JP2523711B2 - 微粒子検出器 - Google Patents
微粒子検出器Info
- Publication number
- JP2523711B2 JP2523711B2 JP62287566A JP28756687A JP2523711B2 JP 2523711 B2 JP2523711 B2 JP 2523711B2 JP 62287566 A JP62287566 A JP 62287566A JP 28756687 A JP28756687 A JP 28756687A JP 2523711 B2 JP2523711 B2 JP 2523711B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- mirror
- convex mirror
- particle detector
- concave mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 30
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 5
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012369 In process control Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010965 in-process control Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
- G01N15/1434—Optical arrangements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 雰囲気ガス中又は真空中の塵埃微粒子を検出するため
の装置に関し、 真空装置内の空間を浮遊する少数の微粒子を効率良く
検出することができる装置を提供することを目的とし、 高反射率を有する凸面鏡と凹面鏡とを対面させて構成
された光学系に、光ビーム又はLEDビームを導入して両
鏡間で多数回反射させて前記鏡の共通の光軸を含む一つ
の平面に沿って実質的に均一な強度分布領域を有するビ
ームのカーテンを形成し、該領域内におけるビームの散
乱光を測定手段内に導入することにより、真空又は雰囲
気ガス中の浮遊微粒子を検出する微粒子検出器を構成す
る。
の装置に関し、 真空装置内の空間を浮遊する少数の微粒子を効率良く
検出することができる装置を提供することを目的とし、 高反射率を有する凸面鏡と凹面鏡とを対面させて構成
された光学系に、光ビーム又はLEDビームを導入して両
鏡間で多数回反射させて前記鏡の共通の光軸を含む一つ
の平面に沿って実質的に均一な強度分布領域を有するビ
ームのカーテンを形成し、該領域内におけるビームの散
乱光を測定手段内に導入することにより、真空又は雰囲
気ガス中の浮遊微粒子を検出する微粒子検出器を構成す
る。
本発明は、雰囲気中の塵埃微粒子を検出するための装
置に関する。特に、真空中にごく僅かに浮遊する微粒子
を精度良く検出することが可能な検出装置に関する。
置に関する。特に、真空中にごく僅かに浮遊する微粒子
を精度良く検出することが可能な検出装置に関する。
従来の微粒子検出装置は、例えば第９図に示すよう
に、被検査雰囲気中から吸引してサンプリングした空気
を一本のレーザービームＬの経路内に導き、含まれてい
た微粒子Ｐによる該ビームの散乱光の中の特定方向のも
のを集光し、その強度を計測して微粒子の数や大きさに
換算している。これにより、被検査雰囲気の空気清浄度
を管理し、各種の工程の制御に利用している。
に、被検査雰囲気中から吸引してサンプリングした空気
を一本のレーザービームＬの経路内に導き、含まれてい
た微粒子Ｐによる該ビームの散乱光の中の特定方向のも
のを集光し、その強度を計測して微粒子の数や大きさに
換算している。これにより、被検査雰囲気の空気清浄度
を管理し、各種の工程の制御に利用している。
一方、最近は、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD
法等の真空雰囲気中での薄膜形成プロセスが半導体や記
憶媒体の製造に応用される例が多くなってきた。これら
の技術における工程管理上の最大の問題点の一つは、製
造工程内での塵埃の付着による製品欠陥の発生の防止に
あり、製品の歩留まり向上のために工程内の無塵化並び
に塵埃微粒子の検出制御に対して多くの努力が行われて
いる。
法等の真空雰囲気中での薄膜形成プロセスが半導体や記
憶媒体の製造に応用される例が多くなってきた。これら
の技術における工程管理上の最大の問題点の一つは、製
造工程内での塵埃の付着による製品欠陥の発生の防止に
あり、製品の歩留まり向上のために工程内の無塵化並び
に塵埃微粒子の検出制御に対して多くの努力が行われて
いる。
しかし、被検査雰囲気を積極的にサンプリングしてこ
れをレーザービームの経路内に放出する前述の微粒子検
出法は、当然のことながら真空中で行われる薄膜形成プ
ロセスの場合にはなじまず、しかも真空中での塵埃の微
粒子の数は本来非常に少ないので、一本のレーザービー
ムの経路を横切る微粒子を精度良く捕捉するのに限度が
あり、このやり方は適用不可能である。
れをレーザービームの経路内に放出する前述の微粒子検
出法は、当然のことながら真空中で行われる薄膜形成プ
ロセスの場合にはなじまず、しかも真空中での塵埃の微
粒子の数は本来非常に少ないので、一本のレーザービー
ムの経路を横切る微粒子を精度良く捕捉するのに限度が
あり、このやり方は適用不可能である。
このため、真空雰囲気中に浮遊する少数の微粒子を広
い検出領域内で効率良く検出することができる装置に対
する要望が強く存在している。
い検出領域内で効率良く検出することができる装置に対
する要望が強く存在している。
本発明の微粒子検出器に於いては、高反射率を有する
凸面鏡と該凸面鏡に所定距離離して対面し且つその光軸
を前記凸面鏡の光軸に平行に且つ僅かにずらして配置さ
れた高反射率を有する凹面鏡とにより構成された光学系
と、前記凹面鏡の外周の一点から前記凸面鏡及び凹面鏡
の両光軸を含む平面に沿い且つ該光軸に平行して光ビー
ムを入射して前記両鏡間で多数回反射させて光ビームの
カーテンを形成するためのレーザ光源と、前記光ビーム
のカーテンの実質的に均一な強度分布を有する領域の光
が雰囲気中に浮遊する微粒子に当たり反射した散乱光を
集光し、その強度を測定する測定手段とを具備して成る
ことを特徴とする。
凸面鏡と該凸面鏡に所定距離離して対面し且つその光軸
を前記凸面鏡の光軸に平行に且つ僅かにずらして配置さ
れた高反射率を有する凹面鏡とにより構成された光学系
と、前記凹面鏡の外周の一点から前記凸面鏡及び凹面鏡
の両光軸を含む平面に沿い且つ該光軸に平行して光ビー
ムを入射して前記両鏡間で多数回反射させて光ビームの
カーテンを形成するためのレーザ光源と、前記光ビーム
のカーテンの実質的に均一な強度分布を有する領域の光
が雰囲気中に浮遊する微粒子に当たり反射した散乱光を
集光し、その強度を測定する測定手段とを具備して成る
ことを特徴とする。
先ず本発明の基本となる原理について説明する。前述
の第９図に示す１本のレーザービームを用いる検出装置
は検査可能領域が限定されるため、検体数が多く含まれ
ている被検査雰囲気を積極的にその領域に供給してやる
必要がある。前述した通り、本発明の目的とする真空中
における少数の微粒子を検出する場合には、かかる方法
は不適当なので、先ず検査可能領域を拡大して広い範囲
のいずこにおいても精度よく微粒子の検出を行えるよう
にする必要がある。
の第９図に示す１本のレーザービームを用いる検出装置
は検査可能領域が限定されるため、検体数が多く含まれ
ている被検査雰囲気を積極的にその領域に供給してやる
必要がある。前述した通り、本発明の目的とする真空中
における少数の微粒子を検出する場合には、かかる方法
は不適当なので、先ず検査可能領域を拡大して広い範囲
のいずこにおいても精度よく微粒子の検出を行えるよう
にする必要がある。
本発明者の研究によれば、第１図に示すように凸面鏡
１と凹面鏡２とをその光軸X1,X2を実質的に一致させて
所定の距離を隔てて互いに対面させ、光軸から離れた位
置から光軸に平行にレーザービームＬを入射して両鏡間
で多数回反射させてビームのカーテンＣを形成させた場
合のシミュレーション計算によれば、この両鏡の中央位
置におけるカーテンの光強度は光軸の近傍において重畳
されて初めのビームの強度の数百倍にも達し、その周辺
においては急激に強度が減少することが判明した。この
場合、ビーム内の光の強さはガウス分布に従うものと仮
定し、その標準偏差σは２σが4mmに一致するものとし
てシミュレーション計算を行った。この例によれば、光
強度のピークが光軸近傍に出現して、全体として均一な
検査領域を形成しない。これを第２図のグラフに示す。
１と凹面鏡２とをその光軸X1,X2を実質的に一致させて
所定の距離を隔てて互いに対面させ、光軸から離れた位
置から光軸に平行にレーザービームＬを入射して両鏡間
で多数回反射させてビームのカーテンＣを形成させた場
合のシミュレーション計算によれば、この両鏡の中央位
置におけるカーテンの光強度は光軸の近傍において重畳
されて初めのビームの強度の数百倍にも達し、その周辺
においては急激に強度が減少することが判明した。この
場合、ビーム内の光の強さはガウス分布に従うものと仮
定し、その標準偏差σは２σが4mmに一致するものとし
てシミュレーション計算を行った。この例によれば、光
強度のピークが光軸近傍に出現して、全体として均一な
検査領域を形成しない。これを第２図のグラフに示す。
しかし、両鏡の光軸を僅かにずらすと、そのずらし量
に応じて光強度のピークは急激に減少してくるが、その
代わりその周辺領域における光強度との差異は小さくな
り、全体として比較的に広範囲にわたって光強度の安定
した領域が得られることが判明した。この状態を第３図
に示す。
に応じて光強度のピークは急激に減少してくるが、その
代わりその周辺領域における光強度との差異は小さくな
り、全体として比較的に広範囲にわたって光強度の安定
した領域が得られることが判明した。この状態を第３図
に示す。
この安定領域における光強度の差は鏡の反射率に大き
く依存し、反射率が余り高くない適当な値、例えば98％
程度以下の場合には、全体として均一な光強度が得られ
ることが判明した。一例においては、光軸のずらし量を
400μｍとし、反射率96％の鏡を使用した場合、光軸を
中心として半径15mmの領域内での光強度の差を30％以内
に抑えることができた。但し、反射率は少なくとも90％
より大きいことが必要であり、これ以下の場合には、反
射の繰り返しによる光強度の低下が著しく、実用に耐え
ないことが判明している。
く依存し、反射率が余り高くない適当な値、例えば98％
程度以下の場合には、全体として均一な光強度が得られ
ることが判明した。一例においては、光軸のずらし量を
400μｍとし、反射率96％の鏡を使用した場合、光軸を
中心として半径15mmの領域内での光強度の差を30％以内
に抑えることができた。但し、反射率は少なくとも90％
より大きいことが必要であり、これ以下の場合には、反
射の繰り返しによる光強度の低下が著しく、実用に耐え
ないことが判明している。
第４図は、この原理に基づく本発明の微粒子検出器の
概略斜視図を示す。誘電体多層膜を反射膜として用いた
半径900mmの凸面鏡１と半径1000mmの凹面鏡２とを対面
させ、その光軸を前述のように僅かにずらして、広い範
囲の均一光強度領域が得られるように調整された光学系
からなり、この上方には、780nmの波長のビームを発射
する半導体レーザー３が設置され、この光学系にビーム
Ｌを供給している。該ビームＬは両鏡1,2間で多数回反
射されて両者間にビームのカーテンＣを形成する。カー
テンＣの側方には集光器４が設置され、光ファイバ束５
等を介して微粒子による散乱光を高真空雰囲気に保持さ
れた光学系から外に取り出す。第５図に示すように、光
ファイバ５束は屈曲自在な気密性の金属性チューブ11で
密閉されており、光学系を収容している真空槽の外壁12
に気密性を保ちながら固定され、その終端は測定装置６
（第６図）に接続されている。
概略斜視図を示す。誘電体多層膜を反射膜として用いた
半径900mmの凸面鏡１と半径1000mmの凹面鏡２とを対面
させ、その光軸を前述のように僅かにずらして、広い範
囲の均一光強度領域が得られるように調整された光学系
からなり、この上方には、780nmの波長のビームを発射
する半導体レーザー３が設置され、この光学系にビーム
Ｌを供給している。該ビームＬは両鏡1,2間で多数回反
射されて両者間にビームのカーテンＣを形成する。カー
テンＣの側方には集光器４が設置され、光ファイバ束５
等を介して微粒子による散乱光を高真空雰囲気に保持さ
れた光学系から外に取り出す。第５図に示すように、光
ファイバ５束は屈曲自在な気密性の金属性チューブ11で
密閉されており、光学系を収容している真空槽の外壁12
に気密性を保ちながら固定され、その終端は測定装置６
（第６図）に接続されている。
被検出微粒子ＰがカーテンＣの領域内に存在している
場合には、ビームＬは該微粒子Ｐによって散乱せしめら
れ、その特定方向を指向する一部は前記集光器４によっ
て集められ、前記測定装置６において光電子増幅管７に
よって信号処理されて、制御装置（図示しない）に微粒
子サイズ及び数を示す指標として集計される。前記光電
子増幅管７に導入される直前に、散乱光は、例えば誘電
帯多層膜を有する多数のガラス板で構成された±10Å程
度の通過域を有するフィルタ８によって、元のレーザー
ビームＬの狭い波長帯域の成分のみ限定されることが望
ましい。なぜならば、集光器４には、微粒子によって散
乱された基本となるレーザービーム以外の波長成分、例
えばこの微粒子検出器の近傍で行われている薄膜形成の
ために発生する光等の外乱が混入されている可能性があ
り、このために得られた信号のS/N比が低下することの
リスクを防止する必要があるからである。このようにす
れば、S/N比は100倍以上に改善され、真空中の清浄度を
充分に管理することが可能となる。
場合には、ビームＬは該微粒子Ｐによって散乱せしめら
れ、その特定方向を指向する一部は前記集光器４によっ
て集められ、前記測定装置６において光電子増幅管７に
よって信号処理されて、制御装置（図示しない）に微粒
子サイズ及び数を示す指標として集計される。前記光電
子増幅管７に導入される直前に、散乱光は、例えば誘電
帯多層膜を有する多数のガラス板で構成された±10Å程
度の通過域を有するフィルタ８によって、元のレーザー
ビームＬの狭い波長帯域の成分のみ限定されることが望
ましい。なぜならば、集光器４には、微粒子によって散
乱された基本となるレーザービーム以外の波長成分、例
えばこの微粒子検出器の近傍で行われている薄膜形成の
ために発生する光等の外乱が混入されている可能性があ
り、このために得られた信号のS/N比が低下することの
リスクを防止する必要があるからである。このようにす
れば、S/N比は100倍以上に改善され、真空中の清浄度を
充分に管理することが可能となる。
又、スパッタリング等の薄膜形成工程から発生する原
子等が、レーザービームを反射させるための凸面鏡１や
凹面鏡２、並びに半導体レーザー３の放射口等を汚染す
ると、微粒子検出の精度が低下するので、これを防止す
るために、本発明においては主要な光学系を被覆するた
めに、第７図に示すようなハウジング９を設け、装置本
体を該ハウジング９内に収納し、更に該ハウジング９内
に不活性ガスを導管10から常時導入している。この状態
を第８図に示す。即ち、スパッタされた原子の挙動を考
えると、先ず雰囲気中の気体原子と衝突してその進路を
変更するが、その際に付近に壁面があるとこれに衝突し
てこれに付着する傾向がある。従って、鏡の近傍の気体
圧力を高め、且つハウジングの壁面を設けておくことに
よって、スパッタ原子を積極的に壁面に付着させて鏡面
の汚染を防ぐことが可能となる。
子等が、レーザービームを反射させるための凸面鏡１や
凹面鏡２、並びに半導体レーザー３の放射口等を汚染す
ると、微粒子検出の精度が低下するので、これを防止す
るために、本発明においては主要な光学系を被覆するた
めに、第７図に示すようなハウジング９を設け、装置本
体を該ハウジング９内に収納し、更に該ハウジング９内
に不活性ガスを導管10から常時導入している。この状態
を第８図に示す。即ち、スパッタされた原子の挙動を考
えると、先ず雰囲気中の気体原子と衝突してその進路を
変更するが、その際に付近に壁面があるとこれに衝突し
てこれに付着する傾向がある。従って、鏡の近傍の気体
圧力を高め、且つハウジングの壁面を設けておくことに
よって、スパッタ原子を積極的に壁面に付着させて鏡面
の汚染を防ぐことが可能となる。
本発明によれば、真空雰囲気下の少数の塵埃微粒子の
管理を行うのに、レーザービームを、適度な関係位置に
設置した凹凸両面鏡の間で多数回繰り返して反射させる
ことによって、均一な光強度領域を有するビームのカー
テンを形成し、該領域を用いて精度の高い微粒子検出を
可能にしたものである。
管理を行うのに、レーザービームを、適度な関係位置に
設置した凹凸両面鏡の間で多数回繰り返して反射させる
ことによって、均一な光強度領域を有するビームのカー
テンを形成し、該領域を用いて精度の高い微粒子検出を
可能にしたものである。
本発明の好適例によれば、光学系は不活性ガスの充填
されたハウジング内に収納されているので、スパッタリ
ング製膜工程にこれを応用した場合にも、汚染されるこ
となく活用可能である。
されたハウジング内に収納されているので、スパッタリ
ング製膜工程にこれを応用した場合にも、汚染されるこ
となく活用可能である。
又、散乱光は特定帯域の波長のみを透過させるフィル
タを通じて測定装置に導入されるので、常に高いS/N比
を以て検出が可能となる。
タを通じて測定装置に導入されるので、常に高いS/N比
を以て検出が可能となる。
第１図は、本発明の原理を示す光学経路図、 第２図は、第１図の原理に基づくビームカーテンの光強
度の分布図の一例（未調整の場合）、 第３図は、本発明に好適に調整されたビームカーテンの
光強度の分布図の例、 第４図は、本発明の微粒子検出器の概略斜視図、 第５図は、本発明に使用される光ファイバ束を真空槽外
に取り出すための構成を示す断面図、 第６図は同じく測定装置の一例の断面図、 第７図は、本発明の好適例にかかるハウジングの概略斜
視図、 第８図は、第７図のハウジング内に収容された検出装置
の概略斜視図、 第９図は、従来の微粒子検出器の概略斜視図である。 １……凸面鏡、２……凹面鏡、３……レーザー源、４…
…集光器、５……光ファイバ束、６……測定装置、７…
…光電子増倍管、８……フィルタ、９……ハウジング、
10……導管、Ｐ……微粒子、Ｌ……レーザービーム、Ｃ
……カーテン。
度の分布図の一例（未調整の場合）、 第３図は、本発明に好適に調整されたビームカーテンの
光強度の分布図の例、 第４図は、本発明の微粒子検出器の概略斜視図、 第５図は、本発明に使用される光ファイバ束を真空槽外
に取り出すための構成を示す断面図、 第６図は同じく測定装置の一例の断面図、 第７図は、本発明の好適例にかかるハウジングの概略斜
視図、 第８図は、第７図のハウジング内に収容された検出装置
の概略斜視図、 第９図は、従来の微粒子検出器の概略斜視図である。 １……凸面鏡、２……凹面鏡、３……レーザー源、４…
…集光器、５……光ファイバ束、６……測定装置、７…
…光電子増倍管、８……フィルタ、９……ハウジング、
10……導管、Ｐ……微粒子、Ｌ……レーザービーム、Ｃ
……カーテン。
Claims (4)
- 【請求項１】高反射率を有する凸面鏡（１）と該凸面鏡
（１）に所定距離離して対面し且つその光軸を前記凸面
鏡（１）の光軸に平行に且つ僅かにずらして配置された
高反射率を有する凹面鏡（２）とにより構成された光学
系と、前記凹面鏡（２）の外周の一点から前記凸面鏡
（１）及び凹面鏡（２）の両光軸を含む平面に沿い且つ
該光軸に平行して光ビーム（Ｌ）を入射して前記両鏡間
で多数回反射させて光ビームのカーテン（Ｃ）を形成す
るためのレーザ光軸（３）と、前記光ビームのカーテン
（Ｃ）の実質的に均一な強度分布を有する領域の光が雰
囲気中に浮遊する微粒子に当たり反射した散乱光を集光
し、その強度を測定する測定手段（６）とを具備して成
ることを特徴とする微粒子検出器。 - 【請求項２】前記光学系を構成する凸面鏡（１）及び凹
面鏡（２）の反射率がそれぞれ90〜98％の間で選択され
ている特許請求の範囲第１項に記載された微粒子検出
器。 - 【請求項３】前記光学系が実質的に密閉された構造をと
るハウジング（８）内に収納され、該ハウジング（８）
内には不活性ガスが封入されている特許請求の範囲第１
項又は第２項に記載された微粒子検出器。 - 【請求項４】前記散乱光を、前記光ビームの波長帯域の
光のみを透過させるフィルタ（９）を通じて前記測定手
段に導入する特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれか
１項に記載された微粒子検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62287566A JP2523711B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 微粒子検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62287566A JP2523711B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 微粒子検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129138A JPH01129138A (ja) | 1989-05-22 |
| JP2523711B2 true JP2523711B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=17718997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62287566A Expired - Lifetime JP2523711B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 微粒子検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2523711B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7276054B2 (en) | 2002-10-18 | 2007-10-02 | Uni-Charm Corporation | Disposable wearing article |
| US7503911B2 (en) | 2002-10-25 | 2009-03-17 | Uni-Charm Corporation | Disposable wearing article |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5121988A (en) * | 1989-10-04 | 1992-06-16 | Tsi Incorporated | Single particle detector method and apparatus utilizing light extinction within a sheet of light |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP62287566A patent/JP2523711B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7276054B2 (en) | 2002-10-18 | 2007-10-02 | Uni-Charm Corporation | Disposable wearing article |
| US7503911B2 (en) | 2002-10-25 | 2009-03-17 | Uni-Charm Corporation | Disposable wearing article |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01129138A (ja) | 1989-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0264426B1 (en) | Self contained surface contamination sensor | |
| US5467188A (en) | Particle detection system | |
| US5565984A (en) | Re-entrant illumination system for particle measuring device | |
| JP2560362B2 (ja) | 多重反射鏡 | |
| JPH0242742A (ja) | 表面分析システムのための較正ターゲット及び分析対象物体の支持体及び光トラップ及び開口構造体 | |
| US5347138A (en) | In situ real time particle monitor for a sputter coater chamber | |
| US10976674B2 (en) | Method for detecting EUV pellicle rupture | |
| JP2523711B2 (ja) | 微粒子検出器 | |
| US8197634B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JPH0564291B2 (ja) | ||
| US20200049617A1 (en) | Optical particle detector | |
| Bowling et al. | Status and needs of in-situ real-time process particle detection | |
| US12055378B2 (en) | Thickness measuring device | |
| US6122053A (en) | Apparatus for measuring particle fallout on a surface using a telltale plate | |
| JPS58113839A (ja) | 露点検出装置 | |
| JP2879798B2 (ja) | 粒子寸法検出装置に使用するための粒子検出装置 | |
| US5507175A (en) | Cycling chilled mirror dewpoint hygrometer including a sapphire optical mirror | |
| US5768471A (en) | Optical analyzer for measuring reflectivity of moving substrate | |
| US7139075B2 (en) | Method and apparatus for measuring the size distribution and concentration of particles in a fluid | |
| JPH0526737Y2 (ja) | ||
| JPH05249038A (ja) | オイルミスト濃度測定装置 | |
| US20230395408A1 (en) | Optical sensor for remote temperature measurements | |
| JPH051814Y2 (ja) | ||
| WO1996012943A9 (en) | Cycling chilled mirror dewpoint hygrometer including a sapphire optical mirror | |
| JP2663955B2 (ja) | 半導体製造用インラインパーティクル検出装置及び半導体製造装置 |