JP2003532866A - 結晶基板をアライメントするための方法および装置 - Google Patents
結晶基板をアライメントするための方法および装置Info
- Publication number
- JP2003532866A JP2003532866A JP2001542280A JP2001542280A JP2003532866A JP 2003532866 A JP2003532866 A JP 2003532866A JP 2001542280 A JP2001542280 A JP 2001542280A JP 2001542280 A JP2001542280 A JP 2001542280A JP 2003532866 A JP2003532866 A JP 2003532866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- tool
- ray
- wafer
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
本発明は、マスク３５から基板上へパターンを焼き付けるためのリソグラフィツール２０と、基板の結晶方向を決定するためのＸ線回折技術による基板角度測定ツール１００，３１０とを備えている装置１０，３００に関する。装置１０，３１０は、マスク３５が測定ツール１００，３１０に対して角度的に正しく向き付けられるように較正されている。新しい基板が、装置１０，３１０内に搬入されると、装置１０，３００は、測定ツール１００，３１０に対する基板の角度アライメントを行って、これにより、マスク３５に対する基板の角度アライメントをも行なう。装置１０，３００は、角度アライメントを行なうために基板上のフラットを用いず、その結果、この装置１０，３００によって、マスク３５上の構造に基板１９０の結晶面をアライメントする際、高い精度が実現可能となる。この精度は、１´（１分角）に達するか、あるいはさらに優れたものである。
Description
【０００１】
本発明は、リソグラフィ工程によって半導体ウェハ等の結晶基板上へ転写され
るべきリソグラフィーパターンに、前記結晶基板の一つ又は複数の結晶面を一致
させるよう前記結晶基板をアライメントする方法、さらには、この方法に用いら
れる装置に関する。
るべきリソグラフィーパターンに、前記結晶基板の一つ又は複数の結晶面を一致
させるよう前記結晶基板をアライメントする方法、さらには、この方法に用いら
れる装置に関する。
【０００２】
半導体デバイスの従来のマイクロ加工においては、半導体ウェハにリソグラフ
ィ処理を施してその上に構造を描き込むようにし、デバイスの動作部分に構造を
転写するための該リソグラフィ処理と組み合わせて、このウェハが化学的に処理
され、これらのリソグラフィ処理、及び化学処理が終了した時点で、個々のデバ
イスを切り出すようこのウェハが切断され、その後、顧客に出荷されるのに先立
ち、パッケージングとテスティングとが行なわれる。
ィ処理を施してその上に構造を描き込むようにし、デバイスの動作部分に構造を
転写するための該リソグラフィ処理と組み合わせて、このウェハが化学的に処理
され、これらのリソグラフィ処理、及び化学処理が終了した時点で、個々のデバ
イスを切り出すようこのウェハが切断され、その後、顧客に出荷されるのに先立
ち、パッケージングとテスティングとが行なわれる。
【０００３】
このようなデバイスは、結晶が単結晶構造からなるものであれば、リソグラフ
ィ用パターンを結晶面の方向に一致させるようにして作製されることが多い。例
えば、III−V族半導体ウェハからマイクロ加工される光電子デバイスは、通常、
平滑にへき開された｛１１０｝結晶面のファセットを作製することを通して、例
えば固体レーザのキャビティ用の鏡面を設けるといった創出に基づいている。平
滑にへき開された斯かるファセットを創出することは、実現が困難となる可能性
もある上に、デバイスを作製するのに用いられるリソグラフィ用パターンが、要
求されるウェハへき開面に対して極めて精度良く平行にアライメントされること
を要求するものである。この問題は、往々にしてウェハが作製中に意図的に切断
され、ウェハの主要表面の平面がウェハを構成している単結晶材料の｛００１｝
面に対して正確に平行でなく、カットオフ角（cut-off angle）だけ異なったも
のにされる場合には、さらに込み入ったものになる。このカットオフ角は、例え
ば２°〜１０°の範囲に存在し得る。このようなウェハは、今では、半導体処理
施設で普通に用いられており、ゼロでない（non-zero）カットオフ角がデバイス
製造を通して結晶層のエピタキシャル成長を助け、このような結晶層がデバイス
の一部を形成している。
ィ用パターンを結晶面の方向に一致させるようにして作製されることが多い。例
えば、III−V族半導体ウェハからマイクロ加工される光電子デバイスは、通常、
平滑にへき開された｛１１０｝結晶面のファセットを作製することを通して、例
えば固体レーザのキャビティ用の鏡面を設けるといった創出に基づいている。平
滑にへき開された斯かるファセットを創出することは、実現が困難となる可能性
もある上に、デバイスを作製するのに用いられるリソグラフィ用パターンが、要
求されるウェハへき開面に対して極めて精度良く平行にアライメントされること
を要求するものである。この問題は、往々にしてウェハが作製中に意図的に切断
され、ウェハの主要表面の平面がウェハを構成している単結晶材料の｛００１｝
面に対して正確に平行でなく、カットオフ角（cut-off angle）だけ異なったも
のにされる場合には、さらに込み入ったものになる。このカットオフ角は、例え
ば２°〜１０°の範囲に存在し得る。このようなウェハは、今では、半導体処理
施設で普通に用いられており、ゼロでない（non-zero）カットオフ角がデバイス
製造を通して結晶層のエピタキシャル成長を助け、このような結晶層がデバイス
の一部を形成している。
【０００４】
通常、丸い単結晶シリコンウェハおよび７５ｍｍより小さい直径の単結晶のII
I−V混晶ウェハは、ウェハの外側のエッジに、研磨された「フラット」を備えた
状態で半導体デバイス工場に供給されるが、このフラットは、固有のウェハ結晶
面に呼び値で一致させられている。１５０ｍｍないしそれより大きな直径を持っ
た、もっと大きなIII−V混晶ウェハは、通常その外側のエッジにフラットを持た
ない代わりに、ノッチを有していて、このノッチによってウェハ結晶面に対する
誤差限界±１°までの角度アライメント精度が可能になっている。より小さなII
I−V族材料の場合、ウェハ上のフラットは、その｛１１０｝結晶面に呼び値で一
致させられている。一般に、リソグラフィツールは、このフラットに機械的に見
当合わせして、それにより、このフラット、つまりこのフラットに関係付けられ
た結晶面に対して、リソグラフィ用マスク上のリソグラフィ用パターンをツール
の中で角度的にアライメントすることによって機能する。しかしながら、このフ
ラットの角度アライメントの精度は、平滑にへき開されたデバイス表面を実現す
るためにウェハをへき開するという目的に対して正確なアライメントを行なうと
いうのには大抵不十分である。このような不正確さは、ゼロでないカットオフ角
を有するウェハの場合、あるいは、デバイスの製造を通して成長させられるエピ
タキシャル層がフラット上にも成長して、その結果、そのレジストレーション精
度に悪い影響が及んでいるような個所ではとりわけ問題になる。
I−V混晶ウェハは、ウェハの外側のエッジに、研磨された「フラット」を備えた
状態で半導体デバイス工場に供給されるが、このフラットは、固有のウェハ結晶
面に呼び値で一致させられている。１５０ｍｍないしそれより大きな直径を持っ
た、もっと大きなIII−V混晶ウェハは、通常その外側のエッジにフラットを持た
ない代わりに、ノッチを有していて、このノッチによってウェハ結晶面に対する
誤差限界±１°までの角度アライメント精度が可能になっている。より小さなII
I−V族材料の場合、ウェハ上のフラットは、その｛１１０｝結晶面に呼び値で一
致させられている。一般に、リソグラフィツールは、このフラットに機械的に見
当合わせして、それにより、このフラット、つまりこのフラットに関係付けられ
た結晶面に対して、リソグラフィ用マスク上のリソグラフィ用パターンをツール
の中で角度的にアライメントすることによって機能する。しかしながら、このフ
ラットの角度アライメントの精度は、平滑にへき開されたデバイス表面を実現す
るためにウェハをへき開するという目的に対して正確なアライメントを行なうと
いうのには大抵不十分である。このような不正確さは、ゼロでないカットオフ角
を有するウェハの場合、あるいは、デバイスの製造を通して成長させられるエピ
タキシャル層がフラット上にも成長して、その結果、そのレジストレーション精
度に悪い影響が及んでいるような個所ではとりわけ問題になる。
【０００５】
光電子デバイスを製造する場合、必要なへき開面の、主要表面の平面との交線
が、ウェハ上への投影のためのリソグラフィ用パターンに、１分角（minute of
arc）より小さい角度誤差で平行になることが往々にして求められるものである
。例えば、ウェハ内におけるデバイス間のへき開用のトラックは、幾つかの状況
では、ウェハ上に十分なデバイス密度を確保するために１００μｍの幅に限られ
る。このとき、もしウェハが７５ｍｍの直径なら、ウェハは、±２．２５分角内
でアライメントされなければならず、さもなければ、デバイスがウェハの結晶面
に沿ってへき開されるときに、へき開面が横方向にへき開トラックを超えて伝わ
ることになって、その結果、デバイスの歩留まりに不利に働いてしまう。このア
ライメント精度の問題は、例えば１５０ｍｍの直径のウェハといった、より大き
な直径のウェハが用いられる場合には、さらに深刻化する。このアライメントの
問題を軽減するのに、１００μｍより広いへき開トラックを採用し、それに伴い
ウェハ上のデバイス密度が低下することに甘んじるということが通常行われてい
る。
が、ウェハ上への投影のためのリソグラフィ用パターンに、１分角（minute of
arc）より小さい角度誤差で平行になることが往々にして求められるものである
。例えば、ウェハ内におけるデバイス間のへき開用のトラックは、幾つかの状況
では、ウェハ上に十分なデバイス密度を確保するために１００μｍの幅に限られ
る。このとき、もしウェハが７５ｍｍの直径なら、ウェハは、±２．２５分角内
でアライメントされなければならず、さもなければ、デバイスがウェハの結晶面
に沿ってへき開されるときに、へき開面が横方向にへき開トラックを超えて伝わ
ることになって、その結果、デバイスの歩留まりに不利に働いてしまう。このア
ライメント精度の問題は、例えば１５０ｍｍの直径のウェハといった、より大き
な直径のウェハが用いられる場合には、さらに深刻化する。このアライメントの
問題を軽減するのに、１００μｍより広いへき開トラックを採用し、それに伴い
ウェハ上のデバイス密度が低下することに甘んじるということが通常行われてい
る。
【０００６】
関係するウェハフラットに対して機械的なレジストレーションを行なうことに
よりウェハ結晶面にリソグラフィ用パターンをアライメントするという上記の問
題を解決するための方法が現在二つ知られている。第一の方法において、ウェハ
は、呼び値で正確とされた該ウェハ上の既存のフラットに空間的に近接した所要
の面に沿ってへき開される。そして、その結果生成されたへき開面が、ウェハ結
晶面に角度的に正確に一致させられ、マスクパターンのアライメントのために使
用されることが可能となる。第二の方法において、ウェハは、その製造時からウ
ェハ上にフラットを有するようにして供給されるものであり、このとき、このフ
ラットは、その精度が研磨処理によって低下させられないよう、研磨されない。
よりウェハ結晶面にリソグラフィ用パターンをアライメントするという上記の問
題を解決するための方法が現在二つ知られている。第一の方法において、ウェハ
は、呼び値で正確とされた該ウェハ上の既存のフラットに空間的に近接した所要
の面に沿ってへき開される。そして、その結果生成されたへき開面が、ウェハ結
晶面に角度的に正確に一致させられ、マスクパターンのアライメントのために使
用されることが可能となる。第二の方法において、ウェハは、その製造時からウ
ェハ上にフラットを有するようにして供給されるものであり、このとき、このフ
ラットは、その精度が研磨処理によって低下させられないよう、研磨されない。
【０００７】
これらの二つの解決方法のいずれによっても、十分正確にアライメントされた
フラットが得られ、このフラットに対するリソグラフィツールの数分角の誤差内
での見当合わせが可能になる。しかしながら、へき開されて研磨されないこのよ
うなフラットは、斯かるフラットを有するウェハを横断して進行するクラックの
もとになることが知られており、その結果、このウェハから作製されたデバイス
の欠陥や、それどころかウェハの破壊にすら至ることになる。通常、ウェハのフ
ラットは、デバイスの欠陥やウェハの破壊につながるおそれを低減するために研
磨され、角取りされる。このように、へき開された、あるいは研磨されないレジ
ストレーション用フラットを有するウェハを使用することは、デバイスを作製す
る歩留まりに深刻な危険をもたらし、回避されることが好ましい。
フラットが得られ、このフラットに対するリソグラフィツールの数分角の誤差内
での見当合わせが可能になる。しかしながら、へき開されて研磨されないこのよ
うなフラットは、斯かるフラットを有するウェハを横断して進行するクラックの
もとになることが知られており、その結果、このウェハから作製されたデバイス
の欠陥や、それどころかウェハの破壊にすら至ることになる。通常、ウェハのフ
ラットは、デバイスの欠陥やウェハの破壊につながるおそれを低減するために研
磨され、角取りされる。このように、へき開された、あるいは研磨されないレジ
ストレーション用フラットを有するウェハを使用することは、デバイスを作製す
る歩留まりに深刻な危険をもたらし、回避されることが好ましい。
【０００８】
本発明者らは、リソグラフィ用パターンに対するウェハの結晶学的なアライメ
ントを行なうために従来のフラットやノッチを用いることは、要求を満たさない
アプローチであって、それゆえに問題を露呈しているという見解にいたった。本
発明者らは、この問題に取り組むためには、従来のものに代わる別のアライメン
ト技術を採用できるのではないかという認識にいたった。
ントを行なうために従来のフラットやノッチを用いることは、要求を満たさない
アプローチであって、それゆえに問題を露呈しているという見解にいたった。本
発明者らは、この問題に取り組むためには、従来のものに代わる別のアライメン
ト技術を採用できるのではないかという認識にいたった。
【０００９】
本発明の第一の観点によれば、装置内における基板をアライメントする方法に
おいて、前記装置は、基板上にパターンを焼き付けるためのリソグラフィツール
と、基板の一つ又は複数の結晶面の角度方向を測定するための回折式基板角度測
定ツールとを備え、以下の工程： （ａ）前記パターンの前記測定ツールに対する相対的な角度方向を較正し、 （ｂ）前記基板を前記リソグラフィツール内に挿入し、 （ｃ）前記測定ツールを用いて前記基板の前記一つ又は複数の結晶面の角度方
向を測定するとともに、前記基板を該基板の一つ又は複数の結晶面が前記パター
ンに対して角度的に一致するまで回転する、 工程を有して、前記パターンがこれにより前記基板および該基板の前記一つ又は
複数の結晶面に角度的にアライメントされる方法が提供される。
おいて、前記装置は、基板上にパターンを焼き付けるためのリソグラフィツール
と、基板の一つ又は複数の結晶面の角度方向を測定するための回折式基板角度測
定ツールとを備え、以下の工程： （ａ）前記パターンの前記測定ツールに対する相対的な角度方向を較正し、 （ｂ）前記基板を前記リソグラフィツール内に挿入し、 （ｃ）前記測定ツールを用いて前記基板の前記一つ又は複数の結晶面の角度方
向を測定するとともに、前記基板を該基板の一つ又は複数の結晶面が前記パター
ンに対して角度的に一致するまで回転する、 工程を有して、前記パターンがこれにより前記基板および該基板の前記一つ又は
複数の結晶面に角度的にアライメントされる方法が提供される。
【００１０】
本発明によれば、上記装置により、この基板内に組み込まれたフラットや類似
のアライメント構造に何ら頼ることなく、上記基板の結晶面を上記パターンに対
してアライメントすることが可能になるという利点が得られる。
のアライメント構造に何ら頼ることなく、上記基板の結晶面を上記パターンに対
してアライメントすることが可能になるという利点が得られる。
【００１１】
上記回折式測定ツールは、上記一つ又は複数の結晶面の角度方向を決定するた
めに、Ｘ線放射線の波長で動作することが好ましい。Ｘ線放射線を用いることに
より、その波長が基板を構成する原子間の距離と同じオーダーになり、その結果
、基板に対する測定可能な角度にＸ線ビームが回折されるという利点が得られる
。上記測定ツールは、結晶内でのブラッグ回折に起因する回折されたＸ線を測定
するものであることが好ましい。
めに、Ｘ線放射線の波長で動作することが好ましい。Ｘ線放射線を用いることに
より、その波長が基板を構成する原子間の距離と同じオーダーになり、その結果
、基板に対する測定可能な角度にＸ線ビームが回折されるという利点が得られる
。上記測定ツールは、結晶内でのブラッグ回折に起因する回折されたＸ線を測定
するものであることが好ましい。
【００１２】
上記の方法を簡易で信頼性の高いものするために、上記一つ又は複数の結晶面
の正しい角度方向が、上記測定ツールのＸ線検出器におけるＸ線計数率が最大に
なるような、上記基板の上記測定ツールに対する方位を見出すことによって特定
されることが望ましい。このようなアプローチの仕方によって、回折されたビー
ムの複雑な計算や外挿を含んだ他の結晶方位測定技術に付随する煩雑な計算を実
行する必要性が回避される。
の正しい角度方向が、上記測定ツールのＸ線検出器におけるＸ線計数率が最大に
なるような、上記基板の上記測定ツールに対する方位を見出すことによって特定
されることが望ましい。このようなアプローチの仕方によって、回折されたビー
ムの複雑な計算や外挿を含んだ他の結晶方位測定技術に付随する煩雑な計算を実
行する必要性が回避される。
【００１３】
この方法においては、簡便にも、上記一つ又は複数の結晶面の角度方向を測定
するために、上記基板を通して、検査用の（interrogating）Ｘ線ビームを透過
させることによって、回折されたＸ線ビームが生成される。
するために、上記基板を通して、検査用の（interrogating）Ｘ線ビームを透過
させることによって、回折されたＸ線ビームが生成される。
【００１４】
しかしながら、基板を通してＸ線の放射線を透過させると放射線が弱まってし
まうので、上記の方法において、上記一つ又は複数の結晶面の角度方向を測定す
るために、上記基板から、検査Ｘ線ビームを反射させることによって、回折され
たＸ線ビームを生成することが好ましい。その結果、基板を透過して回折される
割合に比べると、基板上に入射したＸ線放射線の比較的高い割合が回折によって
反射されるという利点が生じる。好ましくは、上記リソグラフィツールを遮らな
いよう、上記検査ビームは、上記基板の周囲の端面に入射される。
まうので、上記の方法において、上記一つ又は複数の結晶面の角度方向を測定す
るために、上記基板から、検査Ｘ線ビームを反射させることによって、回折され
たＸ線ビームを生成することが好ましい。その結果、基板を透過して回折される
割合に比べると、基板上に入射したＸ線放射線の比較的高い割合が回折によって
反射されるという利点が生じる。好ましくは、上記リソグラフィツールを遮らな
いよう、上記検査ビームは、上記基板の周囲の端面に入射される。
【００１５】
さらに、上記の方法において、上記測定ツールは、上記リソグラフィツールを
遮らないように、このリソグラフィツールの一方の側に維持されていることが望
ましい。したがって、上記の方法において、上記測定ツールは、１次、２次、ま
たは３次の回折のモードを用いて、上記一つ又は複数の結晶面の角度方向を測定
することが好ましい。１次より高い回折のモードによって、回折角が比較的大き
くなり、その結果、上記測定ツールを上手く上記リソグラフィツールの一方の側
に向けて取り付けることができるようになる。
遮らないように、このリソグラフィツールの一方の側に維持されていることが望
ましい。したがって、上記の方法において、上記測定ツールは、１次、２次、ま
たは３次の回折のモードを用いて、上記一つ又は複数の結晶面の角度方向を測定
することが好ましい。１次より高い回折のモードによって、回折角が比較的大き
くなり、その結果、上記測定ツールを上手く上記リソグラフィツールの一方の側
に向けて取り付けることができるようになる。
【００１６】
上述の方法において、較正は、下位の方法を用いて行なわれ、この下位の方法
は、 （ａ）前記リソグラフィツール内にテスト基板を挿入し、結晶面に対応するへ
き開された端面が露出するように、前記テスト基板をへき開し、 （ｂ）前記テスト基板を前記測定ツールに対して角度的にアライメントして、
前記測定ツールの検出器から最大の放射線計数率が得られるようにし、 （ｃ）前記パターンの構造を前記へき開された端面に対して角度的にアライメ
ントする、 工程を有している。へき開されたテストウェハを用いることによって、或る特定
の結晶面に対応する上記へき開された端面に、上記パターンが確実にアライメン
トされる。
は、 （ａ）前記リソグラフィツール内にテスト基板を挿入し、結晶面に対応するへ
き開された端面が露出するように、前記テスト基板をへき開し、 （ｂ）前記テスト基板を前記測定ツールに対して角度的にアライメントして、
前記測定ツールの検出器から最大の放射線計数率が得られるようにし、 （ｃ）前記パターンの構造を前記へき開された端面に対して角度的にアライメ
ントする、 工程を有している。へき開されたテストウェハを用いることによって、或る特定
の結晶面に対応する上記へき開された端面に、上記パターンが確実にアライメン
トされる。
【００１７】
本発明の第二の観点により、上記本発明の第一の観点による方法を実施するた
めの装置が提供され、該装置は、基板上にパターンを焼き付けるためのリソグラ
フィツールと、前記基板の一つ又は複数の結晶面の角度方向を測定するための回
折式基板角度測定ツールとを備え、前記装置は、前記パターンに対して前記一つ
又は複数の結晶面を角度的にアライメントして、前記基板上に前記パターンを焼
き付けるように操作できるものとされている。
めの装置が提供され、該装置は、基板上にパターンを焼き付けるためのリソグラ
フィツールと、前記基板の一つ又は複数の結晶面の角度方向を測定するための回
折式基板角度測定ツールとを備え、前記装置は、前記パターンに対して前記一つ
又は複数の結晶面を角度的にアライメントして、前記基板上に前記パターンを焼
き付けるように操作できるものとされている。
【００１８】
上記装置により、この基板上に存在するアライメント用のフラットを何ら参照
せずに、上記パターンに対して上記基板をアライメントすることができるという
利点が得られる。
せずに、上記パターンに対して上記基板をアライメントすることができるという
利点が得られる。
【００１９】
前記測定ツールは、Ｘ線光源とＸ線検出器とを備え、前記光源は、前記基板を
検査するためのビームを生成するように構成され、前記検出器は、前記ビームの
ブラッグ回折に起因する回折された放射線を受け入れるように構成されているこ
とが好ましい。Ｘ線ブラッグ回折は、基板の結晶学的な方位の測定に対する便利
で正確な方法である。
検査するためのビームを生成するように構成され、前記検出器は、前記ビームの
ブラッグ回折に起因する回折された放射線を受け入れるように構成されているこ
とが好ましい。Ｘ線ブラッグ回折は、基板の結晶学的な方位の測定に対する便利
で正確な方法である。
【００２０】
好ましくは、前記測定ツールは、前記基板を通して透過させられて回折された
放射線を検出するように配置されている。また、これとは異なり、前記測定ツー
ルは、前記基板から反射させられて回折された放射線を検出するように配置され
ている。基板を透過する放射線に比べると、それよりも大きな割合の放射線が基
板から反射されるため、反射されて回折されたＸ線放射線を用いることによって
、基板結晶の方位の特定に用いるために、比較的大きな信号が得られ、その結果
、高い精度が得られることになろう。基板の方位を特定するのに反射された放射
線を用いる場合、大面積Ｘ線検出器によって前記基板から反射された回折放射線
が検出されることが望ましい。ここで、大面積Ｘ線検出器とは、本明細書中、Ｘ
線を感度良く検出する１ｃｍ2を上回る大きさの面積を有している検出器のこと
を言う。
放射線を検出するように配置されている。また、これとは異なり、前記測定ツー
ルは、前記基板から反射させられて回折された放射線を検出するように配置され
ている。基板を透過する放射線に比べると、それよりも大きな割合の放射線が基
板から反射されるため、反射されて回折されたＸ線放射線を用いることによって
、基板結晶の方位の特定に用いるために、比較的大きな信号が得られ、その結果
、高い精度が得られることになろう。基板の方位を特定するのに反射された放射
線を用いる場合、大面積Ｘ線検出器によって前記基板から反射された回折放射線
が検出されることが望ましい。ここで、大面積Ｘ線検出器とは、本明細書中、Ｘ
線を感度良く検出する１ｃｍ2を上回る大きさの面積を有している検出器のこと
を言う。
【００２１】
上記Ｘ線光源は、好ましくは、ビーム用の放射線を生成するためのＸ線ターゲ
ットを備え、該ターゲットは、銅、コバルト、鉄、銀またはモリブデンを含む材
料からなる。このようなターゲットにより、Ｘ線放射線の上記装置に用いるため
の有用な波長領域が得られる。
ットを備え、該ターゲットは、銅、コバルト、鉄、銀またはモリブデンを含む材
料からなる。このようなターゲットにより、Ｘ線放射線の上記装置に用いるため
の有用な波長領域が得られる。
【００２２】
上記測定ツールは、簡便にも、上記リソグラフィツールに対して調節可能に取
り付けられた二つの構成部に配列され、これにより、前記基板から回折された放
射線に伴うブラッグ回折角の範囲に対する必要に応じて、前記測定ツールの調節
が可能とされている。
り付けられた二つの構成部に配列され、これにより、前記基板から回折された放
射線に伴うブラッグ回折角の範囲に対する必要に応じて、前記測定ツールの調節
が可能とされている。
【００２３】
上記測定ツールのためのこのような構成によって、測定ツールが、異なる組成
と寸法の結晶に対して、結晶学的な方位を測定するために用いられることができ
るようになる。その上、上記測定ツールに用いられる便利なセットアップ角を実
現するために、上記測定ツールは、１次、２次、または３次の回折のモードで動
作するよう操作することができる。
と寸法の結晶に対して、結晶学的な方位を測定するために用いられることができ
るようになる。その上、上記測定ツールに用いられる便利なセットアップ角を実
現するために、上記測定ツールは、１次、２次、または３次の回折のモードで動
作するよう操作することができる。
【００２４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づき単なる実例によって詳述する。
【００２５】
図１には、本発明による装置が符号１０によって示されている。装置１０は、
符号２０によって示される従来のリソグラフィツールを備え、このリソグラフィ
ツール２０は、有機ウェハレジストを露光するための照射用光源２５と、光源２
５からの照射光をコリメートするための光学ユニット３０と、リソグラフィ用パ
ターンを有するリソグラフィ用マスク３５とを備えている。リソグラフィツール
２０は、さらに、対応する駆動ユニット４５に連結されたウェハチャック４０を
備えており、前記駆動ユニット４５の入力Ｐ1がウェハアライメント制御ユニッ
ト５０の出力Ｏ1に接続されている。この制御ユニット５０は、その入力Ｉ1に受
け入れられる計数信号に反応してチャック４０の角度回転を制御するためのコン
ピュータを有している。制御ユニット５０は、装置１０が手動で操作される場合
等、操縦者からの入力による命令をも受け取るように構成されている。制御ユニ
ット５０は、さらに、その出力Ｏ2でリソグラフィ制御ユニット６０の入力Ｃ1に
接続されている。制御ユニット６０は、光源２５がマスク３５を照明するのに照
射光を放射する際、その制御を行うように、その出力Ｏ3で光源２５の入力Ｓに
接続されている。加えて、制御ユニット６０は、さらに、マスク３５の角度回転
を制御するためのマスク駆動ユニット６５の入力Ｐ2に接続された出力Ｏ4を備え
ている。
符号２０によって示される従来のリソグラフィツールを備え、このリソグラフィ
ツール２０は、有機ウェハレジストを露光するための照射用光源２５と、光源２
５からの照射光をコリメートするための光学ユニット３０と、リソグラフィ用パ
ターンを有するリソグラフィ用マスク３５とを備えている。リソグラフィツール
２０は、さらに、対応する駆動ユニット４５に連結されたウェハチャック４０を
備えており、前記駆動ユニット４５の入力Ｐ1がウェハアライメント制御ユニッ
ト５０の出力Ｏ1に接続されている。この制御ユニット５０は、その入力Ｉ1に受
け入れられる計数信号に反応してチャック４０の角度回転を制御するためのコン
ピュータを有している。制御ユニット５０は、装置１０が手動で操作される場合
等、操縦者からの入力による命令をも受け取るように構成されている。制御ユニ
ット５０は、さらに、その出力Ｏ2でリソグラフィ制御ユニット６０の入力Ｃ1に
接続されている。制御ユニット６０は、光源２５がマスク３５を照明するのに照
射光を放射する際、その制御を行うように、その出力Ｏ3で光源２５の入力Ｓに
接続されている。加えて、制御ユニット６０は、さらに、マスク３５の角度回転
を制御するためのマスク駆動ユニット６５の入力Ｐ2に接続された出力Ｏ4を備え
ている。
【００２６】
装置１０は、符号１００が付されたＸ線回折ツールを備えている。このツール
１００の第１の構成部は、図１に示すように、下側の、しかもチャック４０の一
方の側に設置されており、さらに、第２の構成部は、上側の、しかもチャック４
０のもう一方の側に設置されている。ツール１００の第１の構成部は、点状Ｘ線
光源１１０と、第１のＸ線シールド１２０と、Ｘ線コリメータ１３０とを備えて
いる。このシールド１２０は、コリメータ１３０によってビームに整えられなか
ったＸ線放射線や、チャック４０で散乱されるＸ線放射線から、チャック４０な
らびに装置１０の操縦者を遮蔽して保護するために設けられている。Ｘ線光源１
１０は、銅ターゲットを有した３５ｋＶの水冷式の市販のＸ線光源で、波長０．
１５４ｎｍの波長のＸ線をその大半において放射するよう動作可能になっている
が、０．１５４ｎｍから隔たった他の波長の成分も放射される。コリメータ１３
０は、真鍮製のチューブといった金属製チューブを備え、この金属製チューブに
よって、Ｘ線光源１１０から放射されるＸ線放射線が、チャック４０上に搬入さ
れ角度的にアライメントされるあらゆるウェハのカットオフ角よりも大きい最大
半角を有する光線ビームに変換される。このコリメータ１３０は、Ｘ線光源１１
０からチャック４０の直ぐ下側まで延びている上記第１のシールド１２０の中に
内包されている。
１００の第１の構成部は、図１に示すように、下側の、しかもチャック４０の一
方の側に設置されており、さらに、第２の構成部は、上側の、しかもチャック４
０のもう一方の側に設置されている。ツール１００の第１の構成部は、点状Ｘ線
光源１１０と、第１のＸ線シールド１２０と、Ｘ線コリメータ１３０とを備えて
いる。このシールド１２０は、コリメータ１３０によってビームに整えられなか
ったＸ線放射線や、チャック４０で散乱されるＸ線放射線から、チャック４０な
らびに装置１０の操縦者を遮蔽して保護するために設けられている。Ｘ線光源１
１０は、銅ターゲットを有した３５ｋＶの水冷式の市販のＸ線光源で、波長０．
１５４ｎｍの波長のＸ線をその大半において放射するよう動作可能になっている
が、０．１５４ｎｍから隔たった他の波長の成分も放射される。コリメータ１３
０は、真鍮製のチューブといった金属製チューブを備え、この金属製チューブに
よって、Ｘ線光源１１０から放射されるＸ線放射線が、チャック４０上に搬入さ
れ角度的にアライメントされるあらゆるウェハのカットオフ角よりも大きい最大
半角を有する光線ビームに変換される。このコリメータ１３０は、Ｘ線光源１１
０からチャック４０の直ぐ下側まで延びている上記第１のシールド１２０の中に
内包されている。
【００２７】
ツール１００の第２の構成部は、ビーム方向のディスクリミネータ（弁別器）
１４０と、第２のＸ線シールド１５０と、Ｘ線検出器１６０とを備えている。Ｘ
線放射線に対して有感な検出器１６０の部分とディスクリミネータ１４０とは、
検出器１６０からチャック４０の直ぐ上側まで延びている第２のシールド１５０
の中に内包されている。ディスクリミネータ１４０は、比較的高い透過ファクタ
ーと、ビーム方向に対する高い感度とを示す４−バウンス・チャンネル・カット
結晶（four-bounce channel cut crystal）を用いて構成され、また、このディ
スクリミネータ１４０が、Ｘ線光源１１０によって放射された０．１５４ｎｍの
波長から不要なＸ線成分を取り除くためのモノクロメータとしても機能している
。
１４０と、第２のＸ線シールド１５０と、Ｘ線検出器１６０とを備えている。Ｘ
線放射線に対して有感な検出器１６０の部分とディスクリミネータ１４０とは、
検出器１６０からチャック４０の直ぐ上側まで延びている第２のシールド１５０
の中に内包されている。ディスクリミネータ１４０は、比較的高い透過ファクタ
ーと、ビーム方向に対する高い感度とを示す４−バウンス・チャンネル・カット
結晶（four-bounce channel cut crystal）を用いて構成され、また、このディ
スクリミネータ１４０が、Ｘ線光源１１０によって放射された０．１５４ｎｍの
波長から不要なＸ線成分を取り除くためのモノクロメータとしても機能している
。
【００２８】
このディスクリミネータ１４０は、代わりに一対のスリットとして構成され、
この一対のスリットの一方のスリットが、この一対のスリットの他方のスリット
に対して位置的に調節可能とされるものであってもよい。しかしながら、ディス
クリミネータ１４０のこの実施形態によると、Ｘ線光源１１０と検出器１６０と
の間のどこかにモノクロメータを設けることが必要になる。
この一対のスリットの一方のスリットが、この一対のスリットの他方のスリット
に対して位置的に調節可能とされるものであってもよい。しかしながら、ディス
クリミネータ１４０のこの実施形態によると、Ｘ線光源１１０と検出器１６０と
の間のどこかにモノクロメータを設けることが必要になる。
【００２９】
Ｘ線光源１１０は、０．１５４ｎｍの波長のＸ線放射線を生成するよう動作可
能とされており、このＸ線放射線がコリメータ１３０を通って進行し、このコリ
メータ１３０の中で一部コリメートされて平行にされ、符号１７０が付された光
線束（ビーム）が得られるようになっている。このビーム１７０は、チャック４
０内のスロット１８０を通り、そしてチャック４０上の半導体ウェハ１９０のエ
ッジ領域をも通って進行し、このウェハのエッジ領域でビーム１７０がブラッグ
回折され、さらにそこからディスクリミネータ１４０を通って検出器１６０にま
で進み、この検出器１６０でビーム１７０が検出されて、検出器１６０の出力Ｑ
に出力信号が生成されるようになっている。出力Ｑは、制御ユニット５０の入力
Ｉ1に接続されている。この制御ユニット５０は、検出器１６０からの上記出力
信号を、回折ツール１００に対するウェハ１９０の角度アライメントを制御する
ためのフィードバックとして用いるように動作させることができる。
能とされており、このＸ線放射線がコリメータ１３０を通って進行し、このコリ
メータ１３０の中で一部コリメートされて平行にされ、符号１７０が付された光
線束（ビーム）が得られるようになっている。このビーム１７０は、チャック４
０内のスロット１８０を通り、そしてチャック４０上の半導体ウェハ１９０のエ
ッジ領域をも通って進行し、このウェハのエッジ領域でビーム１７０がブラッグ
回折され、さらにそこからディスクリミネータ１４０を通って検出器１６０にま
で進み、この検出器１６０でビーム１７０が検出されて、検出器１６０の出力Ｑ
に出力信号が生成されるようになっている。出力Ｑは、制御ユニット５０の入力
Ｉ1に接続されている。この制御ユニット５０は、検出器１６０からの上記出力
信号を、回折ツール１００に対するウェハ１９０の角度アライメントを制御する
ためのフィードバックとして用いるように動作させることができる。
【００３０】
装置１０において、回折ツール１００は、チャック４０上のウェハ１９０の所
望の結晶面から回折されたＸ線放射線を集めるようにチャック４０に対してアラ
イメントされている。さらに、リソグラフィツール２０は、光学プロキシミティ
焼付け器（optical proximity printer）ならびにステップアンドリピート光学
焼付けシステム（optical step-and-repeat optical printer system）、あるい
は、電子ビームリソグラフィシステム（electron-beam lithographic system）
を備えていてもよい。ツール２０が電子ビームによるシステムである場合、ウェ
ハ１９０およびチャック４０は、システムの真空チャンバ内に設置される。
望の結晶面から回折されたＸ線放射線を集めるようにチャック４０に対してアラ
イメントされている。さらに、リソグラフィツール２０は、光学プロキシミティ
焼付け器（optical proximity printer）ならびにステップアンドリピート光学
焼付けシステム（optical step-and-repeat optical printer system）、あるい
は、電子ビームリソグラフィシステム（electron-beam lithographic system）
を備えていてもよい。ツール２０が電子ビームによるシステムである場合、ウェ
ハ１９０およびチャック４０は、システムの真空チャンバ内に設置される。
【００３１】
Ｘ線シールド１２０，１５０は、回折ツール１００内に設けられていて、照明
光源２５の方に面しているウェハ１９０の上部主要面を覆っている有機レジスト
を露光してしまうような、回折ツールから脇にそれた迷走Ｘ線放射線を低減する
ようになっている。さらにまた、これらのシールド１２０，１５０は、有害なＸ
線被爆から装置１０の操縦者を保護している。
光源２５の方に面しているウェハ１９０の上部主要面を覆っている有機レジスト
を露光してしまうような、回折ツールから脇にそれた迷走Ｘ線放射線を低減する
ようになっている。さらにまた、これらのシールド１２０，１５０は、有害なＸ
線被爆から装置１０の操縦者を保護している。
【００３２】
以下に、図１に基づき、装置１０の動作について説明する。
【００３３】
最初に、回折ツール１００に対するマスク３５の角度アライメントを較正する
ために、例えば１分角より遥かに小さな誤差といった高い角度精度でマスク３５
を回転する。このような較正は、チャック４０上にテストウェハを挿入すること
によって実現されるが、このウェハは、内部に比較的長いへき開された端面を有
しており、この端面は、装置１０に対して要求される程度の角度誤差でウェハの
結晶面に揃えられている。Ｘ線光源１１０からのＸ線放射線は、ビーム１７０を
形成するようにコリメータ１３０を通って進行し、このビーム１７０がさらにス
ロット１８０を通ってテストウェハまで進行し、そしてここで回折ビームを生成
するようにビームが回折される。この回折されたビームは、ディスクリミネータ
１４０を通り抜け、最終的に検出器１６０で検出されて出力Ｑに信号を生成し、
この信号が、検出されたＸ線光子に対応する一連の複数のパルスの形となる。制
御ユニット５０は、検出器１６０の出力Ｑにどういったレートでパルスがもたら
されるかをモニタし、検出器１６０からのＸ線パルスのレートが最大に達するま
でチャック４０を回転するよう駆動ユニット４５に命令する。分割画面顕微鏡等
を用いて人間による目視検査を行うことにより制御ユニット６０に命令を入力し
、投影されるマスク上の構造がウェハ上のへき開された端面に角度的に正確に一
致するまでマスク３５を正確に回転させる。このようにして、このアライメント
が終了する時点で、マスク３５は、テストウェハによって回折装置１００に対し
てアライメントされた状態になっている。較正は、マスク３５が交換されるたび
に行ったり、あるいは、装置１０内でのドリフトに対して補正を行うために定期
的に行ったりする必要がある。
ために、例えば１分角より遥かに小さな誤差といった高い角度精度でマスク３５
を回転する。このような較正は、チャック４０上にテストウェハを挿入すること
によって実現されるが、このウェハは、内部に比較的長いへき開された端面を有
しており、この端面は、装置１０に対して要求される程度の角度誤差でウェハの
結晶面に揃えられている。Ｘ線光源１１０からのＸ線放射線は、ビーム１７０を
形成するようにコリメータ１３０を通って進行し、このビーム１７０がさらにス
ロット１８０を通ってテストウェハまで進行し、そしてここで回折ビームを生成
するようにビームが回折される。この回折されたビームは、ディスクリミネータ
１４０を通り抜け、最終的に検出器１６０で検出されて出力Ｑに信号を生成し、
この信号が、検出されたＸ線光子に対応する一連の複数のパルスの形となる。制
御ユニット５０は、検出器１６０の出力Ｑにどういったレートでパルスがもたら
されるかをモニタし、検出器１６０からのＸ線パルスのレートが最大に達するま
でチャック４０を回転するよう駆動ユニット４５に命令する。分割画面顕微鏡等
を用いて人間による目視検査を行うことにより制御ユニット６０に命令を入力し
、投影されるマスク上の構造がウェハ上のへき開された端面に角度的に正確に一
致するまでマスク３５を正確に回転させる。このようにして、このアライメント
が終了する時点で、マスク３５は、テストウェハによって回折装置１００に対し
てアライメントされた状態になっている。較正は、マスク３５が交換されるたび
に行ったり、あるいは、装置１０内でのドリフトに対して補正を行うために定期
的に行ったりする必要がある。
【００３４】
装置１０が較正されている最中にないときの装置１０の通常の運転の間に、ウ
ェハ１９０をチャック４０上に搬入する。制御ユニット５０は、検出器１６０か
らのＸ線パルスのレートをモニタし、駆動ユニット４５に命令してＸ線パルスの
レートが最大になるまでチャック４５上のウェハ１９０を回転する。Ｘ線パルス
の最大のレートは、ウェハ１９０内の結晶面がディスクリミネータ１４０のアク
セプタンスの角度（acceptance angle）に対して調節され、したがって、回折装
置１００に対してアライメントがなされたときに得られる。アライメント制御ユ
ニット５０は、自身の出力Ｏ2においてリソグラフィ制御ユニット６０に向けて
信号を出力する。次に制御ユニット６０は、ウェハ１９０に対してマスク３５の
見当合わせを行う。ウェハ１９０の見当合わせが完了したら、次に制御ユニット
６０は、光源２５を作動させてマスク３５を照明し、これにより、マスク３５の
方に面したウェハの主要面上におけるウェハ１９０上に被覆された有機レジスト
の層上に、マスクの構造を転写する。
ェハ１９０をチャック４０上に搬入する。制御ユニット５０は、検出器１６０か
らのＸ線パルスのレートをモニタし、駆動ユニット４５に命令してＸ線パルスの
レートが最大になるまでチャック４５上のウェハ１９０を回転する。Ｘ線パルス
の最大のレートは、ウェハ１９０内の結晶面がディスクリミネータ１４０のアク
セプタンスの角度（acceptance angle）に対して調節され、したがって、回折装
置１００に対してアライメントがなされたときに得られる。アライメント制御ユ
ニット５０は、自身の出力Ｏ2においてリソグラフィ制御ユニット６０に向けて
信号を出力する。次に制御ユニット６０は、ウェハ１９０に対してマスク３５の
見当合わせを行う。ウェハ１９０の見当合わせが完了したら、次に制御ユニット
６０は、光源２５を作動させてマスク３５を照明し、これにより、マスク３５の
方に面したウェハの主要面上におけるウェハ１９０上に被覆された有機レジスト
の層上に、マスクの構造を転写する。
【００３５】
露光後、ウェハ１９０をチャック４０から取り外し、次いで、レジスト層を相
応の溶剤中で現像して、反応性イオンによるエッチングないしイオンミリング等
の化学処理をウェハ１９０に施す。このとき、レジスト層は、化学処理に対する
ステンシルとして働く。
応の溶剤中で現像して、反応性イオンによるエッチングないしイオンミリング等
の化学処理をウェハ１９０に施す。このとき、レジスト層は、化学処理に対する
ステンシルとして働く。
【００３６】
装置１０によれば、従来のリソグラフィツールと比較すると、この装置によっ
て、ウェハの角度アライメントの目的のためにウェハ１９０上に正確に方位付け
られたフラットを必要としなくても済むようになるという利点が得られる。この
装置１０によって、装置１０の較正精度に制限されるような、ウェハ結晶方位に
対するマスク構造のアライメント精度が得られる可能性がある。さらに、装置１
０を操作する際には、チャック４０上に取り付けられたウェハの角度アライメン
トを数秒角のオーダー（桁）で達成することができるよう、煩雑な数学的データ
処理を自身の制御ユニット５０によって行うといったことが要求されない。
て、ウェハの角度アライメントの目的のためにウェハ１９０上に正確に方位付け
られたフラットを必要としなくても済むようになるという利点が得られる。この
装置１０によって、装置１０の較正精度に制限されるような、ウェハ結晶方位に
対するマスク構造のアライメント精度が得られる可能性がある。さらに、装置１
０を操作する際には、チャック４０上に取り付けられたウェハの角度アライメン
トを数秒角のオーダー（桁）で達成することができるよう、煩雑な数学的データ
処理を自身の制御ユニット５０によって行うといったことが要求されない。
【００３７】
上記Ｘ線光源１１０は、点状光源として働き、ウェハ１９０のカットオフ角の
差に対する要求に応えるようになっている。光線束１７０の半角は、ウェハ１９
０に方向付けられた少なくとも幾つかの光線がディスクリミネータ１４０を介し
て検出器１６０内に進行するようにブラッグ回折されることができるような角度
になっている。
差に対する要求に応えるようになっている。光線束１７０の半角は、ウェハ１９
０に方向付けられた少なくとも幾つかの光線がディスクリミネータ１４０を介し
て検出器１６０内に進行するようにブラッグ回折されることができるような角度
になっている。
【００３８】
図１において、軸Ａ−Ａ´及び軸Ｃ−Ｃ´は、ウェハ１９０の主要表面の平面
に対して垂直である。回折装置１００の第１の構成部および第２の構成部の光軸
は、軸Ｂ−Ａ及び軸Ｃ−Ｄにそれぞれ平行になっている。軸Ａ−Ａ´と軸Ａ−Ｂ
との間が角θに対応している。同じように、軸Ｃ−Ｃ´と軸Ｃ−Ｄとの間が角θ
に対応している。図１中のこの角度は、ウェハ１９０がガリウム砒素を含んでい
るような場合には、０．１５４ｎｍの波長のＸ線放射線に対する１次の＜２２０
＞回折に対して、大体２０°〜２５°の程度になる。ブラッグ回折角は、ウェハ
１９０内の原子の間隔や、相対的な空間的配置によるので、装置１０は、例えば
ガリウム砒素と同じく、シリコン、インジウム、燐化物等の異なるウェハ成分に
対する要求に角度θが対応できるように構成されている。
に対して垂直である。回折装置１００の第１の構成部および第２の構成部の光軸
は、軸Ｂ−Ａ及び軸Ｃ−Ｄにそれぞれ平行になっている。軸Ａ−Ａ´と軸Ａ−Ｂ
との間が角θに対応している。同じように、軸Ｃ−Ｃ´と軸Ｃ−Ｄとの間が角θ
に対応している。図１中のこの角度は、ウェハ１９０がガリウム砒素を含んでい
るような場合には、０．１５４ｎｍの波長のＸ線放射線に対する１次の＜２２０
＞回折に対して、大体２０°〜２５°の程度になる。ブラッグ回折角は、ウェハ
１９０内の原子の間隔や、相対的な空間的配置によるので、装置１０は、例えば
ガリウム砒素と同じく、シリコン、インジウム、燐化物等の異なるウェハ成分に
対する要求に角度θが対応できるように構成されている。
【００３９】
幾つかの場合、リソグラフィツール２０に回折装置１００を接近させて設置す
ることが便利なこともある。このように近づけて設置することによって、実用上
、Ｘ線光源１１０から検出器１６０までの放射線の径路長を比較的長くすること
が可能である。ウェハ１９０からの２次の＜４４０＞の回折、あるいは３次の＜
６６０＞の回折さえ用いることは実現可能で、このとき、ウェハ１９０からの回
折は、角度θが５０°ないしそれ以上になることができて、その結果、便利なよ
うに回折ツール１００の大半をリソグラフィツール２０の一方の側へ動かせるよ
うになる。回折ツール１００に対するこのような構成によって、装置１０がより
小形になるようにＸ線光源１１０から検出器１６０までの径路長を低減すること
が可能となる。
ることが便利なこともある。このように近づけて設置することによって、実用上
、Ｘ線光源１１０から検出器１６０までの放射線の径路長を比較的長くすること
が可能である。ウェハ１９０からの２次の＜４４０＞の回折、あるいは３次の＜
６６０＞の回折さえ用いることは実現可能で、このとき、ウェハ１９０からの回
折は、角度θが５０°ないしそれ以上になることができて、その結果、便利なよ
うに回折ツール１００の大半をリソグラフィツール２０の一方の側へ動かせるよ
うになる。回折ツール１００に対するこのような構成によって、装置１０がより
小形になるようにＸ線光源１１０から検出器１６０までの径路長を低減すること
が可能となる。
【００４０】
さらに、回折ツール１００内で所望の角θが得られるように、０．１５４ｎｍ
以外の異なるＸ線放射線の波長を用いることもできる。異なる放射線波長は、Ｘ
線光源１１０内の銅ターゲットを、例えば銀、鉄、モリブデン、あるいは、更に
コバルトといった同じようなターゲットによって置き換えることによって得るこ
とができる。Ｘ線光源１１０は、より小形なユニットになるように、水冷よりは
むしろ空冷とされていることが好ましい。
以外の異なるＸ線放射線の波長を用いることもできる。異なる放射線波長は、Ｘ
線光源１１０内の銅ターゲットを、例えば銀、鉄、モリブデン、あるいは、更に
コバルトといった同じようなターゲットによって置き換えることによって得るこ
とができる。Ｘ線光源１１０は、より小形なユニットになるように、水冷よりは
むしろ空冷とされていることが好ましい。
【００４１】
装置１０は、ウェハ１９０を介してかなりのＸ線放射線の減衰が生じるという
欠点がある。このような減衰は、ウェハ１９０によって受け取られるＸ線放射線
の量を、ディスクリミネータ１４０でウェハ１９０から受け取られるＸ線放射線
の量と比較することによって特定される。さらに、ウェハ１９０の周辺２〜５ｍ
ｍの部分がＸ線放射線に曝されることになり、デバイスを製造することのできる
ウェハ１９０の有用な面積が減ってしまうという欠点が生じる。加えて、図２及
び図３を参照して以下に述べるように、反射による回折によれば、以上述べてき
た装置１０に採用された透過による回折に比べて精度が改善される。
欠点がある。このような減衰は、ウェハ１９０によって受け取られるＸ線放射線
の量を、ディスクリミネータ１４０でウェハ１９０から受け取られるＸ線放射線
の量と比較することによって特定される。さらに、ウェハ１９０の周辺２〜５ｍ
ｍの部分がＸ線放射線に曝されることになり、デバイスを製造することのできる
ウェハ１９０の有用な面積が減ってしまうという欠点が生じる。加えて、図２及
び図３を参照して以下に述べるように、反射による回折によれば、以上述べてき
た装置１０に採用された透過による回折に比べて精度が改善される。
【００４２】
図２には、Ｘ線の反射による回折を採用した本発明による装置が平面図によっ
て示されており、この装置に符号３００が付されている。装置３００は、リソグ
ラフィーツール２０を備えており、このリソグラフィツール２０は、処理される
べきウェハをツール２０内に供給するためのウェハ挿入カセット３０２と、ツー
ル２０内で露光されたウェハを受け取るためのウェハ取出カセット３０４とを有
している。装置３００は、さらに、第１の構成部と第２の構成部とを有する回折
ツール３１０を備え、これら第１の構成部と第２の構成部とは、弧状支持部３１
２に取り付けられ、この弧状支持部３１２は、符号３１５が付された滑動するエ
ア式の支えテーブルを介してリソグラフィツール２０に装着されている。これら
第１の構成部と第２の構成部とは、リソグラフィツール２０の側方に、概ね水平
面内に取り付けられている。さらに、弧状支持部３１２は、テーブル３１５上に
滑動可能に取り付けられており、これにより、異なるウェハ１９０の成分ならび
に大きさ、そして、その結果異なるブラッグ回折角に対する必要に応じて、ウェ
ハ１９０からのテーブルの距離が変えられることができるようになっている。
て示されており、この装置に符号３００が付されている。装置３００は、リソグ
ラフィーツール２０を備えており、このリソグラフィツール２０は、処理される
べきウェハをツール２０内に供給するためのウェハ挿入カセット３０２と、ツー
ル２０内で露光されたウェハを受け取るためのウェハ取出カセット３０４とを有
している。装置３００は、さらに、第１の構成部と第２の構成部とを有する回折
ツール３１０を備え、これら第１の構成部と第２の構成部とは、弧状支持部３１
２に取り付けられ、この弧状支持部３１２は、符号３１５が付された滑動するエ
ア式の支えテーブルを介してリソグラフィツール２０に装着されている。これら
第１の構成部と第２の構成部とは、リソグラフィツール２０の側方に、概ね水平
面内に取り付けられている。さらに、弧状支持部３１２は、テーブル３１５上に
滑動可能に取り付けられており、これにより、異なるウェハ１９０の成分ならび
に大きさ、そして、その結果異なるブラッグ回折角に対する必要に応じて、ウェ
ハ１９０からのテーブルの距離が変えられることができるようになっている。
【００４３】
回折ツール３１０の第１の構成部は、点状Ｘ線光源１１０と、４−バウンス・
モノクロメータ３１８（4-bounce monochrometer）と、ウェハ１９０に向かって
進行するＸ線放射線の外に出るビーム３２５を生成するための水平なスリットの
集合体３２０とを備えている。これらのスリットは、ウェハ１９０のエッジに対
してビーム３２５をアライメントするよう調節可能とされている。
モノクロメータ３１８（4-bounce monochrometer）と、ウェハ１９０に向かって
進行するＸ線放射線の外に出るビーム３２５を生成するための水平なスリットの
集合体３２０とを備えている。これらのスリットは、ウェハ１９０のエッジに対
してビーム３２５をアライメントするよう調節可能とされている。
【００４４】
これらのスリットの調節は、ビーム３２５がチャック４０上に入射するはずの
位置に、適した材料からなる粉末試験片を配置することによって実現され、その
結果、試験片から生成されて、回折ツールの第２の構成部によって検出可能な反
射ビームが広がり得るようになる。ここで、試験片は、例えば、ＧａＡｓないし
ＩｎＰを有する比較的小さなガラス細孔チューブとすることができる。
位置に、適した材料からなる粉末試験片を配置することによって実現され、その
結果、試験片から生成されて、回折ツールの第２の構成部によって検出可能な反
射ビームが広がり得るようになる。ここで、試験片は、例えば、ＧａＡｓないし
ＩｎＰを有する比較的小さなガラス細孔チューブとすることができる。
【００４５】
モノクロメータ３１８および複数スリット３２０は、Ｘ線光源１１０に対する
回転軸上に取り付けられたアーム３３０上に取り付けられている。このような回
転軸による取り付けによって、回折ツール３１０が異なるウェハ成分やウェハ寸
法に対応することができるようになっている。さらに、アーム３３０およびＸ線
光源１１０は、弧状支持部３１２上に滑動可能に取り付けられ、これにより、角
φが、ウェハ成分や、あるいはＸ線光源１１０のターゲット成分、つまりＸ線放
射線の波長に依存して変えられることができるようになっている。
回転軸上に取り付けられたアーム３３０上に取り付けられている。このような回
転軸による取り付けによって、回折ツール３１０が異なるウェハ成分やウェハ寸
法に対応することができるようになっている。さらに、アーム３３０およびＸ線
光源１１０は、弧状支持部３１２上に滑動可能に取り付けられ、これにより、角
φが、ウェハ成分や、あるいはＸ線光源１１０のターゲット成分、つまりＸ線放
射線の波長に依存して変えられることができるようになっている。
【００４６】
同じようにして、回折ツール３１０の第２の構成部は、弧状支持部３１２上に
滑動可能に取り付けられた大面積Ｘ線検出器３４０を備え、角φが、やはり、ウ
ェハ１９０の成分や、Ｘ線光源１１０のターゲット成分に依存して調節されるこ
とができるようになっている。本明細書中、大面積とは、検出器が、Ｘ線を感度
良く検出する概ね１ｃｍ2を上回るような面積を有していることを意味する。
滑動可能に取り付けられた大面積Ｘ線検出器３４０を備え、角φが、やはり、ウ
ェハ１９０の成分や、Ｘ線光源１１０のターゲット成分に依存して調節されるこ
とができるようになっている。本明細書中、大面積とは、検出器が、Ｘ線を感度
良く検出する概ね１ｃｍ2を上回るような面積を有していることを意味する。
【００４７】
回折ツール３１０は、Ｘ線光源１１０が０．１５４ｎｍの波長のＸ線放射線を
銅ターゲットから生成し、この放射線がＸ線ビーム３２５を形成するようにモノ
クロメータ３１８と複数スリット３２０とを通って進行し、このビーム３２５が
ウェハ１９０の端面まで進んで、そこで回折によって反射され、そしてその一部
がウェハ１９０から離れて大面積検出器３４０にまで進行するように動作可能と
されている。図１に示される装置１０と同じように、図２中の検出器３４０は、
ウェハ１９０の結晶面が回折ツール３１０に対して角度的に正確にアライメント
される場合に、最大のパルスのレートを与える。
銅ターゲットから生成し、この放射線がＸ線ビーム３２５を形成するようにモノ
クロメータ３１８と複数スリット３２０とを通って進行し、このビーム３２５が
ウェハ１９０の端面まで進んで、そこで回折によって反射され、そしてその一部
がウェハ１９０から離れて大面積検出器３４０にまで進行するように動作可能と
されている。図１に示される装置１０と同じように、図２中の検出器３４０は、
ウェハ１９０の結晶面が回折ツール３１０に対して角度的に正確にアライメント
される場合に、最大のパルスのレートを与える。
【００４８】
装置３００は、さらに、アライメント制御ユニット５０と、リソグラフィ制御
ユニット６０と、チャック４０と、チャック駆動ユニット４５と、マスク駆動ユ
ニット６５とを備えている。これらの構成要素は、図２中に示されていないが、
装置３００の一部を形成している。大面積検出器３４０からの出力パルスは、装
置１０における検出器１６０と同じようにして、アライメント制御ユニット５０
の入力Ｉ1に接続されている。放射線シールド（図２中図示せず）は、回折ツー
ル３１０の上側に設置され、迷走Ｘ線放射線がウェハ１９０や装置３００の操縦
者に達するのを少なくとも部分的に防いでいる。
ユニット６０と、チャック４０と、チャック駆動ユニット４５と、マスク駆動ユ
ニット６５とを備えている。これらの構成要素は、図２中に示されていないが、
装置３００の一部を形成している。大面積検出器３４０からの出力パルスは、装
置１０における検出器１６０と同じようにして、アライメント制御ユニット５０
の入力Ｉ1に接続されている。放射線シールド（図２中図示せず）は、回折ツー
ル３１０の上側に設置され、迷走Ｘ線放射線がウェハ１９０や装置３００の操縦
者に達するのを少なくとも部分的に防いでいる。
【００４９】
回折ツール３１０のこれらの構成部（第１の構成部と第２の構成部）は、図２
に示すように、軸Ｆ−Ｆ´に関して対称に配置されている。この軸Ｆ−Ｆ´は、
ウェハ１９０の真ん中を突き抜け、ウェハ１９０の外側の端面と、ビーム３２５
が端面上に入射する所で交差している。ツール３１０の各構成部は、軸Ｆ−Ｆ´
に対して角度φをなしている。
に示すように、軸Ｆ−Ｆ´に関して対称に配置されている。この軸Ｆ−Ｆ´は、
ウェハ１９０の真ん中を突き抜け、ウェハ１９０の外側の端面と、ビーム３２５
が端面上に入射する所で交差している。ツール３１０の各構成部は、軸Ｆ−Ｆ´
に対して角度φをなしている。
【００５０】
もし、１次の＜２２０＞の回折による反射が使われるなら、これらの構成部は
、角度φが６０°程度となるように弧状支持部３１２上で調節される。もし、＜
４４０＞や＜６６０＞等の、より高次の回折による反射が用いられるなら、角度
φは、装置３００をさらに小形にするように０°に近づけるように低減すること
ができる。
、角度φが６０°程度となるように弧状支持部３１２上で調節される。もし、＜
４４０＞や＜６６０＞等の、より高次の回折による反射が用いられるなら、角度
φは、装置３００をさらに小形にするように０°に近づけるように低減すること
ができる。
【００５１】
表１および表２は、Ｘ線光源１１０の異なるターゲット成分、ウェハ成分、及
び回折の次数に対する角度２θ（φ＝９０°−θ）の例を示すものである。表１
および表２から分かるように、ウェハ成分、回折次数、及びターゲット成分の幾
つかの組み合わせは、回折ツール３１０のセットアップに関して動作可能な角度
を与えない。表１に示されているように、１次の＜２２０＞の反射回折のモード
によれば、常に動作可能な角度が得られる。
び回折の次数に対する角度２θ（φ＝９０°−θ）の例を示すものである。表１
および表２から分かるように、ウェハ成分、回折次数、及びターゲット成分の幾
つかの組み合わせは、回折ツール３１０のセットアップに関して動作可能な角度
を与えない。表１に示されているように、１次の＜２２０＞の反射回折のモード
によれば、常に動作可能な角度が得られる。
【表１】
【表２】
【００５２】
装置３００は、マスク３５が装置３００内に装着されると、最初に、装置１０
と同じようにして較正される。すなわち、テストウェハが先ず回折ツール３１０
に対してアライメントされ、次いで、マスク３５がこのテストウェハのへき開さ
れた端面に対してアライメントされる。次に、このテストウェハは、装置３００
内に搬入されて内部で処理されるべきウェハ１９０等の生産用ウェハのために取
り外される。
と同じようにして較正される。すなわち、テストウェハが先ず回折ツール３１０
に対してアライメントされ、次いで、マスク３５がこのテストウェハのへき開さ
れた端面に対してアライメントされる。次に、このテストウェハは、装置３００
内に搬入されて内部で処理されるべきウェハ１９０等の生産用ウェハのために取
り外される。
【００５３】
装置３００のチャック４０上に装着されたウェハ１９０を処理する際には、ア
ライメント制御ユニット５０によって、検出器３３０からのパルスのレートが最
大になるまでウェハ１９０の角度方向が調節される。この最大が正しいアライメ
ントに対応している。ウェハ１９０に対するマスク３５の見当合わせが行われた
後、ユニット６０は、光源２５を作動させてウェハ１９０の露光される主要表面
を覆っている有機レジスト層上にマスク３５上のパターンを焼き付ける。
ライメント制御ユニット５０によって、検出器３３０からのパルスのレートが最
大になるまでウェハ１９０の角度方向が調節される。この最大が正しいアライメ
ントに対応している。ウェハ１９０に対するマスク３５の見当合わせが行われた
後、ユニット６０は、光源２５を作動させてウェハ１９０の露光される主要表面
を覆っている有機レジスト層上にマスク３５上のパターンを焼き付ける。
【００５４】
装置１０内のウェハ１９０を通して透過させられる放射線の割合と比較すると
、装置３００によれば、ウェハ１９０の端面上に入射する放射線の比較的大きな
割合が装置３００内で反射されるという重要な利点が得られる。放射線の波長０
．１５４ｎｍでは、ガリウム砒素を含んでいるウェハ１９０内に進行する放射線
に対する１／ｅに減衰する深さは、ｅが大体２．８１８の値を有するとして、僅
かに１０μｍ程となる。その結果、検出器３３０におけるパルス計数率は、１０
０００／秒に到達することが可能で、これにより、最適アライメントに対応する
最大値を達成するための比較的大きい統計標本が制御ユニット５０に与えられる
。所定のＸ線光源の出力に対して、装置３００は、装置の回折ツール３１０に対
するウェハ１９０のアライメントを、装置１０がその回折ツール１００に対して
行えるよりも高い精度で、かつ素早く行なう能力を有している。加えて、装置３
００は、装置１０においてアライメント時に起きるような、ウェハ１９０の端面
外側部分の露光を起こさない。ここで、この端面外側部分は、ウェハ１９０の端
面から５ｍｍ程度になることもある。
、装置３００によれば、ウェハ１９０の端面上に入射する放射線の比較的大きな
割合が装置３００内で反射されるという重要な利点が得られる。放射線の波長０
．１５４ｎｍでは、ガリウム砒素を含んでいるウェハ１９０内に進行する放射線
に対する１／ｅに減衰する深さは、ｅが大体２．８１８の値を有するとして、僅
かに１０μｍ程となる。その結果、検出器３３０におけるパルス計数率は、１０
０００／秒に到達することが可能で、これにより、最適アライメントに対応する
最大値を達成するための比較的大きい統計標本が制御ユニット５０に与えられる
。所定のＸ線光源の出力に対して、装置３００は、装置の回折ツール３１０に対
するウェハ１９０のアライメントを、装置１０がその回折ツール１００に対して
行えるよりも高い精度で、かつ素早く行なう能力を有している。加えて、装置３
００は、装置１０においてアライメント時に起きるような、ウェハ１９０の端面
外側部分の露光を起こさない。ここで、この端面外側部分は、ウェハ１９０の端
面から５ｍｍ程度になることもある。
【００５５】
ビーム３２５は、ウェハ１９０の中に数μｍ入るだけであるにもかかわらず、
もし表面粗さの結果として結晶が壊れていないなら、回折ツール３１０は、ウェ
ハ１９０のエッジ表面の粗さに対して比較的鈍感である。
もし表面粗さの結果として結晶が壊れていないなら、回折ツール３１０は、ウェ
ハ１９０のエッジ表面の粗さに対して比較的鈍感である。
【００５６】
図３には、図２に示された装置３００の構成部の立面図が示されており、この
見方には、符号４００が付されている。Ｘ線放射線シールド４１０が、ビーム３
２５の上方に位置させられており、これにより、操縦者が保護され、ウェハ１９
０の上側の露光される主要表面上の有機レジスト層４２０が意図せず露光される
事態を引き起こしかねない迷走放射線が低減される。ビーム３２５がウェハ１９
０の端面上に入射し、エッジ表面のμｍ内で減衰する結果として、ビーム３２５
は、装置３００が働いている際、それ自身ではレジスト層４２０にさほど露光を
生じさせない。
見方には、符号４００が付されている。Ｘ線放射線シールド４１０が、ビーム３
２５の上方に位置させられており、これにより、操縦者が保護され、ウェハ１９
０の上側の露光される主要表面上の有機レジスト層４２０が意図せず露光される
事態を引き起こしかねない迷走放射線が低減される。ビーム３２５がウェハ１９
０の端面上に入射し、エッジ表面のμｍ内で減衰する結果として、ビーム３２５
は、装置３００が働いている際、それ自身ではレジスト層４２０にさほど露光を
生じさせない。
【００５７】
図４には、装置３００の変形実施例が符号６００によって示されている。この
変形された装置６００において、装置３００の弧状支持部３１２は、テーブル３
１５上に滑動自在に取り付けられた真っ直ぐな直線型支持組子６１０に代えられ
ている。検出器３４０は、この組子６１０上に滑動自在に取り付けられ、その位
置が組子６１０の延在する軸に沿って調節自在とされている。直線型支持組子６
１０は、対応する弧状支持部３１２よりも実施するのにより簡単で安価であり、
このため、装置６００を作製する費用が低減される。
変形された装置６００において、装置３００の弧状支持部３１２は、テーブル３
１５上に滑動自在に取り付けられた真っ直ぐな直線型支持組子６１０に代えられ
ている。検出器３４０は、この組子６１０上に滑動自在に取り付けられ、その位
置が組子６１０の延在する軸に沿って調節自在とされている。直線型支持組子６
１０は、対応する弧状支持部３１２よりも実施するのにより簡単で安価であり、
このため、装置６００を作製する費用が低減される。
【００５８】
装置６００の回折ツール３１０は、アライメント及び較正を行なうことが比較
的複雑である。
的複雑である。
【００５９】
モノクロメータ３１８の調節は、以下の工程を有している：
（ａ）アーム３３０をその光源ゴニオメータ６２０を用いて回転し、アーム３３
０が組子６１０の長軸に平行になるようにする。 （ｂ）スリットの集合体３２０からスリットを取り除く。 （ｃ）検出器３４０をその検出器ゴニオメータ６３０を用いて回転し、そのＸ線
有感領域をＸ線光源１１０の方に向ける。 （ｄ）Ｘ線放射線を放射するようにＸ線光源１１０を作動させ、次いで、検出器
３４０で最大のＸ線光子計数率が得られるようにモノクロメータ３１８のアライ
メントを行なう。 （ｅ）Ｘ線光源１１０を停止させて、それからスリットの集合体３２０を元に戻
す。
０が組子６１０の長軸に平行になるようにする。 （ｂ）スリットの集合体３２０からスリットを取り除く。 （ｃ）検出器３４０をその検出器ゴニオメータ６３０を用いて回転し、そのＸ線
有感領域をＸ線光源１１０の方に向ける。 （ｄ）Ｘ線放射線を放射するようにＸ線光源１１０を作動させ、次いで、検出器
３４０で最大のＸ線光子計数率が得られるようにモノクロメータ３１８のアライ
メントを行なう。 （ｅ）Ｘ線光源１１０を停止させて、それからスリットの集合体３２０を元に戻
す。
【００６０】
続くチャック４０に対するツール３１０のアライメントは、以下の工程を有し
ている： （ａ）組子６１０の長軸と角度βをなすようにアーム３３０を回転する。ここで
、β＝９０°−ββで、ββは、＜４４０＞等の、しかるべき回折次数での｛１
１０｝面からの回折に対するブラッグ角である。このとき、精密なアライメント
は必要ではなく、普通は例えば、±１°のアライメント誤差で足りる。 （ｂ）スリット集合体３２０からスリットを取り除く。 （ｃ）ランダムな方向に向けられた結晶面を有する比較的小さい多結晶の試験片
をチャック４０上に設置し、次いで、チャック４０を回転して、Ｘ線光源１１０
からモノクロメータ３１８およびスリットの集合体３２０を通して進行するＸ線
放射線が試験片上に入射する位置まで上記試験片を持ってくる。 （ｄ）検出器３４０をそのゴニオメータ６３０上で回転して、その有感面をチャ
ック４０の方に向ける。 （ｅ）Ｘ軸並進移動調節器６４０を用いて組子６１０の長軸に沿って検出器３４
０を並進移動させ、検出器３４０が組子６１０の中心点Ｘから同じような距離に
位置するようにする。ここで、点Ｘは、組子６１０の長軸と、この長軸に垂直で
チャック４０の中心点を貫く直交軸とが交わる位置にある。 （ｆ）Ｘ線光源１１０を作動させてＸ線放射線を放射させる。 （ｇ）ｙ軸調節器６５０を用いて組子６１０を並進移動させ、検出器３４０で最
大のＸ線計数率が生成されるようにする。 （ｈ）検出器３４０からの計数率をさらに最大化させるようにしてゴニオメータ
６２０上の鉛直なＺ軸調節器を調節する。 （ｉ）集合体３２０内のスリットを再度装着する。 （ｊ）検出器３４０からの計数率の最大がさらに達成されるようにしてゴニオメ
ータ６３０の鉛直なＺ軸位置の高さを調節する。 （ｋ）Ｘ線光源１１０を停止してチャック４０から試験片を取り外す。
ている： （ａ）組子６１０の長軸と角度βをなすようにアーム３３０を回転する。ここで
、β＝９０°−ββで、ββは、＜４４０＞等の、しかるべき回折次数での｛１
１０｝面からの回折に対するブラッグ角である。このとき、精密なアライメント
は必要ではなく、普通は例えば、±１°のアライメント誤差で足りる。 （ｂ）スリット集合体３２０からスリットを取り除く。 （ｃ）ランダムな方向に向けられた結晶面を有する比較的小さい多結晶の試験片
をチャック４０上に設置し、次いで、チャック４０を回転して、Ｘ線光源１１０
からモノクロメータ３１８およびスリットの集合体３２０を通して進行するＸ線
放射線が試験片上に入射する位置まで上記試験片を持ってくる。 （ｄ）検出器３４０をそのゴニオメータ６３０上で回転して、その有感面をチャ
ック４０の方に向ける。 （ｅ）Ｘ軸並進移動調節器６４０を用いて組子６１０の長軸に沿って検出器３４
０を並進移動させ、検出器３４０が組子６１０の中心点Ｘから同じような距離に
位置するようにする。ここで、点Ｘは、組子６１０の長軸と、この長軸に垂直で
チャック４０の中心点を貫く直交軸とが交わる位置にある。 （ｆ）Ｘ線光源１１０を作動させてＸ線放射線を放射させる。 （ｇ）ｙ軸調節器６５０を用いて組子６１０を並進移動させ、検出器３４０で最
大のＸ線計数率が生成されるようにする。 （ｈ）検出器３４０からの計数率をさらに最大化させるようにしてゴニオメータ
６２０上の鉛直なＺ軸調節器を調節する。 （ｉ）集合体３２０内のスリットを再度装着する。 （ｊ）検出器３４０からの計数率の最大がさらに達成されるようにしてゴニオメ
ータ６３０の鉛直なＺ軸位置の高さを調節する。 （ｋ）Ｘ線光源１１０を停止してチャック４０から試験片を取り外す。
【００６１】
初期較正を通してマスク３５を回折ツール３１０に対してアライメントするこ
とについては、以下の方法を用いることができ、この方法は、以下の工程を有し
ている。 （ａ）マスク３５をツール２０内に装着する。 （ｂ）テストウェハをチャック４０上に配置する。 （ｃ）Ｘ線光源１１０を作動させる。 （ｄ）検出器３４０から最大のＸ線計数率が得られるようにチャック４０を回転
する。 （ｅ）分割画面双眼顕微鏡を用いてマスク３５を通してテストウェハを見て、次
いで、マスク３５が上に取り付けられているホルダを回転してマスク３５のパタ
ーンがテストウェハのへき開された端面に一致するようにする。 （ｆ）Ｘ線光源１１０を停止し、次いで、テストウェハをチャックから取り外し
て較正を終了する。
とについては、以下の方法を用いることができ、この方法は、以下の工程を有し
ている。 （ａ）マスク３５をツール２０内に装着する。 （ｂ）テストウェハをチャック４０上に配置する。 （ｃ）Ｘ線光源１１０を作動させる。 （ｄ）検出器３４０から最大のＸ線計数率が得られるようにチャック４０を回転
する。 （ｅ）分割画面双眼顕微鏡を用いてマスク３５を通してテストウェハを見て、次
いで、マスク３５が上に取り付けられているホルダを回転してマスク３５のパタ
ーンがテストウェハのへき開された端面に一致するようにする。 （ｆ）Ｘ線光源１１０を停止し、次いで、テストウェハをチャックから取り外し
て較正を終了する。
【００６２】
もし、ホルダに対する十分再現可能なマスクのレジストレーションを達成でき
るのであれば、リソグラフィツール内のチャック４０上の生産用ウェハに対する
マスク３５のレジストレーションを、光源２５からの照射を通してパターンが転
写される前に行う必要は無い。
るのであれば、リソグラフィツール内のチャック４０上の生産用ウェハに対する
マスク３５のレジストレーションを、光源２５からの照射を通してパターンが転
写される前に行う必要は無い。
【００６３】
本発明の観点から離れることなく上述の装置１０、３００、６００に対して変
更を加えることが可能であることは理解されよう。例えば、装置１０内において
、ウェハ１９０の結晶学的な面の方位は、回折された数本のビームの位置を測定
し、次いで、これらのビームに対して交差する線を計算することによって正確に
特定することができる。このようにしてウェハ１９０の方位が特定されたら、ウ
ェハ１９０は、マスク３５にウェハを角度的に一致させるための既知の量だけ回
転させることができる。こういったアプローチの仕方は、図１に示された上述の
装置１０において要求されるよりも計算を多く必要とするという短所を有してい
る。
更を加えることが可能であることは理解されよう。例えば、装置１０内において
、ウェハ１９０の結晶学的な面の方位は、回折された数本のビームの位置を測定
し、次いで、これらのビームに対して交差する線を計算することによって正確に
特定することができる。このようにしてウェハ１９０の方位が特定されたら、ウ
ェハ１９０は、マスク３５にウェハを角度的に一致させるための既知の量だけ回
転させることができる。こういったアプローチの仕方は、図１に示された上述の
装置１０において要求されるよりも計算を多く必要とするという短所を有してい
る。
【００６４】
もし必要なら、装置１０，３００，６００は、装置１０，３００，６００に携
わる操縦者を保護するために、包括的なＸ線シールドの中に全て内包させてしま
うことができる。
わる操縦者を保護するために、包括的なＸ線シールドの中に全て内包させてしま
うことができる。
【００６５】
回折ツール１００，３１０は、ステッパモータ駆動部上といった、駆動部の上
に取り付けられた個々の構成部を有していてもよい。これらの駆動部は、ウェハ
アライメント制御ユニット５０から制御可能とされ、これにより、一つの種類の
ウェハによってコピーすることから他のものへと、装置１０，３１０が自動的に
切り替えられることが可能になっている。
に取り付けられた個々の構成部を有していてもよい。これらの駆動部は、ウェハ
アライメント制御ユニット５０から制御可能とされ、これにより、一つの種類の
ウェハによってコピーすることから他のものへと、装置１０，３１０が自動的に
切り替えられることが可能になっている。
【００６６】
もし必要なら、装置１０，３００は、ブラッグ回折によってウェハ１９０の結
晶学的な方位が特定できるのであれば、他のＸ線波長において操作されるもので
あってもよい。Ｘ線放射線は、本明細書中、０．０１ｎｍから１０ｎｍまでの範
囲の波長を有しているものとして定められている。
晶学的な方位が特定できるのであれば、他のＸ線波長において操作されるもので
あってもよい。Ｘ線放射線は、本明細書中、０．０１ｎｍから１０ｎｍまでの範
囲の波長を有しているものとして定められている。
【図１】 透過によるＸ線回折を用いた本発明に係る装置の第一の実施形態
を示す側面図である。
を示す側面図である。
【図２】 反射によるＸ線回折を用いた本発明に係る装置の第二の実施形態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】 図２の第二の実施形態による装置を示す側面図である。
【図４】 直線型支持組子を有し、該支持組子の上部に、該装置のＸ線回折
ツールが調節可能に取り付けられている図２および図３の本発明の第二の実施形
態の変形例による装置を示す平面図である。
ツールが調節可能に取り付けられている図２および図３の本発明の第二の実施形
態の変形例による装置を示す平面図である。
１０，３００・・・装置
２０・・・リソグラフィツール
３５・・・リソグラフィ用マスク
４０・・・チャック
１００，３１０・・・回折ツール（測定ツール）
１１０・・・点状Ｘ線光源（装置１０，３００の第１の構成部）
１２０・・・第１のＸ線シールド（装置１０の第１の構成部）
１３０・・・Ｘ線コリメータ（装置１０の第１の構成部）
１４０・・・ディスクリミネータ（装置１０の第２の構成部）
１５０・・・第２のＸ線シールド（装置１０の第２の構成部）
１６０・・・検出器（装置１０の第２の構成部）
１９０・・・基板
３１２・・・弧状支持組子
６１０・・・直線型支持組子
３１８・・・モノクロメータ（装置３００の第１の構成部）
３２０・・・スリットの集合体（装置３００の第１の構成部）
３４０・・・検出器（装置３００の第２の構成部）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ
，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，
ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ
Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ
，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，
ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，
ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ
Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ
，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，
ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ
Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ
，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，
ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ
Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ
，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，
ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ
Ｆターム(参考） 2F067 AA32 BB04 CC17 DD07 HH04
JJ03 KK09 PP13
5F046 AA17 DB05 DD03 FC08
Claims (23)
- 【請求項１】 装置（１０）内で基板（１９０）をアライメントする方法に
おいて、 前記装置（１０）は、基板（１９０）上にパターンを焼き付けるためのリソグ
ラフィツール（２０）と、前記基板（１９０）の一つ又は複数の結晶面の角度方
向を測定するための回折式基板角度測定ツール（１００）とを備え、以下の工程
： （ａ）前記パターンの前記測定ツール（１００）に対する相対的な角度方向を
較正し、 （ｂ）前記基板（１９０）を前記リソグラフィツール（２０）内に挿入し、 （ｃ）前記測定ツール（１００）を用いて前記基板（１９０）の前記一つ又は
複数の結晶面の角度方向を測定するとともに、前記基板（１９０）を該基板の一
つ又は複数の結晶面が前記パターンに対して角度的に一致するまで回転する、 工程を有し、 前記パターンがこれにより前記基板（１９０）および該基板の前記一つ又は複
数の結晶面に角度的にアライメントされることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の方法において、 前記一つ又は複数の結晶面の角度方向を決定するために、前記回折式測定ツー
ル（１００）をＸ線放射線の波長で動作させることを特徴とする方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の方法において、 前記測定ツール（１００）によって、前記基板（１９０）内のブラッグ回折に
起因する回折されたＸ線を測定することを特徴とする方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の方法において、 前記測定ツール（１００）のＸ線検出器（１６０）におけるＸ線計数率が最大
になるような、前記基板（１９０）の前記測定ツール（１００）に対する方位を
見つけることによって、前記一つ又は複数の結晶面（１９０）の正しい角度方向
を特定することを特徴とする方法。 - 【請求項５】 請求項３または請求項４に記載の方法において、 前記一つ又は複数の結晶面の角度方向を測定するために、前記基板（１９０）
を通して検査Ｘ線ビームを透過させることによって、回折されたＸ線ビームを生
成することを特徴とする方法。 - 【請求項６】 請求項３または請求項４に記載の方法において、 前記一つ又は複数の結晶面の角度方向を測定するために、前記基板（１９０）
から検査Ｘ線ビームを反射させることによって、回折されたＸ線ビームを生成す
ることを特徴とする方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の方法において、 前記検査ビームを、前記基板（１９０）の周囲の端面上に入射することを特徴
とする方法。 - 【請求項８】 請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の方法において
、 前記一つ又は複数の結晶面の角度方向を測定するために、前記測定ツール（１
００）によって１次、２次、または３次の回折のモードを用いることを特徴とす
る方法。 - 【請求項９】 請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の方法において
、 前記基板（１９０）は、単結晶ウェハであることを特徴とする方法。 - 【請求項１０】 請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の方法におい
て、 前記リソグラフィツール（２０）が、前記パターンを前記基板上に焼き付ける
ためのマスクプロキシミティ焼付け器、ステップアンドリピート型リソグラフィ
カメラ、又は偏向電子ビームを用いた電子ビームリソグラフィシステムを備える
ようにすることを特徴とする方法。 - 【請求項１１】 請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の方法にお
いて、 前記工程（ａ）における較正は、 （ａ）前記リソグラフィツール（２０）内にテスト基板を挿入し、このテスト
基板をへき開して、結晶面に対応するへき開された端面を露出させ、 （ｂ）前記測定ツール（１００）に対して前記テスト基板を角度的にアライメ
ントして、前記測定ツールの検出器（１６０）から最大の放射線計数率が生じる
ようにし、 （ｃ）前記パターンの構造を前記へき開された端面に対して角度的にアライメ
ントする、 工程を有していることを特徴とする方法。 - 【請求項１２】 請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の方法にお
いて、 前記パターンは、前記リソグラフィツール（２０）内に搬入可能なリソグラフ
ィ用マスク上に含まれていることを特徴とする方法。 - 【請求項１３】 請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の方法にお
いて、 前記測定ツール（１００）を、二つの構成部（１１０，３１８，３２０，３３
０；３４０）に配置し、これらの構成部を調節可能に取り付け、該方法を用いる
際に異なる回折角を選択できるようにすることを特徴とする方法。 - 【請求項１４】 前記装置（１０）は、基板（１９０）上にパターンを焼き
付けるためのリソグラフィツール（２０）と、前記基板（１９０）の一つ又は複
数の結晶面の角度方向を測定するための回折式基板角度測定ツール（１００）と
を備え、前記装置（１０）は、前記パターンに対して前記一つ又は複数の結晶面
を角度的にアライメントして、前記基板（１９０）上に前記パターンを焼き付け
るように操作可能とされている請求項１に記載の方法に用いる装置。 - 【請求項１５】 請求項１４に記載の装置において、 前記測定ツール（１００）は、Ｘ線光源（１１０）とＸ線検出器（１６０）と
を備え、前記光源（１１０）は、前記基板（１９０）を検査するためのビームを
生成するよう構成され、前記検出器（１６０）は、前記ビームのブラッグ回折に
起因する回折された放射線を受け入れるように構成されていることを特徴とする
装置。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の装置において、 前記測定ツール（１００）は、前記基板（１９０）を通して透過させられ回折
された放射線を検出するように配置されていることを特徴とする装置。 - 【請求項１７】 請求項１５に記載の装置において、 前記測定ツール（１００）は、前記基板（１９０）から反射させられ回折され
た放射線を検出するように配置されていることを特徴とする装置。 - 【請求項１８】 請求項１７に記載の装置において、 前記測定ツール（１００）は、前記基板（１９０）から反射された回折放射線
を検出するための大面積Ｘ線検出器を備えていることを特徴とする装置。 - 【請求項１９】 請求項１５から請求項１８のいずれか１項に記載の装置に
おいて、 前記Ｘ線光源は、ビーム用の放射線を生成するためのＸ線ターゲットを備え、
該ターゲットは、銅、コバルト、鉄、銀またはモリブデンを含む材料からなるこ
とを特徴とする装置。 - 【請求項２０】 請求項１４から請求項１９のいずれか１項に記載の装置に
おいて、 前記測定ツール（３１０）は、前記リソグラフィツール（２０）に対して調節
可能に取り付けられた二つの構成部（１１０，３１８，３２０，３３０；３４０
）に配置され、これにより、前記測定ツール（３１０）の調節が可能とされ、前
記基板（１９０）から回折された放射線に伴うブラッグ回折角の範囲に対する必
要に応じるように構成されていることを特徴とする装置。 - 【請求項２１】 請求項２０に記載の装置において、 前記測定ツール（３１０）の前記二つの構成部（１１０，３１８，３２０，３
３０；３４０）は、前記リソグラフィツール（２０）に接続された弧状支持組子
（３１２）上に調節可能に取り付けられていることを特徴とする装置。 - 【請求項２２】 請求項２０に記載の装置において、 前記測定ツール（３１０）の前記二つの構成部（１１０，３１８，３２０，３
３０；３４０）は、前記リソグラフィツール（２０）に接続された概ね直線型支
持組子（６１０）上に調節可能に取り付けられていることを特徴とする装置。 - 【請求項２３】 請求項２０から請求項２２のいずれか１項に記載の装置に
おいて、 前記測定ツールは、１次、２次、または３次の回折のモードで動作するように
操作可能に設けられていることを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9928076A GB2356786B (en) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | Method and apparatus for aligning a crystalline substrate |
| GB9928076.0 | 1999-11-29 | ||
| PCT/GB2000/004265 WO2001040876A1 (en) | 1999-11-29 | 2000-11-07 | Method and apparatus for aligning a crystalline substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003532866A true JP2003532866A (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=10865274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001542280A Withdrawn JP2003532866A (ja) | 1999-11-29 | 2000-11-07 | 結晶基板をアライメントするための方法および装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6977986B1 (ja) |
| EP (1) | EP1234216A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003532866A (ja) |
| CN (1) | CN1203379C (ja) |
| AU (1) | AU779825B2 (ja) |
| CA (1) | CA2392710A1 (ja) |
| GB (1) | GB2356786B (ja) |
| WO (1) | WO2001040876A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2371731B (en) * | 2001-01-23 | 2004-07-14 | Marconi Caswell Ltd | Method of alignment |
| GB2382156A (en) * | 2001-11-15 | 2003-05-21 | Marconi Optical Components Ltd | Manufacture of optical devices |
| US7120228B2 (en) * | 2004-09-21 | 2006-10-10 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Combined X-ray reflectometer and diffractometer |
| US7804934B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-09-28 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | Accurate measurement of layer dimensions using XRF |
| ITFI20050016A1 (it) | 2005-02-02 | 2006-08-03 | Giovanni Berti | Diffrattometro a centro variabile |
| KR101374308B1 (ko) * | 2005-12-23 | 2014-03-14 | 조르단 밸리 세미컨덕터즈 리미티드 | Ｘｒｆ를 사용한 층 치수의 정밀 측정법 |
| US20070274447A1 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Isaac Mazor | Automated selection of X-ray reflectometry measurement locations |
| DE102006041003B4 (de) * | 2006-08-31 | 2017-08-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Verfahren zur Bestimmung einer Orientierung eines Kristallgitters eines ersten Substrats relativ zu einem Kristallgitter eines zweiten Substrats |
| IL180482A0 (en) * | 2007-01-01 | 2007-06-03 | Jordan Valley Semiconductors | Inspection of small features using x - ray fluorescence |
| US7680243B2 (en) * | 2007-09-06 | 2010-03-16 | Jordan Valley Semiconductors Ltd. | X-ray measurement of properties of nano-particles |
| WO2009078485A1 (ja) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Asahi Glass Company, Limited | エーテル組成物 |
| US8259901B1 (en) | 2010-05-25 | 2012-09-04 | Rubicon Technology, Inc. | Intelligent machines and process for production of monocrystalline products with goniometer continual feedback |
| CN102736452B (zh) * | 2011-04-07 | 2015-07-22 | 上海微电子装备有限公司 | 一种用于光刻设备的近场对准装置和对准方法 |
| US9390984B2 (en) | 2011-10-11 | 2016-07-12 | Bruker Jv Israel Ltd. | X-ray inspection of bumps on a semiconductor substrate |
| EP2762862B1 (en) * | 2013-01-30 | 2017-03-08 | Bruker AXS GmbH | XRF measurement apparatus for detecting contaminations on the bevel of a wafer |
| US9389192B2 (en) | 2013-03-24 | 2016-07-12 | Bruker Jv Israel Ltd. | Estimation of XRF intensity from an array of micro-bumps |
| US9632043B2 (en) | 2014-05-13 | 2017-04-25 | Bruker Jv Israel Ltd. | Method for accurately determining the thickness and/or elemental composition of small features on thin-substrates using micro-XRF |
| US9829448B2 (en) | 2014-10-30 | 2017-11-28 | Bruker Jv Israel Ltd. | Measurement of small features using XRF |
| CN107782752B (zh) * | 2017-08-31 | 2022-03-04 | 中国核电工程有限公司 | 一种焊缝射线检测设备及其检测方法 |
| US11361454B2 (en) * | 2020-02-28 | 2022-06-14 | Wolfspeed, Inc. | Alignment for wafer images |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2723902C2 (de) * | 1977-05-26 | 1983-12-08 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Parallelausrichtung und Justierung der Lage einer Halbleiterscheibe relativ zu einer Bestrahlungsmaske bei der Röntgenstrahl-Fotolithografie |
| US4470875A (en) | 1983-11-09 | 1984-09-11 | At&T Bell Laboratories | Fabrication of silicon devices requiring anisotropic etching |
| US4668089A (en) * | 1983-12-26 | 1987-05-26 | Hitachi, Ltd. | Exposure apparatus and method of aligning exposure mask with workpiece |
| JPH0713565B2 (ja) * | 1986-09-19 | 1995-02-15 | 三洋電機株式会社 | マスク位置合わせ方法 |
| JPS63155722A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS63307727A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Toshiba Corp | 化合物半導体ウエ−ハのマスク合わせ方法 |
| JPH032504A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-08 | Nikon Corp | 位置合わせ装置 |
| JP2569862B2 (ja) * | 1990-02-13 | 1997-01-08 | 三菱電機株式会社 | Ｘ線露光装置およびｘ線露光方法 |
| US5559601A (en) * | 1994-01-24 | 1996-09-24 | Svg Lithography Systems, Inc. | Mask and wafer diffraction grating alignment system wherein the diffracted light beams return substantially along an incident angle |
| JP3291408B2 (ja) * | 1994-04-04 | 2002-06-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置および集積回路の製造方法 |
| KR0186068B1 (ko) * | 1995-12-27 | 1999-04-01 | 문정환 | 리소그라피 장치의 위치 정렬 시스템 |
-
1999
- 1999-11-29 GB GB9928076A patent/GB2356786B/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-11-07 US US10/148,318 patent/US6977986B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-07 WO PCT/GB2000/004265 patent/WO2001040876A1/en active Search and Examination
- 2000-11-07 JP JP2001542280A patent/JP2003532866A/ja not_active Withdrawn
- 2000-11-07 EP EP00973076A patent/EP1234216A1/en not_active Withdrawn
- 2000-11-07 AU AU11629/01A patent/AU779825B2/en not_active Ceased
- 2000-11-07 CA CA002392710A patent/CA2392710A1/en not_active Abandoned
- 2000-11-07 CN CNB008186960A patent/CN1203379C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1203379C (zh) | 2005-05-25 |
| AU779825B2 (en) | 2005-02-10 |
| AU1162901A (en) | 2001-06-12 |
| GB2356786A (en) | 2001-05-30 |
| GB9928076D0 (en) | 2000-01-26 |
| EP1234216A1 (en) | 2002-08-28 |
| CA2392710A1 (en) | 2001-06-07 |
| GB2356786B (en) | 2003-09-03 |
| WO2001040876A1 (en) | 2001-06-07 |
| US6977986B1 (en) | 2005-12-20 |
| CN1433533A (zh) | 2003-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003532866A (ja) | 結晶基板をアライメントするための方法および装置 | |
| CN110832310A (zh) | 基于多色软x射线衍射的用于半导体度量的方法及系统 | |
| CN108463877A (zh) | 用于扩展的红外线光谱椭偏测量的系统及方法 | |
| TWI673487B (zh) | 度量系統、度量設備及度量方法 | |
| JPH0223609A (ja) | デバイス製造方法 | |
| US11513085B2 (en) | Measurement and control of wafer tilt for x-ray based metrology | |
| KR20200099597A (ko) | X선 검사 장치 | |
| US20050013012A1 (en) | Method for improving the imaging properties of at least two optical elements and photolithographic fabrication method | |
| Berger et al. | Omega-Scan: An X-ray tool for the characterization of crystal properties | |
| JP2001267235A (ja) | 露光装置及びその露光装置におけるフォトマスクの位置合わせ方法 | |
| US4884887A (en) | Method for positioning a crystal ingot | |
| US20040135232A1 (en) | Semiconductor wafer and method of marking a crystallographic direction on a semiconductor wafer | |
| JPH10119032A (ja) | 劈開性を持つ単結晶インゴットの切断加工時の結晶方位合わせ方法 | |
| JP2004523114A (ja) | アライメント方法 | |
| JPH01228130A (ja) | 投影露光方法およびその装置 | |
| JP3345160B2 (ja) | 半導体ウエハ位置合わせ方法 | |
| JPH05296946A (ja) | Ｘ線回折装置 | |
| JPS643064Y2 (ja) | ||
| GB2382156A (en) | Manufacture of optical devices | |
| JPH1163956A (ja) | 結晶板の多点角度測定方法及び角度測定方法 | |
| JPS597251A (ja) | 結晶性評価装置 | |
| JPH0572149A (ja) | Ｘ線測定装置 | |
| JPH11248652A (ja) | Ｘ線回折測定法およびｘ線回折装置 | |
| JPH0587748A (ja) | Ｘ線回折装置 | |
| JPH06167464A (ja) | 単結晶材料のカット面検査装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080108 |