KR20070021720A - 평판 디스플레이 패널 - Google Patents

Abstract

본 발명은 평판 디스플레이 패널에 관한 것으로서, Bi2O3 또는 ZnO 중 적어도 어느 하나의 물질이 글라스 프릿에 형성되고, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 배면기판 글라스 프릿을 형성함에 있어 ROHS(Restriction of the use of certain Hazardous Substance)규제물질인 PbO대신 비중이 작은 Bi2O3 또는 ZnO 중 하나의 물질을 상기 글라스 프릿에 적용함으로서, 소성온도를 낮춤과 동시에 전극의 밀착성을 높여주는 효과가 있다.

플라즈마 디스플레이 패널, 배면기판, 글라스 프릿, 소성온도

Description

평판 디스플레이 패널 { A slat display panel }

도 1은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 구성이 도시된 사시도,

도 2는 본 발명에 따른 평판 디스플레이 패널의 배면기판을 도시한 사시도,

도 3은 본 발명에 따른 글라스 프릿이 포함된 평판 디스플레이 패널의 배면기판이 도시된 정면도,

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 Bi2O3 또는 ZnO를 함유한 글라스 프릿의 소성온도를 나타내는 그래프이다.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>

10: 전면 패널기판 11a, 11b: 스캔전극

12a, 12b: 서스테인 전극 13: 유전체(스캔, 서스테인전극 보호)

14: 유전체보호층 20: 배면패널기판

21: 어드레스전극 22: 유전체(어드레스전극보호)

23: 격벽 24: 형광체

25: 전극페이스트 T: 소성온도

본 발명은 평판 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 특히 소성되면서 전극이 탈착하는 것을 방지하기 위해 상기 패널의 배면기판의 글라스 프릿에 비중 및 소성온도가 낮은 Bi2O3 또는 ZnO을 사용함으로서, 전극의 밀착성을 높여주는 저온소성 글라스 프릿을 포함한 평판 디스플레이 패널에 관한 것이다.

도 1 은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 구성이 도시된 사시도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 패널기판(10)과 배면패널기판(20)으로 구성된다.

상기 전면패널기판은(10)은 스캔 전극(11a,11b) 및 서스테인전극(12a,12b)과, 상기 스캔 전극(11a,11b) 및 서스테인 전극(12a,12b)을 덮도록 적층되는 유전체(13)와, 상기 유전체를 보호하기 위한 유전체 보호층(14)으로 이루어진다.

상기 배면패널기판(20)은 상기 전면패널기판(10)의 상기 스캔전극(11a,11b) 및 서스테인전극(12a,12b)과 직교하도록 배열되는 어드레스 전극(21)과, 상기 어드레스 전극을 보호하는 유전체(22)와, 방전셀(v)을 형성하는 격벽(23)과, 상기 격벽에 의해 형성된 방전셀 내부에 인쇄, 도포되어 각 셀의 방전시 자외선에 의해 여기되어 가시광을 방출하는 형광체(24)로 이루어진다.

한편, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널기판(10)의 유지전극 (11a,11b,12a,12b)과 배면패널기판(20)의 어드레스 전극(21)을 보호하고 전기적으로 콘덴서(condenser)역할을 하는 유전체(13,22)를 형성하기 위하여, 1000도 이상의 높은 온도에서 소성하는 과정을 거쳐야 하는데 이때, 상기 유전체 재료에 Pb을 첨가하면 소성 온도를 낮춰 550~600도 사이에서 소성이 가능해진다.

특히, 상기 어드레스 전극(21)은 전극 페이스트를 도포한 후, 현상/노광/소성 공정을 거쳐 형성되는데, 상기 전극 페이스트는 도전성이 높은 Ag을 주성분으로 하여 구성된다.

상기 전극 페이스트에는 현상시 상기 배면패널기판(20)에 형성된 어드레스 전극(21)이 탈착되는 것을 방지하기 위하여 약 2wt%내외의 글라스 프릿을 함유한다.

또한, 상기 플라스 프릿에는 약 1wt% 내외의 PbO를 함유하여 구성되어, 소성시 상기 PbO에 의하여 어드레스 전극(21)이 상기 배면패널기판(20)에 부착되도록 하여 전극의 밀착성을 높여준다.

그러나 상기 PbO는 ROHS(Restriction of the use of certain Hazardous Substance)의 6대 규제물질 중 하나로서 환경 문제를 야기할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 ROHS가 시행되면 Pb이 함유된 물질로 상기 글라스 프릿을 형성 할 수 없다는 문제점이 있다.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적이 평판 디스플레이 패널 배면기판의 글라스 프릿에 ROHS(Restriction of the use of certain Hazardous Substance)규제물질인 PbO대신 낮은 소성온도를 가진 Bi2O3, ZnO 을 투입함으로서, 상기 물질들을 포함한 전극 페이스트에 의해 전극과 상기 글라스간의 밀착성을 높이고자 하는데 그 목적이 있다.

상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 평판 디스플레이 패널은, Bi2O3 또는 ZnO 중 적어도 어느 하나의 물질이 글라스 프릿에 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 Bi2O3 또는 ZnO는 상기 패널 배면기판의 글라스 프릿에 1wt% 이하로 함유되는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명에 따른 평판 디스플레이 패널의 배면기판을 도시한 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 글라스 프릿이 포함된 평판 디스플레이 패널의 배면기판이 도시된 정면도이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 Bi2O3 또는 ZnO를 함유한 글라스 프릿의 소성온도를 나타내는 그래프이다.

도 2 또는 3 에 도시된 바와 같이, 평판 디스플레이 패널의 배면기판에는 투명기판(20) 위에 데이터를 써 넣는 어드레스전극(21)이 위치하며, 상기 어드레스 전극(21)은 전기적으로 콘덴서 역할을 하는 유전체(22)에 의해 보호된다.

여기서, 투명기판(20)의 유전체(22)는 방전광이 배면기판쪽으로 투과되는 것을 막기 위해 백색으로 형성하고 있다.

또한, 상기 유전체(22)위에는 방전에 발생된 진공자외선(Vacuum Ultra Violet, VUV)의 여기에 의해 가시광선을 발생시키는 형광체(24)가 도포되어 있다.

그리고, 상판과 하판 사이에는 간격을 유지시키고 인접셀(Cell)과의 간섭을 방지시키기 위해 절연체 격벽(23)이 형성되어 있다.

이때, 상기 어드레스 전극(21)은 주성분은 전기 전도성이 높은 Ag으로 이루어진다.

여기서, 상기 어드레스 전극을 형성하기 위해서는 상기 투명기판(20)위에 전극 페이스트(25)를 도포한 후 어드레스 전극 패턴에 따라 노광후 현상과정을 거쳐 형성되는데, 상기 전극 페이스트(25)에는 현상시 형성된 어드레스 전극이 탈착되는 것을 방지하기 위하여 2wt% 내외의 글라스 프릿을 포함한다.

상기 글라스 프릿은 상기 어드레스 전극(21)과 투명기판(20)간의 밀착성을 높이는데, 본 발명의 글라스 프릿은 Bi2O3 또는 ZnO를 포함하여 구성되어, 어드레스 전극 현상 후 고온의 소성과정을 거치는 동안 상기 어드레스 전극이 상기 투명기판 상에 완전히 밀착되도록 하여 탈착되는 것을 막는다.

그리고, 종래 글라스 프릿은 PbO를 사용하여 어드레스 전극(21)과 투명기판(20)간의 밀착성을 증가시켰는데, 상기 PbO는 ROHS(Restriction of the use of certain Hazardous Substance)의 제 6 대 규제물질 중의 하나로 글라스 프릿에 첨가될 수 없게 된다.

따라서, 본 발명의 글라스 프릿에서와 같이 Bi2O3 또는 ZnO를 포함하여 글라스 프릿을 구성하는 경우, PbO 없이 상기 어드레스 전극(21)과 투명기판(20)간의 밀착성을 유지할 수 있게 된다.

즉, 상기 전극 페이스트(25)는 Ag를 주성분으로 하는데, 상기 전극 페이스트(25)는 약 60wt% 내지 70wt% 정도의 Ag를 함유한다.

또한, 상기 전극 페이스트(25)는 2wt% 내외의 글라스 프릿을 함유하는데, 상기 글라스 프릿은 Bi2O3 또는 ZnO를 대략 1wt% 내외 함유하여 상기 어드레스 전극(21)과 투명기판(20)간에서 균일하게 배열되어 접착하므로, 상호 밀착성을 확보하게 된다.

그리고, 상기 어드레스 전극(21)은 현상 후, 550℃ 이상의 고온에서 소성되는 과정을 거치게 되는데, 상기 글라스 프릿에 의하여 상기 어드레스 전극의 소성 온도가 올라가는 것을 방지하기 위하여 종래에는 상기 글라스 프릿이 약 1wt% 내외의 PbO를 함유하여 구성되었다.

즉, 상기 글라스 프릿에 PbO가 함유되지 않으면 상기 글라스 프릿에 의해 어드레스 전극(21)의 소성온도가 1000℃이상으로 높아지므로, 상기 PbO를 함유하여 어드레스 전극과 상기 투명기판간의 밀착성을 높이는 동시에 어드레스 전극의 소성 온도를 550℃ 내지 600℃ 범위 이내로 낮출 수 있었다.

따라서, 본 발명의 글라스 프릿도 종래 글라스 프릿과 유사한 소성 온도를 가지도록 구성되어야 하는데, 상기와 같이 Bi2O3 또는 ZnO를 사용하여 글라스 프릿이 구성되면 종래 PbO를 사용하는것과 유사한 소성 온도를 가지게 된다.

특히, 도 4 에 도시된 바와 같이, 상기 Bi2O3 또는 ZnO를 사용하여 글라스 프릿을 구성하면, 종래 PbO를 사용하여 글라스 프릿을 구성한 경우보다 글라스 프릿의 소성 온도를 낮출 수 있다.

또한, 상기 Bi2O3 또는 ZnO는 낮은 소결온도로 인해 소결의 특성이 좋은 물질이다.

따라서, 상기 PbO 대신 상기 Bi2O3 또는 ZnO를 상기 글라스 프릿에 적용함으로써, 노광후 현상시에 상기 글라스 프릿이 날아가 버리는 문제점을 방지할 수 있고, 낮은 온도에서 소성과정을 수행할 수 있으며, 이는 상기 소성과정 후에 상기 어드레스 전극과 상기 유리기판의 밀착성이 높아지는 것을 의미한다.

또한, 상기와 같이 Bi2O3 또는 ZnO를 사용하는 경우 어드레스 전극(21)의 소성 온도는 Bi2O3 또는 ZnO의 함유량이 증가할수록 소성 온도가 낮아지는데, 1wt% 내외의 Bi2O3 또는 ZnO를 사용한 경우 소성 온도는 종래 소성 온도인 550℃ 보다 낮은 520℃ 내외에서 형성되나, 이는 본 명세서에 한정되지 않는다.

또한, 상기 Bi2O3 또는 ZnO는 종래 글라스 프릿에 함유되는 PbO에 비해 비중이 작은 물질이므로, PbO를 사용하는 경우보다 더 작은 양의 Bi2O3 또는 ZnO를 사용하여도 동일한 특성을 가지는 글라스 프릿을 형성할 수 있게 된다.

즉, 상기 Bi2O3 또는 ZnO를 사용하여 글라스 프릿을 형성하는 경우, 종래 사용되는 PbO에 비해 소성 온도가 낮은 글라스 프릿을 형성할 수 있게 되어 저온 소성 유전체를 사용하는 경우에도 상기 글라스 프릿을 사용할 수 있게 된다.

또한, 상기 Bi2O3 또는 ZnO의 비중이 PbO에 비해 낮기 때문에 종래 사용되는 PbO보다 더 적은 양의 Bi2O3 또는 ZnO를 사용하여 유사한 특성을 보이는 글라스 프릿의 제조가 가능하므로 생산비용의 절감효과를 가져올 수 있다.

뿐만 아니라, 상기 PbO는 ROHS의 규제물질인바, Pb를 사용하지 않는 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하기 위해서는 PbO 없는 글라스 프릿이 절대적으로 필요하다.

이상과 같이 본 발명에 의한 저온소성 글라스 프릿을 예시된 도면을 참조로 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명은 한정되지 않고, 기술사상이 보호되는 범위 이내에서 응용될 수 있다.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 평판 디스플레이 패널은 상기 패널의 배면기판 글라스 프릿을 형성함에 있어 ROHS(Restriction of the use of certain Hazardous Substance)규제물질인 PbO대신 비중이 작은 Bi2O3 또는 ZnO 중 하나의 물질을 상기 글라스 프릿에 적용함으로서, 소성온도를 낮춤과 동시에 전극의 밀착성을 높여주는 효과가 있다.

Claims (2)

1. Bi2O3 또는 ZnO 중 적어도 어느 하나의 물질이 글라스 프릿에 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 패널.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 Bi2O3 또는 ZnO는 1wt% 이하로 함유되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 패널.

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