JPH01147809A - 高Ｂｒ，高ｉＨｃの異方性フェライト磁石の製法 - Google Patents
高Ｂｒ，高ｉＨｃの異方性フェライト磁石の製法Info
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- JPH01147809A JPH01147809A JP62306656A JP30665687A JPH01147809A JP H01147809 A JPH01147809 A JP H01147809A JP 62306656 A JP62306656 A JP 62306656A JP 30665687 A JP30665687 A JP 30665687A JP H01147809 A JPH01147809 A JP H01147809A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特に自動車、船舶等に搭載するスクーク用モ
ータ用永久磁石として有用な高０ｒ（Ｂｒ：残留磁束密
度）、高＋ＩＩｃ （＋ｌｌｃ ：固有保磁力）の
異方性フェライト磁石の製法に関するものである。
ータ用永久磁石として有用な高０ｒ（Ｂｒ：残留磁束密
度）、高＋ＩＩｃ （＋ｌｌｃ ：固有保磁力）の
異方性フェライト磁石の製法に関するものである。
酸化鉄と炭酸ストロンチウムを原料として、製造する所
の基本組成： ５ｒＯ−ｎＦｅ２０３（ｎ ＝ ５．３
〜６．２）を有するＳｒ系フェライト磁石は、Ｂａ系フ
ェライト磁石に比較して高い１）ｃ（例えば、Ｈｃ−３
，５０００ｅ）を有するので、自動車等に搭載する電装
モータやコンピュータの周辺機器、例えばプリンタ等に
内蔵されるモータに広く利用されている（特公昭４９−
４７１６号参照）。
の基本組成： ５ｒＯ−ｎＦｅ２０３（ｎ ＝ ５．３
〜６．２）を有するＳｒ系フェライト磁石は、Ｂａ系フ
ェライト磁石に比較して高い１）ｃ（例えば、Ｈｃ−３
，５０００ｅ）を有するので、自動車等に搭載する電装
モータやコンピュータの周辺機器、例えばプリンタ等に
内蔵されるモータに広く利用されている（特公昭４９−
４７１６号参照）。
しかしながら、この種のＳｒ系フェライト磁石の磁気特
性は、（Ｂｒ、 ＋ｌｌｃ ） ＝ （４２００Ｇ、
３００００ｅ）又は（Ｂｒ、 ）ｌｃ） ＝ （３８０
０Ｇ、４００００ｅ）のものが−殻内であり、Ｂｒが４
０００Ｇ以上の磁石はその、＋ＩＣが４００００ｅ未満
であり、逆に、１）．が４００００ｅ以上の磁石は、そ
のＢｒが４０００ Ｇ未満のものであった。
性は、（Ｂｒ、 ＋ｌｌｃ ） ＝ （４２００Ｇ、
３００００ｅ）又は（Ｂｒ、 ）ｌｃ） ＝ （３８０
０Ｇ、４００００ｅ）のものが−殻内であり、Ｂｒが４
０００Ｇ以上の磁石はその、＋ＩＣが４００００ｅ未満
であり、逆に、１）．が４００００ｅ以上の磁石は、そ
のＢｒが４０００ Ｇ未満のものであった。
例えば、Ｂｒが４０００ Ｇ以上で、かつ、＋ｌＩｃが
４００００ｅ以上の高Ｂｒ、高、１）．の異方性フェラ
イト磁石は得ることが極めて困難であった。
４００００ｅ以上の高Ｂｒ、高、１）．の異方性フェラ
イト磁石は得ることが極めて困難であった。
この種のＳｒ系フェライト磁石は、本焼成温度を高める
につれて、焼成密度が向上し残留磁束密度Ｂｒが向上す
るが、結晶粒が粗大化するために固打保磁力＋ｌｌｃ
（ｉｌｌｃとも書く。本明細書では単に保磁力とも云
う。）は低下する。一方、結晶粒制御剤を多く含有させ
れば、保磁力１）ｃを４００００ｅ以上に高めることが
出来るが、この場合には、結晶粒制御剤の影響により、
配向度の低下、非磁性組成部分の増加によりＢｒが低下
する。
につれて、焼成密度が向上し残留磁束密度Ｂｒが向上す
るが、結晶粒が粗大化するために固打保磁力＋ｌｌｃ
（ｉｌｌｃとも書く。本明細書では単に保磁力とも云
う。）は低下する。一方、結晶粒制御剤を多く含有させ
れば、保磁力１）ｃを４００００ｅ以上に高めることが
出来るが、この場合には、結晶粒制御剤の影響により、
配向度の低下、非磁性組成部分の増加によりＢｒが低下
する。
本発明の目的は、これら従来技術の欠点を改良し、高Ｂ
ｒ、高１）ｃの異方性フェライトｉ（１石を得２ること
のできる製造方法を提供することである。
ｒ、高１）ｃの異方性フェライトｉ（１石を得２ること
のできる製造方法を提供することである。
本発明は、基本組成を、ＳＳｒ０−ｍＦｅｚＯ３（＝５
．６〜６．０）とし、結晶粒制御剤として、重量％で、 ５ｉｎ２： ０．１〜１．０ ＣａＯ： ０．５〜２，０ Ｃｒｚ０３および又は、＾ｅｘ（Ｌ＋ ： ０．０５
〜０．３ＳｒＯ： ０．１〜１．０ を含有させ、ＳｒＯ・ｍＦｅｚＯｚを生成するための原
料酸化鉄を、平均粒径０．７〜０．９μｍ、粒度分布の
標準偏差σが０．１４〜０．１６のものとし、１２７０
°Ｃ〜１２８０℃の温度で行なう仮焼成により得た仮焼
成体を粉砕して得る成形用微粉末を、平均粒径０．７〜
０．９μｍ１粒度分布の標準偏差σが０．１４〜０．１
６のものとして成形後、本焼成を、前記仮焼成温度より
８０℃〜１２０℃低い温度において実施するものであり
、本発明に依れば、例えばＩｌｃが４００００ ｅ以上
でかつ、Ｂｒが４０００ Ｇ以上の高Ｂｒで、かつ高１
）ｃの異方性フェライト＆ｉ石を得ることができる。
．６〜６．０）とし、結晶粒制御剤として、重量％で、 ５ｉｎ２： ０．１〜１．０ ＣａＯ： ０．５〜２，０ Ｃｒｚ０３および又は、＾ｅｘ（Ｌ＋ ： ０．０５
〜０．３ＳｒＯ： ０．１〜１．０ を含有させ、ＳｒＯ・ｍＦｅｚＯｚを生成するための原
料酸化鉄を、平均粒径０．７〜０．９μｍ、粒度分布の
標準偏差σが０．１４〜０．１６のものとし、１２７０
°Ｃ〜１２８０℃の温度で行なう仮焼成により得た仮焼
成体を粉砕して得る成形用微粉末を、平均粒径０．７〜
０．９μｍ１粒度分布の標準偏差σが０．１４〜０．１
６のものとして成形後、本焼成を、前記仮焼成温度より
８０℃〜１２０℃低い温度において実施するものであり
、本発明に依れば、例えばＩｌｃが４００００ ｅ以上
でかつ、Ｂｒが４０００ Ｇ以上の高Ｂｒで、かつ高１
）ｃの異方性フェライト＆ｉ石を得ることができる。
ｍが５．６より小さい場合は、ＳｒＯが過剰となり、飽
和磁化（Ｉｓ）が低下し、一方、ｍが６．０より大きい
場合には、Ｆｅ２Ｏ，が過剰となり、やはり飽和磁化（
Ｉｓ）が低下するので、ｍ ＝ ５．６〜６．０が適当
である。
和磁化（Ｉｓ）が低下し、一方、ｍが６．０より大きい
場合には、Ｆｅ２Ｏ，が過剰となり、やはり飽和磁化（
Ｉｓ）が低下するので、ｍ ＝ ５．６〜６．０が適当
である。
結晶粒制御剤を多く含有すれば、保磁力は高めることが
出来るが［ｌｒが低下するので、本発明γは使用する結
晶粒制御剤の量を少なめにしている。
出来るが［ｌｒが低下するので、本発明γは使用する結
晶粒制御剤の量を少なめにしている。
本発明では、この結晶粒制御剤を少なめとした代償とし
て、原料酸化鉄及び成形用微粉末の結晶粒の粒度分布の
標準偏差σを０．１４〜０．１６のものとし、又、その
粒径の平均値も０．７〜０．９μｍとすることにより、
高い保磁力を有する磁石とすることができる。
て、原料酸化鉄及び成形用微粉末の結晶粒の粒度分布の
標準偏差σを０．１４〜０．１６のものとし、又、その
粒径の平均値も０．７〜０．９μｍとすることにより、
高い保磁力を有する磁石とすることができる。
５ｉＯｚの０．１重量％以上の添加は結晶粒制御に効果
があるが、上限を１．０重量％とすることにより、Ｂｒ
の低下を最小限にとどめることができる。ＣａＯ１Ａ
ｌ ｚＯｓおよび又はＣｒ、Ｏ，はＳｉＯ□との複合添
加により、保磁力を著しく高めることができるので、各
々、０．５重量％以上、０．１重量％以上添加するが、
Ｂｒの低下を最小限にとどめるために、各々、２．０重
量％以下とする。ＳｒＯは、目標とするｍ値を実際の製
造におけるｍ値のズレを補償し、かつ、高いＩｌｃを得
るために必須添加剤であるが、０．１重量％未満ではそ
の効果が少なく、一方、１．０重量％を超えて添加する
場合には、Ｂｒの低下が太き（なるので、０．１〜１．
０重量％を添加する。
があるが、上限を１．０重量％とすることにより、Ｂｒ
の低下を最小限にとどめることができる。ＣａＯ１Ａ
ｌ ｚＯｓおよび又はＣｒ、Ｏ，はＳｉＯ□との複合添
加により、保磁力を著しく高めることができるので、各
々、０．５重量％以上、０．１重量％以上添加するが、
Ｂｒの低下を最小限にとどめるために、各々、２．０重
量％以下とする。ＳｒＯは、目標とするｍ値を実際の製
造におけるｍ値のズレを補償し、かつ、高いＩｌｃを得
るために必須添加剤であるが、０．１重量％未満ではそ
の効果が少なく、一方、１．０重量％を超えて添加する
場合には、Ｂｒの低下が太き（なるので、０．１〜１．
０重量％を添加する。
成形用微粉末の平均粒径を０．７μｍ〜０，９μｍとし
た理由は、平均粒径が小さ（なるにつれて保磁］月１０
、残留磁束密度Ｂｒも大きな磁石が得られるが、０．７
μｍ未満となると本焼成時に亀裂が出やすくなり、又、
成形時の能率も著しく低下するので、０．７μｍ以上と
する。一方、０．９μｍを越えると成形能率は向上し、
本焼成時の亀裂発生も少な（なるが、保磁力の高いもの
が得られなくなり、成形時、本焼成時の配向度も低下し
、密度も高いものが得られなくなるので、０．７μ〜０
．９μｍが適当である。又、粒度分布の標準偏差は、余
り大きいと、本焼成体の特性のバラツキが大きくなるの
で、０．１４〜０．１６が適当である。
た理由は、平均粒径が小さ（なるにつれて保磁］月１０
、残留磁束密度Ｂｒも大きな磁石が得られるが、０．７
μｍ未満となると本焼成時に亀裂が出やすくなり、又、
成形時の能率も著しく低下するので、０．７μｍ以上と
する。一方、０．９μｍを越えると成形能率は向上し、
本焼成時の亀裂発生も少な（なるが、保磁力の高いもの
が得られなくなり、成形時、本焼成時の配向度も低下し
、密度も高いものが得られなくなるので、０．７μ〜０
．９μｍが適当である。又、粒度分布の標準偏差は、余
り大きいと、本焼成体の特性のバラツキが大きくなるの
で、０．１４〜０．１６が適当である。
成形用微粉末の平均粒径および粒度分布の標準偏差値も
高Ｂｒ、高Ｈｃの異方性フェライト磁石を得るための大
切な因子ではあるが、本発明者の検討によると、原料酸
化鉄の平均粒径および粒度分布の標準偏差値をどのよう
なものとするかでは、更に大切な因子である。原料酸化
鉄の粒度分布のバラツキの大きいもの、即ち標準偏差値
の大きいものを使用した場合、高１）ｃ、高Ｂｒの磁石
を得ることは不可能である。粒度分布のバラツキの大き
いものを使用した場合には最終製品としても結晶粒度の
バラツギの大きいものしか得られず、高Ｂ ｒ ％高１
）ｃ材とはならない。原料酸化鉄の平均粒度を０．７〜
０．９μｍとすることによって、仮焼成時のフェライト
生成反応を工夫することにより、結晶粒度の小さいフェ
ライト磁石が得られる。従来、仮焼成温度は１３００℃
位として、出来るだけ結晶粒を粗大化し、単結晶に近い
ものを得るように心がけられていたが、このような高い
仮焼成温度を使用した場合、生成する仮焼成体の結晶粒
度のバラツキは異常に大きいものとなってしまっていた
。原料酸化鉄の平均粒度を０．７〜０．９μｍとして、
粒度分布のバラツキの少ないものを利用し、かつ、仮焼
成温度を１２７０℃〜１２８０℃というように、従来に
比例して、低温の仮焼成温度を使用する（以下、低温仮
焼成とも云う）ことにより、原料酸化鉄とほぼ同じ粒度
の結晶粒を有するＳｒ０−ｍＦｅｚＯ５フエライトが生
成されるのである。低温仮焼成においては、酸化鉄が核
となり、そこに酸化ストロンチウムが入り込んだ形で生
成するためと考えられる。
高Ｂｒ、高Ｈｃの異方性フェライト磁石を得るための大
切な因子ではあるが、本発明者の検討によると、原料酸
化鉄の平均粒径および粒度分布の標準偏差値をどのよう
なものとするかでは、更に大切な因子である。原料酸化
鉄の粒度分布のバラツキの大きいもの、即ち標準偏差値
の大きいものを使用した場合、高１）ｃ、高Ｂｒの磁石
を得ることは不可能である。粒度分布のバラツキの大き
いものを使用した場合には最終製品としても結晶粒度の
バラツギの大きいものしか得られず、高Ｂ ｒ ％高１
）ｃ材とはならない。原料酸化鉄の平均粒度を０．７〜
０．９μｍとすることによって、仮焼成時のフェライト
生成反応を工夫することにより、結晶粒度の小さいフェ
ライト磁石が得られる。従来、仮焼成温度は１３００℃
位として、出来るだけ結晶粒を粗大化し、単結晶に近い
ものを得るように心がけられていたが、このような高い
仮焼成温度を使用した場合、生成する仮焼成体の結晶粒
度のバラツキは異常に大きいものとなってしまっていた
。原料酸化鉄の平均粒度を０．７〜０．９μｍとして、
粒度分布のバラツキの少ないものを利用し、かつ、仮焼
成温度を１２７０℃〜１２８０℃というように、従来に
比例して、低温の仮焼成温度を使用する（以下、低温仮
焼成とも云う）ことにより、原料酸化鉄とほぼ同じ粒度
の結晶粒を有するＳｒ０−ｍＦｅｚＯ５フエライトが生
成されるのである。低温仮焼成においては、酸化鉄が核
となり、そこに酸化ストロンチウムが入り込んだ形で生
成するためと考えられる。
従来は、ＳｒＯ・ｍＦｅｚＯ＋の生成メカニズムを考慮
することなく、結晶粒制御剤を多量に使用することで、
仮焼成時の結晶粒粗大化を防止することだけを念頭にお
いていたために、高Ｈｃ、低Ｂｒのフェライト磁石、或
いは高Ｂｒ、低１）ｃのフェライト磁石しか得られなか
ったものと考えられる。
することなく、結晶粒制御剤を多量に使用することで、
仮焼成時の結晶粒粗大化を防止することだけを念頭にお
いていたために、高Ｈｃ、低Ｂｒのフェライト磁石、或
いは高Ｂｒ、低１）ｃのフェライト磁石しか得られなか
ったものと考えられる。
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明は、これらの例に限定されるものではない。
明は、これらの例に限定されるものではない。
実施例ｌ
５ｒＣ０，１と平均粒径０．８μｍ、粒度分布の標準偏
差σ＝０．１５のＦｅ２０＝とをモル比にて、Ｆｅｚｅ
ｓ ／５ｒＯ＝５．７になるように配合し、この混合物
にＳｉＯ□を０．２重量％、ＩＩ：＋Ｂ（ｈ ｏ、 １
重量％添加してから、１２７５℃で１時間仮焼成した。
差σ＝０．１５のＦｅ２０＝とをモル比にて、Ｆｅｚｅ
ｓ ／５ｒＯ＝５．７になるように配合し、この混合物
にＳｉＯ□を０．２重量％、ＩＩ：＋Ｂ（ｈ ｏ、 １
重量％添加してから、１２７５℃で１時間仮焼成した。
ついで、仮焼成体を粉砕する際にＣａＣＯ３，５ｒＣＯ
＝及びＣｒｚＯ，、を各々、ＣａＯ、、ＳｒＯおよびＣ
ｒ、０３で換算して、各々０．８重量％、０．５重量％
、０．９重量％になるように添加し、湿式微粉砕機によ
り平均０．８μｍに微粉砕し、その粒度分布の標準偏差
σを０．１４となるようにした後、成形機で、０．４
ｔ／ｃｆｆｌの圧力で、８ＫＯｅの磁界中で湿式成形を
行ない、得られた成形体を、１２００℃で１時間本焼成
した所、Ｉｌｃ −４３０００ｅ。
＝及びＣｒｚＯ，、を各々、ＣａＯ、、ＳｒＯおよびＣ
ｒ、０３で換算して、各々０．８重量％、０．５重量％
、０．９重量％になるように添加し、湿式微粉砕機によ
り平均０．８μｍに微粉砕し、その粒度分布の標準偏差
σを０．１４となるようにした後、成形機で、０．４
ｔ／ｃｆｆｌの圧力で、８ＫＯｅの磁界中で湿式成形を
行ない、得られた成形体を、１２００℃で１時間本焼成
した所、Ｉｌｃ −４３０００ｅ。
Ｂｒ ＝ ４２００ Ｇの高Ｉ（Ｃ１高Ｂｒのフェライ
ト磁石を得ることができた。
ト磁石を得ることができた。
実施例２
原料の５ｒＣＯ，とＦｅｚＯ３との混合比率ｍを変化さ
せたことを除けば、実施例１と同じ条件でフェライト磁
石を作成した。第１図に得られたフェライト磁石の混合
比率ｍに対する依存性を示す。第１図からｍが５．６〜
５．９となるようにすることにより、高い飽和磁化Ｉｓ
を有するフェライト磁石が得られることがわかる。
せたことを除けば、実施例１と同じ条件でフェライト磁
石を作成した。第１図に得られたフェライト磁石の混合
比率ｍに対する依存性を示す。第１図からｍが５．６〜
５．９となるようにすることにより、高い飽和磁化Ｉｓ
を有するフェライト磁石が得られることがわかる。
実施例３
原料酸化鉄の平均粒度、粒度分布の標準偏差σの相異す
るものを種々用いたことを除いては、実施例１と同じ条
件で種々のフェライト磁石を作成した。第１表に、得ら
れたフェライト磁石の磁気特性を示す。
るものを種々用いたことを除いては、実施例１と同じ条
件で種々のフェライト磁石を作成した。第１表に、得ら
れたフェライト磁石の磁気特性を示す。
第１表
第１表に示されるように、標準偏差が本発明材よりも大
きい場合、又は、標準偏差が本発明材を同程度であって
も、平均粒径の大きい酸化鉄を原料とした場合には、所
望の高［１ｒ、高１）ｃの異方性フェライト磁石は得ら
れない。 ７ 実施例４ 仮焼成温度を変化させたことを除いては、実施例１と同
一の条件で種々のフェライｌ−６ｆｆ石を作成した。第
２図に、仮焼成温度と、得られたフェライトＥｆｆｉ石
の磁気特性の関係を示す。
きい場合、又は、標準偏差が本発明材を同程度であって
も、平均粒径の大きい酸化鉄を原料とした場合には、所
望の高［１ｒ、高１）ｃの異方性フェライト磁石は得ら
れない。 ７ 実施例４ 仮焼成温度を変化させたことを除いては、実施例１と同
一の条件で種々のフェライｌ−６ｆｆ石を作成した。第
２図に、仮焼成温度と、得られたフェライトＥｆｆｉ石
の磁気特性の関係を示す。
第２図から仮焼成温度を１２７０℃〜１２８０℃とする
ことにより、高Ｂｒ、高Ｈｃのフェライト磁石が得られ
ることがわかる。
ことにより、高Ｂｒ、高Ｈｃのフェライト磁石が得られ
ることがわかる。
実施例５
ＣａＯ、ＳｒＯ、ＣｒｚＯ３、５ｉｎ２の添加量を種々
変化させたことを除いては実施例１と同じ条件で種々の
フェライト磁石を作成した。第２表に結晶粒制御材の添
加量、得られたフェライト磁石の磁気特性を示した。Ａ
ｌ ｚＯ：＋はＣｒｚＯ：＋と同様の効果を持つので
Ｃｒｚ（ｈの全部、又は１部に代えて用いることができ
る。
変化させたことを除いては実施例１と同じ条件で種々の
フェライト磁石を作成した。第２表に結晶粒制御材の添
加量、得られたフェライト磁石の磁気特性を示した。Ａ
ｌ ｚＯ：＋はＣｒｚＯ：＋と同様の効果を持つので
Ｃｒｚ（ｈの全部、又は１部に代えて用いることができ
る。
以下余白
本発明において、Ｂ２Ｏ３を０〜２ｗｔ％の範囲及び、
所望の磁気特性を劣化させない程度に含有させることが
できる。
所望の磁気特性を劣化させない程度に含有させることが
できる。
以上のように本発明によれば、例えばＩｌｃが４０００
０部以上、Ｂｒが４００００以上の高１）ｃかつ、高Ｂ
ｒのフェライト磁石を容易に得ることができる。
０部以上、Ｂｒが４００００以上の高１）ｃかつ、高Ｂ
ｒのフェライト磁石を容易に得ることができる。
第１図は、モル比ｍに対する得られるフェライト［石の
飽和磁化Ｉｓの依存性を示す図、第２図は、仮焼成温度
に対するフェライト磁石のｒｌｒとＩｌｃの依存性を示
す図である。
飽和磁化Ｉｓの依存性を示す図、第２図は、仮焼成温度
に対するフェライト磁石のｒｌｒとＩｌｃの依存性を示
す図である。
Claims (1)
- （１）酸化鉄と炭酸ストロンチウムをモル比が約５．６
〜６．０になるように混合し、更に結晶粒制御剤を含め
仮焼成した後、該仮焼成物を粉砕して得る微粉末を金型
内で磁場中成形して得られた成形体を本焼成することに
より異方性フェライト磁石を製造する場合に、酸化鉄と
して、平均粒径０．７〜０．９μｍ、粒度分布の標準偏
差σが０．１４〜０．１６のものを用い、仮焼成温度を
１２７０℃〜１２８０℃の温度とし、仮焼成体を粉砕し
て得る成形用微粉末の平均粒径を０．７〜０．９μｍと
して、その粒度分布の標準偏差σを０．１４〜０．１６
として、本焼成温度を仮焼成温度よりも８０℃〜１２０
℃低いものとして、結晶粒制御剤として、重量％（ｗｔ
％）で、 ＳｉＯ＿２：０．１〜１．０ ＣａＯ：０．５〜２．０ Ｃｒ＿２Ｏ＿３および又はＡｌ＿２Ｏ＿３：０．１〜２
．０ＳｒＯ：０．１〜１．０ を含有せしめたことを特徴とする高Ｂｒ、高Ｈｅの異方
性フェライト磁石の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62306656A JPH01147809A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 高Ｂｒ，高ｉＨｃの異方性フェライト磁石の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62306656A JPH01147809A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 高Ｂｒ，高ｉＨｃの異方性フェライト磁石の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01147809A true JPH01147809A (ja) | 1989-06-09 |
Family
ID=17959739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62306656A Pending JPH01147809A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 高Ｂｒ，高ｉＨｃの異方性フェライト磁石の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01147809A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123511A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Tdk Corp | フェライト焼結磁石 |
| JP2009107909A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 微細結晶粒チタンシリコンカーバイドセラミックスの製造方法 |
-
1987
- 1987-12-03 JP JP62306656A patent/JPH01147809A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123511A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Tdk Corp | フェライト焼結磁石 |
| JP4730534B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2011-07-20 | Ｔｄｋ株式会社 | フェライト焼結磁石 |
| JP2009107909A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 微細結晶粒チタンシリコンカーバイドセラミックスの製造方法 |
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