にバラツキが多い（例えば2kg〜60kg）。
度にバラツキが多い（例えば2kg〜60kg）。
（ｂ）エポキシ樹脂の硬化温度が高いと特に樹脂の体積
収縮量が大きくなる。
収縮量が大きくなる。
（ｃ）コンデンサ本体とその表面のコーティング材とは
接着強度が大きく、また該コーティング材と封止樹脂と
も接着強度が高いので、封止樹脂の硬化後は封止樹脂に
作用する外力や封止樹脂の変形が直接にコンデンサ本体
に作用する。
接着強度が大きく、また該コーティング材と封止樹脂と
も接着強度が高いので、封止樹脂の硬化後は封止樹脂に
作用する外力や封止樹脂の変形が直接にコンデンサ本体
に作用する。
［発明の目的］ この発明の目的は、コンデンサに生ずる応力を緩和し
て該コンデンサに亀裂等の発生する恐れが少ない、改良
された整流装置を提供することである。
て該コンデンサに亀裂等の発生する恐れが少ない、改良
された整流装置を提供することである。
［発明の概要］ 本発明による整流装置では、封止樹脂に対する接着力
が低いゴム系でない第二の樹脂であるふっ素樹脂又は離
型剤を、封止前に予め、セラミックコンデンサ保護層表
面にコーティングしておくことにより、該コンデンサ本
体に該コンデンサ以外の外力が作用することを防止した
ことを特徴とする。またコンデンサとして、コンデンサ
本体に直接ゴム系でない第二の樹脂であるふっ素樹脂又
は離型剤を適用しそのうえにコンデンサ保護層を形成し
たもののように、コンデンサ保護層の下層に該第二の樹
脂を形成したものを使用することを特徴とする。第二の
樹脂は封止樹脂（すなわち第一の樹脂）や保護層に対し
て接着力が低いために、硬化時における封止樹脂の体積
収縮や変形が生ずると第一の樹脂と第二の樹脂との接着
界面にずれが生じ、従って、コンデンサに亀裂の発生す
る前に生じたずれによってコンデンサ本体が外力から保
護される。このゴム系でない第二の樹脂としては、ふっ
素樹脂又は離型剤が使用されるのである。
が低いゴム系でない第二の樹脂であるふっ素樹脂又は離
型剤を、封止前に予め、セラミックコンデンサ保護層表
面にコーティングしておくことにより、該コンデンサ本
体に該コンデンサ以外の外力が作用することを防止した
ことを特徴とする。またコンデンサとして、コンデンサ
本体に直接ゴム系でない第二の樹脂であるふっ素樹脂又
は離型剤を適用しそのうえにコンデンサ保護層を形成し
たもののように、コンデンサ保護層の下層に該第二の樹
脂を形成したものを使用することを特徴とする。第二の
樹脂は封止樹脂（すなわち第一の樹脂）や保護層に対し
て接着力が低いために、硬化時における封止樹脂の体積
収縮や変形が生ずると第一の樹脂と第二の樹脂との接着
界面にずれが生じ、従って、コンデンサに亀裂の発生す
る前に生じたずれによってコンデンサ本体が外力から保
護される。このゴム系でない第二の樹脂としては、ふっ
素樹脂又は離型剤が使用されるのである。
［発明の実施例］ 以下に第１図乃至第５図を参照して本発明の実施例を
説明する。なお、第１図乃至第５図において、第７図と
同じ符号で表示された部分は従来の整流装置と同じ構成
部品である。
説明する。なお、第１図乃至第５図において、第７図と
同じ符号で表示された部分は従来の整流装置と同じ構成
部品である。
第１図は本発明による改良された整流装置の平面図、
第２図は第１図のII−II線に沿う断面図、第３図は本発
明の整流装置に組み込まれているコンデンサの正面図、
第４図は第３図のIV−IV断面図である。
第２図は第１図のII−II線に沿う断面図、第３図は本発
明の整流装置に組み込まれているコンデンサの正面図、
第４図は第３図のIV−IV断面図である。
第１図において、4a〜4cは入力端子、31は本発明によ
り予め第二の樹脂をコーティングしたセラミックコンデ
ンサである。
り予め第二の樹脂をコーティングしたセラミックコンデ
ンサである。
第４図は第３図のIV−IV矢視断面図である。同図に示
されるように、コンデンサ本体31aの表面は保護層31bで
コーティングされているが、該保護層31bの表面には封
止樹脂８との接着性の悪い第二の樹脂31cがコーティン
グされている。従って、封止樹脂８が硬化した時には封
止樹脂８と第二の樹脂31cとはたとえ接触していても相
互に強く接着された状態とはならないので、封止樹脂８
に生ずる熱応力等がコンデンサ本体31aに伝達される割
合が小さくなり、従ってコンデンサ本体31aに亀裂など
を生じさせる事態を未然に防止することができる。
されるように、コンデンサ本体31aの表面は保護層31bで
コーティングされているが、該保護層31bの表面には封
止樹脂８との接着性の悪い第二の樹脂31cがコーティン
グされている。従って、封止樹脂８が硬化した時には封
止樹脂８と第二の樹脂31cとはたとえ接触していても相
互に強く接着された状態とはならないので、封止樹脂８
に生ずる熱応力等がコンデンサ本体31aに伝達される割
合が小さくなり、従ってコンデンサ本体31aに亀裂など
を生じさせる事態を未然に防止することができる。
第５図は他の実施例のコンデンサ31Aを示したもので
あり、この実施例では前記保護層と第二の樹脂のコーテ
ィング順序を反対にして、第二の樹脂31cをコンデンサ
本体31aの表面に直接にコーティングし、保護層31bを第
二の樹脂31cの表面にコーティングしてある。この場合
も、封止樹脂８と殆ど同じエポキシ樹脂などの保護層31
bに対して第二の樹脂31cが殆ど接着しないため、封止樹
脂８の硬化時には第二の樹脂31cの表面と保護層31bとの
界面にはわずかのずれが生じた状態となり、従って、封
止樹脂８の収縮による外力がコンデンサ本体に直接に伝
達されず、コンデンサ本体31aを外力から保護すること
ができる。
あり、この実施例では前記保護層と第二の樹脂のコーテ
ィング順序を反対にして、第二の樹脂31cをコンデンサ
本体31aの表面に直接にコーティングし、保護層31bを第
二の樹脂31cの表面にコーティングしてある。この場合
も、封止樹脂８と殆ど同じエポキシ樹脂などの保護層31
bに対して第二の樹脂31cが殆ど接着しないため、封止樹
脂８の硬化時には第二の樹脂31cの表面と保護層31bとの
界面にはわずかのずれが生じた状態となり、従って、封
止樹脂８の収縮による外力がコンデンサ本体に直接に伝
達されず、コンデンサ本体31aを外力から保護すること
ができる。
ちなみに、第７図に示した従来の整流装置では、第８
図に示すようにコンデンサ３の保護層表面には封止樹脂
と同じエポキシ樹脂のコーティング層81が形成されてい
たので、封止樹脂８の硬化時には該コーティング層81と
封止樹脂８とが一体化され、その結果、封止樹脂８の熱
特性とコンデンサ３の熱特性との差異による熱応力がコ
ンデンサ３に亀裂を生じさせる結果を招いていた。
図に示すようにコンデンサ３の保護層表面には封止樹脂
と同じエポキシ樹脂のコーティング層81が形成されてい
たので、封止樹脂８の硬化時には該コーティング層81と
封止樹脂８とが一体化され、その結果、封止樹脂８の熱
特性とコンデンサ３の熱特性との差異による熱応力がコ
ンデンサ３に亀裂を生じさせる結果を招いていた。
［発明の効果］ 前記の如き構造の本発明の整流装置と従来の整流装置
との装置完成直後におけるコンデンサ耐圧劣化率を以下
の第１表に比較表示する。
との装置完成直後におけるコンデンサ耐圧劣化率を以下
の第１表に比較表示する。
また、各整流装置に対して、−40℃に30分間放置した
後に＋150℃に30分間放置する操作を１サイクルとする
熱衝撃テストを行った結果を第６図に示す。第６図にお
いて、直線L1で示されるのが、従来技術の整流装置にお
ける不良率の推移であり、また直線L2で示されるのが本
発明の整流装置における不良率の推移である。
後に＋150℃に30分間放置する操作を１サイクルとする
熱衝撃テストを行った結果を第６図に示す。第６図にお
いて、直線L1で示されるのが、従来技術の整流装置にお
ける不良率の推移であり、また直線L2で示されるのが本
発明の整流装置における不良率の推移である。
第６図から明らかであるように、本発明の整流装置に
おける不良発生率は従来の整流装置のそれよりもはるか
に低く、熱衝撃耐性が従来装置よりもはるかにすぐれて
いることがわかる。
おける不良発生率は従来の整流装置のそれよりもはるか
に低く、熱衝撃耐性が従来装置よりもはるかにすぐれて
いることがわかる。
それ故、本発明によれば、コンデンサに亀裂等が発生
する恐れの少ない、改良された整流装置を提供すること
ができる。
する恐れの少ない、改良された整流装置を提供すること
ができる。
第１図は本発明による整流装置の平面図、第２図は第１
図装置をII−II線で切断した部分断面図、第３図は第１
図の装置に包含されているコンデンサの正面図、第４図
は第３図のIV−IV矢視断面図、第５図は第４図の断面と
同じ位置で切断した他の実施例のコンデンサの断面図、
第６図は本発明による整流装置と従来の整流装置とに対
する熱衝撃テストの結果を比較表示したグラフ、第７図
は従来の整流装置の断面図、第８図は従来の整流装置に
包含されるコンデンサを第３図のIV−IV線で切断した状
態の断面図である。 １……基板、２……ケース、３……セラミック積層コン
デンサ、4a〜4c……入力端子、５……正極側端子、６…
…負極側端子、７……ダイオード、８……第一の樹脂
（封止樹脂）、31,31A……セラミックコンデンサ、31a
……コンデンサ本体、31b,81……保護層、31c……第二
の樹脂。
図装置をII−II線で切断した部分断面図、第３図は第１
図の装置に包含されているコンデンサの正面図、第４図
は第３図のIV−IV矢視断面図、第５図は第４図の断面と
同じ位置で切断した他の実施例のコンデンサの断面図、
第６図は本発明による整流装置と従来の整流装置とに対
する熱衝撃テストの結果を比較表示したグラフ、第７図
は従来の整流装置の断面図、第８図は従来の整流装置に
包含されるコンデンサを第３図のIV−IV線で切断した状
態の断面図である。 １……基板、２……ケース、３……セラミック積層コン
デンサ、4a〜4c……入力端子、５……正極側端子、６…
…負極側端子、７……ダイオード、８……第一の樹脂
（封止樹脂）、31,31A……セラミックコンデンサ、31a
……コンデンサ本体、31b,81……保護層、31c……第二
の樹脂。
フロントページの続き (72)発明者 森口 浩治 川崎市幸区堀川町72 株式会社東芝堀川 町工場内 (56)参考文献 特開 昭51−18850（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】保護層で被覆されているセラミックコンデ
ンサを内蔵するとともに第一の樹脂で樹脂封止された構
造の整流装置において、 セラミックコンデンサの該保護層の表面に、該第一の樹
脂に対して接着が困難なゴム系でない第二の樹脂とし
て、ふっ素樹脂又は離型剤がコーティングされているこ
とを特徴とする整流装置。 - 【請求項２】保護層で被覆されているセラミックコンデ
ンサを内蔵するとともに第一の樹脂で樹脂封止された構
造の整流装置において、 セラミックコンデンサの該保護層の下層に、該保護層に
対して接着が困難なゴム系でない第二の樹脂として、ふ
っ素樹脂又は離型剤がコーティングされていることを特
徴とする整流装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61008038A JP2637073B2 (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 整流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61008038A JP2637073B2 (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 整流装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62166778A JPS62166778A (ja) | 1987-07-23 |
| JP2637073B2 true JP2637073B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=11682168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61008038A Expired - Lifetime JP2637073B2 (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 整流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2637073B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01103163A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-20 | Toshiba Corp | 半導体整流装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5118850A (ja) * | 1974-08-08 | 1976-02-14 | Soshin Electric |
-
1986
- 1986-01-20 JP JP61008038A patent/JP2637073B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62166778A (ja) | 1987-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |