JPH01158646A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
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- JPH01158646A JPH01158646A JP31775987A JP31775987A JPH01158646A JP H01158646 A JPH01158646 A JP H01158646A JP 31775987 A JP31775987 A JP 31775987A JP 31775987 A JP31775987 A JP 31775987A JP H01158646 A JPH01158646 A JP H01158646A
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- optical memory
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分ｔｆ）
本発明は、レーザ等の光を照射することにより情報の記
録、再生、消去等を行う磁気光学記憶素子に関する。
録、再生、消去等を行う磁気光学記憶素子に関する。
（従来の技術〕
近年、情報の記録、再生、消去が可能な光メモリ素子と
して磁気光学記憶素子の開発が活発に行われている。中
でも、記憶媒体として希土類遷移金属合金薄膜を用いた
ものは、記録ビットが粒界の影響を受けない点、および
記憶媒体の膜を大面積にわたって作成することが比較的
容易である点から特に注目を集めている。
して磁気光学記憶素子の開発が活発に行われている。中
でも、記憶媒体として希土類遷移金属合金薄膜を用いた
ものは、記録ビットが粒界の影響を受けない点、および
記憶媒体の膜を大面積にわたって作成することが比較的
容易である点から特に注目を集めている。
しかし、記憶媒体として上記のような希土類遷移金属合
金薄膜を用いて磁気光字配１憇素子を構成したものでは
、一般に光磁気効果（カー効果、ファラデー効果）が充
分に得られず、そのため再生信号のＳ／Ｎ比が不充分な
ものであった。このような問題点を改良するため、従来
より例えば特開昭５７−１２４２８号公報に示されるよ
うに、反射膜構造と呼ばれる素子構造が磁気光字配は素
子において採用されている。
金薄膜を用いて磁気光字配１憇素子を構成したものでは
、一般に光磁気効果（カー効果、ファラデー効果）が充
分に得られず、そのため再生信号のＳ／Ｎ比が不充分な
ものであった。このような問題点を改良するため、従来
より例えば特開昭５７−１２４２８号公報に示されるよ
うに、反射膜構造と呼ばれる素子構造が磁気光字配は素
子において採用されている。
第２図は上記の反射膜構造の一例である磁気光学記憶素
子の一部縦断面図を示している。同図において、ａはガ
ラス、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂等の透明基
板、ｂはこの透明基板ａよりも屈折率の高い特性を有す
る透明誘電体膜、Ｃは希土類遷移金属合金薄膜、ｄは透
明誘電体膜、ｅは金属反射膜である。
子の一部縦断面図を示している。同図において、ａはガ
ラス、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂等の透明基
板、ｂはこの透明基板ａよりも屈折率の高い特性を有す
る透明誘電体膜、Ｃは希土類遷移金属合金薄膜、ｄは透
明誘電体膜、ｅは金属反射膜である。
この構造の磁気光学記憶素子では、希土類遷移金属合金
薄膜Ｃは充分に薄く、従って、この希土類遷移金属合金
薄膜Ｃに入射した光はその一部が通り抜ける。そのため
、再生光は希土類遷移金属合金薄膜Ｃ表面での反射によ
るカー効果と、希土類遷移金属合金薄膜ｃｔ通り抜けて
金属反射Ｗｏｅで反射され、再び希土類遷移金属合金薄
膜Ｃを通り抜けることで生起されるファラデー効果とが
合わせられることにより、単なるカー効果のみによる素
子に比べて見かけ上数倍カー回転角が増大するものとな
る。
薄膜Ｃは充分に薄く、従って、この希土類遷移金属合金
薄膜Ｃに入射した光はその一部が通り抜ける。そのため
、再生光は希土類遷移金属合金薄膜Ｃ表面での反射によ
るカー効果と、希土類遷移金属合金薄膜ｃｔ通り抜けて
金属反射Ｗｏｅで反射され、再び希土類遷移金属合金薄
膜Ｃを通り抜けることで生起されるファラデー効果とが
合わせられることにより、単なるカー効果のみによる素
子に比べて見かけ上数倍カー回転角が増大するものとな
る。
例として、第２図において透明基板ａをガラスとし、透
明誘電体膜ｂｉＡＩＮとし、希土類遷移金属合金薄膜Ｃ
ｋ ＧｄＴｂＦ ｅとし、透明誘電体膜ｄをＡＩＮとし
、金属反射膜ｅをＡＩとした構成では、見かけ上のカー
回転角が１．６度にまで増大した。（ＧｄＴｂＦｅ単層
膜の場合は０．３音程度である。） 以上に示した様な磁気光学記憶素子は、一般に非常に酸
化され易い性質を持っているため、形成された薄膜が露
出したままでは使用されず、例えば、２枚の基板を接着
剤等により密着させて張り合わせた形態で使用される。
明誘電体膜ｂｉＡＩＮとし、希土類遷移金属合金薄膜Ｃ
ｋ ＧｄＴｂＦ ｅとし、透明誘電体膜ｄをＡＩＮとし
、金属反射膜ｅをＡＩとした構成では、見かけ上のカー
回転角が１．６度にまで増大した。（ＧｄＴｂＦｅ単層
膜の場合は０．３音程度である。） 以上に示した様な磁気光学記憶素子は、一般に非常に酸
化され易い性質を持っているため、形成された薄膜が露
出したままでは使用されず、例えば、２枚の基板を接着
剤等により密着させて張り合わせた形態で使用される。
この形態は、更に、ユーザの希望する記憶窓はに応じて
、２枚ともに磁気光学記憶媒体薄膜が形成された、いわ
ゆる両面張り合わせタイプと、１枚は磁気光学記憶媒体
薄膜が形成されていない、基板だけを用いる片面張り合
わせタイプに分けられる。いずれの場合も磁気光学記憶
媒体薄膜側が接着剤等と接するように張り合わせられて
いる。このような形態とすることにより、磁気光学記憶
媒体薄膜が直接外気に接することを防ぎ、酸化を防止し
、素子の長期信頼性を確保している。
、２枚ともに磁気光学記憶媒体薄膜が形成された、いわ
ゆる両面張り合わせタイプと、１枚は磁気光学記憶媒体
薄膜が形成されていない、基板だけを用いる片面張り合
わせタイプに分けられる。いずれの場合も磁気光学記憶
媒体薄膜側が接着剤等と接するように張り合わせられて
いる。このような形態とすることにより、磁気光学記憶
媒体薄膜が直接外気に接することを防ぎ、酸化を防止し
、素子の長期信頼性を確保している。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、密着張り合わせに接着剤を用いる場合に
おいて、使用される接着剤は、被接着物として磁気光学
記憶媒体薄膜の接着剤と接する材ｌｔを考慮し、該材質
との接着力、密着性に優れるように設計６作製する必要
がある。従って、上記の片面張り合わせタイプの場きに
は、接着剤層の片側の被接着物が基板であるため、そこ
での接着力、密着性が十分に得られない。この結果、基
板と接着剤層の界面から外気が侵入し易くなり、両面張
り合わせタイプと比べると耐湿性に劣るという問題があ
った。
おいて、使用される接着剤は、被接着物として磁気光学
記憶媒体薄膜の接着剤と接する材ｌｔを考慮し、該材質
との接着力、密着性に優れるように設計６作製する必要
がある。従って、上記の片面張り合わせタイプの場きに
は、接着剤層の片側の被接着物が基板であるため、そこ
での接着力、密着性が十分に得られない。この結果、基
板と接着剤層の界面から外気が侵入し易くなり、両面張
り合わせタイプと比べると耐湿性に劣るという問題があ
った。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、光磁気記憶媒体４膜の形成がなされた基板の
膜上から、光磁気記憶媒体薄膜の形成がなされていない
基板を、接着剤を用いて密着張り合わせしてなる磁気光
学記憶素子において、耐湿性を向上させる目的で、上記
光磁気記憶媒体薄膜の形成がなされていない基板として
、少なくとも接着剤と接する面側に、接着剤との密着性
に優れた膜が形成された基板を用いてなるもので、耐湿
性を向上せしめ、長期信頼性を高めうる磁気光学記憶素
子を提供することを目的とする。
膜上から、光磁気記憶媒体薄膜の形成がなされていない
基板を、接着剤を用いて密着張り合わせしてなる磁気光
学記憶素子において、耐湿性を向上させる目的で、上記
光磁気記憶媒体薄膜の形成がなされていない基板として
、少なくとも接着剤と接する面側に、接着剤との密着性
に優れた膜が形成された基板を用いてなるもので、耐湿
性を向上せしめ、長期信頼性を高めうる磁気光学記憶素
子を提供することを目的とする。
（作 用）
接着剤との密着性に侵れた膜が形成された基板を片面張
り合わせ用基板として用いることにより磁気光学記憶素
子の長期信頼性が確保される。
り合わせ用基板として用いることにより磁気光学記憶素
子の長期信頼性が確保される。
（実施例）
以下、本発明の磁気光学記憶素子の一実施例を図面を参
照して説明する。
照して説明する。
第１図は、本発明に係る磁気光学記憶素子の構造の一例
を示す一部縦断面図である。
を示す一部縦断面図である。
同図において、１はガラス、ポリカーボネート樹脂、ア
クリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明基板であり、この透
明基板１上に透明な窒化アルミニウム（ＡＩＮ）からな
る第１の透明誘電体膜２が例えば８０ ｎｍの膜厚に形
成され、この第１の透明誘電体膜２上にＧｄＴｂＦｅ合
金からなる希土類遷移金属合金薄膜（記録媒体）３が例
えば２０ｎｍの膜厚に形成され、この希土類遷移金属合
金膜３上に透明な窒化アルミニウム（ＡＩＮ）かうする
第２の透明誘電体膜４が例えば２５ ｎｍの膜厚に形成
され、この第２の透明誘電体膜４上にアルミニウム（Ａ
’ｌ）からなる反射膜５が例えば５０ｎｍの膜厚に形成
されている。６は張り合わせに用いるガラス、ポリカー
ボネート樹脂、アクリル樹脂。
クリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明基板であり、この透
明基板１上に透明な窒化アルミニウム（ＡＩＮ）からな
る第１の透明誘電体膜２が例えば８０ ｎｍの膜厚に形
成され、この第１の透明誘電体膜２上にＧｄＴｂＦｅ合
金からなる希土類遷移金属合金薄膜（記録媒体）３が例
えば２０ｎｍの膜厚に形成され、この希土類遷移金属合
金膜３上に透明な窒化アルミニウム（ＡＩＮ）かうする
第２の透明誘電体膜４が例えば２５ ｎｍの膜厚に形成
され、この第２の透明誘電体膜４上にアルミニウム（Ａ
’ｌ）からなる反射膜５が例えば５０ｎｍの膜厚に形成
されている。６は張り合わせに用いるガラス、ポリカー
ボネート樹脂、アクリル樹脂。
エポキシ樹脂、塩化ビニール等の基板であり、この基板
６上に窒化アルミニウム（ＡＩＮ）［７が例えば５ｎｍ
の膜厚に形成されている。各々の基板１．６は、膜面ど
うしｋＵＶ硬化性、熱硬化性。
６上に窒化アルミニウム（ＡＩＮ）［７が例えば５ｎｍ
の膜厚に形成されている。各々の基板１．６は、膜面ど
うしｋＵＶ硬化性、熱硬化性。
撥水性を兼ね備えたＵＶ硬化系樹脂からなる接着剤層８
（例えば特開昭６２−６４４８に示される。）を介して
張り合わされている。
（例えば特開昭６２−６４４８に示される。）を介して
張り合わされている。
以下に、この構造の効果を確かめるために行った実験及
び実験結果について説明する。
び実験結果について説明する。
一般に磁気光学記憶素子の耐湿性を評価する一手段とし
て、磁気光学記憶素子を高温高湿下に放置する、いわゆ
る加速テストにかけ、その際に発生する孔食（ピンホー
ル）ｋ目視あるいは顕微鏡で観察し、その発生程度で良
否を判断する方法がよく収られている。ここで言う孔食
とは、現象としては、磁気光学記憶素子を構成する薄膜
が部分的に酸化され、透明な酸化物に変化してしまうも
ので、周囲の酸化されていない部分と比べて見た場合に
ピンホールのごとく観察されるものである。
て、磁気光学記憶素子を高温高湿下に放置する、いわゆ
る加速テストにかけ、その際に発生する孔食（ピンホー
ル）ｋ目視あるいは顕微鏡で観察し、その発生程度で良
否を判断する方法がよく収られている。ここで言う孔食
とは、現象としては、磁気光学記憶素子を構成する薄膜
が部分的に酸化され、透明な酸化物に変化してしまうも
ので、周囲の酸化されていない部分と比べて見た場合に
ピンホールのごとく観察されるものである。
本実験においては、上記の手段をもって耐湿性の評価を
行った。加速テスト条件としては、相対湿度が１００俤
となる１２０℃、２気圧の、一般にブレッンヤークッヵ
ーテストと呼ばれる条件とした。テストサンプルは、以
下の２種である。
行った。加速テスト条件としては、相対湿度が１００俤
となる１２０℃、２気圧の、一般にブレッンヤークッヵ
ーテストと呼ばれる条件とした。テストサンプルは、以
下の２種である。
■ 上記実施例で述べた本発明に係る磁気光学記憶素子
。
。
■ ■ノ構成中で窒化アルミニウム（ＡＩＮ）膜７の無
い、従来の磁気光学記憶素子。
い、従来の磁気光学記憶素子。
基板はすべてガラスとし、実験を行った。
ピンホール観察は、テスト開始から２時間毎に行った。
本テストを行った結果、■の従来の磁気光学記憶素子に
おいてはテスト開始後４時間でピンホールが観察された
のに対し、■の本発明に係る膜構成をもつ磁気光学記憶
素子においては４０時間後までピンホールは観察されず
、１０倍以上の非常に優れた耐湿性を示した。これは、
ガラスと接着剤との密着性よりも、窒化アルミニウム（
ＡＩＮ）膜と接着剤との密着性の方がより優れており、
接着剤表面への水分等の透湿蝋が抑制された結果である
。
おいてはテスト開始後４時間でピンホールが観察された
のに対し、■の本発明に係る膜構成をもつ磁気光学記憶
素子においては４０時間後までピンホールは観察されず
、１０倍以上の非常に優れた耐湿性を示した。これは、
ガラスと接着剤との密着性よりも、窒化アルミニウム（
ＡＩＮ）膜と接着剤との密着性の方がより優れており、
接着剤表面への水分等の透湿蝋が抑制された結果である
。
なお、上記実施例においては、張り合わせ基板６上の膜
として窒化アルミニウムを用いているが本発明はこれに
限定されるものではない。すなわち、張り合わせに使用
する接着剤との密着性が良い、耐湿効果に優れた膜、例
えば、ＳｉＮ、ＺＨ８゜ＳｉＯ，ＳｉＯ，、ＡＩ□０３
等であっても良い。
として窒化アルミニウムを用いているが本発明はこれに
限定されるものではない。すなわち、張り合わせに使用
する接着剤との密着性が良い、耐湿効果に優れた膜、例
えば、ＳｉＮ、ＺＨ８゜ＳｉＯ，ＳｉＯ，、ＡＩ□０３
等であっても良い。
また、上記実施例においては、張り合わせ基板６上の膜
が接着剤層８側にのみ形成されているが基板表面全体に
膜が形成されていても良い。
が接着剤層８側にのみ形成されているが基板表面全体に
膜が形成されていても良い。
また、上記実施例においては、記録媒体としてＧｄＴｂ
Ｆｅ合金薄膜を用いているが、他の希土類遷移金属合金
薄膜（例えば、ＧｄＴｂＦｅＣｏ。
Ｆｅ合金薄膜を用いているが、他の希土類遷移金属合金
薄膜（例えば、ＧｄＴｂＦｅＣｏ。
ＴｂＦｅＣｏ 、 ＴｂＣｏ 、 ＴｂＦｅ等）であっ
ても良くまた、透明誘電体膜２．４についても、窒化ア
ルミニウムの他に例えばＳｉＮ、ＺｎＳ、ＳｉＯ，５ｉ
０２゜Ａｌ２Ｏ３等の透明誘電体膜であっても良い。ま
た、反射膜５についても、ＡＩの他に例えば、ＳＵＳ。
ても良くまた、透明誘電体膜２．４についても、窒化ア
ルミニウムの他に例えばＳｉＮ、ＺｎＳ、ＳｉＯ，５ｉ
０２゜Ａｌ２Ｏ３等の透明誘電体膜であっても良い。ま
た、反射膜５についても、ＡＩの他に例えば、ＳＵＳ。
Ｔａ 、Ｔｉ 、Ｃｕ等であっても良い。また、上記実
施例で示した膜厚はこれに限定されるものではない。ま
た、反射膜５を備えた多層膜構造の磁気光学記憶素子で
ある必要ハナく、いかなる構造であっても良い。
施例で示した膜厚はこれに限定されるものではない。ま
た、反射膜５を備えた多層膜構造の磁気光学記憶素子で
ある必要ハナく、いかなる構造であっても良い。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、磁気光学記憶素子
の耐湿性を大幅に向上せしめ、長期信頼性を安定して確
保することができる。
の耐湿性を大幅に向上せしめ、長期信頼性を安定して確
保することができる。
第１図は本発明に係る磁気光学記憶素子の構造の一例に
示す一部縦断面図、第２図は従来の反射膜構造の磁気光
学記憶素子の一例を示す一部縦断面図である。 １・・・透明基板、 ２・・・第１の透明誘電体膜、
８・・・希土類遷移金属合金薄膜、 ４・・・第２の透明誘電体膜、 ５・・・反射膜、６・
・・張り合わせ用基板、 ７・・・窒化アルミニウム膜、 ８・・・接着剤層。
示す一部縦断面図、第２図は従来の反射膜構造の磁気光
学記憶素子の一例を示す一部縦断面図である。 １・・・透明基板、 ２・・・第１の透明誘電体膜、
８・・・希土類遷移金属合金薄膜、 ４・・・第２の透明誘電体膜、 ５・・・反射膜、６・
・・張り合わせ用基板、 ７・・・窒化アルミニウム膜、 ８・・・接着剤層。
Claims (1)
- １、透明な基板上に希土類遷移金属合金薄膜と反射膜と
をこの順にて積層してなる第１の構造体と、基板上に窒
化アルミニウム、窒化シリコン等の接着剤との密着性に
優れた膜を被覆してなる第２の構造体とを、２枚の基板
を外側にして接着剤により密着張り合わせしてなること
を特徴とする磁気光学記憶素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317759A JP2589333B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 磁気光学記憶素子 |
| CA000585837A CA1315983C (en) | 1987-12-15 | 1988-12-14 | Magneto-optic memory device |
| DE88311888T DE3884923T2 (de) | 1987-12-15 | 1988-12-15 | Magneto-optisches Speichergerät. |
| EP88311888A EP0321250B1 (en) | 1987-12-15 | 1988-12-15 | Magneto-optic memory device |
| US07/993,517 US5305254A (en) | 1987-12-15 | 1992-12-17 | Magneto-optic memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317759A JP2589333B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158646A true JPH01158646A (ja) | 1989-06-21 |
| JP2589333B2 JP2589333B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=18091724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62317759A Expired - Fee Related JP2589333B2 (ja) | 1987-12-15 | 1987-12-15 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589333B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6379247A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-09 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPS63239628A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-10-05 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体とその製造方法 |
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1987
- 1987-12-15 JP JP62317759A patent/JP2589333B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6379247A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-09 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPS63239628A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-10-05 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2589333B2 (ja) | 1997-03-12 |
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