JPH01161309A - 多重反射鏡 - Google Patents
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- JPH01161309A JPH01161309A JP62321829A JP32182987A JPH01161309A JP H01161309 A JPH01161309 A JP H01161309A JP 62321829 A JP62321829 A JP 62321829A JP 32182987 A JP32182987 A JP 32182987A JP H01161309 A JPH01161309 A JP H01161309A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
曲率の異なる凹と凸の曲面鏡で構成された多重反射鏡に
関し、 光ビームの反射回数を飛躍的に高め、光ビームを密集さ
せる方法を提供することを目的とし、曲率が互いに異な
る球面鏡、又は円筒面鏡を一対対向させ、曲率半径の大
きい方を凹面鏡、小さい方を凸面鏡とし、双方の鏡面間
で光を多重反射させて構成する。
関し、 光ビームの反射回数を飛躍的に高め、光ビームを密集さ
せる方法を提供することを目的とし、曲率が互いに異な
る球面鏡、又は円筒面鏡を一対対向させ、曲率半径の大
きい方を凹面鏡、小さい方を凸面鏡とし、双方の鏡面間
で光を多重反射させて構成する。
本発明は、曲率の異なる凹と凸の曲面鏡で構成された多
重反射鏡に関する。
重反射鏡に関する。
多重反射鏡は、例えば、光ビームを投射して微粒子等を
検出する系において、反射鏡により一本の光ビームを同
一の空間で多数回通過させて、光の密度を高め微粒子の
検出感度と検出の確率を高めることができる。
検出する系において、反射鏡により一本の光ビームを同
一の空間で多数回通過させて、光の密度を高め微粒子の
検出感度と検出の確率を高めることができる。
例えば、半導体等の製造に用いられるクリーンルーム、
又は真空成膜装置内等においては、極く微細なゴミ等を
嫌うため、高感度に微粒子を検出するため、光ビームを
密集させその強度を高める方法が必要とされる。
又は真空成膜装置内等においては、極く微細なゴミ等を
嫌うため、高感度に微粒子を検出するため、光ビームを
密集させその強度を高める方法が必要とされる。
面鏡1を対向して構成し、その間に1本の光ビーム2を
導入し、平面鏡1内で多数回反射させ、光ビームの密度
を高める方法である。
導入し、平面鏡1内で多数回反射させ、光ビームの密度
を高める方法である。
上記一対の平面鏡を対向させた方式では、反射回数が少
なく、光ビームの密度としてはまだまだ低く不十分であ
る。そのため、例えば、クリーンルームや真空装置内の
ゴミ等の微粒子を高感度、かつ高値、率に検出すること
ができない問題があった。
なく、光ビームの密度としてはまだまだ低く不十分であ
る。そのため、例えば、クリーンルームや真空装置内の
ゴミ等の微粒子を高感度、かつ高値、率に検出すること
ができない問題があった。
そこで、本発明では、光ビームの反射回数を飛躍的に高
め、光ビームを密集させる方法を提供することを目的と
する。
め、光ビームを密集させる方法を提供することを目的と
する。
前記問題点は、第1図に示されるように、曲率が互いに
異なる球面鏡3.4、又は円筒面鏡を一対対向させ、曲
率半径の大きい方を凹面鏡3、小さい方を凸面鏡4とし
、双方の鏡面間で光ビーム2を多重反射させる本発明の
多重反射鏡によって解決される。
異なる球面鏡3.4、又は円筒面鏡を一対対向させ、曲
率半径の大きい方を凹面鏡3、小さい方を凸面鏡4とし
、双方の鏡面間で光ビーム2を多重反射させる本発明の
多重反射鏡によって解決される。
即ち、曲率の異なる凹面鏡3と凸面鏡4とで構成した鏡
面間に、光軸5に平行に入射した光ビームABが、2度
の反射の後、初めと平行になる状態を繰り返す時、光は
光軸5に近ずくものの永久に光軸5に達しないことにな
る。この時、光は両鏡面間で極めて密集した状態になる
。
面間に、光軸5に平行に入射した光ビームABが、2度
の反射の後、初めと平行になる状態を繰り返す時、光は
光軸5に近ずくものの永久に光軸5に達しないことにな
る。この時、光は両鏡面間で極めて密集した状態になる
。
第1図の関係が成立する条件を考える。第2図において
、凹面鏡3の曲率半径とその中心位置をRe 、O+
とじ、凸面鏡4のそれらをR2,02とする。B点、0
点での法線はそれぞれ01)02の方向にある。K1と
σ石の平行が成立するためには、両法線が平行でなけれ
ばならない。
、凹面鏡3の曲率半径とその中心位置をRe 、O+
とじ、凸面鏡4のそれらをR2,02とする。B点、0
点での法線はそれぞれ01)02の方向にある。K1と
σ石の平行が成立するためには、両法線が平行でなけれ
ばならない。
この時、lEO+ 02 = lE ’ BCであるか
らΔEOI 02と△IF、’BCは合同であり、BC
=O+ 02 =aとなる。
らΔEOI 02と△IF、’BCは合同であり、BC
=O+ 02 =aとなる。
ところで、01を原点におくと、BSCの座標はABO
+ =θとすると、次のようになる。
+ =θとすると、次のようになる。
B : (Re cos θ、Re5in θ)C:
(a +R2cosθ、R25inθ)し°(1)す
ると、(1)によりBC間の距離は次のように表される
。
(a +R2cosθ、R25inθ)し°(1)す
ると、(1)によりBC間の距離は次のように表される
。
(BC)2= (Re cosθ−(a+R2cosθ
))2十(Re sinθ−R25inθ)2= (
(Re −R2) cos θ−a)2 +(Re
−R2) 2sin 2 θ= (Re −
R2) 2−2a (Re −R2) cos
θ+a2 ところで、(BC) 2=a2であるから、(Re −
R2) 2−2 a (Re −R2) eos θ=
0、 よってa = (Re −R2) / 2cos
θ・−・−(2)ところで、凹面鏡3と凸面鏡4間の隙
間をSとすると、 5=Rr −R2−a= (Re −R2) (1
−1/2cos θ) ・−・−(3) すると、 a/s=1/ (2cos θ−1> ・
(4)式(4)が后とC)が平行となる多重反射の条件
である。これは、θ#Oの時近似的にa / s =
1となり、a = s = (Re −R2) / 2
−(5)として、簡単に条件を与えるとことができる
。ところで、(5)と(4)の間の差はθが小さい時、
極めて小さいものになる。
))2十(Re sinθ−R25inθ)2= (
(Re −R2) cos θ−a)2 +(Re
−R2) 2sin 2 θ= (Re −
R2) 2−2a (Re −R2) cos
θ+a2 ところで、(BC) 2=a2であるから、(Re −
R2) 2−2 a (Re −R2) eos θ=
0、 よってa = (Re −R2) / 2cos
θ・−・−(2)ところで、凹面鏡3と凸面鏡4間の隙
間をSとすると、 5=Rr −R2−a= (Re −R2) (1
−1/2cos θ) ・−・−(3) すると、 a/s=1/ (2cos θ−1> ・
(4)式(4)が后とC)が平行となる多重反射の条件
である。これは、θ#Oの時近似的にa / s =
1となり、a = s = (Re −R2) / 2
−(5)として、簡単に条件を与えるとことができる
。ところで、(5)と(4)の間の差はθが小さい時、
極めて小さいものになる。
例えば、θ=2″の時でa / s =1.0012で
あり、a =sの場合と比べて0.12%の誤差がある
に過ぎない。
あり、a =sの場合と比べて0.12%の誤差がある
に過ぎない。
このように、θが小さい場合は、R1>R2として、凹
面鏡3を半径R+、凸面鏡4を半径R2とし、凹面鏡3
と凸面鏡4間の距離をR+ −R2/2とおき、光軸5
に水平に光線を入射することで、多重反射鏡を構成でき
ることが示された。
面鏡3を半径R+、凸面鏡4を半径R2とし、凹面鏡3
と凸面鏡4間の距離をR+ −R2/2とおき、光軸5
に水平に光線を入射することで、多重反射鏡を構成でき
ることが示された。
ここでは実施例として、反射光路を計算機でシミュレー
ションした結果を示す。
ションした結果を示す。
第3図に、多重反射の条件に合致させた場合について示
した。
した。
3Aは半径1000mm、900mmの鏡(凹面、凸面
)を用い、光軸から50mmの位置に光ビーム2を水平
に入射した場合であり、入射した光ビームが光軸5を超
えて、外に出るまで140回の多くの反射が得られる。
)を用い、光軸から50mmの位置に光ビーム2を水平
に入射した場合であり、入射した光ビームが光軸5を超
えて、外に出るまで140回の多くの反射が得られる。
3B、3Cには、鏡の曲率半径Rを大きくして、入射角
θを小さくした場合であるが、これらの場合、反射回数
がより多く、さらに光が密集することが判る。
θを小さくした場合であるが、これらの場合、反射回数
がより多く、さらに光が密集することが判る。
以上は前述の(4)式に従って設定した場合であるが、
この条件から外れた場合を第4図、第5図に示す。第4
図は、S=50mmとするところを30mmとした場合
であるが、図4Aの入射光が水平の時、光は光軸側にあ
まり入らない。
この条件から外れた場合を第4図、第5図に示す。第4
図は、S=50mmとするところを30mmとした場合
であるが、図4Aの入射光が水平の時、光は光軸側にあ
まり入らない。
しかし、図4B、4C,4Dに示すように入射光を右上
がりに傾けて行くと、光は光軸5側に入り、多重反射が
得られるようになる。一方第5図にs=70mmとした
場合を示すが、この場合も入射光が水平の図5Aから図
5B〜5Eと順次右下がりに入射光を傾けることで、多
重反射が得られることが判る。
がりに傾けて行くと、光は光軸5側に入り、多重反射が
得られるようになる。一方第5図にs=70mmとした
場合を示すが、この場合も入射光が水平の図5Aから図
5B〜5Eと順次右下がりに入射光を傾けることで、多
重反射が得られることが判る。
以上の実施例より、上述の(4)式に従った場合、理想
的な多重反射が得られるが、(4)式から外れた場合に
も多重性は劣るものの、入射角度を傾けることで、いず
れにしても本発明の曲率の異なる2鏡面により、多重反
射が得られることが示された。
的な多重反射が得られるが、(4)式から外れた場合に
も多重性は劣るものの、入射角度を傾けることで、いず
れにしても本発明の曲率の異なる2鏡面により、多重反
射が得られることが示された。
なお、多数回の反射により、光ビーム強度の低下が心配
となるが、極めて高い反射率を有する誘導体多層膜(反
射率99.5%以上)を用いて、この低下を小さく抑え
ることが可能である。
となるが、極めて高い反射率を有する誘導体多層膜(反
射率99.5%以上)を用いて、この低下を小さく抑え
ることが可能である。
上記の曲面鏡構成により、光ビームの多重反射が得られ
、光ビームを高密度化できるので、微粒子の検出に用い
た場合、微粒子による散乱光が極めて強いものとなり、
従来より小さい粒子の検出も可能となる。また、光ビー
ムの密集により光の強度が平滑化され、散乱光の強度が
一様化される効果があり、散乱光の強度が粒子の通過す
る場所によって異なるという従来の単独、或いは離散し
た光ビームの場合の欠点を克服できる。
、光ビームを高密度化できるので、微粒子の検出に用い
た場合、微粒子による散乱光が極めて強いものとなり、
従来より小さい粒子の検出も可能となる。また、光ビー
ムの密集により光の強度が平滑化され、散乱光の強度が
一様化される効果があり、散乱光の強度が粒子の通過す
る場所によって異なるという従来の単独、或いは離散し
た光ビームの場合の欠点を克服できる。
なお、本発明の適用範囲を微粒子検出の場合について説
明したが、その他、光CVD法(材料気体の分解を光励
起で促進させ、分解物からの反応物質を基板上に形成す
るもの)があり、基板近くに高密度の光を集中させて成
膜速度を上げることが可能である。生成物質の例として
、アモルファスS1%ダイヤモンド状CSZ n O膜
等がある。
明したが、その他、光CVD法(材料気体の分解を光励
起で促進させ、分解物からの反応物質を基板上に形成す
るもの)があり、基板近くに高密度の光を集中させて成
膜速度を上げることが可能である。生成物質の例として
、アモルファスS1%ダイヤモンド状CSZ n O膜
等がある。
また、上記対向する凹凸面鏡を組合せた多重反射鏡にお
いて、良好な多重反射を行わせるためには、両鏡面光軸
の角度や、光線の入射角度についての微調整が必要であ
る。
いて、良好な多重反射を行わせるためには、両鏡面光軸
の角度や、光線の入射角度についての微調整が必要であ
る。
角度調整系は、従来メカ的に複雑で高価格であり、かつ
取付角を縦横の方向でそれぞれ調整するのは煩雑であっ
た。
取付角を縦横の方向でそれぞれ調整するのは煩雑であっ
た。
そこで、角度の微調整でなく、別のより容易な方法で光
軸合せができる方法を以下に述べる。
軸合せができる方法を以下に述べる。
球面からなる両鏡面の間の光線の反射については、第6
図に示すように光ビーム20入射位置と向きを示すに1
と、凹面鏡3、凸面鏡4の曲率の中心位置0102と、
それらの曲率半径RIR2をパラメータとして示すこと
で全てを把握できる。
図に示すように光ビーム20入射位置と向きを示すに1
と、凹面鏡3、凸面鏡4の曲率の中心位置0102と、
それらの曲率半径RIR2をパラメータとして示すこと
で全てを把握できる。
両鏡面3.4と光ビーム2間の配置の狂いは、KBとO
I 、02の間の位置の狂いにあたるため、これらの位
置調整で全ての修正が可能であり、凹面vA3、凸面鏡
4および光ビーム2の角度調整は不要となる。
I 、02の間の位置の狂いにあたるため、これらの位
置調整で全ての修正が可能であり、凹面vA3、凸面鏡
4および光ビーム2の角度調整は不要となる。
ところで、OI又は02の移動は、凹面鏡3、凸面鏡4
を傾けずに、その量だけ鏡をその向きに平行移動させて
できる。このため、K1を固定した場合には、x、y軸
を肩に直角方向として、OI、02のx、y軸方向への
微調で全ての修正ができることになる。
を傾けずに、その量だけ鏡をその向きに平行移動させて
できる。このため、K1を固定した場合には、x、y軸
を肩に直角方向として、OI、02のx、y軸方向への
微調で全ての修正ができることになる。
ここで、第7図において、01とに1を固定して考える
。まず、02をOIとに1で決まる平面内に移動して0
2 ′とする。この移動は両鏡面間の反射光をに1と0
1で決まる平面内に揃えることであり、この調節作業は
容易である。
。まず、02をOIとに1で決まる平面内に移動して0
2 ′とする。この移動は両鏡面間の反射光をに1と0
1で決まる平面内に揃えることであり、この調節作業は
容易である。
次に02 ”から02″に移動させる。これは、光軸
5部分付近に光ビーム2をより密集させる最終の作業で
ある。
5部分付近に光ビーム2をより密集させる最終の作業で
ある。
第8図は以上の鏡移動に伴う反射光の挙動の概略を示す
。8Aは調整前の状態であり、8Bは、02→02 ′
と移動して反射光が1つの平面内に揃った場合、8Cは
、02 ′=OO2“として光ビームが密集した場合を
示す。
。8Aは調整前の状態であり、8Bは、02→02 ′
と移動して反射光が1つの平面内に揃った場合、8Cは
、02 ′=OO2“として光ビームが密集した場合を
示す。
実施例として、曲率半径1000mmと900m+++
の球面鏡について、水平方向から傾いて入射した場合の
鏡移動による補正効果を第9図に示す。図9Eは凹面鏡
3のR1000と凸面鏡4のR900の間を50mmと
し、光軸5から5On++nの位置に±0.006 °
傾けて入射した状態図であり、その状態で凹面鏡fの移
動量を変えた時を、図9A−1から90−1、図9A−
2から9D−2に示す。
の球面鏡について、水平方向から傾いて入射した場合の
鏡移動による補正効果を第9図に示す。図9Eは凹面鏡
3のR1000と凸面鏡4のR900の間を50mmと
し、光軸5から5On++nの位置に±0.006 °
傾けて入射した状態図であり、その状態で凹面鏡fの移
動量を変えた時を、図9A−1から90−1、図9A−
2から9D−2に示す。
図より光ビームの入射角が±0.006度傾いた場合、
外側の凹面鏡3を±50μm移動させることで、良好な
多重反射が得られるようになることが判る。
外側の凹面鏡3を±50μm移動させることで、良好な
多重反射が得られるようになることが判る。
以上の結果より、10μm単位の比較的粗い調整により
、入射角度の微小な狂いを補正できるといえる。
、入射角度の微小な狂いを補正できるといえる。
以上のように凹面鏡3の移動により入射角度の微小な狂
いが調整できるので、従来のような鏡や光ビームの設定
角度の微調整が不要となり、光学系の位置合わせが極め
て容易となり、かつ低価格化が可能となる。
いが調整できるので、従来のような鏡や光ビームの設定
角度の微調整が不要となり、光学系の位置合わせが極め
て容易となり、かつ低価格化が可能となる。
又、第10図に本発明の凸面鏡4と凹面鏡3の間に光ビ
ーム2を導入して、その間で多重反射して光のカーテン
を作る場合を説明する。両鏡の中心線OX付近での光の
強度を−様にするのが難しい。
ーム2を導入して、その間で多重反射して光のカーテン
を作る場合を説明する。両鏡の中心線OX付近での光の
強度を−様にするのが難しい。
それは、中心線AOB付近では、反射光の反射密度が大
きくなるため、どうしてもAOB付近での光強度が強く
なってしまう為である。
きくなるため、どうしてもAOB付近での光強度が強く
なってしまう為である。
光強度が−様でない光のカーテンを用いてダストの計測
を行った場合、粒径によって散乱光の強度が違う事を利
用して、粒径の大きさを計測する。
を行った場合、粒径によって散乱光の強度が違う事を利
用して、粒径の大きさを計測する。
事が不可能となり、どうしても光強度の−様なカーテン
が必要とされる。
が必要とされる。
を平面鏡13として構成する。
凹面鏡3′に入射した光は、そこで反射され反対側に置
かれた凸面鏡4゛に当たり反射され、これを繰り返すこ
とによって、平面鏡13部分に黒人される。平面鏡13
部分に導入された光は、一定の間隔で反射を繰り返し、
xox’中心軸付近でほぼ−様な強度となり、光の二次
元的なカーテンを作る事ができる。
かれた凸面鏡4゛に当たり反射され、これを繰り返すこ
とによって、平面鏡13部分に黒人される。平面鏡13
部分に導入された光は、一定の間隔で反射を繰り返し、
xox’中心軸付近でほぼ−様な強度となり、光の二次
元的なカーテンを作る事ができる。
どの様な強度及び−様性のカーテンを作るかは、光ビー
ム2の径及び凹面鏡3′及び凸面鏡4′の曲率半径及び
両面鏡開の距離、及び鏡の反射率によって決定される。
ム2の径及び凹面鏡3′及び凸面鏡4′の曲率半径及び
両面鏡開の距離、及び鏡の反射率によって決定される。
本発明のような構成だと平面鏡13間の反射により広い
範囲にわたって、−様なカーテンを作る事ができ、この
面にダストの粒子が大うた場合には、光が周囲に散乱さ
れる。この散乱光の強度は、入射ダスト粒子の粒径に依
存するため、ダストの大きさ及び個数の測定が可能とな
る。
範囲にわたって、−様なカーテンを作る事ができ、この
面にダストの粒子が大うた場合には、光が周囲に散乱さ
れる。この散乱光の強度は、入射ダスト粒子の粒径に依
存するため、ダストの大きさ及び個数の測定が可能とな
る。
第12図は、本発明の多重反射鏡が用いられる微粒子検
出器の概略斜視図を示す。この微粒子器は、誘電体多層
膜を反射膜として用いた半径900mmの5鏡lOと半
径1000mmの凹面鏡20とを対面させた光学系を備
え、この上方には、780nmの波長のビームを発射す
る半導体レーザー30が設置され、この光学系にビーム
Lを供給している。該ビームLは両鏡10.20間で多
数回反射されて両者間にビームのカーテンCを形成する
。カーテンCの側方には集光器40が設置され、光ファ
イバ東50等を介して微粒子による散乱光を高真空雰囲
気に保持された光学系から外に取り出す。第13図に示
すように、光フアイバ50束は、屈曲自在な気密性の金
属性チューブ1)で密閉されており、光学系を収容して
いる真空槽の外壁12に気密性を保ちながら固定され、
その終端は測定装置60(第14図)に接続されている
。
出器の概略斜視図を示す。この微粒子器は、誘電体多層
膜を反射膜として用いた半径900mmの5鏡lOと半
径1000mmの凹面鏡20とを対面させた光学系を備
え、この上方には、780nmの波長のビームを発射す
る半導体レーザー30が設置され、この光学系にビーム
Lを供給している。該ビームLは両鏡10.20間で多
数回反射されて両者間にビームのカーテンCを形成する
。カーテンCの側方には集光器40が設置され、光ファ
イバ東50等を介して微粒子による散乱光を高真空雰囲
気に保持された光学系から外に取り出す。第13図に示
すように、光フアイバ50束は、屈曲自在な気密性の金
属性チューブ1)で密閉されており、光学系を収容して
いる真空槽の外壁12に気密性を保ちながら固定され、
その終端は測定装置60(第14図)に接続されている
。
被検出微粒子PがカーテンCの領域内に存在している場
合には、ビームLは該微粒子Pによって散乱せしめられ
、その特定方向を指向する一部は前記集光器40によっ
て集められ、前記測定装置60において光電子増幅管7
0によって信号処理されて、制御装置(図示しない)に
微粒子サイズ及び数示す指標として集計される。前記光
電子増幅管70に導入される直前に、散乱光は、例えば
誘電帯条層膜を有する多数のガラス板で構成された±1
0人程鹿の通過域を有するフィルタ80によって、元の
レーザービームLの狭い波長帯域の成分のみ限定される
ことが望ましい。なぜならば、集光器40には、微粒子
によって散乱された基本となるレーザービーム以外の波
長成分、例えばこの微粒子検出器の近傍で行われている
薄膜形成のために発生する光等の外乱が混入されている
可能性があり、このために得られた信号のS/N比が低
下することのリスクを防止する必要があるからである。
合には、ビームLは該微粒子Pによって散乱せしめられ
、その特定方向を指向する一部は前記集光器40によっ
て集められ、前記測定装置60において光電子増幅管7
0によって信号処理されて、制御装置(図示しない)に
微粒子サイズ及び数示す指標として集計される。前記光
電子増幅管70に導入される直前に、散乱光は、例えば
誘電帯条層膜を有する多数のガラス板で構成された±1
0人程鹿の通過域を有するフィルタ80によって、元の
レーザービームLの狭い波長帯域の成分のみ限定される
ことが望ましい。なぜならば、集光器40には、微粒子
によって散乱された基本となるレーザービーム以外の波
長成分、例えばこの微粒子検出器の近傍で行われている
薄膜形成のために発生する光等の外乱が混入されている
可能性があり、このために得られた信号のS/N比が低
下することのリスクを防止する必要があるからである。
このようにすれば、S/N比は100倍以上に改善され
、真空中の清浄度を充分に管理することが可能となる。
、真空中の清浄度を充分に管理することが可能となる。
又、スパッタリング等の薄膜形成工程がら発生する原子
等がレーザービームを反射させるための凸面鏡lOや凹
面鏡20、並びに半導体レーザー30の放射口等を汚染
すると、微粒子検出の精度が低下するので、これを防止
するために、本発明においては主要な光学系を被覆する
為に、第15図に示すようなハウジング90を設け、装
置本体を該ハウジング90内に収納し、更に該ハウジン
グ90内に不活性ガスを導管100から常時導入してい
る。即ち、スパッタされた原子の挙動を考えると、まず
雰囲気中の気体原子と衝突してその進路を変更するが、
その際に付近に壁面があると、これに衝突してこれに付
着する傾向がある。従って、鏡の近傍の気体圧力を高め
、且つハウジングの壁面を設けておくことによって、ス
パッタ原子を積極的に壁面に付着させて鏡面の汚染を防
ぐことが可能となる。
等がレーザービームを反射させるための凸面鏡lOや凹
面鏡20、並びに半導体レーザー30の放射口等を汚染
すると、微粒子検出の精度が低下するので、これを防止
するために、本発明においては主要な光学系を被覆する
為に、第15図に示すようなハウジング90を設け、装
置本体を該ハウジング90内に収納し、更に該ハウジン
グ90内に不活性ガスを導管100から常時導入してい
る。即ち、スパッタされた原子の挙動を考えると、まず
雰囲気中の気体原子と衝突してその進路を変更するが、
その際に付近に壁面があると、これに衝突してこれに付
着する傾向がある。従って、鏡の近傍の気体圧力を高め
、且つハウジングの壁面を設けておくことによって、ス
パッタ原子を積極的に壁面に付着させて鏡面の汚染を防
ぐことが可能となる。
以上説明したように本発明によれば、曲率の異なる凹と
凸の曲面鏡で構成することにより、光ビームの多重反射
が得られ、光ビームを高密度でき、さらに、曲面鏡を光
軸に対し直角方向移動により光学系の位置合わせが容易
にできる。また、光導入部のみを多重反射鏡とし、残り
大部分を平面鏡とし、強度が強く、かつ−様な領域の広
い多重反射が得られる。
凸の曲面鏡で構成することにより、光ビームの多重反射
が得られ、光ビームを高密度でき、さらに、曲面鏡を光
軸に対し直角方向移動により光学系の位置合わせが容易
にできる。また、光導入部のみを多重反射鏡とし、残り
大部分を平面鏡とし、強度が強く、かつ−様な領域の広
い多重反射が得られる。
第1図は本発明の原理構成図、第2図は第1図の関係が
成立する条件を単用する図、第3図は水平入射光に対す
る多重反射状態図、第4図は多重反射の条件より外れた
場合の反射状態図、第5図は多重反射の条件より外れた
場合の反射状態図、第6図は両鏡面の間の光線の反射を
説明する図、第7図は本発明の光軸合せを説明する図、
第8図は本発明の鏡移動に伴う反射光の挙動を示す図、
第9図は本発明の鏡の移動による補正図、第10図は多
重反射鏡の光の強度を説明する図、第1)図は本発明の
光の強度が−様な多重反射鏡の構成図、第12図は本発
明が適用される微粒子検出器の概略斜視図、第13図は
光りファイバ束を取り出すための構成を示す断面図、第
14図は測定装置の断面図、第15図はハウジング内に
収容された検出装置の概略斜視図、第16図は従来の多
重反射鏡を説明する図である。 図においで、 2は光ビーム、3.3′は凹面鏡、4.4′は不登明−
a、理膚仄図 第 1 凹 第1図の開イ糸ボへ立す6条イ牛を言楚明すうp4%2
図 第8 閃 多重1寸4免4リヒク5飢座を8免口列する図第10図 第1) 図 0〔東を多重々射鏡2答す月する図 第16図 本発明ボ直田ケわう敢舷子の顎出器の概略斜視口笛12
1!1 光ファイバ束を取り出すための構成を示す断面図Cカー
テン 1)1)定芙置の断面図 P 微粒子第141
)1
成立する条件を単用する図、第3図は水平入射光に対す
る多重反射状態図、第4図は多重反射の条件より外れた
場合の反射状態図、第5図は多重反射の条件より外れた
場合の反射状態図、第6図は両鏡面の間の光線の反射を
説明する図、第7図は本発明の光軸合せを説明する図、
第8図は本発明の鏡移動に伴う反射光の挙動を示す図、
第9図は本発明の鏡の移動による補正図、第10図は多
重反射鏡の光の強度を説明する図、第1)図は本発明の
光の強度が−様な多重反射鏡の構成図、第12図は本発
明が適用される微粒子検出器の概略斜視図、第13図は
光りファイバ束を取り出すための構成を示す断面図、第
14図は測定装置の断面図、第15図はハウジング内に
収容された検出装置の概略斜視図、第16図は従来の多
重反射鏡を説明する図である。 図においで、 2は光ビーム、3.3′は凹面鏡、4.4′は不登明−
a、理膚仄図 第 1 凹 第1図の開イ糸ボへ立す6条イ牛を言楚明すうp4%2
図 第8 閃 多重1寸4免4リヒク5飢座を8免口列する図第10図 第1) 図 0〔東を多重々射鏡2答す月する図 第16図 本発明ボ直田ケわう敢舷子の顎出器の概略斜視口笛12
1!1 光ファイバ束を取り出すための構成を示す断面図Cカー
テン 1)1)定芙置の断面図 P 微粒子第141
)1
Claims (5)
- (1)曲率が互いに異なる球面鏡(3、4)、又は円筒
面鏡を一対対向させ、曲率半径の大きい方を凹面鏡(3
)、小さい方を凸面鏡(4)とし、双方の鏡面間で光ビ
ーム(2)を多重反射させ、光強度の高い部分を発生さ
せることを特徴とする多重反射鏡。 - (2)上記対向させた凹凸面鏡(3、4)は、動作方向
が光軸(5)に対して直角方向となる位置合わせのため
の平行微動機構を含んで成ることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の多重反射鏡。 - (3)上記対向した凹凸面鏡(3、4)は、光ビーム(
2)の導入部付近を凹凸面鏡(3′、4′)とし、他の
部分は平行な平面鏡(13)で構成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の多重反射鏡。 - (4)上記凹面鏡(3′)は上記凸面鏡(4′)より長
くし、この部分に入射光を導入することを特徴とする特
許請求の範囲第3項記載の多重反射鏡。 - (5)上記凹球面鏡(3′)の半径は、上記凸球面鏡(
4′)の半径より大きいことを特徴とする特許請求の範
囲第3項記載の多重反射鏡。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62321829A JP2560362B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 多重反射鏡 |
CA000586230A CA1317783C (en) | 1987-12-18 | 1988-12-16 | Optoelectrical particle detection apparatus |
DE3851315T DE3851315T2 (de) | 1987-12-18 | 1988-12-16 | Apparat zum elektrooptischen Nachweis eines Teilchens. |
EP88311915A EP0321265B1 (en) | 1987-12-18 | 1988-12-16 | Optoelectrical particle detection apparatus |
KR1019880016849A KR910002616B1 (ko) | 1987-12-18 | 1988-12-17 | 광전입자 검출장치 |
US07/657,989 US5094533A (en) | 1987-12-18 | 1991-02-21 | Optoelectrical particle detection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62321829A JP2560362B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 多重反射鏡 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01161309A true JPH01161309A (ja) | 1989-06-26 |
JP2560362B2 JP2560362B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=18136884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62321829A Expired - Lifetime JP2560362B2 (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | 多重反射鏡 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5094533A (ja) |
EP (1) | EP0321265B1 (ja) |
JP (1) | JP2560362B2 (ja) |
KR (1) | KR910002616B1 (ja) |
CA (1) | CA1317783C (ja) |
DE (1) | DE3851315T2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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JP2010107231A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外光ガスセンサ |
JP2011506977A (ja) * | 2007-12-13 | 2011-03-03 | バイオビジラント システムズ,インコーポレイテッド | サイズ/蛍光同時測定による病原体検出 |
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DE60325254D1 (de) * | 2002-08-23 | 2009-01-22 | Gen Electric | Mmuner alarmsignalerzeugungs-rauchdetektor |
US7564365B2 (en) | 2002-08-23 | 2009-07-21 | Ge Security, Inc. | Smoke detector and method of detecting smoke |
US20070228593A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Residual Layer Thickness Measurement and Correction |
US7854867B2 (en) * | 2006-04-21 | 2010-12-21 | Molecular Imprints, Inc. | Method for detecting a particle in a nanoimprint lithography system |
GB0623812D0 (en) * | 2006-11-29 | 2007-01-10 | Cascade Technologies Ltd | Portal |
US8472021B2 (en) | 2010-04-09 | 2013-06-25 | First Solar, Inc. | Particle detector |
US20170066020A1 (en) * | 2014-02-27 | 2017-03-09 | Walter Surface Technologies Inc. | Industrial cleanliness measurement methodology |
FI129342B (en) | 2015-11-11 | 2021-12-15 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Low volume multi-reflection cell |
WO2017090026A1 (en) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | Veeride Ltd. | Apparatus for counting particles in air and an illuminator therefor |
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DE1547360A1 (de) * | 1966-07-29 | 1969-11-13 | Jenoptik Jena Gmbh | Optisches System zur Mehrfachreflexion |
GB1168717A (en) * | 1967-06-16 | 1969-10-29 | Zeiss Jena Veb Carl | Optical Multiple-Reflection System. |
US3578867A (en) * | 1969-04-11 | 1971-05-18 | Alfred E Barrington | Device for measuring light scattering wherein the measuring beam is successively reflected between a pair of parallel reflectors |
JPS5742842A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-10 | Nittan Co Ltd | Photoelectric smoke sensor |
JPS61245041A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | ダストカウンタ− |
JPH0640059B2 (ja) * | 1985-05-28 | 1994-05-25 | 出光興産株式会社 | 浮遊微粒子測定方法及びその装置 |
US4739177A (en) * | 1985-12-11 | 1988-04-19 | High Yield Technology | Light scattering particle detector for wafer processing equipment |
DE3674576D1 (de) * | 1985-12-10 | 1990-10-31 | High Yield Technology | Teilchenerfasser fuer waferbearbeitungsgeraet und verfahren zur erfassung eines teilchens. |
JPS62177432A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Kowa Co | 粒子測定方法及びその装置 |
US4825094A (en) * | 1988-02-04 | 1989-04-25 | High Yield Technology | Real time particle fallout monitor with tubular structure |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62321829A patent/JP2560362B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-12-16 DE DE3851315T patent/DE3851315T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-16 CA CA000586230A patent/CA1317783C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-16 EP EP88311915A patent/EP0321265B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-17 KR KR1019880016849A patent/KR910002616B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1991
- 1991-02-21 US US07/657,989 patent/US5094533A/en not_active Expired - Fee Related
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JP2011506977A (ja) * | 2007-12-13 | 2011-03-03 | バイオビジラント システムズ,インコーポレイテッド | サイズ/蛍光同時測定による病原体検出 |
JP2010107231A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外光ガスセンサ |
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP0321265A3 (en) | 1991-04-10 |
DE3851315T2 (de) | 1994-12-22 |
US5094533A (en) | 1992-03-10 |
JP2560362B2 (ja) | 1996-12-04 |
EP0321265B1 (en) | 1994-08-31 |
DE3851315D1 (de) | 1994-10-06 |
CA1317783C (en) | 1993-05-18 |
KR890010554A (ko) | 1989-08-09 |
EP0321265A2 (en) | 1989-06-21 |
KR910002616B1 (ko) | 1991-04-27 |
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