JPH02162606A - 半導電性有機高分子テープ - Google Patents
半導電性有機高分子テープInfo
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- JPH02162606A JPH02162606A JP31666088A JP31666088A JPH02162606A JP H02162606 A JPH02162606 A JP H02162606A JP 31666088 A JP31666088 A JP 31666088A JP 31666088 A JP31666088 A JP 31666088A JP H02162606 A JPH02162606 A JP H02162606A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
童呈上02111分■
本発明は、半導電性有機高分子テープに関し、特に電気
絶縁ケーブルの内部半導電性履用として好適な半導電性
有機高分子テープに関する。
絶縁ケーブルの内部半導電性履用として好適な半導電性
有機高分子テープに関する。
貰米q挟歪
現在、特別高圧乃至超高圧絶縁ケーブルや中高圧でも可
撓性が要求される絶縁1線などの導線としては銅、アル
ミニウムなどの導電性金属の撚り線が使用されており、
導電性金属の撚り線はその断面における表面部が菊型の
凹凸構造となっているので、この凹凸構造に起因した電
界集中現象が生じる。したがってかかる撚り線の上に直
接絶縁層を施した場合にはこの絶縁層の局部に上記の集
中電界が印加され、この結果該絶縁層は絶縁破壊し易く
なると言う問題がある。
撓性が要求される絶縁1線などの導線としては銅、アル
ミニウムなどの導電性金属の撚り線が使用されており、
導電性金属の撚り線はその断面における表面部が菊型の
凹凸構造となっているので、この凹凸構造に起因した電
界集中現象が生じる。したがってかかる撚り線の上に直
接絶縁層を施した場合にはこの絶縁層の局部に上記の集
中電界が印加され、この結果該絶縁層は絶縁破壊し易く
なると言う問題がある。
従来この問題を解決するために、撚り線の直上に有機高
分子をベースとする体積抵抗率が10”〜106Ω・C
mの半導電性組成物からなる内部半導電性層を形成し、
その上に電気絶縁層を形成する手段が講じられている。
分子をベースとする体積抵抗率が10”〜106Ω・C
mの半導電性組成物からなる内部半導電性層を形成し、
その上に電気絶縁層を形成する手段が講じられている。
この内部半導電性層は前記した電界集中現象を緩和する
作用をなすものであるが、体積抵抗率がIO2〜106
Ω・Cmと比較的大きく、また厚さも0.5〜2鶴と大
きいので、集中電界を緩和する作用が不充分であり、ま
たケーブルの外径を増大させるなどの問題もある。現在
実用されている有機高分子をベースとする半導電性組成
物は、通常該有機高分子に導電性のカーボンブラックを
混合して調製されており、カーボンブラックの混合量を
増加すれば今よりも体積抵抗率の小さい(換言すると導
電率の大きい)組成物を得ることができるが、反面組成
物の機械的特性や押出加工性が低下するので、今以上の
カーボンブラックの増量は不可能であるのが実情である
。
作用をなすものであるが、体積抵抗率がIO2〜106
Ω・Cmと比較的大きく、また厚さも0.5〜2鶴と大
きいので、集中電界を緩和する作用が不充分であり、ま
たケーブルの外径を増大させるなどの問題もある。現在
実用されている有機高分子をベースとする半導電性組成
物は、通常該有機高分子に導電性のカーボンブラックを
混合して調製されており、カーボンブラックの混合量を
増加すれば今よりも体積抵抗率の小さい(換言すると導
電率の大きい)組成物を得ることができるが、反面組成
物の機械的特性や押出加工性が低下するので、今以上の
カーボンブラックの増量は不可能であるのが実情である
。
°を べき口 占
上記した従来事情から、体積抵抗率が現在実用されして
いる半導電性組成物のそれより小さくて薄い有機高分子
テープが要求されている。
いる半導電性組成物のそれより小さくて薄い有機高分子
テープが要求されている。
−占を”° るための
本発明は、上記の問題点を解決し得る新規な有機高分子
テープを提供しようとするものである。
テープを提供しようとするものである。
即ち本発明は、見かけの化学量論比が1. 5〜3.0
ファラデーの範囲であって親電子置換反応を起こし易く
、かつ分子内に少なくとも2個以上の活性水素原子を有
する酸化重合性モノマーを支持電解質の存在下において
酸化重合して得られた体積抵抗率が104〜101Ω・
emの有機高分子からなることを特徴とする半導電性有
機高分子テープである。
ファラデーの範囲であって親電子置換反応を起こし易く
、かつ分子内に少なくとも2個以上の活性水素原子を有
する酸化重合性モノマーを支持電解質の存在下において
酸化重合して得られた体積抵抗率が104〜101Ω・
emの有機高分子からなることを特徴とする半導電性有
機高分子テープである。
日の 、Iびにt果
上記した酸化重合性モノマーを支持電解質の存在下にお
いて酸化重合して得られた有機高分子は、該支持電解質
のドーピング作用により半導電性乃感電性を呈する。ま
た該支持電解質の使用量を調節することにより有機高分
子の体積抵抗率導電率を8周節することができ、したが
ってそれを10−”〜101Ω・cm程度とし、且つた
とえば500μm以下の薄肉テープとなしたものは、前
記した電界集中現象を効果的に緩和する作用をなす。
いて酸化重合して得られた有機高分子は、該支持電解質
のドーピング作用により半導電性乃感電性を呈する。ま
た該支持電解質の使用量を調節することにより有機高分
子の体積抵抗率導電率を8周節することができ、したが
ってそれを10−”〜101Ω・cm程度とし、且つた
とえば500μm以下の薄肉テープとなしたものは、前
記した電界集中現象を効果的に緩和する作用をなす。
また上記の薄肉テープを導体上に捲巻して内部半導電性
層を形成し、その上に電気絶縁層を施して得た電気絶縁
ケーブルは、内部半導電性層の優れた集中電界緩和作用
のために優れた耐電圧強度を有し、しかも従来ケーブル
と比較して仕上がり外径が小さくなる長所もある。
層を形成し、その上に電気絶縁層を施して得た電気絶縁
ケーブルは、内部半導電性層の優れた集中電界緩和作用
のために優れた耐電圧強度を有し、しかも従来ケーブル
と比較して仕上がり外径が小さくなる長所もある。
又里少見止煎久反皿
本発明においては、酸化重合性モノマーを支持電解質の
存在下において任意の方法で、たとえば電解酸化重合法
、ルイス酸を反応触媒とする化学重合法などにより重合
することができる。
存在下において任意の方法で、たとえば電解酸化重合法
、ルイス酸を反応触媒とする化学重合法などにより重合
することができる。
酸化重合性モノマーとしては、見かけの化学量論比が1
.5〜3.0ファラデーの範囲であり、親電子置換反応
を起こし易く、かつ分子内に少なくとも2個以上の活性
水素原子を有する化合物が用いられる。たとえばビロー
ル、チオフェン、アニリン、アントラセン、アズレン、
ジフェニルアミン、ベンゼン、パラフェニレン、ナフタ
レン、キノリン、イソチアナフテンおよびこれらの誘導
体などである。前記誘導体としては、C1〜c2゜のア
ルキル基、カルボキシル基、アセチル基、−COCzH
s 基、シアノ基、ニトロ基、カーボアルコキシ基など
の置換体が例示される。就中化学的安定性および電界重
合性の理由からビロール、チオフェン、アニリン、パラ
フェニレンが特に好ましい、支持電解質とは、後記の有
機溶媒に可溶な電解質であって、上記の酸化重合性モノ
マーの重合体にドープして導電性賦与作用をなすものが
用いられる。たとえばテトラブチルアンモニウムバーク
ロレート、p−)ルエンスルホネート、リチウムボロフ
ルオライド、リチウムバークロレート、シルバーバーク
ロレート、LIASF&% CLI C1l %テトラ
ブチルアンモニウムボロフルオライドなどはその1例で
ある。
.5〜3.0ファラデーの範囲であり、親電子置換反応
を起こし易く、かつ分子内に少なくとも2個以上の活性
水素原子を有する化合物が用いられる。たとえばビロー
ル、チオフェン、アニリン、アントラセン、アズレン、
ジフェニルアミン、ベンゼン、パラフェニレン、ナフタ
レン、キノリン、イソチアナフテンおよびこれらの誘導
体などである。前記誘導体としては、C1〜c2゜のア
ルキル基、カルボキシル基、アセチル基、−COCzH
s 基、シアノ基、ニトロ基、カーボアルコキシ基など
の置換体が例示される。就中化学的安定性および電界重
合性の理由からビロール、チオフェン、アニリン、パラ
フェニレンが特に好ましい、支持電解質とは、後記の有
機溶媒に可溶な電解質であって、上記の酸化重合性モノ
マーの重合体にドープして導電性賦与作用をなすものが
用いられる。たとえばテトラブチルアンモニウムバーク
ロレート、p−)ルエンスルホネート、リチウムボロフ
ルオライド、リチウムバークロレート、シルバーバーク
ロレート、LIASF&% CLI C1l %テトラ
ブチルアンモニウムボロフルオライドなどはその1例で
ある。
第1図は、電解酸化重合法による本発明半導電性有機高
分子テープを製造する方法例を示す説明図であって、送
り出しボビン1から送り出された導電性金属帯2は、ガ
イドロール3により有8g溶媒溶液5を満たした浴槽6
中に導かれ、ついでガイドロール4およびガイドロール
7により有Il)容媒溶液5中に設置した陰極筒8内を
通過せしめられる。該有機溶媒溶液5は、上記の酸化重
合性モノマーと支持電解質とを溶解したものであり、導
電性金属帯2としては、その少なくとも表面が前記の酸
化重合性モノマーよりも酸化電位が高い金属、たとえば
ニッケル、金、白金、パラジウムまたは銀などからなる
箔やシートが用いられる。導電性金属帯2は、直流量−
a9の陽極に、一方陰極筒8は直流電源9の陰極にそれ
ぞれ接続されており、該帯2がを機溶媒溶液5中を通過
する間に、その表面に電解酸化重合によって生成し且つ
支持電解質にてドープされた有機高分子層が形成される
。その場合の有機溶媒溶液5の液温度は一30〜50℃
であり、電解酸化重合時の電位については、酸化重合性
モノマーは電解酸化重合するが、導電性金属帯2の表面
層は酸化しない範囲、たとえば0.05〜200V/m
mである。反応時間は10〜60分程度でよく、それに
て5〜30μ−程度の、別言すれば電界緩和層として充
分機能し得る厚さの半導電性有機高分子層を形成するこ
とができる。ついでガイドロールlOを経由して巻き取
りボビン11に巻き取られる。その後、導電性金属帯2
から有機高分子層が剥離除去され、本発明の半導電性有
機高分子テープが得られる。
分子テープを製造する方法例を示す説明図であって、送
り出しボビン1から送り出された導電性金属帯2は、ガ
イドロール3により有8g溶媒溶液5を満たした浴槽6
中に導かれ、ついでガイドロール4およびガイドロール
7により有Il)容媒溶液5中に設置した陰極筒8内を
通過せしめられる。該有機溶媒溶液5は、上記の酸化重
合性モノマーと支持電解質とを溶解したものであり、導
電性金属帯2としては、その少なくとも表面が前記の酸
化重合性モノマーよりも酸化電位が高い金属、たとえば
ニッケル、金、白金、パラジウムまたは銀などからなる
箔やシートが用いられる。導電性金属帯2は、直流量−
a9の陽極に、一方陰極筒8は直流電源9の陰極にそれ
ぞれ接続されており、該帯2がを機溶媒溶液5中を通過
する間に、その表面に電解酸化重合によって生成し且つ
支持電解質にてドープされた有機高分子層が形成される
。その場合の有機溶媒溶液5の液温度は一30〜50℃
であり、電解酸化重合時の電位については、酸化重合性
モノマーは電解酸化重合するが、導電性金属帯2の表面
層は酸化しない範囲、たとえば0.05〜200V/m
mである。反応時間は10〜60分程度でよく、それに
て5〜30μ−程度の、別言すれば電界緩和層として充
分機能し得る厚さの半導電性有機高分子層を形成するこ
とができる。ついでガイドロールlOを経由して巻き取
りボビン11に巻き取られる。その後、導電性金属帯2
から有機高分子層が剥離除去され、本発明の半導電性有
機高分子テープが得られる。
有機溶媒溶液5に用いられる有機溶媒としては、酸化重
合性モノマーと支持電解質とに対して良溶媒となるもの
であればよく、たとえばアセトニトリル、ジクロロベン
ゼン、ベンゾニトリル、プロピレンカーボネート、ニト
ロベンゼンなどはその例である。を機溶媒における酸化
重合性モノマーの濃度については、それが過度に低いと
必要な厚さの有機高分子層を形成するのに長時間を要し
、一方濃度が過大であると均一な有機高分子膜が形成さ
れ難くなるなどの問題が生じ易くなる傾向がある。した
がって、酸化重合性七ツマ−の濃度は0.05〜5.0
モル/E程度、特には0.1〜2.0モル/i程度とす
ることが好ましい。
合性モノマーと支持電解質とに対して良溶媒となるもの
であればよく、たとえばアセトニトリル、ジクロロベン
ゼン、ベンゾニトリル、プロピレンカーボネート、ニト
ロベンゼンなどはその例である。を機溶媒における酸化
重合性モノマーの濃度については、それが過度に低いと
必要な厚さの有機高分子層を形成するのに長時間を要し
、一方濃度が過大であると均一な有機高分子膜が形成さ
れ難くなるなどの問題が生じ易くなる傾向がある。した
がって、酸化重合性七ツマ−の濃度は0.05〜5.0
モル/E程度、特には0.1〜2.0モル/i程度とす
ることが好ましい。
有機溶媒における支持電解質の濃度については使用する
支持電解質の種類や解離度によって異なるが、一般に濃
度に略比例してそれの導電性賦与作用が大となって導電
率の大きい有機高分子層が得られる。したがって該有機
高分子層についての所望体積抵抗率に応じて支持電解質
の濃度を調節するとよい、おおよそO,1〜5モル/l
程度で前記した体積抵抗率のものが得られる。
支持電解質の種類や解離度によって異なるが、一般に濃
度に略比例してそれの導電性賦与作用が大となって導電
率の大きい有機高分子層が得られる。したがって該有機
高分子層についての所望体積抵抗率に応じて支持電解質
の濃度を調節するとよい、おおよそO,1〜5モル/l
程度で前記した体積抵抗率のものが得られる。
第2図は、本発明の半導電性有機高分子テープを使用し
た電気絶縁ケーブルの斜視図であって、12は!28線
導体重13および15はそれぞれ本発明の半導電性有機
高分子テープを横巻きして形成した内部半導電性層およ
び外部半導電性層、14は架橋ポリエチレンなどの電気
絶縁性材料により構成された電気絶縁層、16は保護シ
ースである。
た電気絶縁ケーブルの斜視図であって、12は!28線
導体重13および15はそれぞれ本発明の半導電性有機
高分子テープを横巻きして形成した内部半導電性層およ
び外部半導電性層、14は架橋ポリエチレンなどの電気
絶縁性材料により構成された電気絶縁層、16は保護シ
ースである。
る。
実施例1
1Pl箔の両面上に厚さ20μmのニッケル層をメツキ
した複合箔を順次トリクロルエチレン洗浄、乾燥、苛性
ソーダ水洗浄、塩酸水中和、水洗、および乾燥を行って
その表面を清浄化し、0.2m/分の線速で浴槽内に設
置した白金製の陰極筒(長さ2m)中を連続走行せしめ
た。該浴槽内にはビロール(1,0モル/jりとテトラ
ブチルアンモニウムバークロレート(0,3モル#)と
を溶解せるアセトニトリル溶液(温度3℃)が満たされ
ており、複合箔を陽極として陰極筒との間に3V(電界
強度: 0.2V/mm)を印加して該箔の表面にテト
ラブチルアンモニウムバークロレートにてドープされた
ポリピロール層を形成せしめた。浴槽から導出された複
合箔上のポリピロール層の表面に乾燥空気を吹きつけて
乾燥せしめつつボビンに巻き取った。ついで該複合箔か
らポリピロールを剥離し両耳を切断除去して、かくして
体積抵抗率が1.8X10−”Ω−cm(25℃)、厚
さ30μ慣、幅20mmのポリピロールテープを得た。
した複合箔を順次トリクロルエチレン洗浄、乾燥、苛性
ソーダ水洗浄、塩酸水中和、水洗、および乾燥を行って
その表面を清浄化し、0.2m/分の線速で浴槽内に設
置した白金製の陰極筒(長さ2m)中を連続走行せしめ
た。該浴槽内にはビロール(1,0モル/jりとテトラ
ブチルアンモニウムバークロレート(0,3モル#)と
を溶解せるアセトニトリル溶液(温度3℃)が満たされ
ており、複合箔を陽極として陰極筒との間に3V(電界
強度: 0.2V/mm)を印加して該箔の表面にテト
ラブチルアンモニウムバークロレートにてドープされた
ポリピロール層を形成せしめた。浴槽から導出された複
合箔上のポリピロール層の表面に乾燥空気を吹きつけて
乾燥せしめつつボビンに巻き取った。ついで該複合箔か
らポリピロールを剥離し両耳を切断除去して、かくして
体積抵抗率が1.8X10−”Ω−cm(25℃)、厚
さ30μ慣、幅20mmのポリピロールテープを得た。
実施例2
ビロールに代えてチオフェン(1,0モル/1)を用い
た以外は実施例1と全く同様の操作を行い、その結果、
体積抵抗率が1.4X10−”Ω・cm(25℃)、厚
さ25μm1幅20mmのポリチオフェンテープを得た
。
た以外は実施例1と全く同様の操作を行い、その結果、
体積抵抗率が1.4X10−”Ω・cm(25℃)、厚
さ25μm1幅20mmのポリチオフェンテープを得た
。
実施例3
ビロールに代えて3−メチルチオフェン(1,0モル/
l)を用いた以外は実施例1と全く同様の操作を行い、
体積抵抗率が1.4X10””Ω・Cm(25℃)、厚
さ30pra、幅20mmのポリチオフェンテープを得
た。
l)を用いた以外は実施例1と全く同様の操作を行い、
体積抵抗率が1.4X10””Ω・Cm(25℃)、厚
さ30pra、幅20mmのポリチオフェンテープを得
た。
実施例4
ピロールに代えて3−メチルピロール(1,0モル/j
りを用いた以外は実施例1と全く同様の操作を行い、体
積抵抗率が8 X 10−”Ω・cm(25℃)、厚さ
25μ鋼、幅2mmのポリ3−メチルピロールテープを
得た。
りを用いた以外は実施例1と全く同様の操作を行い、体
積抵抗率が8 X 10−”Ω・cm(25℃)、厚さ
25μ鋼、幅2mmのポリ3−メチルピロールテープを
得た。
実施例5〜8
実施例1〜4で得た各半導電性有機高分子テープを断面
積8mm”の撚り線銅導体上に1/2ラツプで横巻し、
その上に密度0.920、メルトインデックス1.1の
ポリエチレン100重量部とジクミルパーオキサイド2
重量部とからなる組成物を押出被覆し、190℃XIO
分の条件で水蒸気架橋して絶縁厚さ4.0鶴の架橋ポリ
エチレン絶縁層形成して電カケープルを得た。
積8mm”の撚り線銅導体上に1/2ラツプで横巻し、
その上に密度0.920、メルトインデックス1.1の
ポリエチレン100重量部とジクミルパーオキサイド2
重量部とからなる組成物を押出被覆し、190℃XIO
分の条件で水蒸気架橋して絶縁厚さ4.0鶴の架橋ポリ
エチレン絶縁層形成して電カケープルを得た。
実施例5〜8で得た各電カケープルにつき耐電圧強度を
測定したところ、実施例5、実施例6、実施例7、およ
び実施例8の各値(4個のデータの平均値)は、それぞ
れ140kV/mm、143 k V/mm、 138
k V/mm、および148kV/mmであって、比
較のために試験した従来構造の同サイズのものの値(1
20kV/mm)より優れていた。
測定したところ、実施例5、実施例6、実施例7、およ
び実施例8の各値(4個のデータの平均値)は、それぞ
れ140kV/mm、143 k V/mm、 138
k V/mm、および148kV/mmであって、比
較のために試験した従来構造の同サイズのものの値(1
20kV/mm)より優れていた。
【図面の簡単な説明】
第1図は、電解酸化重合法による本発明半導電性有機高
分子テープを製造する方法例を示す説明図である。l:
送り出しボビン、2:導電性金属帯、(3) : (4
1: (71: Ql !ガイトロール、(5):有機
溶媒溶液、(6):浴槽、(8):陰極筒、(9):直
流電源、008巻き取りボビン。 第2図は、本発明の半導電性有機高分子テープを使用し
た電気絶縁ケーブルの斜視図である。 12:撚線導体、13:内部半導電性層、14:電気絶
縁層、15:外部半導電性層、16:保護シース。 特許出願人 三菱電線工業株式会社
分子テープを製造する方法例を示す説明図である。l:
送り出しボビン、2:導電性金属帯、(3) : (4
1: (71: Ql !ガイトロール、(5):有機
溶媒溶液、(6):浴槽、(8):陰極筒、(9):直
流電源、008巻き取りボビン。 第2図は、本発明の半導電性有機高分子テープを使用し
た電気絶縁ケーブルの斜視図である。 12:撚線導体、13:内部半導電性層、14:電気絶
縁層、15:外部半導電性層、16:保護シース。 特許出願人 三菱電線工業株式会社
Claims (1)
- 1.見かけの化学量論比が1.5〜3.0ファラデーの
範囲であって親電子置換反応を起こし易く、かつ分子内
に少なくとも2個以上の活性水素原子を有する酸化重合
性モノマーを支持電解質の存在下において酸化重合して
得られた体積抵抗率が10^−^2〜10^1Ω・cm
の有機高分子からなることを特徴とする半導電性有機高
分子テープ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31666088A JPH02162606A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 半導電性有機高分子テープ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31666088A JPH02162606A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 半導電性有機高分子テープ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02162606A true JPH02162606A (ja) | 1990-06-22 |
Family
ID=18079490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31666088A Pending JPH02162606A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 半導電性有機高分子テープ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02162606A (ja) |
-
1988
- 1988-12-15 JP JP31666088A patent/JPH02162606A/ja active Pending
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