JPH01157046A - 真空アークイオン源 - Google Patents
真空アークイオン源Info
- Publication number
- JPH01157046A JPH01157046A JP63181970A JP18197088A JPH01157046A JP H01157046 A JPH01157046 A JP H01157046A JP 63181970 A JP63181970 A JP 63181970A JP 18197088 A JP18197088 A JP 18197088A JP H01157046 A JPH01157046 A JP H01157046A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- metal
- ion source
- arc ion
- vacuum arc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 239000010405 anode material Substances 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 20
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- FWVCSXWHVOOTFJ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-chloroethylsulfanyl)-2-[2-(2-chloroethylsulfanyl)ethoxy]ethane Chemical compound ClCCSCCOCCSCCCl FWVCSXWHVOOTFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/20—Ion sources; Ion guns using particle beam bombardment, e.g. ionisers
- H01J27/22—Metal ion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は陰極、トリガ電極、陽極ならびに前記陰極、ト
リガ電極及び陽極に電圧を供給する手段を有し、これに
よって陽極と陰極間に前記陰極より生ずる第1プラズマ
が形成され、この第1プラズマの電子が陽極により吸引
され陽極材料を加熱しこれにより陽極より蒸気が放出さ
れ、次いで放出蒸気をイオン化し、陽極より第2プラズ
マが生ずるようにし、これが吸引電極に向かって指向さ
れる如くした真空アークイオン源に関するものである。
リガ電極及び陽極に電圧を供給する手段を有し、これに
よって陽極と陰極間に前記陰極より生ずる第1プラズマ
が形成され、この第1プラズマの電子が陽極により吸引
され陽極材料を加熱しこれにより陽極より蒸気が放出さ
れ、次いで放出蒸気をイオン化し、陽極より第2プラズ
マが生ずるようにし、これが吸引電極に向かって指向さ
れる如くした真空アークイオン源に関するものである。
イオン源は多くの装置に使用され、例えばインプランテ
ーション装置、アクセレレイター(加速器)、ニュウト
ロン(中性子)管、マス(質量)スペクトロメーター、
等に使用される。
ーション装置、アクセレレイター(加速器)、ニュウト
ロン(中性子)管、マス(質量)スペクトロメーター、
等に使用される。
ガス放電イオン源に関しては、真空アークイオン源を用
いるとイオン源と加速領域間のポンピング手段を減少さ
せる可能性を有しておりかつ極めて大なる吸引表面を有
する特性を有している。
いるとイオン源と加速領域間のポンピング手段を減少さ
せる可能性を有しておりかつ極めて大なる吸引表面を有
する特性を有している。
従来形態のアークイオン源においては、陽極は電子のコ
レクターであり、陰極は電子とプラズマ(陰極材料より
形成される)のエミッタであった。
レクターであり、陰極は電子とプラズマ(陰極材料より
形成される)のエミッタであった。
電子フラックス(東)に露出される陽極表面を減少させ
ると電子衝撃の増加が生じ、従って加えるエネルギーの
増加が招来する。
ると電子衝撃の増加が生じ、従って加えるエネルギーの
増加が招来する。
陽極と陰極材料、及びアーク電流ならびに露出陽極表面
によって定められるスレショールド値においては、陽極
材料よりプラズマを生ずる発光領域が生ずることとなる
。これらのプラズマの特性は陰極スポットの特性と類似
しているが、(角度、密度、速度の点において)プラズ
マの形態の放出物質のフラックスは陽極の温度によって
制御でき(幾何学的構造、アーク電流、パルスのテンポ
(時間)特性)、この温度は電子及び消費エネルギーに
よって持ち来されるものであり、特に陽極において電子
放出と蒸気のイオン化によって生ずるものである。
によって定められるスレショールド値においては、陽極
材料よりプラズマを生ずる発光領域が生ずることとなる
。これらのプラズマの特性は陰極スポットの特性と類似
しているが、(角度、密度、速度の点において)プラズ
マの形態の放出物質のフラックスは陽極の温度によって
制御でき(幾何学的構造、アーク電流、パルスのテンポ
(時間)特性)、この温度は電子及び消費エネルギーに
よって持ち来されるものであり、特に陽極において電子
放出と蒸気のイオン化によって生ずるものである。
一般に言ってアークイオン源の使用時間は短いものに限
定される。陽極スポットを生ずるこの原理を用いて、本
発明はプラズマのアークイオン源の使用時間を増加でき
るものを得ることを目的とする。
定される。陽極スポットを生ずるこの原理を用いて、本
発明はプラズマのアークイオン源の使用時間を増加でき
るものを得ることを目的とする。
本発明ではこの目的を達成するため、真空アークイオン
源に陽極表面をカバーする金属層を供給する手段を設け
、この手段は金属のレザーバを有しさらにこのレザーバ
と陽極表面の間に金属を浸透させる連結部を設けたこと
を特徴とする。
源に陽極表面をカバーする金属層を供給する手段を設け
、この手段は金属のレザーバを有しさらにこのレザーバ
と陽極表面の間に金属を浸透させる連結部を設けたこと
を特徴とする。
本装置の使用中においては金属は陽極表面で蒸発しかつ
イオン化される。金属はレザーバより連結部を通じて陽
極表面に供給され金属の消耗を補っていく。これによっ
てアークイオン源の使用時間が増大する。
イオン化される。金属はレザーバより連結部を通じて陽
極表面に供給され金属の消耗を補っていく。これによっ
てアークイオン源の使用時間が増大する。
この連結部は金属に対し同じ蒸気圧を得るためには極め
て大なる温度差を生ずる材料で形成するを可とする。
て大なる温度差を生ずる材料で形成するを可とする。
このようにするとプラズマは金属層より発出する金属イ
オンのみによって構成される。
オンのみによって構成される。
特に陰極材料の蒸着によって汚染されないように浸透性
連結部を配置するを可とする。
連結部を配置するを可とする。
陰極材料を陽極の金属に対する湿潤性を阻害しないよう
な材料に選択するを可とする。
な材料に選択するを可とする。
前記金属の第1実施例では金属を液状のものとし、レザ
ーバと陽極とを分離する連結部を多くの孔を有する材料
で構成する。このような構成によるときは毛細管現象に
よって液状金属の通過が行われる。この材料は例えばタ
ングステンまたはニッケルのフリットとする。
ーバと陽極とを分離する連結部を多くの孔を有する材料
で構成する。このような構成によるときは毛細管現象に
よって液状金属の通過が行われる。この材料は例えばタ
ングステンまたはニッケルのフリットとする。
第2実施例では前記金属を液状としレザーバと陽極表面
を分離する前記連結部を表面拡散によって陽極表面に供
給を行う連続スロットが貫通している構成とする。
を分離する前記連結部を表面拡散によって陽極表面に供
給を行う連続スロットが貫通している構成とする。
2つの群の液状金属を使用できる。これらは例えば周囲
温度において低い蒸気圧を有する液状金属(ガリウム、
セシウム、ガリウム−インジウム合金・・・)とレザー
バを加熱することにより溶融して液状となり低い蒸気圧
を有する金属(錫、インジウム、ビスマス、鉛110.
)等である。
温度において低い蒸気圧を有する液状金属(ガリウム、
セシウム、ガリウム−インジウム合金・・・)とレザー
バを加熱することにより溶融して液状となり低い蒸気圧
を有する金属(錫、インジウム、ビスマス、鉛110.
)等である。
他の実施例では陽極を低温度に冷却し、陽極上の金属を
凝縮させる手段を設ける。この実施例は例えば水銀の如
く常温で極めて特徴ある重要な蒸気圧(例えば数10
’torr)のような金属とする。
凝縮させる手段を設ける。この実施例は例えば水銀の如
く常温で極めて特徴ある重要な蒸気圧(例えば数10
’torr)のような金属とする。
この金属は陽極で凝縮し次いで蒸発し、またイオン化す
る。金属が液相である場合アークの電子によってこれが
行われる。
る。金属が液相である場合アークの電子によってこれが
行われる。
他の実施例では陰極材料を陽極材料に比較してその耐火
性が遥かに少ないものとし、しかも必要な湿潤特性は同
等のものとする。液状金属(または溶融金属)に対する
孔または入力開口を閉塞しないようにするため、陽極上
に析出する陰極材料上に陽極スポットの形成を生ずる如
くの高いエネルギーでイオン源を動作させこの個所に液
状金属が生じないようにする。あるいはこれと反対にこ
のエネルギーをあるスレショールド値より低く抑え固体
陽極材料状に陽極スポットが生ずるようにする。このよ
うな所謂コンディショニングモードによってイオン源の
動作は満足なものとなりその使用時間が延長される。
性が遥かに少ないものとし、しかも必要な湿潤特性は同
等のものとする。液状金属(または溶融金属)に対する
孔または入力開口を閉塞しないようにするため、陽極上
に析出する陰極材料上に陽極スポットの形成を生ずる如
くの高いエネルギーでイオン源を動作させこの個所に液
状金属が生じないようにする。あるいはこれと反対にこ
のエネルギーをあるスレショールド値より低く抑え固体
陽極材料状に陽極スポットが生ずるようにする。このよ
うな所謂コンディショニングモードによってイオン源の
動作は満足なものとなりその使用時間が延長される。
以下図面により本発明を説明する。
各図中同一部分は同じ参照番号で示しである。
第1図aは垂直面で切った断面図であり、円形リングの
形の金属陰極1を示しており、その開口2に面する面は
絶縁スクリーン3で保護されている。リングの軸に沿っ
て開口2に面するよう配置され、かつスクリーンを形成
する絶縁ディスク5によって保持されている陽極4は本
発明の1実施例による溶融(液状)金属7を収容するレ
ザーバ(貯槽)6を有している。このレザーバ6の下側
部分は狭められた形状を有しており、これにより小寸法
の外面領域8を形成し、レザーバの溶融状態部分より壁
9によって分離された上述の陽極表面を形成する。
形の金属陰極1を示しており、その開口2に面する面は
絶縁スクリーン3で保護されている。リングの軸に沿っ
て開口2に面するよう配置され、かつスクリーンを形成
する絶縁ディスク5によって保持されている陽極4は本
発明の1実施例による溶融(液状)金属7を収容するレ
ザーバ(貯槽)6を有している。このレザーバ6の下側
部分は狭められた形状を有しており、これにより小寸法
の外面領域8を形成し、レザーバの溶融状態部分より壁
9によって分離された上述の陽極表面を形成する。
陰極と陽極間のアークの点弧を促進するため、2つの補
助電極10及び11間に生ずる放電を利用する。これら
の補助電極10.11は、例えばリング形とし、0・1
mm程度の大きさの溝12によって互いに分離されてお
り、トリガ電極を形成する。この補助放電はイオン源の
正しい動作のため不可欠のものであり、これは他の形態
、すなわちイオン源の陰極に極めて接近して設けたトリ
ガ陽極ゲートとしても構成できる。
助電極10及び11間に生ずる放電を利用する。これら
の補助電極10.11は、例えばリング形とし、0・1
mm程度の大きさの溝12によって互いに分離されてお
り、トリガ電極を形成する。この補助放電はイオン源の
正しい動作のため不可欠のものであり、これは他の形態
、すなわちイオン源の陰極に極めて接近して設けたトリ
ガ陽極ゲートとしても構成できる。
陰極スクリーン3と陽極スクリーン5の機能はそれぞれ
リング1及びレザーバ6の支持部として作用し、また陽
極よりイオン化が行われる空間内に陽極より放出される
微粒子に対するスクリーンを形成しかつ不要なイオンを
放出する陰極及びトリガ電極のシールドとして作用する
。
リング1及びレザーバ6の支持部として作用し、また陽
極よりイオン化が行われる空間内に陽極より放出される
微粒子に対するスクリーンを形成しかつ不要なイオンを
放出する陰極及びトリガ電極のシールドとして作用する
。
溶融金属7を陽極表面より分離する壁9は多数の孔13
を有する材料で構成しこれは1部を拡大して示す第1図
すに示す如くでありこの壁9は水平面に配置されている
。従ってレザーバより陽極表面に毛細管現象が生ずる。
を有する材料で構成しこれは1部を拡大して示す第1図
すに示す如くでありこの壁9は水平面に配置されている
。従ってレザーバより陽極表面に毛細管現象が生ずる。
このような陽極表面に対する供給は第1図すに水平面を
拡大して示す部分図に示す如く壁9を横切って設けた連
続スロット14によっても実現することができる。この
ようにして陽極表面は拡散表面により覆われる。この場
合の陽極材料は溶融金属による湿潤特性により定まる。
拡大して示す部分図に示す如く壁9を横切って設けた連
続スロット14によっても実現することができる。この
ようにして陽極表面は拡散表面により覆われる。この場
合の陽極材料は溶融金属による湿潤特性により定まる。
本発明の一例においては壁9は例えばタングステンの多
孔材料で構成する。このような多孔フリット材料は毛細
管現象により拡散する材料で覆われ、開口2に対抗して
いる陽極の表面領域8に対し拡散を行うように配置する
。
孔材料で構成する。このような多孔フリット材料は毛細
管現象により拡散する材料で覆われ、開口2に対抗して
いる陽極の表面領域8に対し拡散を行うように配置する
。
プラズマ15及び16のジェット流はトリガ電極と陰極
により放出されそれぞれ陰極と陽極の間に電子17の7
ラツクスを生じフリット素子の材料により構成される陽
極の部分を制御可能に加熱しこれは拡散する金属材料と
密接に接合している。
により放出されそれぞれ陰極と陽極の間に電子17の7
ラツクスを生じフリット素子の材料により構成される陽
極の部分を制御可能に加熱しこれは拡散する金属材料と
密接に接合している。
例えば金属元素材料をガリウムとするときはこの材料は
300°Cの温度において水銀柱1mmの蒸気圧を有し
、支持材料として作用するタングステンは4500°C
で同じ蒸気圧を有する。
300°Cの温度において水銀柱1mmの蒸気圧を有し
、支持材料として作用するタングステンは4500°C
で同じ蒸気圧を有する。
従って陽極の温度を正確に制御すれば金属元素はイオン
化を行ったのちにおいてのみ蒸発し、プラズマ18のジ
ェット流が陽極表面に直角に放出され、このジェット流
は金属イオンのみで構成される。
化を行ったのちにおいてのみ蒸発し、プラズマ18のジ
ェット流が陽極表面に直角に放出され、このジェット流
は金属イオンのみで構成される。
レザーバ内の溶融金属の圧力はピストン19とスプリン
グ20を有する装置により一定に維持される。
グ20を有する装置により一定に維持される。
このレザーバにはエキゾースト(排気)管21を設ける
。なお、これはコックで置き換えることもできる。
。なお、これはコックで置き換えることもできる。
図示を省略した加熱系を設は常温では液体状となってい
ない溶融金属を加熱する。
ない溶融金属を加熱する。
プラズマ源としては多くの構造を使用することができる
。
。
第2図aはこのような構造の1例を示し、この中には上
述した基本的モデルと同様な多数のイオン源を設けであ
る。この図面の上側及び下側はそれぞれ線AA” にお
いて切ってみた垂直断面図と線BB’ より見た水平
断面図を示しこれらにはスクリーン3を有する陰極1と
トリガ電極10と陽極表面8と支持部5と溶融金属7と
多孔性陽極部分9とがそれぞれ示されている。
述した基本的モデルと同様な多数のイオン源を設けであ
る。この図面の上側及び下側はそれぞれ線AA” にお
いて切ってみた垂直断面図と線BB’ より見た水平
断面図を示しこれらにはスクリーン3を有する陰極1と
トリガ電極10と陽極表面8と支持部5と溶融金属7と
多孔性陽極部分9とがそれぞれ示されている。
第2図すは極く僅かな厚さを有するリング形状とした陽
極の構造を示すものである。同心構造の陽極22の多重
リングを線BB’ より切ってみた平面図上に示す如
く配置することができる。各陽極を囲んで陰極24及び
そのスクリーン23ならびにゲート25もリング形状と
して配置する。線^八′ によって切ってみた垂直断面
図は第2図aに示すものと同じである。
極の構造を示すものである。同心構造の陽極22の多重
リングを線BB’ より切ってみた平面図上に示す如
く配置することができる。各陽極を囲んで陰極24及び
そのスクリーン23ならびにゲート25もリング形状と
して配置する。線^八′ によって切ってみた垂直断面
図は第2図aに示すものと同じである。
第3図の構造においては陽極26は90°に配置した平
らな並行六面体の形状とし、これらをスクリーン27に
よって互いに分離する。陰極28とこれらを分離するス
クリーン29並びにトリガ電極30もBB’面に沿って
切った垂直断面図に示す如(円筒形め母線に沿って配置
する。
らな並行六面体の形状とし、これらをスクリーン27に
よって互いに分離する。陰極28とこれらを分離するス
クリーン29並びにトリガ電極30もBB’面に沿って
切った垂直断面図に示す如(円筒形め母線に沿って配置
する。
第4図は数個の互いに重畳した陽極を有する構造を示し
、これらのおのおの31は平坦な円筒形状を有している
。陰極32及びそれらの設けであるスクリーン33並び
にトリガ電極34はリング形状としこれらも互いに重ね
合わせて配置しである。多重円筒形の陽極に共通な中央
の垂直柱35はこれらの円筒に溶融金属を供給する作用
を行い、これは線AA’ に沿って切って示す垂直断
面図に示す如くであり、また線Be′ に沿って示す水
平断面図に示す如くである。
、これらのおのおの31は平坦な円筒形状を有している
。陰極32及びそれらの設けであるスクリーン33並び
にトリガ電極34はリング形状としこれらも互いに重ね
合わせて配置しである。多重円筒形の陽極に共通な中央
の垂直柱35はこれらの円筒に溶融金属を供給する作用
を行い、これは線AA’ に沿って切って示す垂直断
面図に示す如くであり、また線Be′ に沿って示す水
平断面図に示す如くである。
上述した各図に示した構造はバイプラナ−(双手面)形
であり、すなわち陽極及び陰極がそれぞれ互いに異なっ
た面内にあり陰極及び陽極プラズマは互いに反対方向に
放出されるものである。これと異なった所謂コプラナー
(同一面)の例を第5図に示す。すなわちこの例では双
手面形と同じように陰極は円形のリング36の形態を有
することができ小寸法としたその陽極4は同じ軸上に設
けることができる。絶縁材料37は2つの電極間を分離
し、これは数kVないし2OkV間に変化する電圧を絶
縁するものである。
であり、すなわち陽極及び陰極がそれぞれ互いに異なっ
た面内にあり陰極及び陽極プラズマは互いに反対方向に
放出されるものである。これと異なった所謂コプラナー
(同一面)の例を第5図に示す。すなわちこの例では双
手面形と同じように陰極は円形のリング36の形態を有
することができ小寸法としたその陽極4は同じ軸上に設
けることができる。絶縁材料37は2つの電極間を分離
し、これは数kVないし2OkV間に変化する電圧を絶
縁するものである。
この絶縁体は陰極スポットが軸より移動しその中心に設
けられたスクリーン38によって受止められ、このスク
リーンに設けたオリフィスによって陽極スポットより放
出されるプラズマ18のみが主としてこれを通過するよ
うにする。
けられたスクリーン38によって受止められ、このスク
リーンに設けたオリフィスによって陽極スポットより放
出されるプラズマ18のみが主としてこれを通過するよ
うにする。
トリガ電極10.11は制御用に必要でありこれらは双
平面源と同じく円形とする。
平面源と同じく円形とする。
動作上の観点よりみると双手面構造はより容易にスター
トし得る(低い陽極陰極間型圧及びトリガ電流)利点が
あり、これは電子の通路が短くかつ、より直接的である
からである。
トし得る(低い陽極陰極間型圧及びトリガ電流)利点が
あり、これは電子の通路が短くかつ、より直接的である
からである。
本発明は所謂双手面型及び同一平面型の中間の陰極電極
構造をも含むものであり、第6図は半円筒形陰極39を
有する構造を示し、第7図a及びbは頂部を切断した陰
極40及び41を有する構造を示すものである。
構造をも含むものであり、第6図は半円筒形陰極39を
有する構造を示し、第7図a及びbは頂部を切断した陰
極40及び41を有する構造を示すものである。
第1図aは本発明による双手面型溶融金属の真空アーク
イオン源を示す略図、 第1図すは多孔性陽極及びスロット付陽極の部分拡大図
、 第2図aは同一の素子を多数用いて構成したマルチポイ
ント構造を示す図、 第2図すは陽極をリング形とし多重陰極スポットの装置
を有するリング型構造を示す図、第3図は陰極を円筒形
の母線に沿って配置した円筒形構造を示す図、 第4図は陽極を平らな円筒内に有し陰極をリング形とし
たマルチアニユラ−(多重環)構造を示す図、 第5図は本発明による同一平面型真空アークイオン源を
示す図、 第6図は円筒形陰極を存する構造を示す図、第7図a及
びbは頂部切断型陰極構造を示す図である。 l・・・陰極 3・・・絶縁スクリーン4
・・・陽極 6・・・レザーバ9・・・壁
10.11・・・補助電極12・・・
溝 FIG、3 FIG、4 手 続 補 正 書(方式) 昭和63年12月26日 特許庁長官 吉 1) 文 毅 殿1、事件
の表示 昭和63年特許廓第181970号 2、発明の名称 真空アークイオン源 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 エヌ・べ−・フィリップス・フルーイランペ
ンファプリケン 4、代理人 t、補止の岡谷 (別砒の通りJ
\。 1、明細書第15頁第6〜9行を次の如く訂正する。 「 第2図は本発明による真空アークイオン源の実際に
近い構造の説明図で、 図中理解を助けるため付した記号aは左半部を示し、こ
の部分はレザーバのマルチポイント構造の例を示し、ま
た説明上すの記号が併記しである右半部は多重陰極スポ
ント構造の例を示す図である。」
イオン源を示す略図、 第1図すは多孔性陽極及びスロット付陽極の部分拡大図
、 第2図aは同一の素子を多数用いて構成したマルチポイ
ント構造を示す図、 第2図すは陽極をリング形とし多重陰極スポットの装置
を有するリング型構造を示す図、第3図は陰極を円筒形
の母線に沿って配置した円筒形構造を示す図、 第4図は陽極を平らな円筒内に有し陰極をリング形とし
たマルチアニユラ−(多重環)構造を示す図、 第5図は本発明による同一平面型真空アークイオン源を
示す図、 第6図は円筒形陰極を存する構造を示す図、第7図a及
びbは頂部切断型陰極構造を示す図である。 l・・・陰極 3・・・絶縁スクリーン4
・・・陽極 6・・・レザーバ9・・・壁
10.11・・・補助電極12・・・
溝 FIG、3 FIG、4 手 続 補 正 書(方式) 昭和63年12月26日 特許庁長官 吉 1) 文 毅 殿1、事件
の表示 昭和63年特許廓第181970号 2、発明の名称 真空アークイオン源 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 エヌ・べ−・フィリップス・フルーイランペ
ンファプリケン 4、代理人 t、補止の岡谷 (別砒の通りJ
\。 1、明細書第15頁第6〜9行を次の如く訂正する。 「 第2図は本発明による真空アークイオン源の実際に
近い構造の説明図で、 図中理解を助けるため付した記号aは左半部を示し、こ
の部分はレザーバのマルチポイント構造の例を示し、ま
た説明上すの記号が併記しである右半部は多重陰極スポ
ント構造の例を示す図である。」
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、陰極、トリガ電極、陽極ならびに前記陰極、トリガ
電極及び陽極に電圧を供給する手段を有し、これによっ
て陽極と陰極間に前記陰極より生ずる第1プラズマが形
成され、この第1プラズマの電子が陽極により吸引され
陽極材料を加熱しこれにより陽極より蒸気が放出され、
次いで放出蒸気をイオン化し、陽極より第2プラズマが
生ずるようにし、これが吸引電極に向かって指向される
如くした真空アークイオン源において、 真空アークイオン源は陽極表面をカバーす る金属層を供給する手段を有しており、この手段は金属
のレザーバを有し、さらにこのレザーバと陽極表面の間
に金属を浸透させる連結部を設けたことを特徴とする真
空アークイオン源。 2、前記浸透性連結部を金属に対し同じ蒸気圧を得るの
に極めて大なる温度差を有する材料で構成する請求項1
記載の真空アークイオン源。 3、前記浸透性ある連結部を陰極材料の析出によって妨
害されないように配置したことを特徴とする請求項1ま
たは2記載の真空アークイオン源。 4、陰極材料が陽極の金属への湿潤特性を妨害しないよ
うにした請求項1、2または3記載の真空アークイオン
源。 5、前記金属を液状とし前記レザーバと陽極表面を分離
する連結部を多くの孔を有する材料で形成する請求項1
ないし4のいずれかに記載の真空アークイオン源。 6、前記連結部をタングステンまたはニッケルのフリッ
トとする請求項5記載の真空アークイオン源。 7、前記金属を液状とし前記レザーバと陽極とを分離す
る前記連結部を表面拡散によって陽極表面に供給を行い
うる如く連続したスロットが横切っている如くした請求
項1ないし4のいずれかに記載の真空アークイオン源。 8、金属を低い蒸気圧を有し周囲温度において液状とな
る金属とした請求項5、6または7記載の真空アークイ
オン源。 9、前記金属をガリウム、セシウム及び水銀の群のうち
の元素とした請求項8記載の真空アークイオン源。 10、レザーバに加熱手段を設け、前記金属を低い蒸気
圧を有するものとし、かつレザーバを加熱することによ
り前記金属が溶融して液状となる如くした請求項5、6
または7記載の真空アークイオン源。 11、前記金属を錫、インジウム、ビスマス及び鉛によ
り構成される群のうちの元素とする請求項10記載の真
空アークイオン源。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8710391A FR2618604B1 (fr) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | Source d'ions de metaux liquides a arc sous vide |
FR8710391 | 1987-07-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01157046A true JPH01157046A (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=9353437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63181970A Pending JPH01157046A (ja) | 1987-07-22 | 1988-07-22 | 真空アークイオン源 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5008585A (ja) |
EP (1) | EP0300566B1 (ja) |
JP (1) | JPH01157046A (ja) |
DE (1) | DE3878331T2 (ja) |
FR (1) | FR2618604B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007258154A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-10-04 | Nec Electronics Corp | イオン注入装置 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0399374B1 (en) * | 1989-05-26 | 1995-04-19 | Micrion Corporation | Ion source method and apparatus |
US5089707A (en) * | 1990-11-14 | 1992-02-18 | Ism Technologies, Inc. | Ion beam generating apparatus with electronic switching between multiple cathodes |
JP3060876B2 (ja) * | 1995-02-15 | 2000-07-10 | 日新電機株式会社 | 金属イオン注入装置 |
US7058024B1 (en) | 1999-02-03 | 2006-06-06 | Lucent Technologies, Inc. | Automatic telecommunications link identification system |
US7276847B2 (en) * | 2000-05-17 | 2007-10-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Cathode assembly for indirectly heated cathode ion source |
AT500917B8 (de) * | 2004-07-20 | 2007-02-15 | Arc Seibersdorf Res Gmbh | Flüssigmetall-ionenquelle |
KR20080112790A (ko) * | 2007-06-22 | 2008-12-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 박막 형성 방법 |
DE102007058504A1 (de) | 2007-12-05 | 2009-07-09 | Acino Ag | Transdermales therapeutisches System mit einem Gehalt an einem Modulator für nikotinische Acetylcholinrezeptoren (nAChR) |
US10580610B2 (en) * | 2013-03-15 | 2020-03-03 | General Electric Company | Cold cathode switching device and converter |
CN104217911A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-12-17 | 常州博锐恒电子科技有限公司 | 一种侧引出mevva金属离子源 |
JP6927493B2 (ja) * | 2016-10-11 | 2021-09-01 | 国立大学法人横浜国立大学 | イオン源 |
US11728140B1 (en) * | 2022-01-31 | 2023-08-15 | Axcelis Technologies, Inc. | Hydraulic feed system for an ion source |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57205953A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-17 | Jeol Ltd | Ion source |
JPS58163135A (ja) * | 1982-03-20 | 1983-09-27 | Nippon Denshi Zairyo Kk | イオン源 |
JPS61142645A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-06-30 | Hitachi Ltd | 正,負兼用イオン源 |
US4638210A (en) * | 1985-04-05 | 1987-01-20 | Hughes Aircraft Company | Liquid metal ion source |
JPS62259332A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-11-11 | Nippon Denshi Zairyo Kk | イオン発生装置 |
-
1987
- 1987-07-22 FR FR8710391A patent/FR2618604B1/fr not_active Expired
-
1988
- 1988-07-14 DE DE8888201511T patent/DE3878331T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-14 EP EP88201511A patent/EP0300566B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-21 US US07/223,465 patent/US5008585A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-22 JP JP63181970A patent/JPH01157046A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007258154A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-10-04 | Nec Electronics Corp | イオン注入装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5008585A (en) | 1991-04-16 |
DE3878331T2 (de) | 1993-08-05 |
EP0300566B1 (fr) | 1993-02-10 |
FR2618604B1 (fr) | 1989-11-24 |
FR2618604A1 (fr) | 1989-01-27 |
DE3878331D1 (de) | 1993-03-25 |
EP0300566A1 (fr) | 1989-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5808417B2 (ja) | 電子ビームを形成するための装置 | |
JPH01157046A (ja) | 真空アークイオン源 | |
US5215703A (en) | High-flux neutron generator tube | |
JPH05171423A (ja) | 真空蒸着用偏向電子銃装置 | |
IL24630A (en) | Annular hollow cathode discharge apparatus | |
JP4130974B2 (ja) | ホローカソード | |
US7657003B2 (en) | X-ray tube with enhanced small spot cathode and methods for manufacture thereof | |
US3240970A (en) | Method and apparatus for replenishing hydrogen in a neutron generator | |
US4939425A (en) | Four-electrode ion source | |
US3286187A (en) | Ion source utilizing a spherically converging electric field | |
US4801849A (en) | Ion source operating by surface ionization in particular for providing an ion probe | |
JP2637948B2 (ja) | ビームプラズマ型イオン銃 | |
US5994850A (en) | Switching arrangements wherein a cylindrical trigger electrode is arranged around a gap between an anode and cathode for establishing a discharge therebetween | |
JPH11256315A (ja) | 蒸着源及び蒸着装置 | |
RU2267181C2 (ru) | Вакуумная нейтронная трубка | |
JP2000340150A (ja) | 接地したシールドを有する電子ビーム銃 | |
JPH024979B2 (ja) | ||
JPH0442774B2 (ja) | ||
JPH0649628A (ja) | ボルタイック アーク ベーパライザー | |
JP3076176B2 (ja) | 複合型イオン源装置 | |
JP2637947B2 (ja) | ビームプラズマ型イオン銃 | |
JP2023543389A (ja) | 硬質炭素層を分離させるための装置および方法 | |
JPS6363105B2 (ja) | ||
GB2304990A (en) | Switching arrangements | |
JPS63119129A (ja) | 酸化物陰極 |