JPH01148779A - 結晶成分の供給方法 - Google Patents
結晶成分の供給方法Info
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- JPH01148779A JPH01148779A JP30617087A JP30617087A JPH01148779A JP H01148779 A JPH01148779 A JP H01148779A JP 30617087 A JP30617087 A JP 30617087A JP 30617087 A JP30617087 A JP 30617087A JP H01148779 A JPH01148779 A JP H01148779A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本弁明は、結晶成分の供給方法、特に単結晶引上げ装置
用のるつぼ内にシリコン多結晶を供給する方法に関する
。
用のるつぼ内にシリコン多結晶を供給する方法に関する
。
「従来の技術］
単結晶の引上げ装置の真空溶融炉内にるつぼが設けられ
ており、このるつば内でシリコン多結晶が加熱され、シ
リコン溶融液となる。単結晶の引上げに伴ってシリコン
溶融液の不純物濃度が変化しないように、シリコン多結
晶の粉粒体がるつぼ内に補給される。
ており、このるつば内でシリコン多結晶が加熱され、シ
リコン溶融液となる。単結晶の引上げに伴ってシリコン
溶融液の不純物濃度が変化しないように、シリコン多結
晶の粉粒体がるつぼ内に補給される。
前述の溶融液にはＰやＢのようなドーピング元素からな
る不＠物が含まれてＪ３す、このため、固液界面におい
て育成される単結晶には、固液界面付近における溶融液
の不純物濃度に比例した′ｆＡ度で不純物が含まれる。
る不＠物が含まれてＪ３す、このため、固液界面におい
て育成される単結晶には、固液界面付近における溶融液
の不純物濃度に比例した′ｆＡ度で不純物が含まれる。
このとき、単結晶の育成の進行につれて溶融液が減少し
、不純物が溶融液中に濃縮されるため、育成された単結
晶は下端に近い程不純物濃度が高くなる。当初るつぼ内
に供給されたシリコン多結晶の６０重量％が単結晶とし
て固化する。るつぼ内に残った溶融液にシリコン多結晶
が所定量追加され、他の単結晶が引上げられる。
、不純物が溶融液中に濃縮されるため、育成された単結
晶は下端に近い程不純物濃度が高くなる。当初るつぼ内
に供給されたシリコン多結晶の６０重量％が単結晶とし
て固化する。るつぼ内に残った溶融液にシリコン多結晶
が所定量追加され、他の単結晶が引上げられる。
［ブを明が解決しようとする問題点］
しかし、るつぼ内にシリコン多結晶が追加されるとき、
急速に（約１０分以内に）行われると、るつぼ内の溶融
液の温度が急激に下がり、且つシリコン多結晶とるつぼ
との接触によってるつぼが割れる。
急速に（約１０分以内に）行われると、るつぼ内の溶融
液の温度が急激に下がり、且つシリコン多結晶とるつぼ
との接触によってるつぼが割れる。
本発明の目的は、るつぼ内の溶融液にシリコン多結晶が
追加されるときに、石英製のるつぼが割れるのを阻止し
得るシリコン多結晶の供給方法を提供することにある。
追加されるときに、石英製のるつぼが割れるのを阻止し
得るシリコン多結晶の供給方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段１
本発明によれば、前記目的は、石英製のるつぼ内の結晶
成分の溶ハｊ１液の加熱を停止する段階と、前記加熱の
停止によって固化した首記溶融液の表層部の上に結晶成
分の原料を載置する段階と、首記固化した表層部と首記
′ｕ装置された原オ＋１を加熱し且つ溶融する段階とか
らなることを特徴どづ−る結晶成分の供給方法によって
達成される。
成分の溶ハｊ１液の加熱を停止する段階と、前記加熱の
停止によって固化した首記溶融液の表層部の上に結晶成
分の原料を載置する段階と、首記固化した表層部と首記
′ｕ装置された原オ＋１を加熱し且つ溶融する段階とか
らなることを特徴どづ−る結晶成分の供給方法によって
達成される。
本光明によれば、るつぼ内の結晶成分の溶融液に結晶成
分の原料が載置されるときに、固化した表層部によって
、載置された原料が溶融液に混合するのを阻止し得、そ
の結果るつぼが割れるのを回避し青る。
分の原料が載置されるときに、固化した表層部によって
、載置された原料が溶融液に混合するのを阻止し得、そ
の結果るつぼが割れるのを回避し青る。
本発明による結晶成分としては、シリコン多結晶であっ
てもよい。
てもよい。
本発明による原料としては、粉粒体、例えば粒度分布が
１００ミクロン〜３ミリメートルの粉粒であってもよく
、粒塊体、例えば粒度分布が１０〜３０ミリメートル角
の粒塊であってもよい。
１００ミクロン〜３ミリメートルの粉粒であってもよく
、粒塊体、例えば粒度分布が１０〜３０ミリメートル角
の粒塊であってもよい。
本発明による表層部としては、厚さが０．１〜０．３ミ
リメートル、特に０．２ミリメートルであるのがよい。
リメートル、特に０．２ミリメートルであるのがよい。
［具体例］
以下、本光明の方法を図面に示す好ましい具体例を用い
て訂細に説明する。
て訂細に説明する。
るつぼ１は石英製であり、内径が１６インチである。る
つぽ１の中には、シリコン多結晶の溶融液２か収容され
ており、溶融液２はるつぼ１のまわりにおいてるつぼ１
を包囲するように設（ブられた図示しない電気式環状ヒ
ータによって加熱される。
つぽ１の中には、シリコン多結晶の溶融液２か収容され
ており、溶融液２はるつぼ１のまわりにおいてるつぼ１
を包囲するように設（ブられた図示しない電気式環状ヒ
ータによって加熱される。
単結晶３は下端が溶融液２に接するように引上げられる
。
。
第１図は一つの単結晶３の引上げを完了した状態を示す
。引上げ率、即ち当初るつぼ１内に供給されたシリコン
多結晶の重量に対して引上げられた単結晶３の重量の割
合は、６０小Φ％である。したがって、るつぼ１内に残
った溶融液２の重量は、ｔｌｉ結晶３の引上げ萌の重量
に対して４０重量％である。
。引上げ率、即ち当初るつぼ１内に供給されたシリコン
多結晶の重量に対して引上げられた単結晶３の重量の割
合は、６０小Φ％である。したがって、るつぼ１内に残
った溶融液２の重量は、ｔｌｉ結晶３の引上げ萌の重量
に対して４０重量％である。
単結晶３がるつは１から除かれた後、ヒータの電源が切
られ、るつぼ１全体が自然冷却される。
られ、るつぼ１全体が自然冷却される。
その結果、溶融液２の表層部４が厚さ０．２ミリメート
ルだけ固化する（第２図）。
ルだけ固化する（第２図）。
表層部４が固化した後、第３図に示すように、ｊ粒度分
布が１００ミクロン〜３ミリメートルのシリコン多結晶
の粉粒５が固化した表層部４の上に、次に引上げられる
他の単結晶６に相当する所定量だ（ブ戟ぽられる。
布が１００ミクロン〜３ミリメートルのシリコン多結晶
の粉粒５が固化した表層部４の上に、次に引上げられる
他の単結晶６に相当する所定量だ（ブ戟ぽられる。
粉粒５が表層部４の上に載せられた後、ヒータの電源が
入れられ、粉粒５及び表層部４が溶融し、他の単結晶６
が第４図に示されるように適宜に引上げられる。
入れられ、粉粒５及び表層部４が溶融し、他の単結晶６
が第４図に示されるように適宜に引上げられる。
［本光明の効果］
本５石明によれば、るつぼ内の結晶成分の溶融液に結晶
成分の原料が載置されるときに、固化した表層部によっ
て、載置された原料が溶融液に侵入するのを阻止し得、
その結果るつぼが割れるのを回避し得る。
成分の原料が載置されるときに、固化した表層部によっ
て、載置された原料が溶融液に侵入するのを阻止し得、
その結果るつぼが割れるのを回避し得る。
【図面の簡単な説明】
第１図から第４図は、夫々本発明の方法の１具体例の説
明図である。 １・・・るつぼ、２・・・シリコン溶融液、３・・・単
結晶、４・・・表層部、５・・・粉粒。 第１図 第 ４図
明図である。 １・・・るつぼ、２・・・シリコン溶融液、３・・・単
結晶、４・・・表層部、５・・・粉粒。 第１図 第 ４図
Claims (6)
- （１）石英製のるつぼ内の結晶成分の溶融液の加熱を停
止する段階と、前記加熱の停止によつて固化した前記溶
融液の表層部の上に結晶成分の原料を載置する段階と、
前記固化した表層部と前記載置された原料を加熱し且つ
溶融する段階とからなることを特徴とする結晶成分の供
給方法。 - （２）前記結晶成分がシリコン多結晶からなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - （３）前記原料が粉粒体からなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項又は第２項に記載の方法。 - （４）前記原料が粒塊体からなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項又は第２項に記載の方法。 - （５）前記表層部の厚さが０．１〜０．３ミリメートル
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第４
項のいずれか一項に記載の方法。 - （６）前記表層部の厚さが０．２ミリメートルであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30617087A JPH01148779A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 結晶成分の供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30617087A JPH01148779A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 結晶成分の供給方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01148779A true JPH01148779A (ja) | 1989-06-12 |
Family
ID=17953881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30617087A Pending JPH01148779A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 結晶成分の供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01148779A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0787836A3 (en) * | 1996-02-01 | 1998-04-01 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method for preparing silicon melt from polycrystalline silicon charge |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54121284A (en) * | 1978-03-15 | 1979-09-20 | Hitachi Ltd | Menufacture of silicon single crystal by pulling method |
-
1987
- 1987-12-03 JP JP30617087A patent/JPH01148779A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54121284A (en) * | 1978-03-15 | 1979-09-20 | Hitachi Ltd | Menufacture of silicon single crystal by pulling method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0787836A3 (en) * | 1996-02-01 | 1998-04-01 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Method for preparing silicon melt from polycrystalline silicon charge |
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