JPH0116780B2 - - Google Patents
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- JPH0116780B2 JPH0116780B2 JP59502417A JP50241784A JPH0116780B2 JP H0116780 B2 JPH0116780 B2 JP H0116780B2 JP 59502417 A JP59502417 A JP 59502417A JP 50241784 A JP50241784 A JP 50241784A JP H0116780 B2 JPH0116780 B2 JP H0116780B2
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- silica
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01B3/08—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances quartz; glass; glass wool; slag wool; vitreous enamels
- H01B3/087—Chemical composition of glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J17/00—Gas-filled discharge tubes with solid cathode
- H01J17/38—Cold-cathode tubes
- H01J17/48—Cold-cathode tubes with more than one cathode or anode, e.g. sequence-discharge tube, counting tube, dekatron
- H01J17/49—Display panels, e.g. with crossed electrodes, e.g. making use of direct current
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- Glass Compositions (AREA)
Description
請求の範囲
１ 厚膜誘電層を形成するための誘電体インクで
あつて、 鉛を含有しないガラスフリツトバインダ、シリ
カ、顔料およびビヒクルを含み、 前記ガラスフリツトは、重量で約20％のSiO2、
重量で約20％のB2O3、重量で約３％のCaO、重
量で約40％のZnO、重量で約５％のAl2O3、重量
で約７％のNa2O、重量で約４％のK2Oおよび重
量で約１％のLi2Oを含む組成物を有し、 前記インク組成物は600℃以下の温度で焼成可
能である、誘電体インク。 ２ 前記シリカは所定量の無定形シリカと所定量
のアークプロセスされたシリカを含む、請求の範
囲第１項記載の誘電体インク。 ３ 前記ビヒクルはエチルセルロースと種々の有
機溶剤とを含む、請求の範囲第１項記載の誘電体
インク。 ４ 前記無定形シリカは約10μの粒径を有しかつ
前記アークプロセスされたシリカは約0.2〜約1μ
の範囲の粒径を有する、請求の範囲第２項記載の
誘電体インク。 ５ 前記顔料は鉄クロマイトブラツクスピネルで
ある、請求の範囲第３項記載の誘電体インク。 ６ 前記顔料は約３〜5μの粒径を有する鉄クロ
マイトブラツクスピネルである、請求の範囲第３
項記載の誘電体インク。 ７ 前記ガラスフリツトバインダは、約17重量％
であり、前記シリカは約18重量％であり、残余は
ビヒクルである、請求の範囲第１項記載の誘電体
インク。 ８ 前記ビヒクルはエチルセルロースとアルフア
テルピネオールを含む種々の有機溶剤とを含む、
請求の範囲第７項記載の誘電体インク。 発明の背景 多形式のガスプラズマデイスプレイ装置が現在
広く用いられている。これらの装置のすべては電
極、電極導線および種々の型の誘電層を含む。誘
電層は電極のための下塗りを供給し、電極を互い
から絶縁し、導体連を覆い、その他同種類のこと
を含むいくつかの機能を為遂げる。これらの誘電
層はソーダ石灰ガラス板上に誘電組成物を析出
し、それから望まれる層を形成するため焼成する
ことによつて形成される。 これらの誘電組成物は一般的にガラスフリツ
ト、１つまたはそれ以上の耐火性フイラー、無機
顔料および有機質ビヒクルとからなる。このよう
な組成物は通常ペーストまたはインクと呼ばれ
る。このような材料の使用において、光学的、物
理的および電気的特性を含む様々なフアクタが考
慮に入れられなければならず、これらの誘電体の
ためのガラスの選択において、考慮すべき主なフ
アクタは熱膨張係数と軟化温度と使用温度であ
る。 今日に至るまで、好ましい基板材料としてソー
ダ石灰フロートガラスを採用する種々のタイプの
デイスプレイパネルにおける使用のために適当な
ガラスは、すべて鉛を含んでいた。鉛ガラスのみ
が、要求される特性を達することができることが
見出されたがその使用温度はガラス基板の歪みを
防止するために必要とされる590℃以下である。
周知のように、鉛は製造のプロセスにおいて望ま
しくない元素である。これらの鉛ガラスは製作操
作の間の熱的プロセスやデバイスオペレーシヨン
の間にそれらが遭遇したような高電場によつて劣
化される。加えて、鉛を含有するガラスの使用は
潜在的環境のおよび人員の健康の問題をもたら
し、複雑で高価な保護方法がこれらの問題を緩和
するために必要とされる。 この発明は鉛を含有しないガラスフリツトを含
みかつデイスプレイパネルやそれに類するデバイ
スに使用できる新規な誘電体組成物を提供する。
この組成物は導体連の層を絶縁する多層誘電体コ
ーテイングと、導体連とガスプラズマとの間の低
価格なガラスの黒い絶縁体層を供給するマスク誘
電体コーテイングとを与えるために定式化され
る。 図面の説明 第１図はこの発明の誘電組成物を用いることが
できる１つのタイプのデイスプレイパネルの部分
の斜視図であり、かつ 第２図はこの発明の誘電体組成物を用いること
ができる他のタイプのデイスプレイパネルの部分
の斜視図である。 発明の説明 この発明の誘電体組成物は多くの異なるタイプ
のデイスプレイ装置においてかつそのようなデバ
イスにおいて異なる方法で使用されることができ
る。これらの装置は、PANAPLEXパネル、バ
ーグラフ、SELF−SCANパネル、SELF−
SCANメモリパネル等として知られたタイプのガ
スプラズマデイスプレイ装置を含む。 第１図に示したセグメントパネル１０の一部分
は、通常ソーダ石灰ガラスのガラスベースプレー
ト２０を含み、その上には複数のグローカソード
電極３０とそれらの導体連４０とが導体インクを
用いてスクリーン印刷される。この発明を実施す
る誘電体組成物の層５０はカソードとそれらの連
の上にスクリーン印刷され、開口６０はカソード
のまわりに設けられる。パネルフエースプレート
７０はカソードに対しかつカソードを覆う少なく
とも１つの透明な導体アノード８０を有する。こ
れらのパネルに含まれる他の特徴は第１図には示
されていないが、しかし当業者には十分知られて
いる。このタイプのパネルは、ここで参照により
援用されるGeorge A.Kupskyの1973年３月13日
付のアメリカ合衆国特許3720452に示されている。 バーグラフ９０の一部分は第２図に示され、そ
してこのデバイスはガラスベースプレート１００
を含み、その上にはカソード棒１１０の列が互い
に平行なカソードの列に沿つて延びている複数の
導体連１２０とともにスクリーン印刷される。１
つまたはそれ以上の誘電層１３０は、この発明の
組成物によつて作られるが、カソードの輪郭を描
くベースプレート上に備えられかつ導体連上にバ
イアス１４０を有し、導体１５０はカソードが群
を成して接続されるように選択されたカソードを
適当なバイアスを経て同じ導体連１２０と接続す
る。１つまたはそれ以上の誘電層１３０はこれら
の接続導体を覆いかつカソード要素の輪郭を描
く。バーグラフは第１図に示されているようにフ
エースプレートと適当な透明アノードとを含む。
バーグラフはここで参照により援用される
Thomas C.Maloneyの1976年８月３日付のアメ
リカ合衆国特許3973166に示されている。 この発明の誘電組成物は次の成分を指示された
重量％量含む。
あつて、 鉛を含有しないガラスフリツトバインダ、シリ
カ、顔料およびビヒクルを含み、 前記ガラスフリツトは、重量で約20％のSiO2、
重量で約20％のB2O3、重量で約３％のCaO、重
量で約40％のZnO、重量で約５％のAl2O3、重量
で約７％のNa2O、重量で約４％のK2Oおよび重
量で約１％のLi2Oを含む組成物を有し、 前記インク組成物は600℃以下の温度で焼成可
能である、誘電体インク。 ２ 前記シリカは所定量の無定形シリカと所定量
のアークプロセスされたシリカを含む、請求の範
囲第１項記載の誘電体インク。 ３ 前記ビヒクルはエチルセルロースと種々の有
機溶剤とを含む、請求の範囲第１項記載の誘電体
インク。 ４ 前記無定形シリカは約10μの粒径を有しかつ
前記アークプロセスされたシリカは約0.2〜約1μ
の範囲の粒径を有する、請求の範囲第２項記載の
誘電体インク。 ５ 前記顔料は鉄クロマイトブラツクスピネルで
ある、請求の範囲第３項記載の誘電体インク。 ６ 前記顔料は約３〜5μの粒径を有する鉄クロ
マイトブラツクスピネルである、請求の範囲第３
項記載の誘電体インク。 ７ 前記ガラスフリツトバインダは、約17重量％
であり、前記シリカは約18重量％であり、残余は
ビヒクルである、請求の範囲第１項記載の誘電体
インク。 ８ 前記ビヒクルはエチルセルロースとアルフア
テルピネオールを含む種々の有機溶剤とを含む、
請求の範囲第７項記載の誘電体インク。 発明の背景 多形式のガスプラズマデイスプレイ装置が現在
広く用いられている。これらの装置のすべては電
極、電極導線および種々の型の誘電層を含む。誘
電層は電極のための下塗りを供給し、電極を互い
から絶縁し、導体連を覆い、その他同種類のこと
を含むいくつかの機能を為遂げる。これらの誘電
層はソーダ石灰ガラス板上に誘電組成物を析出
し、それから望まれる層を形成するため焼成する
ことによつて形成される。 これらの誘電組成物は一般的にガラスフリツ
ト、１つまたはそれ以上の耐火性フイラー、無機
顔料および有機質ビヒクルとからなる。このよう
な組成物は通常ペーストまたはインクと呼ばれ
る。このような材料の使用において、光学的、物
理的および電気的特性を含む様々なフアクタが考
慮に入れられなければならず、これらの誘電体の
ためのガラスの選択において、考慮すべき主なフ
アクタは熱膨張係数と軟化温度と使用温度であ
る。 今日に至るまで、好ましい基板材料としてソー
ダ石灰フロートガラスを採用する種々のタイプの
デイスプレイパネルにおける使用のために適当な
ガラスは、すべて鉛を含んでいた。鉛ガラスのみ
が、要求される特性を達することができることが
見出されたがその使用温度はガラス基板の歪みを
防止するために必要とされる590℃以下である。
周知のように、鉛は製造のプロセスにおいて望ま
しくない元素である。これらの鉛ガラスは製作操
作の間の熱的プロセスやデバイスオペレーシヨン
の間にそれらが遭遇したような高電場によつて劣
化される。加えて、鉛を含有するガラスの使用は
潜在的環境のおよび人員の健康の問題をもたら
し、複雑で高価な保護方法がこれらの問題を緩和
するために必要とされる。 この発明は鉛を含有しないガラスフリツトを含
みかつデイスプレイパネルやそれに類するデバイ
スに使用できる新規な誘電体組成物を提供する。
この組成物は導体連の層を絶縁する多層誘電体コ
ーテイングと、導体連とガスプラズマとの間の低
価格なガラスの黒い絶縁体層を供給するマスク誘
電体コーテイングとを与えるために定式化され
る。 図面の説明 第１図はこの発明の誘電組成物を用いることが
できる１つのタイプのデイスプレイパネルの部分
の斜視図であり、かつ 第２図はこの発明の誘電体組成物を用いること
ができる他のタイプのデイスプレイパネルの部分
の斜視図である。 発明の説明 この発明の誘電体組成物は多くの異なるタイプ
のデイスプレイ装置においてかつそのようなデバ
イスにおいて異なる方法で使用されることができ
る。これらの装置は、PANAPLEXパネル、バ
ーグラフ、SELF−SCANパネル、SELF−
SCANメモリパネル等として知られたタイプのガ
スプラズマデイスプレイ装置を含む。 第１図に示したセグメントパネル１０の一部分
は、通常ソーダ石灰ガラスのガラスベースプレー
ト２０を含み、その上には複数のグローカソード
電極３０とそれらの導体連４０とが導体インクを
用いてスクリーン印刷される。この発明を実施す
る誘電体組成物の層５０はカソードとそれらの連
の上にスクリーン印刷され、開口６０はカソード
のまわりに設けられる。パネルフエースプレート
７０はカソードに対しかつカソードを覆う少なく
とも１つの透明な導体アノード８０を有する。こ
れらのパネルに含まれる他の特徴は第１図には示
されていないが、しかし当業者には十分知られて
いる。このタイプのパネルは、ここで参照により
援用されるGeorge A.Kupskyの1973年３月13日
付のアメリカ合衆国特許3720452に示されている。 バーグラフ９０の一部分は第２図に示され、そ
してこのデバイスはガラスベースプレート１００
を含み、その上にはカソード棒１１０の列が互い
に平行なカソードの列に沿つて延びている複数の
導体連１２０とともにスクリーン印刷される。１
つまたはそれ以上の誘電層１３０は、この発明の
組成物によつて作られるが、カソードの輪郭を描
くベースプレート上に備えられかつ導体連上にバ
イアス１４０を有し、導体１５０はカソードが群
を成して接続されるように選択されたカソードを
適当なバイアスを経て同じ導体連１２０と接続す
る。１つまたはそれ以上の誘電層１３０はこれら
の接続導体を覆いかつカソード要素の輪郭を描
く。バーグラフは第１図に示されているようにフ
エースプレートと適当な透明アノードとを含む。
バーグラフはここで参照により援用される
Thomas C.Maloneyの1976年８月３日付のアメ
リカ合衆国特許3973166に示されている。 この発明の誘電組成物は次の成分を指示された
重量％量含む。
【表】
シリカは約10μの粒径を持つ無定型シリカで
ありかつ主要な耐火性フイラー成分として用いら
れている。この成分の１つの市販の形態は
Whittaker、Clark and Daniels、Inc.のIMSIL
Ａ−10である。シリカはアークプロセスによつ
て製造されかつ約0.2μから約1μの粒径を有しかつ
インクの組織と焼成された誘電体を修正するため
に用いられる。このシリカはCabot Corporation
によつて販売されている。 Ｆ−3786は鉄クロマイトブラツクスピネル、
Fe（FeCr）2O4であり、約３〜5μの粒径を有しか
つFerro Corporationによつて製造されている。
この顔料はガスプラズマ環境の影響に特に耐える
ことが見出されている。代りの顔料が他の適用の
ために用いられてもよい。 ビヒクルにおいて、GAF Corprationによつて
製造されたCO 430とCiba−Geigy Corporation
によつて製造されたアミン−Ｔ（amine−Ｔ）と
は厚膜スクリーン印刷のために必要なレオロジカ
ルな特性を達するために用いられる界面活性剤で
ある。 無機質フラクシヨンの成分のための最適かつ使
用可能な範囲は上に示される。ビヒクルの定式化
とビヒクルフラクシヨンに対する無機質の割合と
における広範囲な変化が予定された適用のための
最終的なインクの組成物を最適化するために用い
られ得る。 そのガラスフリツトはRuvim Braudeによつて
これとともに同時に提出された“ガラス組成物と
そのガラスを組入れたガス充填されたデイスプレ
イパネル”（GLASS COMPOSITION AND
GAS−FILLED DISPLAY PANEL
INOCRPORATING THE GLASS）と題され
た出願において説明され、請求された鉛を含まな
いガラスから調整される。この鉛を含まないガラ
スはソーダ石灰ガラスの熱膨張係数と密に釣合う
熱膨張係数を有しかつ約12の誘電率を有する。こ
のガラスはまたソーダ石灰ガラスベースプレート
上で焼成されるとき光学的に透明である。加え
て、そのガラスは重大な軟化を起こさないで490
℃までの密封温度に耐えることができかつソーダ
石灰ベースプレートの歪みを防止するため600℃
以下で焼成され得る。 そのガラスは示された量だけ次の成分を含む。
ありかつ主要な耐火性フイラー成分として用いら
れている。この成分の１つの市販の形態は
Whittaker、Clark and Daniels、Inc.のIMSIL
Ａ−10である。シリカはアークプロセスによつ
て製造されかつ約0.2μから約1μの粒径を有しかつ
インクの組織と焼成された誘電体を修正するため
に用いられる。このシリカはCabot Corporation
によつて販売されている。 Ｆ−3786は鉄クロマイトブラツクスピネル、
Fe（FeCr）2O4であり、約３〜5μの粒径を有しか
つFerro Corporationによつて製造されている。
この顔料はガスプラズマ環境の影響に特に耐える
ことが見出されている。代りの顔料が他の適用の
ために用いられてもよい。 ビヒクルにおいて、GAF Corprationによつて
製造されたCO 430とCiba−Geigy Corporation
によつて製造されたアミン−Ｔ（amine−Ｔ）と
は厚膜スクリーン印刷のために必要なレオロジカ
ルな特性を達するために用いられる界面活性剤で
ある。 無機質フラクシヨンの成分のための最適かつ使
用可能な範囲は上に示される。ビヒクルの定式化
とビヒクルフラクシヨンに対する無機質の割合と
における広範囲な変化が予定された適用のための
最終的なインクの組成物を最適化するために用い
られ得る。 そのガラスフリツトはRuvim Braudeによつて
これとともに同時に提出された“ガラス組成物と
そのガラスを組入れたガス充填されたデイスプレ
イパネル”（GLASS COMPOSITION AND
GAS−FILLED DISPLAY PANEL
INOCRPORATING THE GLASS）と題され
た出願において説明され、請求された鉛を含まな
いガラスから調整される。この鉛を含まないガラ
スはソーダ石灰ガラスの熱膨張係数と密に釣合う
熱膨張係数を有しかつ約12の誘電率を有する。こ
のガラスはまたソーダ石灰ガラスベースプレート
上で焼成されるとき光学的に透明である。加え
て、そのガラスは重大な軟化を起こさないで490
℃までの密封温度に耐えることができかつソーダ
石灰ベースプレートの歪みを防止するため600℃
以下で焼成され得る。 そのガラスは示された量だけ次の成分を含む。
【表】
ガラスの調製において、種々の成分が約1100℃
の温度でプラチナるつぼ炉において溶解されほぼ
４時間その温度で保持される。慣用の粉砕操作が
そのガラスを約5μの粒径のフリツトにするため
に行なわれる。 使用のための誘電体の作製方法は重要なもので
はなく従来からの厚膜粉砕、混合および上に示さ
れた成分のスリーロールミルの高剪断混和によつ
て遂行されてもよい。 このペーストの組成物は特別な適用方法のため
に定式化の技術と、厚膜インク製造工業を通じて
よく知られた材料とを利用することにより最適化
されることができる。 示されたデバイスにおいて誘電層を作り上げる
ため、誘電ペーストは厚膜スクリーン印刷、ドク
ターブレーデイング、またはいかなる他の適当な
適用方法によつて適用されることができる。 この発明の誘電体はたとえそれが鉛を含まない
としても、説明されたデイスプレイパネルのため
に必要とされるすべての光学的、機械的および電
気的特質を備える誘電体コーテイングが580℃以
下の温度で形成されることができるという利点を
有する。それはまたパネル１０のいかなる構成要
素またはガス充填されたデイスプレイパネルの作
製のために正規に用いられたいかなる処理手順に
ついても、不利な反応を示さない。特に、還元雰
囲気はこの無反応性誘電体にとつてさらに効果的
に利用され得る。この誘電体を利用するデバイス
の有効寿命はまた延長されるであろう、というの
は昇温された温度、高電場およびガスプラズマ雰
囲気によつて加速される鉛ガラス誘電体組成物に
とつて固有の劣化のメカニズムが存在しないから
である。
の温度でプラチナるつぼ炉において溶解されほぼ
４時間その温度で保持される。慣用の粉砕操作が
そのガラスを約5μの粒径のフリツトにするため
に行なわれる。 使用のための誘電体の作製方法は重要なもので
はなく従来からの厚膜粉砕、混合および上に示さ
れた成分のスリーロールミルの高剪断混和によつ
て遂行されてもよい。 このペーストの組成物は特別な適用方法のため
に定式化の技術と、厚膜インク製造工業を通じて
よく知られた材料とを利用することにより最適化
されることができる。 示されたデバイスにおいて誘電層を作り上げる
ため、誘電ペーストは厚膜スクリーン印刷、ドク
ターブレーデイング、またはいかなる他の適当な
適用方法によつて適用されることができる。 この発明の誘電体はたとえそれが鉛を含まない
としても、説明されたデイスプレイパネルのため
に必要とされるすべての光学的、機械的および電
気的特質を備える誘電体コーテイングが580℃以
下の温度で形成されることができるという利点を
有する。それはまたパネル１０のいかなる構成要
素またはガス充填されたデイスプレイパネルの作
製のために正規に用いられたいかなる処理手順に
ついても、不利な反応を示さない。特に、還元雰
囲気はこの無反応性誘電体にとつてさらに効果的
に利用され得る。この誘電体を利用するデバイス
の有効寿命はまた延長されるであろう、というの
は昇温された温度、高電場およびガスプラズマ雰
囲気によつて加速される鉛ガラス誘電体組成物に
とつて固有の劣化のメカニズムが存在しないから
である。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US506813 | 1983-06-22 | ||
| US06/506,813 US4547467A (en) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | Dielectric composition and devices using it |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60501653A JPS60501653A (ja) | 1985-10-03 |
| JPH0116780B2 true JPH0116780B2 (ja) | 1989-03-27 |
Family
ID=24016114
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59502417A Granted JPS60501653A (ja) | 1983-06-22 | 1984-06-08 | 誘電体組成物 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4547467A (ja) |
| EP (1) | EP0130011B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60501653A (ja) |
| CA (1) | CA1221823A (ja) |
| DE (1) | DE3469629D1 (ja) |
| WO (1) | WO1985000163A1 (ja) |
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| US4849379A (en) * | 1988-01-28 | 1989-07-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
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1983
- 1983-06-22 US US06/506,813 patent/US4547467A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1984-06-08 WO PCT/US1984/000890 patent/WO1985000163A1/en unknown
- 1984-06-08 JP JP59502417A patent/JPS60501653A/ja active Granted
- 1984-06-12 DE DE8484303949T patent/DE3469629D1/de not_active Expired
- 1984-06-12 EP EP84303949A patent/EP0130011B1/en not_active Expired
- 1984-06-14 CA CA000456560A patent/CA1221823A/en not_active Expired
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1985000163A1 (en) | 1985-01-17 |
| EP0130011A2 (en) | 1985-01-02 |
| JPS60501653A (ja) | 1985-10-03 |
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| EP0130011B1 (en) | 1988-03-02 |
| CA1221823A (en) | 1987-05-19 |
| DE3469629D1 (en) | 1988-04-07 |
| US4547467A (en) | 1985-10-15 |
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