JPH01154411A - 絶縁された電線、ケーブルの製造方法 - Google Patents
絶縁された電線、ケーブルの製造方法Info
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- JPH01154411A JPH01154411A JP31139887A JP31139887A JPH01154411A JP H01154411 A JPH01154411 A JP H01154411A JP 31139887 A JP31139887 A JP 31139887A JP 31139887 A JP31139887 A JP 31139887A JP H01154411 A JPH01154411 A JP H01154411A
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Landscapes
- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皇栗上至剋■公団
本発明は、絶縁された電線やケーブルの製造方法に関す
る。
る。
l米■侠歪
現在、特別高圧乃至超高圧絶縁ケーブルや中高圧でも可
撓性が要求される絶縁電線などの導線としては銅、アル
ミニウムなどの導電性金属の撚り線が使用されており、
導電性金属の撚り線はその断面における表面部が菊型の
凹凸構造となっているので、この凹凸構造に起因した電
界集中現象が生じる。したがってかかる撚り線の上に直
接絶縁層を施した場合にはこの絶縁層の局部に上記の集
中電界が印加され、この結果該絶縁層は絶縁破壊し易く
なると言う問題がある。
撓性が要求される絶縁電線などの導線としては銅、アル
ミニウムなどの導電性金属の撚り線が使用されており、
導電性金属の撚り線はその断面における表面部が菊型の
凹凸構造となっているので、この凹凸構造に起因した電
界集中現象が生じる。したがってかかる撚り線の上に直
接絶縁層を施した場合にはこの絶縁層の局部に上記の集
中電界が印加され、この結果該絶縁層は絶縁破壊し易く
なると言う問題がある。
従来、この問題を解決するために、撚り線の直上に体積
抵抗率が10〜10″Ω・cm程度の半導電性組成物か
らなる内部半導電性層を形成し、その上に絶縁層を形成
する手段が講じられている。
抵抗率が10〜10″Ω・cm程度の半導電性組成物か
らなる内部半導電性層を形成し、その上に絶縁層を形成
する手段が講じられている。
この内部半導電性層は前記した電界集中現象を緩和する
作用をなすものであるが、ケーブル構造を複雑にし、ケ
ーブルの外径を増大させる1因となっている。
作用をなすものであるが、ケーブル構造を複雑にし、ケ
ーブルの外径を増大させる1因となっている。
低圧の絶縁電線には、その導体として銅やアルミニウム
の単線が使用される場合がある。撚り線導体に限らず、
市販の単線でもその表面が全長にわたって平滑である場
合は少なく、寧ろ局部的な凹凸欠陥部を有するのが実情
であって、この局部的な凹凸欠陥部の存在のために電界
集中現象が生じて、やはり絶縁電線が短時間の使用で絶
縁破壊することが屡々ある。低圧の絶縁電線には前記し
たような半導電性層を;■常は設けないので、かかる絶
縁破壊事故を防止するには、絶縁層構成材の絶縁破壊強
度を高めるか、あるいは局部的な凹凸欠陥部のない導体
を製造するかしかないが、いずれもその実現は必ずしも
容易ではない。
の単線が使用される場合がある。撚り線導体に限らず、
市販の単線でもその表面が全長にわたって平滑である場
合は少なく、寧ろ局部的な凹凸欠陥部を有するのが実情
であって、この局部的な凹凸欠陥部の存在のために電界
集中現象が生じて、やはり絶縁電線が短時間の使用で絶
縁破壊することが屡々ある。低圧の絶縁電線には前記し
たような半導電性層を;■常は設けないので、かかる絶
縁破壊事故を防止するには、絶縁層構成材の絶縁破壊強
度を高めるか、あるいは局部的な凹凸欠陥部のない導体
を製造するかしかないが、いずれもその実現は必ずしも
容易ではない。
jlじし要すべき間通直
上記した従来事情から、内部半導電性層の不要な撚り線
導体や局部的に多少の凹凸欠陥部があっても絶縁破壊事
故を生じ難い単線の開発が望まれている。
導体や局部的に多少の凹凸欠陥部があっても絶縁破壊事
故を生じ難い単線の開発が望まれている。
皿■ん玉邂決するAへΔ■役
本発明は、上記の問題点を解決し得る新規な絶縁された
電線、ケーブルの製造方法を提供しようとするものであ
る。
電線、ケーブルの製造方法を提供しようとするものであ
る。
即ち本発明は、電解酸化重合性モノマーよりも酸化電位
が高い金属を少なくとも表面層に有する長尺の線材を電
解酸化重合性モノマーと支持電解質とを溶解した有機溶
媒溶液中を連続的に通過させ、該線材を陽極とし該有機
溶媒溶液中に設置した陰極との間に電圧を印加して該線
材の表面に上記重合性モノマーの重合体を主成分とする
半導電性有機高分子層を形成せしめ、かくして得た導線
の1本または該導線の撚り線の上に絶縁性の有機高分子
を被覆することを特徴とする絶縁された電線、ケーブル
の製造方法である。
が高い金属を少なくとも表面層に有する長尺の線材を電
解酸化重合性モノマーと支持電解質とを溶解した有機溶
媒溶液中を連続的に通過させ、該線材を陽極とし該有機
溶媒溶液中に設置した陰極との間に電圧を印加して該線
材の表面に上記重合性モノマーの重合体を主成分とする
半導電性有機高分子層を形成せしめ、かくして得た導線
の1本または該導線の撚り線の上に絶縁性の有機高分子
を被覆することを特徴とする絶縁された電線、ケーブル
の製造方法である。
Iの作 並びに効果
導電性有機高分子層の被着体となる長尺の線材の少なく
ともその表面層が電解酸化重合性モノマーよりも酸化電
位が高い金属からなっていると該線材を陽極とし、それ
と上記の有機溶媒溶液中に設置した陰極との間に電圧を
印加すると該線材の表面を酸化することなくその上に半
導電性乃至導電性の有機高分子層を密着性よく、したが
って良好なオーミックコンタクトでもって形成せしめる
ことができる。またかかる電圧印加を電解酸化重合性モ
ノマーと支持電解質とを溶解した有機溶媒溶液中で行う
ことにより電解酸化重合性モノマーを該導電体の表面で
電解酸化重合せしめると同時に支持電解質のドーピング
作用により半導電性乃導電性の有機高分子層を形成する
ことができ、さらに該支持電解質の使用量を調節するこ
とにより得られる有機高分子層の導電率を前記した電界
集中現象を緩和する適した範囲たとえば10−1〜10
&Ω・cm程度に調節することができる。
ともその表面層が電解酸化重合性モノマーよりも酸化電
位が高い金属からなっていると該線材を陽極とし、それ
と上記の有機溶媒溶液中に設置した陰極との間に電圧を
印加すると該線材の表面を酸化することなくその上に半
導電性乃至導電性の有機高分子層を密着性よく、したが
って良好なオーミックコンタクトでもって形成せしめる
ことができる。またかかる電圧印加を電解酸化重合性モ
ノマーと支持電解質とを溶解した有機溶媒溶液中で行う
ことにより電解酸化重合性モノマーを該導電体の表面で
電解酸化重合せしめると同時に支持電解質のドーピング
作用により半導電性乃導電性の有機高分子層を形成する
ことができ、さらに該支持電解質の使用量を調節するこ
とにより得られる有機高分子層の導電率を前記した電界
集中現象を緩和する適した範囲たとえば10−1〜10
&Ω・cm程度に調節することができる。
したがって上記の方法で得た導線はその表面に半導電性
の有機高分子層を有するので、それを単線で使用しても
、あるいは撚り線として使用しても前記した従来の問題
が解決する。
の有機高分子層を有するので、それを単線で使用しても
、あるいは撚り線として使用しても前記した従来の問題
が解決する。
AIJI葬頂奏裁訓
以下、本発明を図面を用いて説明する。第1図は、本発
明の方法の1部である導線製造を実施するための装置例
の断面図であって、送り出しボビンfilから送り出さ
れた線材(2)は、ガイドロール(3)により有機溶媒
溶液(5)を満たした浴槽(6)中に導かれ、ついでガ
イドロール(4)およびガイドロール(7)により有機
溶媒溶液(5)中に設置した陰極筒(8)内を通過せし
められる。
明の方法の1部である導線製造を実施するための装置例
の断面図であって、送り出しボビンfilから送り出さ
れた線材(2)は、ガイドロール(3)により有機溶媒
溶液(5)を満たした浴槽(6)中に導かれ、ついでガ
イドロール(4)およびガイドロール(7)により有機
溶媒溶液(5)中に設置した陰極筒(8)内を通過せし
められる。
線材(2)は直流電源(9)の陽極に、一方陰極筒(8
)は直流電源(9)の陰極にそれぞれ接続されている0
表面に半導電性の有機高分子層を形成された導線(2)
は、ガイドロール0ωを経由して巻き取りボビン01)
に巻き取られる。
)は直流電源(9)の陰極にそれぞれ接続されている0
表面に半導電性の有機高分子層を形成された導線(2)
は、ガイドロール0ωを経由して巻き取りボビン01)
に巻き取られる。
線材(2)としては、その少なくとも表面が後記する電
解酸化重合性モノマーよりも酸化電位が高い金属、たと
えばニッケル、金、白金、パラジウムまたは銀などから
なるものが用いられる。たとえば、かかる高酸化電位金
属のみからなる線、あるいは銅、アルミニウムなどの低
酸化電位金属コアの上に上記の高酸化電位金属のメツキ
層を有する複合線などはその例である。
解酸化重合性モノマーよりも酸化電位が高い金属、たと
えばニッケル、金、白金、パラジウムまたは銀などから
なるものが用いられる。たとえば、かかる高酸化電位金
属のみからなる線、あるいは銅、アルミニウムなどの低
酸化電位金属コアの上に上記の高酸化電位金属のメツキ
層を有する複合線などはその例である。
有機溶媒溶液(5)としては、電解酸化重合性モノマー
と支持電解質とを溶解したものが用いられる。
と支持電解質とを溶解したものが用いられる。
電解酸化重合性モノマーとしては、見かけの化学量論比
が1.5〜3.0フアラデーの範囲であり、親電子置換
反応を起こし易く、かつ分子内に少なくとも2個以上の
活性水素原子を有する化合物が用いられる。
が1.5〜3.0フアラデーの範囲であり、親電子置換
反応を起こし易く、かつ分子内に少なくとも2個以上の
活性水素原子を有する化合物が用いられる。
たとえばピロール、チオフェン、アニリン、アントラセ
ン、アズレン、ジフェニルアミン、ベンゼン、パラフェ
ニレン、ナフタレン、キノリン、イソチアナフテンおよ
びこれらの誘導体などである。前記誘導体としては、C
5〜C2゜のアルキル基、カルボキシル基、アセチル基
、−COCzlls基、シアノ基、ニトロ基、カーボア
ルコキシ基などの置換体が例示されうる。就中化学的安
定性および電界重合性の理由からピロール、チオフェン
、アニリン、パラフェニレンが特に好ましい。
ン、アズレン、ジフェニルアミン、ベンゼン、パラフェ
ニレン、ナフタレン、キノリン、イソチアナフテンおよ
びこれらの誘導体などである。前記誘導体としては、C
5〜C2゜のアルキル基、カルボキシル基、アセチル基
、−COCzlls基、シアノ基、ニトロ基、カーボア
ルコキシ基などの置換体が例示されうる。就中化学的安
定性および電界重合性の理由からピロール、チオフェン
、アニリン、パラフェニレンが特に好ましい。
支持電解質とは、後記の有機溶媒に可溶な電解質であっ
て、上記の電解酸化重合性モノマーの重合体にドープし
て導電性賦与作用をなすものが用いられる。たとえばテ
トラブチルアンモニウムバークロレート、p−トルエン
スルホネート、リチウムボロフルオライド、リチウムバ
ークロレート、シルバーバークロレート、LiAsF6
、CuC1z、テトラブチルアンモニウムボロフルオラ
イドなどはその1例である。
て、上記の電解酸化重合性モノマーの重合体にドープし
て導電性賦与作用をなすものが用いられる。たとえばテ
トラブチルアンモニウムバークロレート、p−トルエン
スルホネート、リチウムボロフルオライド、リチウムバ
ークロレート、シルバーバークロレート、LiAsF6
、CuC1z、テトラブチルアンモニウムボロフルオラ
イドなどはその1例である。
有機溶媒としては、電解酸化重合性モノマーと支持電解
質とに対して良溶媒となるものであればよく、たとえば
アセトニトリル、ジクロロベンゼン、ベンゾニトリル、
プロピレンカーボネート、ニトロベンゼンなどはその例
である。
質とに対して良溶媒となるものであればよく、たとえば
アセトニトリル、ジクロロベンゼン、ベンゾニトリル、
プロピレンカーボネート、ニトロベンゼンなどはその例
である。
有機溶媒における電解酸化重合性モノマーの濃度につい
ては、それが過度に低いと必要な厚さの重合有機高分子
層を形成するのに長時間を要し、一方濃度が過大である
と均一なボリア−膜が形成され難くなるなどの問題が生
じ易くなる傾向がある。したがって、電解酸化重合性モ
ノマーの濃度は、0.05〜5.0モル/l程度、特に
は0.1〜2.0モル/E程度とすることが好ましい。
ては、それが過度に低いと必要な厚さの重合有機高分子
層を形成するのに長時間を要し、一方濃度が過大である
と均一なボリア−膜が形成され難くなるなどの問題が生
じ易くなる傾向がある。したがって、電解酸化重合性モ
ノマーの濃度は、0.05〜5.0モル/l程度、特に
は0.1〜2.0モル/E程度とすることが好ましい。
有機溶媒における支持電解質の濃度については使用する
支持電解質の種類や解離度によって異なるが、一般に濃
度に略比例してそれの導電性賦与作用が大となって導電
率の大きい重合有機高分子層が得られる。したがって該
重合有機高分子層についての所望体積抵抗率に応じて支
持電解質の濃度を調節するとよい、おおよそ0.05〜
1. 0モル/1程度で前記した電界集中現象を緩和す
る適した範囲たとえば1O−4〜10@Ω・cm程度に
調節することができる。
支持電解質の種類や解離度によって異なるが、一般に濃
度に略比例してそれの導電性賦与作用が大となって導電
率の大きい重合有機高分子層が得られる。したがって該
重合有機高分子層についての所望体積抵抗率に応じて支
持電解質の濃度を調節するとよい、おおよそ0.05〜
1. 0モル/1程度で前記した電界集中現象を緩和す
る適した範囲たとえば1O−4〜10@Ω・cm程度に
調節することができる。
次に電解酸化重合の諸条件につき述べると以下の通りで
ある。
ある。
有機溶媒溶液(5)の温度については、高すぎると得ら
れるポリマーの導電性が悪化する結果となり、一方低す
ぎると所望のモノマー濃度、支持電解濃度が得られなく
なる1頃向がある。したがって、−40〜30℃、特に
−5〜10℃とするのが好ましい。
れるポリマーの導電性が悪化する結果となり、一方低す
ぎると所望のモノマー濃度、支持電解濃度が得られなく
なる1頃向がある。したがって、−40〜30℃、特に
−5〜10℃とするのが好ましい。
電解酸化重合時の電位については、電解酸化重合時千ツ
マ−は電解酸化重合するが、線材(2)の表面層は酸化
しない範囲とする。たとえばピロール、チオフェン、ア
ニリン、パラフェニレンなどについては0.05〜20
0V/mm、特に0.1〜20V/mm程度である。
マ−は電解酸化重合するが、線材(2)の表面層は酸化
しない範囲とする。たとえばピロール、チオフェン、ア
ニリン、パラフェニレンなどについては0.05〜20
0V/mm、特に0.1〜20V/mm程度である。
電解酸化重合を惹起せしめる時間はIO〜60分程度で
よく、それにて5〜30μ−程度の、別言すれば電界緩
和層として充分機能し得る厚さの半導電性を機高分子層
を形成せしめ得る。
よく、それにて5〜30μ−程度の、別言すれば電界緩
和層として充分機能し得る厚さの半導電性を機高分子層
を形成せしめ得る。
なお線材(2)は、浴槽(6)中に導入するに先立って
必要に応じてその表面に付着せる手脂、油脂、酸化物あ
るいはその他の異物などを除去するための処理が施され
る。
必要に応じてその表面に付着せる手脂、油脂、酸化物あ
るいはその他の異物などを除去するための処理が施され
る。
かくして得た導線は、1本で使用してその上に直接通常
の方法で絶縁性の有機高分子層を形成してもよく、ある
いは多数本を撚り合わせてその上に直接通常の方法で絶
縁性の有機高分子層を形成してもよい。
の方法で絶縁性の有機高分子層を形成してもよく、ある
いは多数本を撚り合わせてその上に直接通常の方法で絶
縁性の有機高分子層を形成してもよい。
る。
実施例1
外径1.2fiの銅コアの上に厚さ20 /111のニ
ッケル層をメツキした複合線を順次トリクロルエチレン
洗浄、乾燥、苛性ソーダ水洗浄、塩酸水中和、水洗、お
よび乾燥を行ってその表面を清浄化し、0.2m/分の
線速で浴槽内に設置した白金製の陰極筒(長さ2ff+
)中を連続走行せしめた。
ッケル層をメツキした複合線を順次トリクロルエチレン
洗浄、乾燥、苛性ソーダ水洗浄、塩酸水中和、水洗、お
よび乾燥を行ってその表面を清浄化し、0.2m/分の
線速で浴槽内に設置した白金製の陰極筒(長さ2ff+
)中を連続走行せしめた。
該浴槽内には、ピロール(1,0モル/l)とテトラブ
チルアンモニウムバークロレート(0,3モル/1)と
を溶解せるアセトニトリル溶液(温度3℃)が満たされ
ており、複合線を陽極として陰極筒との間に3V(電界
強度: 0.2V/mm)を印加した。浴槽から導出さ
れた線の表面に乾燥空気を吹きつけて乾燥せしめつつ巻
き取りボビンに巻き取った。かくして体積抵抗率が1.
8×10””Ω−cm(25℃)、厚さ12μsのポリ
ピロール層を存する外径約1.2鶴の導線を得た。
チルアンモニウムバークロレート(0,3モル/1)と
を溶解せるアセトニトリル溶液(温度3℃)が満たされ
ており、複合線を陽極として陰極筒との間に3V(電界
強度: 0.2V/mm)を印加した。浴槽から導出さ
れた線の表面に乾燥空気を吹きつけて乾燥せしめつつ巻
き取りボビンに巻き取った。かくして体積抵抗率が1.
8×10””Ω−cm(25℃)、厚さ12μsのポリ
ピロール層を存する外径約1.2鶴の導線を得た。
ついでかくして得た導線の7本を撚り合わせて断面IJ
18mm”の撚り線を得、その上に密度0.920、メ
ルトインデックス1.1のポリエチレン100重量部と
ジクミルパーオキサイド2重量部とからなる組成物を押
出被覆し、190℃×lO分の条件で水蒸気架橋して絶
縁厚さ4. 0龍の架橋ポリエチレン絶縁層形成して電
カケープルを得た。
18mm”の撚り線を得、その上に密度0.920、メ
ルトインデックス1.1のポリエチレン100重量部と
ジクミルパーオキサイド2重量部とからなる組成物を押
出被覆し、190℃×lO分の条件で水蒸気架橋して絶
縁厚さ4. 0龍の架橋ポリエチレン絶縁層形成して電
カケープルを得た。
実施例2
ピロールに代えてチオフェン(1,0モル/l)を用い
た以外は実施例1と全く同様の操作をおこなった。その
結果、体積抵抗率が1.4X10−”Ω・cm(25℃
)、厚さ9μ−のポリチオフェン層を有する導線を得て
実施例1と同構造の電カケープルを得た。
た以外は実施例1と全く同様の操作をおこなった。その
結果、体積抵抗率が1.4X10−”Ω・cm(25℃
)、厚さ9μ−のポリチオフェン層を有する導線を得て
実施例1と同構造の電カケープルを得た。
実施例3
ピロールに代えて3−メチルチオフェン(1,0モル/
1)を用いた以外は実施例1と全く同様の操作を行った
。その結果、体積抵抗率が1.3×104Ω−am(2
5℃)、厚さ11μ−のポリアニリン層を有する導線を
得て実施例1と同構造の電カケープルを得た。
1)を用いた以外は実施例1と全く同様の操作を行った
。その結果、体積抵抗率が1.3×104Ω−am(2
5℃)、厚さ11μ−のポリアニリン層を有する導線を
得て実施例1と同構造の電カケープルを得た。
実施例4
ピロールに代えてベンゼン(1,0モル/l)を用いた
以外は実施例1と全く同様の操作をおこなった。その結
果、体積抵抗率が8X10−”Ω・Cm(25℃)、厚
さ8μ−のポリフェニレン層を有する導線を得て実施例
1と同構造の電カケープルを得た。
以外は実施例1と全く同様の操作をおこなった。その結
果、体積抵抗率が8X10−”Ω・Cm(25℃)、厚
さ8μ−のポリフェニレン層を有する導線を得て実施例
1と同構造の電カケープルを得た。
実施例1〜4でか得た各電カケープルにつき下記の方法
で耐電圧強度を測定したところ、実施例1、実施例2、
実施例3、および実施例4の各値(4個のデータの平均
値)は、それぞれ62.65.68、および64kV/
mmであって、比較のために試験した従来構造の同サイ
ズのものの値と路間等であった。
で耐電圧強度を測定したところ、実施例1、実施例2、
実施例3、および実施例4の各値(4個のデータの平均
値)は、それぞれ62.65.68、および64kV/
mmであって、比較のために試験した従来構造の同サイ
ズのものの値と路間等であった。
第1図は、本発明を実施するための装置例の断面図であ
る。 (1):送り出しボビン (2)二線材 (31: (41、(7)、Ql、ガイドロール(5)
:有機溶媒溶液 (6):浴槽 (8):陰極筒 (9):直流電源 aD:巻き取りボビン 亜:導線 特許出願人 三菱電線工業株式会社
る。 (1):送り出しボビン (2)二線材 (31: (41、(7)、Ql、ガイドロール(5)
:有機溶媒溶液 (6):浴槽 (8):陰極筒 (9):直流電源 aD:巻き取りボビン 亜:導線 特許出願人 三菱電線工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電解酸化重合性モノマーよりも酸化電位が高い金属
を少なくとも表面層に有する長尺の線材を電解酸化重合
性モノマーと支持電解質とを溶解した有機溶媒溶液中を
連続的に通過させ、該線材を陽極とし該有機溶媒溶液中
に設置した陰極との間に電圧を印加して該線材の表面に
上記重合性モノマーの重合体を主成分とする半導電性有
機高分子層を形成せしめ、かくして得た導線の1本また
は該導線の撚り線の上に絶縁性の有機高分子を被覆する
ことを特徴とする絶縁された電線、ケーブルの製造方法
。 2、長尺の線材が電解酸化重合性モノマーよりも酸化電
位が高い金属のみからなるものである特許請求の範囲第
1項に記載の製造方法。 3、長尺の線材が電解酸化重合性モノマーよりも酸化電
位が低い金属のコアの上に電解酸化重合性モノマーより
も酸化電位が高い金属の層を有するものである特許請求
の範囲第1項に記載の製造方法。 4、電解酸化重合性モノマーよりも酸化電位が低い金属
が銅、またはアルミニウムである特許請求の範囲第第3
項に記載の製造方法。 5、電解酸化重合性モノマーがピロール、チオフェン、
アニリン、またはパラフェニレンである特許請求の範囲
第1項乃至第4項のいずれかに記載の連続製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31139887A JPH01154411A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 絶縁された電線、ケーブルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31139887A JPH01154411A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 絶縁された電線、ケーブルの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01154411A true JPH01154411A (ja) | 1989-06-16 |
Family
ID=18016714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31139887A Pending JPH01154411A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 絶縁された電線、ケーブルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01154411A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1521990A2 (en) * | 2002-03-06 | 2005-04-13 | Corning Tropel Corporation | Compensator for radially symmetric birefringence |
KR101690299B1 (ko) * | 2016-07-21 | 2016-12-27 | (주)삼원산업사 | 산화물층이 형성된 알루미늄 전선 제조방법 |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP31139887A patent/JPH01154411A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1521990A2 (en) * | 2002-03-06 | 2005-04-13 | Corning Tropel Corporation | Compensator for radially symmetric birefringence |
EP1521990A4 (en) * | 2002-03-06 | 2008-03-19 | Corning Tropel Corp | BIREFRINGENCE COMPENSATOR WITH RADIAL SYMMETRY |
KR101690299B1 (ko) * | 2016-07-21 | 2016-12-27 | (주)삼원산업사 | 산화물층이 형성된 알루미늄 전선 제조방법 |
WO2018016768A1 (ko) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | (주)삼원산업사 | 산화물층이 형성된 알루미늄 전선 제조방법 |
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