JPH01157589A - Manufacture of metal base substrate - Google Patents

Manufacture of metal base substrate

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JPH01157589A
JPH01157589A JP31574487A JP31574487A JPH01157589A JP H01157589 A JPH01157589 A JP H01157589A JP 31574487 A JP31574487 A JP 31574487A JP 31574487 A JP31574487 A JP 31574487A JP H01157589 A JPH01157589 A JP H01157589A
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JP
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layer
ceramic
alloy
resin
plate
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Application number
JP31574487A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Hasegawa
寛士 長谷川
Mitsuhiro Inoue
光弘 井上
Tokuo Okano
岡野 徳雄
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Resonac Corp
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/44Manufacturing insulated metal core circuits or other insulated electrically conductive core circuits

Abstract

PURPOSE:To assure the formation of a micro-circuit and form a metal substrate with high reliability of connection by forming a ceramic spray coating layer on the surface of a plate of an alloy such as an invar alloy or a 42 alloy, and applying a thermosetting resin on the resulted layer and impregnating the layer, and curing the resin, and the thereafter polishing the surface of the resulted layer. CONSTITUTION:A metal plate 1 comprises a 42 alloy sheet of 1mm thickness for example, one surface of which is roughened by blushing. The roughened surface is applied with spray coating of alumina by a plasma spray coating machine to form a ceramic spray coating layer 2. Then, the surface of the ceramic spray coating layer is coated and impregnated with a solution made by diluting uncured epoxy resin in a solvent. After the plate is left at a room temperature, the plate is put into a heating oven for removal of the solvent and curing of the resin. Then, the resulted surface is polished by a rotary disk type polishing machine. Hereby, the epoxy rein layer on the surface is removed and the surface is smoothed.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、熱伝導性および熱放散性に優れた金属ベース
基板の製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method for manufacturing a metal base substrate with excellent thermal conductivity and heat dissipation.

(従来技術とその問題点) 従来、プリント配線板としては紙基材フェノール樹脂積
層板、ガラス布基材エポキシ樹脂積層板等が用いられて
きた。
(Prior Art and its Problems) Conventionally, paper-based phenol resin laminates, glass cloth-based epoxy resin laminates, and the like have been used as printed wiring boards.

しかし、最近では電子機器の高性能化、小型化。However, recently, electronic devices have become more sophisticated and smaller.

高密度化に伴い、それらによって生ずる熱をいかに処理
するか、また搭載するセラミックチップ。
How to handle the heat generated by higher density, and the ceramic chips to be mounted.

シリコンチップ等と基板の熱膨張係数をいかに近付ける
か、すなわち基板の低熱膨張化を図り、接続信頼性をい
かにして向上させるかが課題になっている。
The challenge is how to make the thermal expansion coefficients of silicon chips and the like similar to those of the substrate, that is, how to reduce the thermal expansion of the substrate and improve connection reliability.

これに対し、従来のプラスチック系基板は熱伝導性が低
いために熱放散性が悪く、高密度の実装は困難であった
。そのために熱伝導性に優れた基板として金属板をベー
スに、その表面に絶縁層を形成した金属ベース基板が注
目されている。
On the other hand, conventional plastic substrates have poor heat dissipation due to their low thermal conductivity, making high-density packaging difficult. For this reason, metal-based substrates, which are based on a metal plate and have an insulating layer formed on the surface thereof, are attracting attention as substrates with excellent thermal conductivity.

ところで、上記金属ベース基板としては、アルミニウム
等の金属板の表面にエボキレ樹脂などからなる薄い絶縁
層を設けたものが主に用いられて 1いる。
By the way, as the metal base substrate, a metal plate made of aluminum or the like with a thin insulating layer made of epoxy resin or the like provided on the surface is mainly used.

しかしながら、上記の如き構造では、ベースとなる金属
板と回路となる導体層との間は、依然熱伝導性の悪い樹
脂層であるため、部品からの発熱をベースとなる金属板
に効率良く伝えることが難しく、ベースとなる金属板の
高い熱伝導性を充分に生かすことができない。
However, in the above structure, there is still a resin layer with poor thermal conductivity between the metal plate serving as the base and the conductor layer serving as the circuit, so heat generated from the components is efficiently transferred to the metal plate serving as the base. This makes it difficult to make full use of the high thermal conductivity of the base metal plate.

これに対しては、可能な限り絶縁層の厚さを薄くすると
か、あるいは樹脂にセラミック等の熱伝導性の良い充填
剤を混入する等の方策が考えられているが、その効果は
充分ではない。
To deal with this, measures have been considered such as reducing the thickness of the insulating layer as much as possible, or mixing fillers with good thermal conductivity such as ceramics into the resin, but the effects are not sufficient. do not have.

このようなことから、絶縁層として樹脂を使用せず、熱
伝導性の良いセラミックを使用することが考えられてい
る。すなわち、ベースとなるアルミニウム等の金属板の
表面に、セラミックを溶射して絶縁層を形成する方法で
ある。
For this reason, it has been considered to use ceramics with good thermal conductivity instead of resin as the insulating layer. That is, this is a method in which an insulating layer is formed by thermally spraying ceramic onto the surface of a base metal plate, such as aluminum.

しかし、この方法ではセラミックと金属板の材料相互間
の親和性の乏しさ、また両者の熱膨張係数め差によ′り
密着性が充分でなく、さらには本来的なセラミック溶射
層の特性として気孔を有し、そのために耐湿性、耐電圧
等の絶縁特性が充分でない等の問題点がある。
However, this method does not provide sufficient adhesion due to the poor affinity between the ceramic and metal plate materials and the difference in their thermal expansion coefficients, and furthermore, due to the inherent characteristics of the ceramic sprayed layer, It has pores, which causes problems such as insufficient insulation properties such as moisture resistance and voltage resistance.

またセラミック溶射層の表面は粗面であり、その上に回
路を形成するには、無電解銅メツキ法。
Additionally, the surface of the ceramic sprayed layer is rough, so electroless copper plating is required to form a circuit on top of it.

導体ペーストの塗布、さらには銅粉の溶射等によるが、
上記の如く表面が粗面であるために微細な回路の形成が
困難であるという問題点もある。
Although it depends on the application of conductive paste and even the thermal spraying of copper powder,
As mentioned above, there is also the problem that it is difficult to form fine circuits because the surface is rough.

(発明の目的) 本発明は上記問題点に鑑み、熱伝導性および熱放散性に
優れ、しかも基板の熱膨張係数がセラミックチップ、シ
リコンチップ等に近く接続信頼性に優れた金属ベース基
板の製造方法を提供することを目的とする。
(Object of the Invention) In view of the above-mentioned problems, the present invention manufactures a metal-based substrate that has excellent thermal conductivity and heat dissipation, and has a thermal expansion coefficient close to that of ceramic chips, silicon chips, etc. and excellent connection reliability. The purpose is to provide a method.

(問題点を解決するための手段) 本発明は、インバー合金(Ni36%、Fe64%の合
金)または42合金(Ni42%、 Fe58%の合金
)の板、またはインバー合金または42合金の両面に銅
をクラッドした板の表面にセラミックを溶射してセラミ
ック溶射層を形成し、次に上記セラミック溶射層に未硬
化の熱硬化性樹脂を塗布、含浸、硬化し、 さらに上記熱硬化性樹脂を含浸したセラミック溶射層の
表面を研磨することを特徴とする金属ベース基板の製造
方法に関する。
(Means for Solving the Problems) The present invention provides a plate of Invar alloy (alloy with 36% Ni and 64% Fe) or alloy 42 (alloy with 42% Ni and 58% Fe), or copper on both sides of Invar alloy or 42 alloy. A ceramic sprayed layer was formed by spraying ceramic on the surface of the plate clad with the above, and then an uncured thermosetting resin was applied to the ceramic spraying layer, impregnated, and cured, and further impregnated with the thermosetting resin. The present invention relates to a method for manufacturing a metal base substrate, which comprises polishing the surface of a ceramic sprayed layer.

ベースとなる金属板として、インバー合金(Ni36%
、Fe64%の合金、以下インバー合金という)または
42合金(Ni42%、Fe58%の合金、以下42合
金という)の板、あるいはこれらの両面に銅をクラッド
した板を使用するのは、得られる金属ベース基板の熱膨
張係数を搭載するセラミックチップ、シリコンチップ等
の熱膨張係数に近似させるとともに、溶射により形成さ
れるセラミック絶縁層の熱膨張係数にも近いものとする
ことにより、セラミック絶縁層と金属板との密着性を向
上させ、同時に反りの発生を防止するためである。
Invar alloy (Ni36%) is used as the base metal plate.
, 64% Fe alloy (hereinafter referred to as Invar alloy) or 42 alloy (42% Ni, 58% Fe alloy, hereinafter referred to as 42 alloy), or a plate with copper clad on both sides of these plates is used because of the resulting metal. By making the thermal expansion coefficient of the base substrate close to that of the ceramic chip, silicon chip, etc. on which it is mounted, and also close to the thermal expansion coefficient of the ceramic insulating layer formed by thermal spraying, the ceramic insulating layer and the metal This is to improve adhesion to the plate and at the same time prevent warping.

すなわち、従来の金属ベース基板に用いられているアル
ミニウムの熱膨張係数は約15X10−6/’Cであり
、基板に搭載されるセラミックチップ(熱膨張係数:5
〜7 x 10−6/’C) 、シリコンチップ(熱膨
張係数:3.5X10−6/’C)等とは大きく異なる
。また、ベースとなる金属板上に溶射形成される絶縁層
、例えばアルミナ圏の熱膨張係数6〜7X10−6/’
Cとも大きく異なる。このため、搭載部品との接続信頼
性、あるいはベースとなる金属板とセラミック溶射層と
の密着性に劣り、さらには金属ベース基板自体にも熱膨
張係数の差による反りが発生することになる。
That is, the thermal expansion coefficient of aluminum used in conventional metal base substrates is approximately 15X10-6/'C, and the ceramic chip mounted on the substrate (thermal expansion coefficient: 5
~7 x 10-6/'C), which is significantly different from silicon chips (thermal expansion coefficient: 3.5 x 10-6/'C). In addition, an insulating layer formed by thermal spraying on a base metal plate, for example, an alumina layer with a thermal expansion coefficient of 6 to 7 x 10-6/'
It is also very different from C. For this reason, the reliability of connection with mounted components or the adhesion between the base metal plate and the ceramic sprayed layer is poor, and furthermore, the metal base substrate itself is warped due to the difference in coefficient of thermal expansion.

ところが、本発明においてベースとして用いるインバー
合金の熱膨張係数は2.5X10−6/’C142合金
では4.4X10−6/°Cと、その熱膨張係数は従来
用いられているアルミニウムに比べると非常に低いもの
である。また、これらの低熱膨張合金の両面に銅をクラ
ッドした材料も、銅と低熱膨張合金との厚さの比率を適
宜に選択することにより、容易にアルミナ等のセラミッ
クと等しい低熱膨張係数の金属基板が得られる。従って
、これらの材料を使用することにより、基板の低熱膨張
化が図られることになる。
However, the thermal expansion coefficient of the invar alloy used as a base in the present invention is 2.5X10-6/'C142 alloy is 4.4X10-6/°C, which is much lower than that of conventionally used aluminum. is low. In addition, by appropriately selecting the ratio of the thickness of copper and the low thermal expansion alloy, materials in which copper is clad on both sides of these low thermal expansion alloys can be easily made into metal substrates with a low thermal expansion coefficient equivalent to that of ceramics such as alumina. is obtained. Therefore, by using these materials, the thermal expansion of the substrate can be reduced.

上記の如きベースとなる金属板に、セラミックを溶射す
るのは、ガス溶射法、プラズマ溶剣法。
Ceramic is sprayed onto the base metal plate as described above using gas spraying or plasma melting.

減圧プラズマ溶射法、水プラズマ溶射法、爆発溶射法等
一般のセラミック溶射に用いられる溶射法が適用できる
Thermal spraying methods used in general ceramic thermal spraying, such as low-pressure plasma spraying, water plasma spraying, and explosive thermal spraying, can be applied.

また、溶射するセラミックは、溶射の容易さ。Additionally, thermal spraying ceramics are easy to spray.

絶縁層としての電気特性の点から、アルミナまたはムラ
イトが好適であるが、その他にスピネル。
From the viewpoint of electrical properties, alumina or mullite are suitable as an insulating layer, but spinel is also suitable.

窒化アルミニウム、コージェライト、炭化ケイ素等の電
気絶縁性の良いセラミックを用いることができる。
Ceramics with good electrical insulation properties, such as aluminum nitride, cordierite, and silicon carbide, can be used.

次に、本発明では溶射によりベースとなる金属板表面に
形成されたセラミック溶射層に、未硬化の熱硬化性樹脂
を塗布、含浸、硬化させるが、これはセラミック溶射層
に存在する気孔を封孔するためと、セラミック溶射層と
金属板との密着性を向上するためである。溶射により形
成されるセラミック溶射層はセラミック層の特性として
気孔を含有する。その量は溶射距離、溶射出力等の溶射
条件、あるいは減圧下で溶射を行なう等の方法により減
らすことはできるが、完全になくすことは困難である。
Next, in the present invention, an uncured thermosetting resin is applied, impregnated, and hardened on the ceramic sprayed layer formed on the surface of the base metal plate by thermal spraying, but this seals the pores present in the ceramic sprayed layer. This is to form holes and to improve the adhesion between the ceramic sprayed layer and the metal plate. A ceramic sprayed layer formed by thermal spraying contains pores as a characteristic of the ceramic layer. Although the amount can be reduced by adjusting spraying conditions such as spraying distance and spraying power, or by performing spraying under reduced pressure, it is difficult to eliminate it completely.

ところで、絶縁層として用いるセラミック溶射層に上記
の如く気孔が存在すると、吸湿時の電気特性あるいは耐
電圧特性が充分でなく、そのままでは絶縁層として用い
ることはできない。
By the way, if the ceramic sprayed layer used as an insulating layer has pores as described above, its electrical properties or withstand voltage properties when moisture is absorbed are insufficient, and it cannot be used as an insulating layer as is.

そこで、本発明では次にこの気孔を樹脂により封孔する
。その方法としては、未硬化の熱硬化性樹脂をセラミッ
ク溶射層表面に塗布することにより内部まで含浸させた
後、硬化する方法が好ましい。
Therefore, in the present invention, these pores are then sealed with a resin. A preferred method is to apply an uncured thermosetting resin to the surface of the ceramic sprayed layer to impregnate the inside, and then harden the resin.

また、このような封孔処理を行なうことによって、含浸
させた樹脂がセラミック溶射層と金属板との界面まで浸
透して硬化するため、上記樹脂は接着剤としても作用す
ることになり、セラミック溶射層と金属板との密着性も
向上することになる。
In addition, by performing such a sealing treatment, the impregnated resin penetrates to the interface between the ceramic sprayed layer and the metal plate and hardens, so the resin also acts as an adhesive, and the ceramic spraying The adhesion between the layer and the metal plate will also be improved.

本発明で使用する未硬化の熱硬化性樹脂とじては、耐熱
性の点からポリイミド樹脂、接着性の点からはエポキシ
樹脂が好適であるが、その他にフェノール樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、フッ素系樹脂、ビニ
ルエステル樹脂等を用いることができる。
As the uncured thermosetting resin used in the present invention, polyimide resin is suitable from the viewpoint of heat resistance, and epoxy resin is suitable from the viewpoint of adhesiveness, but phenolic resin, unsaturated polyester resin, melamine resin , fluororesin, vinyl ester resin, etc. can be used.

次に樹脂により封孔したセラミック溶射層の表面を研磨
する。これは、表面を平滑にするためと、表面の封孔に
用いた樹脂層を除去して、セラミック溶射層を露出させ
るためである。
Next, the surface of the ceramic sprayed layer sealed with resin is polished. This is to smooth the surface and to remove the resin layer used for sealing the surface to expose the ceramic sprayed layer.

すなわち、セラミック溶射層の表面は非常に粗く、その
ままではその上への回路形成が困難であるとともに、無
理にメツキ等により回路を形成しても高密度実装化に対
応し得る微細な回路の形成は不可能である。
In other words, the surface of the ceramic sprayed layer is very rough, and it is difficult to form a circuit on it if it is left as is.Even if a circuit is formed by force plating, etc., it is difficult to form a fine circuit that can support high-density packaging. is not possible.

また、セラミック溶射層に樹脂を塗布して封孔した場合
、その表面は封孔に用いた樹脂により覆われた状態とな
る。従って、その上に回路を形成すると、回路のすぐ下
は熱伝導性の低い樹脂層となるため、搭載部品から発生
する熱はヒートシンクであるベース金属板へ伝わりにく
くなる。すな−〇 − わち、セラミック溶射層、ベース金属板の高い熱伝導性
が充分に生かされないのである。
Further, when a resin is applied to the ceramic sprayed layer to seal the pores, the surface thereof is covered with the resin used for sealing. Therefore, when a circuit is formed on top of the circuit, a resin layer with low thermal conductivity forms immediately below the circuit, making it difficult for the heat generated from the mounted components to be transmitted to the base metal plate, which is a heat sink. In other words, the high thermal conductivity of the ceramic sprayed layer and the base metal plate cannot be fully utilized.

そこで、本発明のように、表面を研磨することにより、
表面の樹脂層の除去と表面の平滑化が行なわれるのであ
る。それによって、微細回路の形成が可能になるととも
に、熱放散性に優れた金属ベース基板を得ることができ
ることになる。
Therefore, by polishing the surface as in the present invention,
The resin layer on the surface is removed and the surface is smoothed. This makes it possible to form fine circuits and to obtain a metal base substrate with excellent heat dissipation properties.

(実施例の説明) 次に本発明を実施例により説明する。(Explanation of Examples) Next, the present invention will be explained by examples.

第1図は1本発明によって得られた金属ベース基板の断
面図であり、金属板1の上にセラミック溶射層2が設け
られている。
FIG. 1 is a sectional view of a metal base substrate obtained according to the present invention, in which a ceramic sprayed layer 2 is provided on a metal plate 1.

本実施例では、金属板1は厚さ1mmの42合金板より
なり、片面1Aをブラスト処理して粗面化し、この粗化
面にプラズマ溶射機によりアルミナを溶射して、厚さ1
50μmのアルミナよりなるセラミック溶射層2を形成
した。
In this embodiment, the metal plate 1 is made of a 42 alloy plate with a thickness of 1 mm, and one side 1A is roughened by blasting, and alumina is thermally sprayed on this roughened surface by a plasma spraying machine to give a thickness of 1 mm.
A ceramic sprayed layer 2 made of alumina with a thickness of 50 μm was formed.

次に上記の如くして得たセラミック溶射層の表面に、未
硬化のエポキシ樹脂を溶剤で希釈した液を塗布含浸させ
、室温放置後、加熱炉に投入して溶剤を除去するととも
に樹脂を硬化させた。
Next, the surface of the ceramic sprayed layer obtained as described above is coated with a solution of uncured epoxy resin diluted with a solvent, and after being left at room temperature, it is placed in a heating furnace to remove the solvent and harden the resin. I let it happen.

次に、その表面を回転円盤式研磨装置を用いて研磨し、
表面のエポキシ樹脂層を除去するとともに平滑化した。
Next, the surface is polished using a rotating disk type polishing device,
The epoxy resin layer on the surface was removed and smoothed.

上記の如くして得られた金属ベース基板は、高い熱放散
性を示し、吸湿による電気特性の低下は見られなかった
。また回路の形成は無電解銅メツキにより微細パターン
の形成が可能であり、熱膨張係数が小さいため、搭載部
品との接続信頼性も良好なものであった。
The metal base substrate obtained as described above exhibited high heat dissipation properties, and no deterioration in electrical properties due to moisture absorption was observed. Furthermore, the circuit can be formed into fine patterns using electroless copper plating, and since the coefficient of thermal expansion is small, the connection reliability with mounted components is also good.

上舶の如く、本発明になる金属ベース基板は、従来の金
属ベース基板が絶縁層として熱伝導性の低い樹脂を主体
とした層を用いているのに対し、絶縁層としてセラミッ
ク層を用いている。
As mentioned above, the metal base substrate according to the present invention uses a ceramic layer as an insulating layer, whereas conventional metal base substrates use a layer mainly made of resin with low thermal conductivity as an insulating layer. There is.

このため、従来の金属ベース基板に比して、熱伝導性を
大きく向上させることができ、これによって熱放散性も
大きく改善される。
Therefore, thermal conductivity can be greatly improved compared to conventional metal-based substrates, and thereby heat dissipation performance is also greatly improved.

また、従来の金属ベース基板では、絶縁層が樹脂を主体
とする層であり、しかもベースとなる金属板は主にアル
ミニウム製である。そのために、熱膨張係数が基板に搭
載するセラミックチップ。
Furthermore, in conventional metal-based substrates, the insulating layer is a layer mainly made of resin, and the metal plate serving as the base is mainly made of aluminum. For this purpose, a ceramic chip with a thermal expansion coefficient is mounted on the substrate.

シリコンチップの熱膨張係数と大きく異なるため、接続
信頼性に問題があったが、本発明においては、ベースと
なる金属板として熱膨張係数の小さい42合金、インバ
ー合金、あるいはこれらの両面に銅をクラッドした金属
板を用いており、しかも絶縁層はセラミック層としてる
ので、得られる金属ベース基板の熱膨張係数は搭載部品
のそれと近いものになり、接続信頼性は大幅に向上する
Since the coefficient of thermal expansion is significantly different from that of a silicon chip, there was a problem with connection reliability. However, in the present invention, the base metal plate is made of 42 alloy, Invar alloy, which has a small coefficient of thermal expansion, or copper is coated on both sides of these. Since a clad metal plate is used and the insulating layer is a ceramic layer, the thermal expansion coefficient of the resulting metal base substrate is close to that of the mounted components, greatly improving connection reliability.

さらに、絶縁層であるセラミック層は、ベースとなる金
属板に直接溶射することヒよって形成するため、金属板
とセラミック層の間に熱伝導性の低い接着剤層が不要で
、金属板とセラミック層の高熱伝導性を充分に生かすこ
とができる。
Furthermore, since the ceramic layer, which is an insulating layer, is formed by thermal spraying directly onto the base metal plate, there is no need for an adhesive layer with low thermal conductivity between the metal plate and the ceramic layer. The high thermal conductivity of the layer can be fully utilized.

また、溶射によって得られるセラミック溶射層は、本来
セラミック層の特性として気孔を有し、しかもその表面
の表面粗さのため、絶縁層として用いるには、耐電圧性
、吸湿時特性などが充分ではなく、また微細な回路の形
成は困難である。
In addition, the ceramic sprayed layer obtained by thermal spraying originally has pores as a characteristic of the ceramic layer, and due to its surface roughness, it does not have sufficient voltage resistance or moisture absorption characteristics to be used as an insulating layer. Furthermore, it is difficult to form fine circuits.

ところが、本発明では、セラミック溶射層に未硬化の熱
硬化性樹脂を塗布、含浸して硬化することによって気孔
を封孔する。一方、含浸した樹脂はセラミック溶射−と
金属板の界面まで達し、接着剤としても作用する。この
ため、セラミック溶射層と金属板の密着性も増大するこ
とになる。
However, in the present invention, the pores are sealed by applying an uncured thermosetting resin to the ceramic sprayed layer, impregnating it, and curing it. On the other hand, the impregnated resin reaches the interface between the ceramic spray and the metal plate and also acts as an adhesive. Therefore, the adhesion between the ceramic sprayed layer and the metal plate also increases.

さらに、樹脂を含浸、硬化後、その表面を研磨すること
によって表面を平滑化するとともに、表面の樹脂層を除
去し、セラミック層を露出させる。
Furthermore, after impregnating and curing the resin, the surface is polished to smooth the surface, and the resin layer on the surface is removed to expose the ceramic layer.

これによって、微細な回路の形成が可能となると同時に
、セラミック層の上に直接回路が形成されるため、その
熱伝導性を有効に生かすことができる。
This makes it possible to form fine circuits, and at the same time, since the circuits are formed directly on the ceramic layer, its thermal conductivity can be effectively utilized.

なあ、本発明により得られる金属ベース基板への回路の
形成は、一般に行なわれているように、導体ペーストを
塗布する方法、銅、ニッケル等の電気メツキ、無電解メ
ツキ法等によることができることは勿論である。
Incidentally, the circuit can be formed on the metal base substrate obtained by the present invention by a method such as applying a conductive paste, electroplating of copper, nickel, etc., or electroless plating method, etc., as is generally practiced. Of course.

(効果) 本発明になる金属ベース基板の製造方法は、上記の如く
、インバー合金または42合金の板等の表面にセラミッ
クを溶射してセラミック溶射層を形成し、上記セラミッ
ク溶射層に未硬化の熱硬化性樹脂を塗布、含浸、硬化し
、さらに上記熱硬化性樹脂を含浸したセラミック溶射層
の表面を研磨することにより金属ベース基板を形成する
ので、熱伝導性および熱放散性に優れ、しかも基板の熱
膨張係数がセラミックチップ、シリコンチップ等に近く
、微細回路の形成を可能にするとともに接続信頼性に優
れた金属基板が得られる等の効果を有する。
(Effects) As described above, the method for manufacturing a metal base substrate according to the present invention involves spraying ceramic onto the surface of an Invar alloy or 42 alloy plate to form a ceramic sprayed layer, and applying an unhardened layer to the ceramic sprayed layer. The metal base substrate is formed by coating, impregnating, and curing a thermosetting resin, and then polishing the surface of the ceramic sprayed layer impregnated with the thermosetting resin, so it has excellent thermal conductivity and heat dissipation. The coefficient of thermal expansion of the substrate is close to that of ceramic chips, silicon chips, etc., making it possible to form fine circuits and providing a metal substrate with excellent connection reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明により得られる金属ベース基板の断面図
である。 1・・・金属板 2・・・セラミック溶射層
FIG. 1 is a sectional view of a metal base substrate obtained according to the present invention. 1...Metal plate 2...Ceramic sprayed layer

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)インバー合金(Ni36%,Fe64%の合金)
または42合金(Ni42%,Fe58%の合金)の板
、またはインバー合金または42合金の両面に銅をクラ
ッドした板の表面にセラミックを溶射してセラミック溶
射層を形成し、 次に上記セラミック溶射層に未硬化の熱硬化性樹脂を塗
布,含浸,硬化し、 さらに上記熱硬化性樹脂を含浸したセラミック溶射層の
表面を研磨することを特徴とする金属ベース基板の製造
方法。
(1) Invar alloy (36% Ni, 64% Fe alloy)
Alternatively, a ceramic sprayed layer is formed by spraying ceramic on the surface of a plate of 42 alloy (an alloy of 42% Ni and 58% Fe), or a plate in which both sides of an invar alloy or 42 alloy are clad with copper, and then the ceramic sprayed layer is A method for manufacturing a metal base substrate, comprising: coating, impregnating, and curing an uncured thermosetting resin; and polishing the surface of the ceramic sprayed layer impregnated with the thermosetting resin.
(2)上記セラミックはアルミナまたはムライトを主成
分とすることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
金属ベース基板の製造方法。
(2) The method for manufacturing a metal base substrate according to claim 1, wherein the ceramic has alumina or mullite as a main component.
(3)上記熱硬化性樹脂がポリイミド樹脂またはエポキ
シ樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲第1項ま
たは第2項記載の金属ベース基板の製造方法。
(3) The method for manufacturing a metal base substrate according to claim 1 or 2, wherein the thermosetting resin is a polyimide resin or an epoxy resin.
JP31574487A 1987-12-14 1987-12-14 Manufacture of metal base substrate Pending JPH01157589A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005011345A1 (en) * 2003-07-17 2005-02-03 Ksg Leiterplatten Gmbh Layer assembly for a supporting part, which can be fitted with electronic components, and method for the production thereof
CN101916731A (en) * 2010-07-12 2010-12-15 深圳大学 Ceramic insulating film heat-conducting substrate and manufacturing method thereof
JP2020180377A (en) * 2017-04-14 2020-11-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 sink

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