JPH01153259A - 少なくとも1つの平らな表面を備えた円形物の製造方法及びその装置 - Google Patents

少なくとも1つの平らな表面を備えた円形物の製造方法及びその装置

Info

Publication number
JPH01153259A
JPH01153259A JP63276345A JP27634588A JPH01153259A JP H01153259 A JPH01153259 A JP H01153259A JP 63276345 A JP63276345 A JP 63276345A JP 27634588 A JP27634588 A JP 27634588A JP H01153259 A JPH01153259 A JP H01153259A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rod
saw
removal
circular
auxiliary material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63276345A
Other languages
English (en)
Inventor
Fritz Feldmeier
フリッツ・フエルトマイエル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GMN GEORG MUELLER NUERNBERG AG
Original Assignee
GMN GEORG MUELLER NUERNBERG AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by GMN GEORG MUELLER NUERNBERG AG filed Critical GMN GEORG MUELLER NUERNBERG AG
Publication of JPH01153259A publication Critical patent/JPH01153259A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008Multistep processes
    • H01L21/0201Specific process step
    • H01L21/02013Grinding, lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23PMETAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
    • B23P23/00Machines or arrangements of machines for performing specified combinations of different metal-working operations not covered by a single other subclass
    • B23P23/02Machine tools for performing different machining operations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/10Single-purpose machines or devices
    • B24B7/16Single-purpose machines or devices for grinding end-faces, e.g. of gauges, rollers, nuts, piston rings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/003Multipurpose machines; Equipment therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • B28D5/0094Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being of the vacuum type
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/022Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
    • B28D5/028Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49789Obtaining plural product pieces from unitary workpiece
    • Y10T29/49792Dividing through modified portion
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49789Obtaining plural product pieces from unitary workpiece
    • Y10T29/49798Dividing sequentially from leading end, e.g., by cutting or breaking
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815Disassembling
    • Y10T29/49821Disassembling by altering or destroying work part or connector
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/51Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling
    • Y10T29/5176Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling including machining means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/51Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling
    • Y10T29/5176Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling including machining means
    • Y10T29/5177Plural diverse manufacturing apparatus including means for metal shaping or assembling including machining means and work-holder for assembly

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は硬い非金属材料の分離並びに分離されるべき又
は分離された工作物を装置から安全に搬出するための処
理に関する。この方法にとって問題となるビッカース硬
度HV1500ON /mm2を有する脆い材料はその
特別な特性に基づいて破砕プロセスに極端な条件を設定
される。その際例えば珪素又はゲルマニウムのような電
子部品のための基材が問題となる。
(従来の技術) 溶融物から得られる半導体はいわゆる「棒」の形である
。他の加工はいわゆる円形物、即ちウェハにこの棒をス
ライスすることを必要とする。今日内孔鋸によって主と
して慣用される切断プロセスの特別の困難性は、蹴中で
きる限り平行平面の表面を備えた円形物を作りかつこれ
を次の加工のために装置から安全に取り出すことにある
従来公知の全ての分離方法の不利な、特徴は分離する工
具がプロセス力と工具の摩耗に制約された不均一な切断
能力の作用の下にそらされかつ不正確な工作物寸法に繋
がることである。
切断面は平らでも平行でもなく、むしろねじれており、
このことは「湾曲」又は「反り」と称される。
第1図に示すように、この誤差は後続の加工工程によっ
ても除去されることができない。分離された円形物1は
2つの平坦でない境界面を有し、その際「反り」は10
0分の2〜3mm程度になる。
この薄い工作物が次の加工のために合理的に負圧によっ
て平らな面にクランプされると、この平らな取付は面と
接触する円形物面は同様に円形物の僅かな弾性的範囲変
形の利用の下に平らな状態にされる。向かい合った面は
相応した加工工程によってこの状態において平らな状態
に移行しその結果この状態において2つの平坦平行な面
が得られる(3)。しかし工作物が再びクランプされる
と、円形物の平らなりランプ個所に面した面は存在する
、そのわけは円形物は比較的薄く、再びその元の形にな
るからである(4)。全ての他の後続の加工工程もこの
誤差のある状態を排除できない。2つの平行なしかし平
らではない表面が得られる。
西独国特許公開公報3613132号に記載されたよう
に、全体的に平坦平行な表面の問題性は切断及び平滑化
プロセスの反復によって解決される。
第2図に示すように、棒1の非平坦な端面ば切削除去に
よって平坦にされ、その際研削の他にフライス、旋削、
電解及び腐食加工が可能である。
内孔鋸による切断工程は棒にも分離された円形物の端面
にも平らでない境界面3を残す。しかし分離された円形
物は絶対的に平らな基準面を有するので、円形物は基準
面上に応力なしにクランプされ、その結果これと向かい
合った面はこれに対して平行に加工されることができる
。その後に円形物がクランプ面から離されると、円形物
は最早投出されない。棒はそれから再び端面を平坦にさ
れ、その結果次の切断工程が続けられることができる。
この方法で分離又は除去工程が棒軸線に対して垂直な面
に関するか又はこれと垂直な位置に5少なくとも僅かに
−斜めの平面の位置を占めるか否かは大した問題ではな
い。
本発明による切断及び除去プロセスの反復は装置に関し
ても既に公知の分離及び研削機械のものの好適なユニッ
ト化をも必要とする。
相応した装置は内孔鋸と除去機械との組合せから成り、
その際時間節約の理由から棒の端面の研削及び平坦化と
円形物の分離とは同時に1つの加工工程で実施される。
第3図はそのような装置を示す。分離の間に研削を可能
にするために、分離工具の加工縁はある区間aだけ半径
方向において戻される。円形物24が切断工具の当接範
囲内に内棒4から分離されていないので、上記の方法の
意味で基準面の歪みのない平坦化のための全ての前提が
得られる。
前記の方法において、平坦な表面のウェハを作りその第
2表面が、第1の表面に対して平坦な平行にされるため
に、続いて切削加工されることができる。しかし従来公
知の装置によっては円形物の取り出しについて大きな問
題がある。即ち、1、内孔鋸の刃による分離工程の最終
位相の間に多量の円形物破砕が生じること、 2、鋸はの内孔鋸により切断された円形物の取り出しは
狭いスペース及び研削工具と鋸歯との必要な配列とに基
づいて阻止されそして円形物の直径が増大するとともに
困難になること。
(実施例) 第5図に示すように、位置固定の機械架台28上には複
数の中間部材を介してスピンドル7が取りつけられてい
る。図示の例では円錐形かつ平坦な作用面を備えた空気
軸受スピンドルが対象とされる。しかし装置及び方法の
ために、空気軸受スピンドルの代わりにころ軸受、滑り
軸受、流体軸受又は磁気支承されたスピンドルも使用さ
れることはどちらでもよいことである。このスピンドル
は皿状のロータ29、下方のクランプ縁リング30、上
方のクランプ縁リング31及びこれらの中に内蔵された
クランプ機構32から成る鋸ヘッド1並びにここで例え
ば選択された林状の砥石6とから成る。
回転するクランプヘッドを取囲必部分は位置固定の機械
架台28と固着されており、かつ鋸歯ヘッドの保護のた
め並びに切断の際に落下するプロセス及び冷却液体の収
容又は収集のために役立つ。
しかし鋸ヘッド1がスピンドル7によって軸線方向にお
いても固定されている場合、砥石6は加工ステージョン
に持ち上げられるか又はしかし待機位置に下降させられ
る。砥石6は砥石支持体10上に取付けられ、砥石支持
体は案内軸11とボール案内12とを介して軸線方向に
移動可能である。3つの案内軸相互の平行度従って全案
内の精度を確保するために、個々の案内軸の自由端は順
次1つのリング14と結合される。回転する砥石支持体
10は有意義な方法で回転する装置と共に軸線方向に運
動されかつ固定される。このために砥石支持体10は球
軸受対15を介して回転しない軸16上に支承されてい
る。中空軸16はこのためにその下端で支持レバ17と
結合しており、支持レバは軸18によって位置固定のボ
ール案内19内に進入し、その結果中空軸16は軸線方
向に運動可能であるが、しかし回転可能ではない。軸線
方向の調整運動はナツト20によって実現される。中空
軸16上に取付けられたねじが嵌合するこのナツトの回
動は中空軸16を上昇させ又は下降させる。ナラ)20
は球軸受対21と相応した中間部材を介して位置固定の
周囲部と結合しており、その結果ナツトは回転されるが
、しかし軸線方向には移動されない。ナツト20の回動
は調整モータ22によってかつ歯付ベルト伝導装置23
を介して行われる。
第6図〜第10図は分離方法を詳しく説明する。
各分離の始めに棒4が第6図に示すように、林状の工具
の開いた開口の内方にある。棒は円形物厚さだけ鋸ヘッ
ド内に軸線方向において進入している。続いて棒4は半
径方向(矢印)において送り運動をさせられ、その過程
で棒は先ず林状砥石6と当接しく第7図)、この場合に
例えば林状砥石である研削工具に対する棒4の軸線位置
は送り運動の始めに、必要な平滑な面を得るために、砥
石6が棒の端面で必要なだけの材料を除去するように固
定される。送り運動の次の経過において鋸歯2は棒4と
接触し、その結果端面の研削工程と切断工程とは同時に
かつ共通の送り運動の利用の下に行われることができる
。(第8図)。送り運動が砥石6が最早係合しない程度
に行われると、除去層とウェハとの間の接触を棒の戻り
行程で回避するために砥石は下降される。同時に前の行
程で切断されかつ待機位置に固定されたウェハ24は内
孔鋸のいまや自由な開口を通って受は渡しアーム25か
ら取り出される(第9図)。しかし送り運動は棒4が完
全に分離されるまで行われそして鋸は補助材料部材26
に切り込む。補助材料部材26は一般に木炭又はセラミ
ックから成りそして全面で棒の表面に接着されている。
ウェハ24は今や棒4上に接着された補助材料部材26
を介してのみ固定されている。続いて棒4はその送り方
向とは反対方向に早戻りしそして戻った位置において補
助材料部材26が砥石6の端面端上にあるように固定さ
れる(第10図)。研削ライニング層の幅は少なくとも
補助材料部材の全横断面を越えなければならない。
砥石及び棒は、加工工程において砥石6の端面が補助材
料部材26と係合しかつ補助材料部材が研削され、ウェ
ハ24が最終的に切断されかつその下の位置決めされた
取り出し皿27上に載せられるま′  で、軸線方向に
運動させられ、そこで棒は真空によって安全に固定され
る。小さい側方運動によって取り出血はその上の円形物
とともにといし鉢の内方表面から排出され、その結果円
形物と工具との間の接触は回避される。取り出しは好適
な調整可能性を介して各円形物厚さ上で軸線方向に調整
されることもできる。軸線方向の潜入運動は終端位置が
同時に次の円形物の平坦化のために適合されるように制
御されることができる。補助材料部材の分離行程は半径
方向においても調整されることもできる。補助材料部材
の切断行程は半径方向においても行われることができる
。棒の戻し運動はそれから林状砥石の内縁の達する直前
に終了し、その結果棒4は切断されたウェハ24が、林
状の砥石6の端面と切断隙間の中央が少な(とも−平面
内に位置し又は次の円形物の平坦のための寸法を有する
程度に林状砥石6の内方面に□進入する程度に軸線方向
に下降させられる。
棒4が切断工程においてその送り運動に抗して運動する
と、補助材料部材はウェハが結局分離されかつ取り出血
の上に載せられるまで裏側で除去される。ウェハの最終
的な分離後に棒4は場合によっては砥石6及び取り出血
27は、第6図に示すように、載せられたウェハ24と
共に新たな分離工程のための出発位置に走行される。必
要な場合には、薄く切断された円形物の次の下降プロセ
スへの影響を安全に回避するために、薄い円形物では軸
線方向において更に砥石の内方に下降されることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は実際の状態の図、第2図は平坦な円形物を得る
ための加ニステップ、第3図は内孔鋸及び平坦側の除去
プロセスの組合せのための装置の原理図、第4図は内蔵
された除去装置を備えた内孔鋸機械の全体図、第5図は
内孔鋸、除去装置及び円形物取り出し皿の全体図、そし
て第6図から第10図は円形物の取り出しを伴う、平坦
化又は除去の詳細の鋸歯状ねじの組合せの機能経過を示
す図である。 図中符号 6 ・・・・除去工具 24・・・・円形物 27・・・・真空取り出血

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、特に単結晶及び多結晶半導体材料から成る円形物を
    内孔鋸歯と除去装置との組合わせによって棒から分離す
    ることによって製造する方法にして、除去装置は内孔鋸
    のクランプ装置内で棒の端面の平坦化を行い、その際除
    去装置は内孔鋸と1つのユニットを形成しそして棒は補
    助材料部材によって内孔鋸の棒支持体上に固定されるも
    のにおいて、 棒が完全に切断されかつ内孔鋸の鋸歯が補助材料部材中
    に切り込まれるや否や棒から円形物を分離するための鋸
    引き工程が停止され、そして円形物を保持する補助材料
    部材の除去による円形物の棒からの分離は除去工具によ
    って作用されることを特徴とする前記方法。 2、最終的に分離された円形物は除去工具の内方にある
    真空取り出し皿上に収容される、請求項1記載の方法。 3、特に単結晶及び多結晶半導体材料から成る円形物を
    除去装置と内孔鋸歯との組合わせによって棒から分離す
    ることによって製造するために、除去装置は内孔鋸のク
    ランプ装置内で棒の端面の平坦化を行い、その際除去装
    置は内孔鋸と1つのユニットを形成しそして棒は補助材
    料部材によって内孔鋸の棒支持体上に固定される、製造
    方法を実施するための装置において、 除去工具(6)の内方に分離された円形物のための真空
    取り出し皿(27)を備えていることを特徴とする前記
    装置。 4、真空取り出し皿(27)が除去工具の内方において
    半径方向及び軸線方向に調整可能である、請求項3記載
    の装置。
JP63276345A 1987-11-05 1988-11-02 少なくとも1つの平らな表面を備えた円形物の製造方法及びその装置 Pending JPH01153259A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3737540A DE3737540C1 (de) 1987-11-05 1987-11-05 Verfahren und Maschine zum Herstellen von Ronden mit zumindest einer planen Oberflaeche
DE3737540.7 1987-11-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01153259A true JPH01153259A (ja) 1989-06-15

Family

ID=6339832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63276345A Pending JPH01153259A (ja) 1987-11-05 1988-11-02 少なくとも1つの平らな表面を備えた円形物の製造方法及びその装置

Country Status (7)

Country Link
US (2) US4881518A (ja)
JP (1) JPH01153259A (ja)
KR (1) KR890008921A (ja)
DE (1) DE3737540C1 (ja)
FR (1) FR2622820A1 (ja)
GB (1) GB2212081B (ja)
IT (1) IT1229933B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0332805A (ja) * 1989-06-29 1991-02-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd スライシングマシンの誤差補正方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5111622A (en) * 1989-05-18 1992-05-12 Silicon Technology Corporation Slicing and grinding system for a wafer slicing machine
JPH0767692B2 (ja) * 1989-09-07 1995-07-26 株式会社東京精密 スライシングマシンの切断方法
US5185956A (en) * 1990-05-18 1993-02-16 Silicon Technology Corporation Wafer slicing and grinding system
US5189843A (en) * 1990-08-30 1993-03-02 Silicon Technology Corporation Wafer slicing and grinding machine and a method of slicing and grinding wafers
DE4134110A1 (de) * 1991-10-15 1993-04-22 Wacker Chemitronic Verfahren zum rotationssaegen sproedharter werkstoffe, insbesondere solcher mit durchmessern ueber 200 mm in duenne scheiben vermittels innenlochsaege und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE4136566C1 (ja) * 1991-11-07 1993-04-22 Gmn Georg Mueller Nuernberg Ag, 8500 Nuernberg, De
DE4224395A1 (de) * 1992-07-23 1994-01-27 Wacker Chemitronic Halbleiterscheiben mit definiert geschliffener Verformung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19607695A1 (de) * 1996-02-29 1997-09-04 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben
US7018268B2 (en) * 2002-04-09 2006-03-28 Strasbaugh Protection of work piece during surface processing
CN116117619B (zh) * 2022-12-30 2023-10-13 江苏福旭科技有限公司 一种太阳能级单晶硅片表面处理设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57168854A (en) * 1981-04-05 1982-10-18 Tokyo Seimitsu Co Ltd Slicing device

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2382257A (en) * 1943-04-21 1945-08-14 Albert Ramsay Manufacture of piezoelectric oscillator blanks
US2865082A (en) * 1953-07-16 1958-12-23 Sylvania Electric Prod Semiconductor mount and method
US3154990A (en) * 1962-03-16 1964-11-03 Sylvania Electric Prod Slicing apparatus having a rotary internal peripheral faced saw blade
US3828758A (en) * 1972-09-27 1974-08-13 P Cary Machine for producing thin section specimens
JPS51140285A (en) * 1975-05-30 1976-12-03 Hitachi Metals Ltd Crystal processing method
US4228782A (en) * 1978-09-08 1980-10-21 Rca Corporation System for regulating the applied blade-to-boule force during the slicing of wafers
US4227348A (en) * 1978-12-26 1980-10-14 Rca Corporation Method of slicing a wafer
FR2469259A1 (fr) * 1979-08-08 1981-05-22 Radiotechnique Compelec Procede d'elaboration de plaquettes de materiaux durs, notamment de silicium et appareil de mise en oeuvre du procede
CH635769A5 (fr) * 1980-03-10 1983-04-29 Far Fab Assortiments Reunies Installation pour le sciage de plaques et dispositif de manutention pour une telle installation.
US4420909B2 (en) * 1981-11-10 1997-06-10 Silicon Technology Wafering system
US4663890A (en) * 1982-05-18 1987-05-12 Gmn Georg Muller Nurnberg Gmbh Method for machining workpieces of brittle hard material into wafers
JPS6213305A (ja) * 1985-07-12 1987-01-22 株式会社日立製作所 ワ−ク回転式切断法およびその装置
JPS6296400A (ja) * 1985-10-23 1987-05-02 Mitsubishi Metal Corp ウエハの製造方法
DE3680205D1 (de) * 1986-04-17 1991-08-14 Meyer & Burger Ag Maschf Verfahren zum trennen eines stabes in teilstuecke, trennschleifmaschine zur durchfuehrung dieses verfahrens und verwendung dieser trennschleifmaschine.
DE3613132A1 (de) * 1986-04-18 1987-10-22 Mueller Georg Nuernberg Verfahren zum zerteilen von harten, nichtmetallischen werkstoffen
DE3884903T2 (de) * 1987-10-29 1994-02-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd Vorrichtung und Verfahren zum Abschneiden einer Halbleiterscheibe.

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57168854A (en) * 1981-04-05 1982-10-18 Tokyo Seimitsu Co Ltd Slicing device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0332805A (ja) * 1989-06-29 1991-02-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd スライシングマシンの誤差補正方法

Also Published As

Publication number Publication date
US4967461A (en) 1990-11-06
GB2212081A (en) 1989-07-19
IT8822335A0 (it) 1988-10-17
US4881518A (en) 1989-11-21
KR890008921A (ko) 1989-07-13
DE3737540C1 (de) 1989-06-22
GB8825807D0 (en) 1988-12-07
IT1229933B (it) 1991-09-16
FR2622820A1 (fr) 1989-05-12
GB2212081B (en) 1991-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4896459A (en) Apparatus for manufacturing thin wafers of hard, non-metallic material such as for use as semiconductor substrates
WO1993022093A1 (en) Adiabatic dry diamond milling system
US5351446A (en) Method and apparatus for the rotary sawing of brittle and hard materials
US3674004A (en) Precision cutting apparatus and method of operation therefor
JPH01153259A (ja) 少なくとも1つの平らな表面を備えた円形物の製造方法及びその装置
US4031667A (en) Apparatus for contouring edge of semiconductor wafers
US4127969A (en) Method of making a semiconductor wafer
US5285597A (en) Method and arrangement for subdividing semiconductor bars into semiconductor wafers
KR102047717B1 (ko) 블레이드의 드레싱 기구 및 그 기구를 구비한 절삭 장치 및 그 기구를 사용한 블레이드의 드레싱 방법
US4712535A (en) Method and apparatus for severing wafers
JPH0752007A (ja) ロータリ研削盤及び研削方法
US4480410A (en) Precision center lapping apparatus and method
JPS62264858A (ja) 平面研削方法
JPS6377647A (ja) 板状体の研削方法及びその装置
JP3199355B2 (ja) 内周刃のドレッシング方法
JPH0743776Y2 (ja) ディスクの加工装置
JP3170779B2 (ja) 半導体ウエハの揺動スライシング方法
JPH01210313A (ja) ウエハの切断装置
JP2002066835A (ja) 鋼管切断装置及び切断方法
JPH0919857A (ja) スライシング装置により切り出されるウェハの面取り方法及び装置並びに面取り用砥石
JPH0471688B2 (ja)
JPH09136249A (ja) ウェーハ加工装置
KR20220032477A (ko) 애즈 슬라이스 웨이퍼의 가공 방법
JPS59115161A (ja) 送り装置
JPS6339378B2 (ja)