JPH0721883B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH0721883B2 JPH0721883B2 JP60011355A JP1135585A JPH0721883B2 JP H0721883 B2 JPH0721883 B2 JP H0721883B2 JP 60011355 A JP60011355 A JP 60011355A JP 1135585 A JP1135585 A JP 1135585A JP H0721883 B2 JPH0721883 B2 JP H0721883B2
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- dielectric
- magneto
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光記録媒体に関する。
従来の光記録媒体は、磁気記録層に集光したレーザ光を
照射することにより磁化反転をおこさせ情報を記録する
方法、あるいは記録層にレーザ光を照射し、記録層の結
晶構造を変化させる（結晶から非晶質又はその逆、ある
いは六方晶から立方晶又はその逆等）つまり相変態によ
り情報を記録する方法、あるいは記録層にレーザ光を照
射することにより穴を開ける、またはバブルを形成する
など記録部分の形状を変化させ情報を記録する方法があ
る。
照射することにより磁化反転をおこさせ情報を記録する
方法、あるいは記録層にレーザ光を照射し、記録層の結
晶構造を変化させる（結晶から非晶質又はその逆、ある
いは六方晶から立方晶又はその逆等）つまり相変態によ
り情報を記録する方法、あるいは記録層にレーザ光を照
射することにより穴を開ける、またはバブルを形成する
など記録部分の形状を変化させ情報を記録する方法があ
る。
特に従来の光磁気記録媒体は第３図に示すように、案内
溝の付いたプラスチック基板（PMMA,PC等）１上に、TbF
e,GdTbFe等の光磁気記録層２が成膜されており、さらに
その上に保護膜としてSiO2等の誘電体膜３が成膜されて
いる。また、プラスチック基板以外にガラスを用いたも
のもあり、第４図に示すような構造になっている。４は
ガラス基板で、５はガラス基板上に案内溝を形成するた
めに設けられた紫外線硬化樹脂層である。6,7は第３図
と同様の光磁気記録層、誘電体層である。しかし、プラ
スチック基板、紫外線硬化樹脂層は吸湿性およびガス透
過度が高く、膜側にSiO2等の保護膜があっても光磁気記
録層は非常に酸化しやすいため基板側から酸化され、磁
気特性の劣化、膜ハゲ等問題が大きかった。そこで基板
側にも誘電体膜を形成し、光磁気記録層をサンドイッチ
した構造が第５図で、８は第３図と同様のプラスチック
基板又は第４図と同様の紫外線硬化樹脂付きガラス基板
であり、その基板上に９としてSiO2等の誘電体膜が成膜
されており、10,11はそれぞれ第３図、第４図と同様の
光磁気記録層、SiO2等の誘電体層である。さらには第５
図の構造に反射膜を設けた構造も見られる。その構造を
示したのが第６図であるが、この反射膜は耐候性向上の
目的よりも、むしろ磁気光学効果のエンハンス効果を計
ったものである。12が反射膜としてのアルミニウム、銅
などである。しかしこのサンドイッチ構造により、第３
図、第４図に示す構造よりは耐候性が向上したが、実用
的にはまだまだ不十分である。これは、SiO2の誘電体膜
自身が酸化物であるため、遊離酸素が光磁気記録層を配
化してしまうためである。そこで、遊離酸素の発生しな
い非酸化物系誘電体を用いれば良いが、プラスチック基
板（PMMA,PC等）又は紫外線硬化樹脂付きガラス基板に
は、SiO2,TiO2,Al2O3等酸化物系誘電体膜しか付着せ
ず、窒化シリコン、窒化アルミニウム、硫化亜鉛等の非
酸化物系誘電体膜はクラックが発生してしまい付着しな
かった。そのため実用化に向けて耐候性の向上を計るた
め光磁気記録層そのものに耐候性をもたせる（日本応用
磁気学会誌,Vol8,No.2,1984 P105,第８回日本応用磁気
学会学術講演概要集 P125等）あるいは保護膜をAl,Ti等
の金属にして耐候性をもたせる（第８回日本応用磁気学
会学術講演概要集 P148）などがある、しかしこれらの
改良も基板からの酸化を防止することは不可能である。
それ故基板そのものをガラスだけにすることも試みられ
ており、案内溝自身もガラスで作られている（第７回日
本応用磁気学会学術講演概要集 P155,第８回日本応用磁
気学会学術講演概要集 P239）。しかし、これは耐候性
も十分実用に耐えうるものの、ガラスに案内溝を作製す
ることが量産的でなくコストが非常に高くつき、実用化
のできる手法でない。
溝の付いたプラスチック基板（PMMA,PC等）１上に、TbF
e,GdTbFe等の光磁気記録層２が成膜されており、さらに
その上に保護膜としてSiO2等の誘電体膜３が成膜されて
いる。また、プラスチック基板以外にガラスを用いたも
のもあり、第４図に示すような構造になっている。４は
ガラス基板で、５はガラス基板上に案内溝を形成するた
めに設けられた紫外線硬化樹脂層である。6,7は第３図
と同様の光磁気記録層、誘電体層である。しかし、プラ
スチック基板、紫外線硬化樹脂層は吸湿性およびガス透
過度が高く、膜側にSiO2等の保護膜があっても光磁気記
録層は非常に酸化しやすいため基板側から酸化され、磁
気特性の劣化、膜ハゲ等問題が大きかった。そこで基板
側にも誘電体膜を形成し、光磁気記録層をサンドイッチ
した構造が第５図で、８は第３図と同様のプラスチック
基板又は第４図と同様の紫外線硬化樹脂付きガラス基板
であり、その基板上に９としてSiO2等の誘電体膜が成膜
されており、10,11はそれぞれ第３図、第４図と同様の
光磁気記録層、SiO2等の誘電体層である。さらには第５
図の構造に反射膜を設けた構造も見られる。その構造を
示したのが第６図であるが、この反射膜は耐候性向上の
目的よりも、むしろ磁気光学効果のエンハンス効果を計
ったものである。12が反射膜としてのアルミニウム、銅
などである。しかしこのサンドイッチ構造により、第３
図、第４図に示す構造よりは耐候性が向上したが、実用
的にはまだまだ不十分である。これは、SiO2の誘電体膜
自身が酸化物であるため、遊離酸素が光磁気記録層を配
化してしまうためである。そこで、遊離酸素の発生しな
い非酸化物系誘電体を用いれば良いが、プラスチック基
板（PMMA,PC等）又は紫外線硬化樹脂付きガラス基板に
は、SiO2,TiO2,Al2O3等酸化物系誘電体膜しか付着せ
ず、窒化シリコン、窒化アルミニウム、硫化亜鉛等の非
酸化物系誘電体膜はクラックが発生してしまい付着しな
かった。そのため実用化に向けて耐候性の向上を計るた
め光磁気記録層そのものに耐候性をもたせる（日本応用
磁気学会誌,Vol8,No.2,1984 P105,第８回日本応用磁気
学会学術講演概要集 P125等）あるいは保護膜をAl,Ti等
の金属にして耐候性をもたせる（第８回日本応用磁気学
会学術講演概要集 P148）などがある、しかしこれらの
改良も基板からの酸化を防止することは不可能である。
それ故基板そのものをガラスだけにすることも試みられ
ており、案内溝自身もガラスで作られている（第７回日
本応用磁気学会学術講演概要集 P155,第８回日本応用磁
気学会学術講演概要集 P239）。しかし、これは耐候性
も十分実用に耐えうるものの、ガラスに案内溝を作製す
ることが量産的でなくコストが非常に高くつき、実用化
のできる手法でない。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、プラスチック基板（PMMA,PC
等）又は紫外線硬化樹脂付きガラス基板に非酸化物系誘
電体膜をクラックの発生なく付着せしめ、安価で耐候性
に優れた光記録媒体を提供することにある。
の目的とするところは、プラスチック基板（PMMA,PC
等）又は紫外線硬化樹脂付きガラス基板に非酸化物系誘
電体膜をクラックの発生なく付着せしめ、安価で耐候性
に優れた光記録媒体を提供することにある。
本発明の光記録媒体は、透明基板の片面に配設した光記
録層に集光したレーザ光を照射することにより情報を記
録・再生あるいは消去する光記録媒体において光記録層
と透明基板の間に誘電体膜を２層以上設けたことを特徴
とする。
録層に集光したレーザ光を照射することにより情報を記
録・再生あるいは消去する光記録媒体において光記録層
と透明基板の間に誘電体膜を２層以上設けたことを特徴
とする。
〔実施例１〕 第１図は、本発明の実施例における光磁気記録媒体の構
造図であって、13は溝付きPMMA基板で溝ピッチ2.5μ
ｍ、溝幅0.7μｍ、溝深さ700Åのものである。このPMMA
基板の溝側に誘電体膜14・15・16を形成したもので、14
は窒化アルミニウム膜250Å、15は窒化シリコン膜500
Å、16は窒化アルミニウム膜250Åである。さらにその
上に17として光磁気記録層GdTbFeCo膜300Åを成膜し、1
8は非晶質シリコン膜150Åで光磁気記録層17を通ってき
たレーザ光の偏光面をエンハンスさせている。そして反
射膜としてアルミニウム膜19を300Å形成した。
造図であって、13は溝付きPMMA基板で溝ピッチ2.5μ
ｍ、溝幅0.7μｍ、溝深さ700Åのものである。このPMMA
基板の溝側に誘電体膜14・15・16を形成したもので、14
は窒化アルミニウム膜250Å、15は窒化シリコン膜500
Å、16は窒化アルミニウム膜250Åである。さらにその
上に17として光磁気記録層GdTbFeCo膜300Åを成膜し、1
8は非晶質シリコン膜150Åで光磁気記録層17を通ってき
たレーザ光の偏光面をエンハンスさせている。そして反
射膜としてアルミニウム膜19を300Å形成した。
この本発明による構造の光磁気記録媒体と従来の構造つ
まり、第１図における14・15・16の誘電体がSiO21000Å
で置き換ったものや、窒化アルミニウム1000Åで置き換
ったものや、さらには窒化シリコン1000Åで置き換った
ものを作成し、60℃90％RHの恒温恒湿槽中での加速試験
が第７図に示すグラフである。縦軸は反射率の平方根と
カー回転角の積で一般に性能指数と呼ばれ、媒体のC/N
にほぼ比例するものであり、高いほど良い。横軸は加速
試験を行なった時間である。30は本発明の光磁気記録媒
体、31は誘電体に窒化シリコンのみを用いたもの、32は
誘電体に窒化アルミニウムのみを用いたもの、33は誘電
体にSiO2のみを用いたものである。この図から解かる様
に本発明による光磁気記録媒体は性能が全く劣化せず実
用に耐えうるものである。一方誘電体がSiO2の媒体はす
ぐに酸化されてしまい、実用できない。そして誘電体に
単一の窒化物を用いた31,32の媒体でも性能の劣化がか
なりあり実用には問題があり、さらに今までにも述べた
ように単一の窒化物はプラスチック基板に付着しにくく
クラックが発生しやすく、この耐候性の実験においても
10時間ほど経過してからクラックが発生し始め、性能指
数はSiO2ほど悪くならないもののすぐクラックが発生す
るため実用できない。一方、当然のことながら本発明の
媒体30は1000時間を超えてもクラックの発生はない。
まり、第１図における14・15・16の誘電体がSiO21000Å
で置き換ったものや、窒化アルミニウム1000Åで置き換
ったものや、さらには窒化シリコン1000Åで置き換った
ものを作成し、60℃90％RHの恒温恒湿槽中での加速試験
が第７図に示すグラフである。縦軸は反射率の平方根と
カー回転角の積で一般に性能指数と呼ばれ、媒体のC/N
にほぼ比例するものであり、高いほど良い。横軸は加速
試験を行なった時間である。30は本発明の光磁気記録媒
体、31は誘電体に窒化シリコンのみを用いたもの、32は
誘電体に窒化アルミニウムのみを用いたもの、33は誘電
体にSiO2のみを用いたものである。この図から解かる様
に本発明による光磁気記録媒体は性能が全く劣化せず実
用に耐えうるものである。一方誘電体がSiO2の媒体はす
ぐに酸化されてしまい、実用できない。そして誘電体に
単一の窒化物を用いた31,32の媒体でも性能の劣化がか
なりあり実用には問題があり、さらに今までにも述べた
ように単一の窒化物はプラスチック基板に付着しにくく
クラックが発生しやすく、この耐候性の実験においても
10時間ほど経過してからクラックが発生し始め、性能指
数はSiO2ほど悪くならないもののすぐクラックが発生す
るため実用できない。一方、当然のことながら本発明の
媒体30は1000時間を超えてもクラックの発生はない。
ここで、31,32の媒体の窒化シリコン、窒化アルミニウ
ムを1000Å厚としたのは、本発明媒体30の誘電体層の総
厚と同じとする目的以外に、窒化シリコン、窒化アルミ
ニウムともプラスチック基板（PMMA,PC等）及び紫外線
硬化樹脂付きガラス基板には膜厚が2000Åを超えるとそ
の時点でクラックが発生するためである。
ムを1000Å厚としたのは、本発明媒体30の誘電体層の総
厚と同じとする目的以外に、窒化シリコン、窒化アルミ
ニウムともプラスチック基板（PMMA,PC等）及び紫外線
硬化樹脂付きガラス基板には膜厚が2000Åを超えるとそ
の時点でクラックが発生するためである。
尚、本実験以外に31,32の媒体で窒化シリコン、窒化ア
ルミニウムの膜厚を1500Å,2000Åとしたものも60℃90
％RHの恒温恒湿槽中の加速試験で第６図と同様すぐクラ
ックが発生し、実用できるものではなかった。
ルミニウムの膜厚を1500Å,2000Åとしたものも60℃90
％RHの恒温恒湿槽中の加速試験で第６図と同様すぐクラ
ックが発生し、実用できるものではなかった。
第８図（ａ），（ｂ），（ｃ）に、第７図で示した加速
試験後の媒体30′,31′,32′の様子を模式的に示す。3
0′,31′,32′はそれぞれ30,31,32に対応し、30′は本
発明の媒体でクラックは全く発生していない（ａ）、3
1′は誘電体に窒化シリコンのみを用いたもので周方向
にクラックが発生している（ｂ）。32′は誘電体に窒化
アルミニウムのみを用いた媒体で径方向にクラックが発
生した（ｃ）。尚、本実験の基板は、直径12cmサイズの
ものであり、1/4にカットしたものを用いた。さらに耐
候性試験（60℃90％RH）によりBit Error Rateがどのよ
うに増加するのかを調べた結果が第９図であり、30″3
1″,32″,33″は30,31,32,33に対応する構造で30″は本
発明による第１図に示す構造の媒体、31″は誘電体に窒
化シリコンを用いたもの、32″は誘電体に窒化アルミニ
ウムを用いたもの、33″は誘電体にSiO2を用いたもので
ある。縦軸はBit Error Rate.、横軸は耐候性試験経過
時間である。この図から明らかなように本発明による媒
体30″はBERの増加は見られないが、他の構造による媒
体ではBERの増加が激しく、特に33″に示す媒体の劣化
が激しい。この加速試験結果による本発明媒体は10年以
上保障できるものである。破線で示している所は測定不
可能なほどBERが増加したことを示している。
試験後の媒体30′,31′,32′の様子を模式的に示す。3
0′,31′,32′はそれぞれ30,31,32に対応し、30′は本
発明の媒体でクラックは全く発生していない（ａ）、3
1′は誘電体に窒化シリコンのみを用いたもので周方向
にクラックが発生している（ｂ）。32′は誘電体に窒化
アルミニウムのみを用いた媒体で径方向にクラックが発
生した（ｃ）。尚、本実験の基板は、直径12cmサイズの
ものであり、1/4にカットしたものを用いた。さらに耐
候性試験（60℃90％RH）によりBit Error Rateがどのよ
うに増加するのかを調べた結果が第９図であり、30″3
1″,32″,33″は30,31,32,33に対応する構造で30″は本
発明による第１図に示す構造の媒体、31″は誘電体に窒
化シリコンを用いたもの、32″は誘電体に窒化アルミニ
ウムを用いたもの、33″は誘電体にSiO2を用いたもので
ある。縦軸はBit Error Rate.、横軸は耐候性試験経過
時間である。この図から明らかなように本発明による媒
体30″はBERの増加は見られないが、他の構造による媒
体ではBERの増加が激しく、特に33″に示す媒体の劣化
が激しい。この加速試験結果による本発明媒体は10年以
上保障できるものである。破線で示している所は測定不
可能なほどBERが増加したことを示している。
〔実施例２〕 第２図は、本発明による光磁気記録媒体の構造図であっ
て、第１図に示す構造と基本的に同じであるが、誘電体
の部分が第１図では３層であるのに対し、第２図では２
層となっている。20は案内溝付PMMA基板、21は窒化アル
ミニウム膜250Å、22は窒化シリコン膜750Å、23は光磁
気記録層GdTbFe膜300Å、24は非晶質シリコン膜250Å、
25は反射膜としてアルミニウム膜300Åである。この構
造においても本発明の効果は表れており、耐候性試験の
結果、第７図及び第９図の30および30″に示す結果と同
じになった。
て、第１図に示す構造と基本的に同じであるが、誘電体
の部分が第１図では３層であるのに対し、第２図では２
層となっている。20は案内溝付PMMA基板、21は窒化アル
ミニウム膜250Å、22は窒化シリコン膜750Å、23は光磁
気記録層GdTbFe膜300Å、24は非晶質シリコン膜250Å、
25は反射膜としてアルミニウム膜300Åである。この構
造においても本発明の効果は表れており、耐候性試験の
結果、第７図及び第９図の30および30″に示す結果と同
じになった。
〔実施例３〕 次に基板をPMMAからPC（ポリカーボネート）に換えて行
った実験結果を示す。構造は第１図及び第２図に示す構
造と全く同じで基板がPCに換えただけのものである。そ
の耐候性試験の結果を第10図及び第11図に示す。34は本
発明による媒体で第２図に示す構造で基板20がPCに換わ
ったものである。35は基板がPCで誘電体に窒化シリコン
のみを用いたもの、36は基板がPCで誘電体に窒化アルミ
ニウムのみを用いたもの、37は誘電体にSiO2のみを用い
たものである。これらの図からも良くわかるように本発
明による媒体は他の媒体より格段に勝れた耐候性を示し
ている。尚、ここで第10図と第７図を比較すると判る
が、初期における性能指数が第10図の方が低く、劣化は
第10図の方が緩やかであるが、これらは基板がPCのため
であり、PCのもつ若干の複屈折とPMMAに比較して吸水率
の低さからくるものである。このことは第11図と第９図
についても言えることである。
った実験結果を示す。構造は第１図及び第２図に示す構
造と全く同じで基板がPCに換えただけのものである。そ
の耐候性試験の結果を第10図及び第11図に示す。34は本
発明による媒体で第２図に示す構造で基板20がPCに換わ
ったものである。35は基板がPCで誘電体に窒化シリコン
のみを用いたもの、36は基板がPCで誘電体に窒化アルミ
ニウムのみを用いたもの、37は誘電体にSiO2のみを用い
たものである。これらの図からも良くわかるように本発
明による媒体は他の媒体より格段に勝れた耐候性を示し
ている。尚、ここで第10図と第７図を比較すると判る
が、初期における性能指数が第10図の方が低く、劣化は
第10図の方が緩やかであるが、これらは基板がPCのため
であり、PCのもつ若干の複屈折とPMMAに比較して吸水率
の低さからくるものである。このことは第11図と第９図
についても言えることである。
〔実施例４〕 さらに基板を紫外線硬化樹脂で作成された案内溝を有す
るガラス基板に換えて行った。構造は第12図に示す。26
はガラス、27は案内溝の形成された紫外線硬化樹脂層、
28は窒化アルミニウム層250Å、29は窒化シリコン層750
Å、40は光磁気記録層GdTbFeCo 300Å、41は非晶質シリ
コン層250Å、42は反射膜アルミニウム層300Åである。
結果は第10図と第11図に示されたものとほぼ同様であり
紫外線硬化樹脂付きガラス基板においても本発明は有効
であることがわかった。
るガラス基板に換えて行った。構造は第12図に示す。26
はガラス、27は案内溝の形成された紫外線硬化樹脂層、
28は窒化アルミニウム層250Å、29は窒化シリコン層750
Å、40は光磁気記録層GdTbFeCo 300Å、41は非晶質シリ
コン層250Å、42は反射膜アルミニウム層300Åである。
結果は第10図と第11図に示されたものとほぼ同様であり
紫外線硬化樹脂付きガラス基板においても本発明は有効
であることがわかった。
ここで、これらPMMA、PC、紫外線硬化樹脂付きガラス基
板上に最初に成膜する窒化アルミニウム又は窒化シリコ
ン又は硫化亜鉛の膜厚は、2000Åを超えるとその時点で
クラックが発生するため、最初の誘電体層は2000Å以下
である必要がある。
板上に最初に成膜する窒化アルミニウム又は窒化シリコ
ン又は硫化亜鉛の膜厚は、2000Åを超えるとその時点で
クラックが発生するため、最初の誘電体層は2000Å以下
である必要がある。
以上、実施例で述べた誘電体層の構造は窒化アルミニウ
ム＋窒化シリコン＋窒化アルミニウムの３層構造と窒化
アルミニウム＋窒化シリコンの２層構造の２種類である
が、これら以外に最初の層を窒化シリコン層にした３
層、４層構造、あるいは最初の層を窒化アルミニウム層
にした４層構造等の複層物でも同様の効果を確認してい
る。
ム＋窒化シリコン＋窒化アルミニウムの３層構造と窒化
アルミニウム＋窒化シリコンの２層構造の２種類である
が、これら以外に最初の層を窒化シリコン層にした３
層、４層構造、あるいは最初の層を窒化アルミニウム層
にした４層構造等の複層物でも同様の効果を確認してい
る。
さらに本実施例で用いた光磁気記録層はGdTbFeCo膜であ
るが、TbFe,TbFeCo,GdFe,GdCo,TbDyFe,NdDyFe等の希土
類遷移金属型光磁気記録層でも何らさしつかえない。
るが、TbFe,TbFeCo,GdFe,GdCo,TbDyFe,NdDyFe等の希土
類遷移金属型光磁気記録層でも何らさしつかえない。
尚、本実施例中に述べた非晶質シリコン層を、窒化アル
ミニウム、窒化シリコン、硫化亜鉛等の誘電体に置き換
えても何らさしつかえない。さらに本実施例では光磁気
記録媒体を述べたが、記録層の結晶構造を変化させ（結
晶から非晶質又はその逆、あるいは六方晶から立方晶又
はその逆など）つまり相変態をおこさせて反射率差を信
号とする書き換え可能型光記録媒体、あるいは記録層に
穴を開ける、バルブを形成する、相変態をおこさせる等
の手段による追記型光記録媒体にも本発明は有効であ
る。
ミニウム、窒化シリコン、硫化亜鉛等の誘電体に置き換
えても何らさしつかえない。さらに本実施例では光磁気
記録媒体を述べたが、記録層の結晶構造を変化させ（結
晶から非晶質又はその逆、あるいは六方晶から立方晶又
はその逆など）つまり相変態をおこさせて反射率差を信
号とする書き換え可能型光記録媒体、あるいは記録層に
穴を開ける、バルブを形成する、相変態をおこさせる等
の手段による追記型光記録媒体にも本発明は有効であ
る。
以上述べた如く、本発明による光記録媒体においては、
長期間C/N,BERが劣化せずクラックも生じない。本発明
により光記録媒体の長期信頼性が飛躍的に向上し、さら
にガラスに直接溝を形成する必要もなく、プラスチック
基板が使用できることから大巾なコストダウンが計れる
ものである。又、クラックも発生せずに誘電体を形成で
きることからカー回転角のエンハンス効果も有効に利用
でき、C/N向上につながるものである。
長期間C/N,BERが劣化せずクラックも生じない。本発明
により光記録媒体の長期信頼性が飛躍的に向上し、さら
にガラスに直接溝を形成する必要もなく、プラスチック
基板が使用できることから大巾なコストダウンが計れる
ものである。又、クラックも発生せずに誘電体を形成で
きることからカー回転角のエンハンス効果も有効に利用
でき、C/N向上につながるものである。
実施例における光磁気記録媒体の構造を示す断面図であ
る。 第２図は本発明による光磁気記録媒体の他の実施例の構
造を示す断面図である。 第３図は従来の光磁気記録媒体の断面図。 第４図はプラスチック基板以外を用いた従来の光磁気記
録媒体の断面図。 第５図は光磁気記録層を誘電体膜でサンドイッチした従
来の光磁気記録媒体の断面図。 第６図は反射膜を設けた従来の光磁気記録媒体の断面
図。 第７図は60℃90％RHの恒温恒湿槽中での加速試験結果を
示した図。 第８図（ａ）〜（ｃ）は第７図で示した加速試験後の媒
体30,31,32の様子を模式的に示した図である。 第９図は加速試験後にBit Error Rateがどのように増加
するかを調べた結果を示した図。 第10図は基板をPCに換えて60℃90％RHの恒温恒湿槽中で
の加速試験結果を示した図。 第11図は第10図でおこなった加速試験後にBit Error Ra
teがどのように増加するかを調べた結果を示した図。 第12図は基板を紫外線硬化樹脂で作成された案内溝を有
するガラス基板に換えた本発明による光磁気記録媒体の
構造図である。 １……プラスチック基板（PMMA,PC等） ２……光磁気記録層（TbFe,GdTbFe等） ３……誘電体膜（SiO2等） ４……ガラス基板 ５……紫外線硬化樹脂層 ６……光磁気記録層（TbFe,GdTbFe等） ７……誘電体膜（SiO2等） ８……プラスチック基板又は紫外線硬化樹脂付きガラス
基板 ９……誘電体膜（SiO2等） 10……光磁気記録層（TbFe,GdTbFe等） 11……誘電体膜（SiO2等） 12……反射膜（アルミニウム，銅等） 13……溝付きPMMA基板 14……窒化アルミニウム膜250Å 15……窒化シリコン膜500Å 16……窒化アルミニウム膜250Å 17……光磁気記録層GdTbFeCo膜300Å 18……非晶質シリコン膜150Å 19……アルミニウム膜300Å 20……案内溝付PMMA基板 21……窒化アルミニウム膜250Å 22……窒化シリコン膜750Å 23……光磁気記録層GdTbFe膜300Å 24……非晶質シリコン膜250Å 25……アルミニウム膜300Å 26……ガラス基板 27……紫外線硬化樹脂層 28……窒化アルミニウム層250Å 29……窒化シリコン層750Å 30……本発明の光磁気記録媒体 31……誘電体に窒化シリコンのみを用いた媒体 32……誘電体に窒化アルミニウムのみを用いた媒体 33……誘電体にSiO2のみを用いた媒体 30′……30に対応 31′……31に対応 32′……32に対応 30″……30に対応 31″……31に対応 32″……32に対応 33″……33に対応 34……第２図に示す構造で基板がPCに換った本発明によ
る光磁気記録媒体 35……基板がPCで誘電体に窒化シリコンのみを用いた媒
体 36……基板がPCで誘電体に窒化アルミニウムのみを用い
た媒体 37……基板がPCで誘電体にSiO2のみを用いた媒体 34……34に対応 35……35に対応 36′……36に対応 37′……37に対応 40……光磁気記録層GdTbFeCo 300Å 41……非晶質シリコン層250Å 42……反射膜アルミニウム層300Å
る。 第２図は本発明による光磁気記録媒体の他の実施例の構
造を示す断面図である。 第３図は従来の光磁気記録媒体の断面図。 第４図はプラスチック基板以外を用いた従来の光磁気記
録媒体の断面図。 第５図は光磁気記録層を誘電体膜でサンドイッチした従
来の光磁気記録媒体の断面図。 第６図は反射膜を設けた従来の光磁気記録媒体の断面
図。 第７図は60℃90％RHの恒温恒湿槽中での加速試験結果を
示した図。 第８図（ａ）〜（ｃ）は第７図で示した加速試験後の媒
体30,31,32の様子を模式的に示した図である。 第９図は加速試験後にBit Error Rateがどのように増加
するかを調べた結果を示した図。 第10図は基板をPCに換えて60℃90％RHの恒温恒湿槽中で
の加速試験結果を示した図。 第11図は第10図でおこなった加速試験後にBit Error Ra
teがどのように増加するかを調べた結果を示した図。 第12図は基板を紫外線硬化樹脂で作成された案内溝を有
するガラス基板に換えた本発明による光磁気記録媒体の
構造図である。 １……プラスチック基板（PMMA,PC等） ２……光磁気記録層（TbFe,GdTbFe等） ３……誘電体膜（SiO2等） ４……ガラス基板 ５……紫外線硬化樹脂層 ６……光磁気記録層（TbFe,GdTbFe等） ７……誘電体膜（SiO2等） ８……プラスチック基板又は紫外線硬化樹脂付きガラス
基板 ９……誘電体膜（SiO2等） 10……光磁気記録層（TbFe,GdTbFe等） 11……誘電体膜（SiO2等） 12……反射膜（アルミニウム，銅等） 13……溝付きPMMA基板 14……窒化アルミニウム膜250Å 15……窒化シリコン膜500Å 16……窒化アルミニウム膜250Å 17……光磁気記録層GdTbFeCo膜300Å 18……非晶質シリコン膜150Å 19……アルミニウム膜300Å 20……案内溝付PMMA基板 21……窒化アルミニウム膜250Å 22……窒化シリコン膜750Å 23……光磁気記録層GdTbFe膜300Å 24……非晶質シリコン膜250Å 25……アルミニウム膜300Å 26……ガラス基板 27……紫外線硬化樹脂層 28……窒化アルミニウム層250Å 29……窒化シリコン層750Å 30……本発明の光磁気記録媒体 31……誘電体に窒化シリコンのみを用いた媒体 32……誘電体に窒化アルミニウムのみを用いた媒体 33……誘電体にSiO2のみを用いた媒体 30′……30に対応 31′……31に対応 32′……32に対応 30″……30に対応 31″……31に対応 32″……32に対応 33″……33に対応 34……第２図に示す構造で基板がPCに換った本発明によ
る光磁気記録媒体 35……基板がPCで誘電体に窒化シリコンのみを用いた媒
体 36……基板がPCで誘電体に窒化アルミニウムのみを用い
た媒体 37……基板がPCで誘電体にSiO2のみを用いた媒体 34……34に対応 35……35に対応 36′……36に対応 37′……37に対応 40……光磁気記録層GdTbFeCo 300Å 41……非晶質シリコン層250Å 42……反射膜アルミニウム層300Å
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−56240（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−110052（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−24041（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−150249（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−150250（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】透明基板の片面に配設した光記録層に集光
したレーザ光を照射することにより情報が記録・再生あ
るいは消去される光記録媒体において、 前記光記録層と前記透明基板との間に少なくとも窒化シ
リコン及び窒化アルミニウムの２層を含む誘電体膜を設
けたことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】前記光記録層が希土類遷移金属膜であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光記録媒
体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60011355A JPH0721883B2 (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 光記録媒体 |
| US06/819,659 US4801499A (en) | 1985-01-24 | 1986-01-17 | Optical recording medium |
| US07/855,442 US6077585A (en) | 1985-01-24 | 1992-03-19 | Optical recording medium and method of preparing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60011355A JPH0721883B2 (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61170939A JPS61170939A (ja) | 1986-08-01 |
| JPH0721883B2 true JPH0721883B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=11775720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60011355A Expired - Lifetime JPH0721883B2 (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0721883B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956240A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-03-31 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPS59110052A (ja) * | 1982-12-15 | 1984-06-25 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
| JPS60150249A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-07 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPS60150250A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-07 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPS6124041A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Canon Inc | 光学的磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-01-24 JP JP60011355A patent/JPH0721883B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61170939A (ja) | 1986-08-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |