JP2515218B2 - 半導体遮蔽用材料 - Google Patents

半導体遮蔽用材料

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JP2515218B2 JP4508597A JP50859792A JP2515218B2 JP 2515218 B2 JP2515218 B2 JP 2515218B2 JP 4508597 A JP4508597 A JP 4508597A JP 50859792 A JP50859792 A JP 50859792A JP 2515218 B2 JP2515218 B2 JP 2515218B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体遮蔽用材料、並びにケーブルの製造と
電気及び電子装置の電磁遮蔽とにおけるその適用に係
る。
従来の構成によるケーブルは、銅リボンで被覆され、
例えばポリエチレンの絶縁シースで囲繞された金属撚線
から構成される。別の従来の構成によると、例えば金属
撚線は絶縁シースで直接囲繞されている。ケーブルは通
信、エネルギー輸送等のような種々の分野で大規模に使
用されている。これらのケーブルは中継器を介して又は
介さずに直流又は低周波、高周波及び超高周波電磁エネ
ルギーを輸送する。従って、これらのケーブルは高い時
定数を有する減極電流により特徴付けられる電場及び空
間電荷を使用時に受け、長い間には所定の分極電圧で動
作異常を生じる原因となる。
これらの構成及び絶縁シースが例えばケーブルの中心
又は外側の本体に配置される他の従来構成では、最大電
場は導体−絶縁体界面に位置する。この電場の典型値は
数kV/mm〜10kV/mmのオーダである。従って、この界面は
特に強い電場にさらされる。最大電場の局所化に加え、
導体の均一性の問題がある。実際に、導体が不均一性を
有するならば、電場の集中を生じ、ケーブルが電圧勾配
に耐える能力は低下する。従って、突起が存在する場合
にも絶縁破壊が生じないように絶縁の厚さを増加するこ
とが適切である。このような解決方法は経済的に不利で
ある。
絶縁の寸法の問題は特に高圧ケーブルの接続部、分岐
部及び端部のレベルで特に重要である。
ケーブルの使用及び製造時に生じる問題は、電気エネ
ルギーの蓄積装置、特にコンデンサでもほぼ同様であ
る。電場源の感知装置を含むゾーンを絶縁体により保護
するような電気又は電子装置を使用する場合にも同様の
問題がある。この電場源は例えば電流発生器、電気ピン
又はケーブル、送信アンテナ等であり得る。感知装置は
例えば測定装置、F.M.受信器型の受信器、又はマイクロ
コンピュータに含まれる型の印刷回路であり得る。これ
らのいずれの型の装置も、装置及び電場源の両方に直接
接触するように配置された絶縁体を導入することが必要
な場合がある。
これらの問題を解決するために、導体と絶縁体、又は
電場源と絶縁体の間に半導体遮蔽を挿入することが提案
された。現在までに使用されている半導体遮蔽は、一般
にEVA(エチレン酢酸ビニル)又はEBA(エチレンアクリ
ル酸ブチル)から形成される押出、圧延又は成形マトリ
ックス中にカーボンブラックを分散することにより形成
されている。これらの半導体遮蔽の主な欠点は、導電率
が電場の関数として一定であり、絶縁容量を十分に減ら
すことができないという点にある。
更に、例えばポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ
スチレンのようなポリマーマトリックスに置換ポリチオ
フェンを配合してなる真性導電性複合材料を半導体遮蔽
として使用することが例えば文献WO90/09027に提案され
ている。このような材料の導電率は、材料が含有するド
ーパントの量に依存するが、これらのドーパントの存在
は高圧下、高電場の存在下における遮蔽の物理化学的安
定性にとって最大の欠点である。
本発明の目的は、印加電場に依存して増加する導電率
を有すると同時に、電場が非常に強い場合であっても良
好な物理化学的安定性を有する半導体遮蔽用材料を実現
することである。
本発明は、少なくとも1種の第1の絶縁ポリマーから
なるポリマーマトリックスに少なくとも1種の第2の共
役ポリマーを配合することにより形成され、成形、押
出、射出又は圧延により付形することが可能な半導体遮
蔽用材料に係り、前記第2の共役ポリマーが非ドープ型
又は脱ドープ型であり、非真性導電性であり、10-4S/m
未満であり且つ電場の作用下で増加し得る導電率を有し
ており、前記第2のポリマーが前記マトリックス中に5
〜70重量%の割合で存在し、前記材料が10-8S/m未満で
あり且つ前記電場の作用下で増加し得る導電率を有する
ことを特徴とする。
好ましくは、前記第2の共役ポリマーの前記導電率は
約10-7S/m〜10-8S/mであり、前記材料の前記導電率は10
-9S/m〜10-10S/mである。
前記ポリマーマトリックスは更に、30%未満の割合で
カーボンブラック型の導電性充填剤を含み得る。
前記ポリマーマトリックスは、アクリル樹脂、スチレ
ン樹脂、ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリオレフィ
ン、フッ化物ポリマー、ポリエーテル、ポリイミド、ポ
リカーボネート、ポリウレタン、それらの混合物及びそ
れらのコポリマーから選択される少なくとも1種の熱可
塑性ポリマーを含み得る。
特定の態様によると、このポリマーはポリプロピレン
(PP)、ポリエチレン(PE)、エチレン−酢酸ビニルコ
ポリマー(EVA)、エチレン−プロピレン−ジエン−モ
ノマー(EPDM)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、エチ
レン−アクリル酸ブチル(EBA)及びその混合物から選
択される。
別の態様によると、前記ポリマーマトリックスはポリ
エステル、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂から選択さ
れる少なくとも1種の熱硬化性ポリマーを含む。
前記第2の共役ポリマーは、ポリアニリン、ポリチオ
フェン、ポリピロール、ポリアセチレン、ポリパラフェ
ニレン、ポリアルキルチオフェン、並びにそれらの誘導
体及び混合物からなる群から選択され得る。
非常に重要な点は、前記共役ポリマーが非ドープ型で
あること、即ち分子に固定されたイオン基(例えばスル
ホン基)又は遊離イオン基(例えば酸、塩基、金属塩)
を含まないことである。
これらの基の存在が共役ポリマーの合成に起因する場
合には、脱ドープすることが適切である。
カーボンブラック型の導電性充填剤を含まない場合に
は、本発明の材料は低電場で絶縁性であり、その導電率
は電場と共に増加する。
所定量の付加的導電性充填剤を含有する場合、本発明
の材料はこの充填剤により低電場で低導電性である。高
電場では本発明の材料の導電率は増幅される。
前記付加的充填剤を含むか含まないかに拘わらず、本
発明の材料は高電場下で高い物理化学的安定性を有す
る。
半導体遮蔽として使用される本発明の材料の特性は、
絶縁体−導体界面で電場を安定させ、電場を絶縁体中に
制限することができる。
更に、第1及び第2のポリマーは、特定の性質及び該
性質により提供され得る特定の利点に依存して上記群か
ら選択される。
従って、例えばポリマーマトリックスがフッ化物ポリ
マーをベースとする場合には、フッ化物ポリマーは第2
のポリマーと共に「電荷移送」錯体を形成する。ポリマ
ーマトリックスがポリカーボネートをベースとする場合
には、ポリカーボネートは本発明の材料からなる遮蔽に
すぐれた外観を与える。
第1の好適態様によると、本発明の材料はポリエチレ
ンポリマーマトリックスに脱ドープされたポリチオフェ
ンを配合することにより形成され、脱ドープポリチオフ
ェンの割合は約60重量%が有利である。
別の好適態様によると、本発明の材料はポリエチレン
ポリマーマトリックスに25〜35重量%のポリアニリンを
配合することにより形成される。変形例によると、26〜
34%のポリアニリンと3〜8%のカーボンブラックをポ
リエチレンマトリックスに配合する。変形例によると、
ポリマーマトリックスのポリエチレン(PE)はポリプロ
ピレン(PP)、エチレン−酢酸ビニルコポリマー(EV
A)、エチレン−アクリル酸ブチル(EBA)、エチレン−
プロピレン−ジエン−モノマー(EPDM)、ポリフッ化ビ
ニリデン(PVDF)単独又はその混合物により置換され
る。
半導体材料は、前記第2のポリマーの電気特性を変え
ることなく、従来の押出、圧延又は成形により付形され
得る。こうして各用途に好適な半導体遮蔽を製造するこ
とができる。
本発明の半導体遮蔽はあらゆる電気又は電子装置に適
用される。この装置が導電体又は電場源を被覆する絶縁
体を含む場合、本発明の半導体遮蔽は前記絶縁体と導電
体又は電場源との間に挿入される。装置が保護すべき装
置を被覆する絶縁体を含む場合、本発明の半導体遮蔽は
絶縁体の外側に配置される。
本発明の半導体遮蔽は高圧ケーブル、このようなケー
ブルの端部並びにケーブルの接続及び分岐用部品に適用
すると非常に有利である。このような遮蔽を製造するこ
とにより、絶縁破壊耐性を増加し、前記部品の絶縁寸法
を減らすことができる。
電圧変動が出現し得る直流高圧ケーブルの入力側で本
発明の半導体遮蔽を使用することにより、このような電
圧変動を減衰させることができる。
本発明の半導体遮蔽は、コンデンサのような電気エネ
ルギーの蓄積装置に組み込んでも有利であり得る。実際
に、電気ケーブルの導電体−絶縁体界面と全く同様に、
これらのコンポーネントの電極−誘電体界面は電場を局
所的に高い値にするような幾何学的欠陥(例えば突起)
を有し得るので、絶縁破壊の増加する危険がある。
電極とこの誘電体との間に本発明の半導体遮蔽を挿入
することにより誘電体の厚さを減少できるという利点が
あり、一方では電極の表面で電場を常に均一化し、他方
では瞬時過電圧に耐えるという効果がある。実際に、コ
ンデンサは例えば強力な電気装置のオンオフによって生
じる瞬時過電圧を減衰するためにしばしば使用される。
従って、このような場合には、電極の幾何学的欠陥によ
り瞬時過電圧が誘電体の局所絶縁破壊を生じることがな
いように、瞬時電場を均一化することも重要である。
本発明の半導体遮蔽は種々の方法で電極と誘電体との
間に挿入することができる。
1態様によると、本発明の材料はコーティングにより
電極に塗布される。別の態様によると、本発明の材料は
成膜後、コンデンサの組み立て時に電極と誘電体との間
にサンドイッチされる。
誘電体がポリマー材料である場合、好適変形例による
と本発明の材料のポリマーマトリックスは誘電体と同一
型である。
本発明の半導体遮蔽は、スペースアレーアンテナ用誘
電体に適用しても非常に有利である。
本発明の他の特徴及び利点は非限定的な以下の実施例
の説明に明示される。
尚、添付図面中、図1は印加電場(KV/mm)の関数と
して従来技術の遮蔽用材料と本発明の複数の遮蔽用材料
との導電率S/mの変化を示し、図2は印加電場E(KV)
の関数として従来技術の遮蔽用材料と本発明の複数の遮
蔽用材料との絶縁破壊確率(%)を示す。
実施例1(従来技術) ポリエチレン(PE)及びカーボンブラックからなる半
導体遮蔽。
カーボンブラック25gをポリマー(PE)75gに分散し
た。この混合物を次に従来の押出機で130℃の温度で押
出成形した。こうして得られた従来の半導体遮蔽は以下
の特徴を有していた。即ち誘電定数は150のオーダであ
り、導電率は0.05S/mのオーダであった(図1の曲線1
参照)。この導電率は電場と共に変化しないので、印加
電場の関数として電流の線形応答を生じる。
厚さ0.1mのこのような遮蔽に誘電絶縁破壊が発生する
まで増加する電場を印加した。得られた結果を図2の曲
線1′に示す。
実施例2 ポリエチレン(PE)/脱ドープポリチオフェン(PT
h)半導体遮蔽。
本発明の材料を次のように調製した。
まず最初に脱ドープポリチオフェン粉末60gとポリエ
チレン40gとを混合した。ポリエチレンはSOLVAY社から
商品名“Eltex(商標)A 3180"として市販されている
ものを使用した。
使用したポリチオフェンはヨーロッパ特許出願第350.
083号に記載されているように調製した。このポリチオ
フェンを、脱ドーピング後の導電率が3×10-7S/cmとな
るようにメタノールで脱ドーピングした。
混合は2個のゴムボールを備える3dm3“Indola"ミキ
サーの槽内で実施すると好適である。30分間撹拌した。
その後、直径120mmのシリンダーを有しており且つ30rpm
の回転速度を有する“Scamia"型のシリンダーミキサー
で180℃で60秒間、混合物を混練した。
こうして得られた練生地を幅30mmのストリップ状に切
断し、孔寸法5×5mmの格子を備える“Conduct Werk
CS/15/10/0101"型のグラニュレーターに通し、約3×3
×3mmの顆粒を得た。
直径D=20mm、長さ20D及び圧縮比2.16のスクリュー
を備える“Scamex 20"型の押出機で顆粒を成形した。
スクリューのヘッドは直径3mmの円形ダイを備えるもの
とした。
機械の温度はダイの出口の材料中に180℃を得るよう
に調節し、スクリュー速度はスクリュー内に2〜3分間
の混合物平均滞留時間を得るように、20rpmに調整し
た。
図1の曲線2は、印加電場の増加関数であるこの遮蔽
の導電率を示す。
一連の試験の結果、上記方法の全段階はポリチオフェ
ンの電気特性を悪化させないことが確認された。このた
め、粉末の混合、180℃で混練及び180℃で押出後にサン
プルを抽出した。これらのサンプルを窒素雰囲気下で13
5℃で2時間、2g/100mlの割合で1−2−4−トリクロ
ロベンゼンに溶解させた。定量的に収集したPThを同一
溶剤及びメタノールにより洗浄した後、減圧乾燥した。
ポリマーが変性していないことを立証するためにアセト
ニトリル中FeCl3 0.1Mの溶液(モル比FeCl3/PTh=1)
により再ドープした。
表1は導電率の測定値を示し、ポリマーが熱処理によ
っても押出によっても変性しなかったことを立証してい
る。
実施例3〜10 非ドープポリアニリンを3段階で調製した。
1−合成 50容反応器に蒸留水15.5と、37%塩酸5又は36
%硫酸1.7のいずれかを選択的に導入した。この溶液
を恒温浴中で−5℃に冷却した後、水9中過硫酸アン
モニウム3.75Kgの過溶液を48時間滴下した。
2−洗浄 反応器中で形成した懸濁液(ポリエメラルジン形のポ
リアニリン)を過用閉鎖容器内に減圧吸引した。pH6.
5〜7の液を得るまで、得られた粉末を蒸留水で濯い
だ。1モル/の希アンモニア水により酸を完全に除去
した後、液のpHが7になるまで生成物を濯いだ。
この粉末を次に“Soxhlet"に入れ、不純物を蒸気相中
で水で24時間、次いでエタノールで48時間抽出した。
3−乾燥 こうして精製したポリアニリンを、過壁を備える密
封容器に入れた。この容器を一次減圧下で48時間、60℃
の炉に入れた。導電率2×10-8S/mのこのポリアニリン
を実施例2と同様に、エチレン−プロピレン−ジエン−
モノマー(EPDM)のポリエチレン、エチレン−酢酸ビニ
ルコポリマー(EVA)、ポリフッ化ビニリデン(PVD
F)、ポリプロピレン(PP)又はポリプロピレン(PP)
とポリフッ化ビニリデン(PVDF)の混合物であり得るポ
リマーマトリックスに、表2に示す割合(g)で配合し
た。
印加電場の関数として実施例3〜9の導電率を表す曲
線を図1の3〜9に夫々示す。
実施例4、9、10に対応する材料を使用して厚さ0.1m
mの遮蔽を製造し、実施例1の遮蔽と同様に電気絶縁破
壊が発生するまで増加する電場を印加した。対応する曲
線4′、9′及び10′を図2に示すが、これらの曲線は
本発明の半導体遮蔽用材料の利点を明白に示している。
当然のことながら、本発明は上記実施例に限定されな
い。発明の範囲内で全手段を等価手段に置き換えること
が可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 9/00 H05K 9/00 L (72)発明者 ル・ムオツト,アラン フランス国、91190・ジフ・シユール・ イベツト、アレ・ドウ・ラ・バニエー ル・ドウ・モペルテイユイ、90 (72)発明者 アンヌカール,エテイエンヌ ベルギー国、3080・テルビユラン、アル ボルテユムラン、38 ユニベルスイテ・ リーブル・ドウ・ブリユツセル (72)発明者 フランキネ,クロード ベルギー国、1140・ブリユツセル、リ ユ・ドユ・ボン・パストウール、51 /66、アンステイテユ・デ・ザール・ エ・メテイエ (56)参考文献 特開 平3−88819(JP,A)

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも1種の第1の絶縁ポリマーから
    なるポリマーマトリックスに少なくとも1種の第2の共
    役ポリマーを5〜70重量%の割合で配合することにより
    構成され、10-8S/m未満であり且つ前記電場の作用下で
    増加し得る導電率を有する高圧ケーブルシース用絶縁材
    料であって、前記第2の共役ポリマーが非ドープ又は脱
    ドープ型であり、非真性導電性であり、10-4S/m未満で
    あり且つ電場の作用下で増加し得る導電率を有している
    ことを特徴とする高圧ケーブルシース用絶縁材料。
  2. 【請求項2】前記第2の非ドープ又は脱ドープ型の共役
    ポリマーの前記導電率が約10-7S/m〜10-8S/mであり、前
    記材料の前記導電率が約10-9S/m〜10-10S/mであること
    を特徴とする請求項1に記載の高圧ケーブルシース用絶
    縁材料。
  3. 【請求項3】前記ポリマーマトリックスが更に、30%未
    満の割合でカーボンブラック型の導電性充填剤を含むこ
    とを特徴とする請求項1に記載の高圧ケーブルシース用
    絶縁材料。
  4. 【請求項4】前記ポリマーマトリックスが、アクリル樹
    脂、スチレン樹脂、ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリ
    オレフィン、フッ化物ポリマー、ポリエーテル、ポリイ
    ミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、それらの混合
    物及びそれらのコポリマーから選択される少なくとも1
    種の熱可塑性ポリマーからなることを特徴とする請求項
    1から3のいずれか一項に記載の高圧ケーブルシース用
    絶縁材料。
  5. 【請求項5】前記ポリマーがポリプロピレン(PP)、ポ
    リエチレン(PE)、エチレン−酢酸ビニルコポリマー
    (EVA)、エチレン−プロピレンターポリマー(EPD
    M)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、エチレン−アク
    リル酸ブチル(EBA)及びその混合物から選択されるこ
    とを特徴とする請求項4に記載の高圧ケーブルシース用
    絶縁材料。
  6. 【請求項6】前記ポリマーマトリックスがポリエステ
    ル、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂から選択される少
    なくとも1種の熱硬化性ポリマーからなることを特徴と
    する請求項1から3のいずれか一項に記載の高圧ケーブ
    ルシース用絶縁材料。
  7. 【請求項7】前記第2の共役ポリマーが、ポリアニリ
    ン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアセチレン、
    ポリパラフェニレン、ポリアルキルチオフェン及びそれ
    らの混合物からなる群から選択されることを特徴とする
    請求項1に記載の高圧ケーブルシース用絶縁材料。
  8. 【請求項8】前記第2の共役ポリマーがポリアニリンで
    あり、前記ポリマーマトリックスがポリエチレン、ポリ
    プロピレン、エチレン−酢酸ビニルコポリマー、エチレ
    ン−アクリル酸ブチル、エチレン−プロピレンターポリ
    マー、ポリフッ化ビニリデン単独又はその混合物から選
    択される少なくとも1種の材料からなることを特徴とす
    る請求項7に記載の高圧ケーブホルシース用絶縁材料。
  9. 【請求項9】高圧ケーブルシース用絶縁材料を成形、押
    出、注入又は圧延により付形し、ケーブルの端部、接続
    部、分岐部を前記絶縁材料で遮蔽することからなる高圧
    ケーブルシース用絶縁材料の使用方法であって、前記高
    圧ケーブルシース用絶縁材料は少なくとも1種の第1の
    絶縁ポリマーからなるポリマーマトリックスに少なくと
    も1種の第2の共役ポリマーを5〜70重量%の割合で配
    合することにより構成され、10-8S/m未満であり且つ前
    記電場の作用下で増加し得る導電率を有しており、第2
    の共役ポリマーが非ドープ又は脱ドープ型であり、非真
    性導電性であり、10-4S/m未満であり且つ電場の作用下
    で増加し得る導電率を有していることを特徴とする前記
    方法。
JP4508597A 1991-04-02 1992-04-01 半導体遮蔽用材料 Expired - Lifetime JP2515218B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9103955 1991-04-02
FR9103955 1991-04-02
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2710183B3 (fr) 1993-09-17 1995-10-13 Alcatel Cable Câble d'énergie à rigidité diélectrique améliorée.
FR2710204B1 (fr) * 1993-09-17 1995-10-20 Alcatel Cable Equipement accessoire de raccordement d'un câble d'énergie et câble d'énergie ainsi équipé.
FR2714543B1 (fr) * 1993-12-23 1996-01-19 Euromold Dispositif pour la jonction de câbles d'énergie.
FR2732501B1 (fr) * 1995-03-28 1997-04-30 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de materiaux a rigidite dielectrique amelioree, et utilisation des materiaux obtenus par ce procede dans la fabrication de cables de transport d'energie
FR2738947B1 (fr) * 1995-09-15 1997-10-17 Filotex Sa Cable multipaires, blinde par paire et aise a raccorder
US5747559A (en) * 1995-11-22 1998-05-05 Cabot Corporation Polymeric compositions
FR2753300B1 (fr) * 1996-09-09 1998-10-09 Alcatel Cable Conducteur electrique protege contre les perturbations electromagnetiques depassant un seuil
EP1064360B1 (en) 1998-03-27 2008-03-05 Prolume, Ltd. Luciferases, gfp fluorescent proteins, their nucleic acids and the use thereof in diagnostics
US6426861B1 (en) * 1999-06-22 2002-07-30 Lithium Power Technologies, Inc. High energy density metallized film capacitors and methods of manufacture thereof
FR2805656B1 (fr) * 2000-02-24 2002-05-03 Cit Alcatel Cable d'energie haute et tres haute tension a courant continu
CH694372A5 (de) * 2000-07-25 2004-12-15 Elektro Feindraht Ag Feindraht bzw. Feinstdraht für die Anwendung in einem Fasermaterial sowie Verwendung eines solchen Feindrahtes bzw. Feinstdrahts.
FR2827999B1 (fr) * 2001-07-25 2003-10-17 Nexans Ecran semi-conducteur pour cable d'energie
FR2913430B1 (fr) * 2007-03-07 2011-02-25 Commissariat Energie Atomique Materiau composite adhesif a resistivite controlee.
EP2639264A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-18 Nexans Field grading material
NO335342B1 (no) * 2013-01-02 2014-11-24 Nexans Feltgraderingslag

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3305401A1 (de) * 1983-02-17 1984-08-23 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren zur herstellung von elektrisch leitfaehigen kunststoffen
DE3700178A1 (de) * 1986-03-31 1987-10-01 Mitsubishi Gas Chemical Co Elektromagnetische wellen abschirmende thermoplastische harzmasse
JPS63230737A (ja) * 1987-03-18 1988-09-27 Bridgestone Corp ポリアニリン及びその製造方法
JPH0813902B2 (ja) * 1987-07-02 1996-02-14 ライオン株式会社 導電性樹脂組成物
US5079334A (en) * 1988-05-13 1992-01-07 The Ohio State University Research Foundation Electromagnetic radiation absorbers and modulators comprising polyaniline
FI890427A7 (fi) * 1989-01-27 1990-07-28 Neste Oy Bruk av en elledande polymerkomposit.
WO1990008808A1 (en) * 1989-02-03 1990-08-09 University Science, Engineering & Technology, Incorporated Processable, high molecular weight polyaniline and fibers made therefrom
US5198153A (en) * 1989-05-26 1993-03-30 International Business Machines Corporation Electrically conductive polymeric

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Publication number Publication date
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