JPH01146373A - ４端子型薄膜太陽電池 - Google Patents
４端子型薄膜太陽電池Info
- Publication number
- JPH01146373A JPH01146373A JP87305173A JP30517387A JPH01146373A JP H01146373 A JPH01146373 A JP H01146373A JP 87305173 A JP87305173 A JP 87305173A JP 30517387 A JP30517387 A JP 30517387A JP H01146373 A JPH01146373 A JP H01146373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- solar cell
- amorphous
- terminal
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 70
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、４端子型薄膜太陽電池に関する０〔従来の技
術〕 従来から、ＳｉＨガス等をグロー放電分解して形成され
るアモルファスシリコン（ａ−８ｉ）が安価で大面積化
及び薄膜化が可能である為、ａ−３ｉ薄膜を利用した薄
膜太陽電池が広く用いられている。
術〕 従来から、ＳｉＨガス等をグロー放電分解して形成され
るアモルファスシリコン（ａ−８ｉ）が安価で大面積化
及び薄膜化が可能である為、ａ−３ｉ薄膜を利用した薄
膜太陽電池が広く用いられている。
例えば特公昭５３−３７７１８号公報に開示されている
ように、ａ−３ｉのｐ−１−ｎ接合やショットキ接合を
利用した太陽電池がある。
ように、ａ−３ｉのｐ−１−ｎ接合やショットキ接合を
利用した太陽電池がある。
しかし、従来のａ−８ｉ大＠電池はａ−Ｓｉのバンドギ
ャップエネルギーが１，７５ ｅＶ程度である為７００
ｎｍ以上の波長の光に対しては感度がなく、従って７
００ ｎｍ以上の長波長の光を多く含む太陽光に対して
は最適な材料とは云いえず、その変換効率は１０％以下
に留まっていた。
ャップエネルギーが１，７５ ｅＶ程度である為７００
ｎｍ以上の波長の光に対しては感度がなく、従って７
００ ｎｍ以上の長波長の光を多く含む太陽光に対して
は最適な材料とは云いえず、その変換効率は１０％以下
に留まっていた。
長波長の光に対する感度を向上させる為にａ−８１と他
の半導体材料とを組合せた太陽電池も、例えばＪａｐａ
ｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐ／ｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ ％ｖｏ／ ２２、Ａ９ （１９８３） 、
Ｌ ６０５〜Ｌ ６０７に示されている。しかしながら
、こ−に示されたａ−３ｉと単結晶Ｓ１を組合せた太陽
電池においても変換効率は１０％程度であり、しかも単
結晶Ｓ１は大面積化が困難で材料コストも極めて高い等
の欠点があった０ 又、硫化銅（ＯｕＳ）薄膜と硫化カドミウム（ＣｄＳ）
薄膜とを積層した太陽電池も、例えば「太陽光発電」、
森北出版１９８０年２月２０日発行に記載されている。
の半導体材料とを組合せた太陽電池も、例えばＪａｐａ
ｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐ／ｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ ％ｖｏ／ ２２、Ａ９ （１９８３） 、
Ｌ ６０５〜Ｌ ６０７に示されている。しかしながら
、こ−に示されたａ−３ｉと単結晶Ｓ１を組合せた太陽
電池においても変換効率は１０％程度であり、しかも単
結晶Ｓ１は大面積化が困難で材料コストも極めて高い等
の欠点があった０ 又、硫化銅（ＯｕＳ）薄膜と硫化カドミウム（ＣｄＳ）
薄膜とを積層した太陽電池も、例えば「太陽光発電」、
森北出版１９８０年２月２０日発行に記載されている。
しかしながら、この太＠電池もまた変換効率が７％程度
であって、電力用太陽電池として使用するには変換効率
が不充分であった。
であって、電力用太陽電池として使用するには変換効率
が不充分であった。
一方、上記したような太陽電池２個を光学的にｏｆ１６
ｔｈ工ＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｖｏ／１ａｉｃ ５ｐｅｃｉ
ａｌｉｓｔＣｏｎｆｅｒｅ−ｎｃｅ、（１９８２）Ｐ６
９２、又はＴｅｃｈｎｉｃａ／ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ工
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＰＶＳＥＯ−１、（１９８５
）Ｐ６９１に記載されている。しかし、４端子型太陽電
池の片方の太陽電池としてはａ−３ｉ薄膜太陽電池があ
るが、他方の太陽電池として高効率、大面積、低コスト
の要請に答えうるちのがなかった。
ｔｈ工ＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｖｏ／１ａｉｃ ５ｐｅｃｉ
ａｌｉｓｔＣｏｎｆｅｒｅ−ｎｃｅ、（１９８２）Ｐ６
９２、又はＴｅｃｈｎｉｃａ／ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ工
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＰＶＳＥＯ−１、（１９８５
）Ｐ６９１に記載されている。しかし、４端子型太陽電
池の片方の太陽電池としてはａ−３ｉ薄膜太陽電池があ
るが、他方の太陽電池として高効率、大面積、低コスト
の要請に答えうるちのがなかった。
本発明はかかる従来の事情に鑑み、大面積化及び薄膜化
が可能な材料を用いて、変換効率が高く且つ低コストの
４端子型薄膜太陽電池を提供することご目的とするもの
である。
が可能な材料を用いて、変換効率が高く且つ低コストの
４端子型薄膜太陽電池を提供することご目的とするもの
である。
本発明の４端子型薄膜太陽電池は、２層の透明電極の間
に形成したアモルファスシリコン薄膜力らなる第１の太
陽電池と、少なくとも片方が透明電極である２層の電極
の間に積層して接合させたアモルファスシリコン薄膜と
硫化銅薄膜とからなる第２の太陽電池とを具え、第１の
太陽電池と第２の太＠電池を光学的に直列に配置し、第
１の太陽電池と第２の太陽電池の各々から出力を取り出
すことを特徴とする。
に形成したアモルファスシリコン薄膜力らなる第１の太
陽電池と、少なくとも片方が透明電極である２層の電極
の間に積層して接合させたアモルファスシリコン薄膜と
硫化銅薄膜とからなる第２の太陽電池とを具え、第１の
太陽電池と第２の太＠電池を光学的に直列に配置し、第
１の太陽電池と第２の太陽電池の各々から出力を取り出
すことを特徴とする。
第２の太＠電池のアモルファスシリコン（ａ−３ｉ）薄
膜と硫化銅（Ｃ！ｕ Ｓ）薄膜とがｐ−ｎ接合を形成下
る限り、ａ−３ｉ薄膜はｎ−１−ｐ−ｎ構造などの多層
構造であってもよい。
膜と硫化銅（Ｃ！ｕ Ｓ）薄膜とがｐ−ｎ接合を形成下
る限り、ａ−３ｉ薄膜はｎ−１−ｐ−ｎ構造などの多層
構造であってもよい。
又、ｎ型及びｐ型のａ−８ｉ薄膜は微結晶な含んでいて
も良い。
も良い。
薄膜太陽電池のへテロ接合を形成する半導体材料を種々
検討した結果、ａ−３ｉ薄膜とＣｕ２Ｓ薄膜との組合せ
が最適であることが判明した。即ち、ヘテロ接合はバン
ドギャップエネルギーの組合せのみならず、電子親和力
、エネルギーノくンドの連続性な、どの半導体材料のマ
ツチング特性、あるいは両膜形成方法などにより大きく
左右され、その結果デバイス特性も大さく変動する。ａ
−３ｉ薄膜とＣｕ Ｓ薄膜とは、このようなヘテロ接合
に要求される特性が最も整っている。
検討した結果、ａ−３ｉ薄膜とＣｕ２Ｓ薄膜との組合せ
が最適であることが判明した。即ち、ヘテロ接合はバン
ドギャップエネルギーの組合せのみならず、電子親和力
、エネルギーノくンドの連続性な、どの半導体材料のマ
ツチング特性、あるいは両膜形成方法などにより大きく
左右され、その結果デバイス特性も大さく変動する。ａ
−３ｉ薄膜とＣｕ Ｓ薄膜とは、このようなヘテロ接合
に要求される特性が最も整っている。
ａ−Ｓｉ薄膜とＣｕ Ｓ薄膜とを積層した太陽電池単独
では充分な変換効率が得難いが、これを第２の太陽電池
としてａ−３ｉ太陽電池と組合せれば、高効率の４端子
型太陽電池が得られることが判った。又、ＣｕＳのバン
ドギャップエネルギーも１．２ｅＶと４端子型薄膜太陽
電池の第２の太陽電池用材料として好適である。
では充分な変換効率が得難いが、これを第２の太陽電池
としてａ−３ｉ太陽電池と組合せれば、高効率の４端子
型太陽電池が得られることが判った。又、ＣｕＳのバン
ドギャップエネルギーも１．２ｅＶと４端子型薄膜太陽
電池の第２の太陽電池用材料として好適である。
しかも、ａ−８ｉとＣｕ Ｓは現在の薄膜技術により容
易に薄膜化及び大面積化することがでさ、構成材料も安
価であって低コスト化が可能である。
易に薄膜化及び大面積化することがでさ、構成材料も安
価であって低コスト化が可能である。
ａ−３ｉ薄膜とＣｕ Ｓ薄膜とはいずれがｐ型でもｎ型
でも良いが、製造上はａ −Ｓ ｉ薄膜をｎ型とし、Ｃ
ｕ Ｓ薄膜をｐ型とする万が容易であって変換動率も高
い。この場合ｎ型ａ−８ｉ、薄膜の膜厚は２００Ｘ〜５
０００ Ｘが好ましい。この膜厚が２００ｘ未満では良
好な接合が得られず、５０００Ｘを超えるとａ−８１薄
膜での光吸収が大さくなり、いずれも変換効率を著しく
低下させるからである。
でも良いが、製造上はａ −Ｓ ｉ薄膜をｎ型とし、Ｃ
ｕ Ｓ薄膜をｐ型とする万が容易であって変換動率も高
い。この場合ｎ型ａ−８ｉ、薄膜の膜厚は２００Ｘ〜５
０００ Ｘが好ましい。この膜厚が２００ｘ未満では良
好な接合が得られず、５０００Ｘを超えるとａ−８１薄
膜での光吸収が大さくなり、いずれも変換効率を著しく
低下させるからである。
図面に示す４端子型薄展太陽電池を製造した。
ガラス基板１上にＣＶＤ法により膜厚７０００ ＲのＳ
ｎＯの第１の透明電極２を形成し、その上にグロー放電
分解法によりｐ−１−ｎ接合を有するａ−８１薄膜３を
形成した。ａ−３ｉ薄膜３のｐ型ＭはＳｉＨ、（１！Ｈ
ＳＨ及びＢＨを原料ガスとして基板’ｆｅ度１ｓｏｒ−
ｒ２ｏｏｆ ）膜厚ニ、ｔＷＦ２ＨｔｓｔＨヲ原料ガス
として基板温度２２０Ｃで５００ＯＡの膜厚に、及びｎ
型層はＳｉＨとＰＨを原料ガスとして基板温度２００Ｃ
で４００ Ｒの膜厚に夫々形成した。このａ −８１薄
膜３上に、錫とインジウムを酸化雰囲気で真空蒸着して
酸化インジウム錫の第２の透明電極４を形成し、これを
太陽光入射側の第１の太陽電池５とした。
ｎＯの第１の透明電極２を形成し、その上にグロー放電
分解法によりｐ−１−ｎ接合を有するａ−８１薄膜３を
形成した。ａ−３ｉ薄膜３のｐ型ＭはＳｉＨ、（１！Ｈ
ＳＨ及びＢＨを原料ガスとして基板’ｆｅ度１ｓｏｒ−
ｒ２ｏｏｆ ）膜厚ニ、ｔＷＦ２ＨｔｓｔＨヲ原料ガス
として基板温度２２０Ｃで５００ＯＡの膜厚に、及びｎ
型層はＳｉＨとＰＨを原料ガスとして基板温度２００Ｃ
で４００ Ｒの膜厚に夫々形成した。このａ −８１薄
膜３上に、錫とインジウムを酸化雰囲気で真空蒸着して
酸化インジウム錫の第２の透明電極４を形成し、これを
太陽光入射側の第１の太陽電池５とした。
別に、ステンレス謂基板６上に、基板温度４００Ｃで真
空蒸着法により膜厚０．４μｍのｐ型Ｃｕ Ｓ薄膜 膜７を形成した。このｐ型ＣｕＳ薄膜７上に、ｎ型ａ−
３ｉ薄膜８を、基板温度２００ＣでのＳｉＨ。
空蒸着法により膜厚０．４μｍのｐ型Ｃｕ Ｓ薄膜 膜７を形成した。このｐ型ＣｕＳ薄膜７上に、ｎ型ａ−
３ｉ薄膜８を、基板温度２００ＣでのＳｉＨ。
ＣＨ，Ｈ及びＰＨからなる原料ガスのグロー放電分解に
より、膜厚８００Ｒに形成した。更に、ｎ型層−８ｉ薄
膜８上に上記と同様にして膜厚０．２５μｍの酸化錫イ
ンジウムの第３の透明電極９を形成し、これを第２の太
陽電池１０とした。
より、膜厚８００Ｒに形成した。更に、ｎ型層−８ｉ薄
膜８上に上記と同様にして膜厚０．２５μｍの酸化錫イ
ンジウムの第３の透明電極９を形成し、これを第２の太
陽電池１０とした。
第１の太陽電池の第２の透明電極４と、第２の太陽電池
１０の第３の透明電極９とを対向させ、両者間をシリコ
ーン樹脂のような透明樹脂１）で貼り合せることにより
、第１の太＠電池５と第２の太陽電池１０を光学的に直
列に配置した４端子型薄膜太陽電池を製造した。
１０の第３の透明電極９とを対向させ、両者間をシリコ
ーン樹脂のような透明樹脂１）で貼り合せることにより
、第１の太＠電池５と第２の太陽電池１０を光学的に直
列に配置した４端子型薄膜太陽電池を製造した。
得られた４端子型薄膜太陽電池の第１の太陽電池５と第
２の太陽電池１０の各々から出力を取り出し、出力特性
をＡＭ１．５で１００ ｍＷ／ｅの光のもとで測定した
ところ、第１の太陽電池５からは９．６％の変換効率が
及び第２の太陽電池１０からは６．３％の変換効率が得
られ、４端子型薄膜太陽電池全体として１５．９％の高
い変換効率が得られた。
２の太陽電池１０の各々から出力を取り出し、出力特性
をＡＭ１．５で１００ ｍＷ／ｅの光のもとで測定した
ところ、第１の太陽電池５からは９．６％の変換効率が
及び第２の太陽電池１０からは６．３％の変換効率が得
られ、４端子型薄膜太陽電池全体として１５．９％の高
い変換効率が得られた。
尚、第２の太陽電池の製造において、Ｃｕ Ｓ薄膜
膜の成膜時の基板温度がａ −Ｓ ｉ薄膜の成膜時の基
板温度よりも高いことが好ましい。従って、成膜順序は
Ｃｕ Ｓ薄膜を先に丁べきである。
板温度よりも高いことが好ましい。従って、成膜順序は
Ｃｕ Ｓ薄膜を先に丁べきである。
本発明によれば、通常の薄膜化技術により大面積で変換
効率の高い４端子型薄膜太陽電池を低コストで提供する
ことができる。
効率の高い４端子型薄膜太陽電池を低コストで提供する
ことができる。
図面は本発明の４端子型薄膜太陽電池の一例な示す断面
図である。 １・・ガラス基板 ２・・第１の透明電極３・・ａ−Ｓ
ｉ薄膜 ４・・第２の透明電極５・・第１の太＠電池
６・・ステンレス鋼基板７ ・ｐ型ＣｕＳ薄膜 １３−
ｎ型層−３ｉ薄膜９・・第３の透明電極 １０・・第２
の太陽電池１）・・透明樹脂 出願人 住友電気工業株式会社 ７′、・７−゛・ 、″、゛′
図である。 １・・ガラス基板 ２・・第１の透明電極３・・ａ−Ｓ
ｉ薄膜 ４・・第２の透明電極５・・第１の太＠電池
６・・ステンレス鋼基板７ ・ｐ型ＣｕＳ薄膜 １３−
ｎ型層−３ｉ薄膜９・・第３の透明電極 １０・・第２
の太陽電池１）・・透明樹脂 出願人 住友電気工業株式会社 ７′、・７−゛・ 、″、゛′
Claims (3)
- （１）２層の透明電極の間に形成したアモルファスシリ
コン薄膜からなる第１の太陽電池と、少なくとも片方が
透明電極である２層の電極の間に積層して接合させたア
モルファスシリコン薄膜と硫化銅薄膜とからなる第２の
太陽電池とを具え、第１の太陽電池と第２の太陽電池を
光学的に直列に配置し、第１の太陽電池と第２の太陽電
池の各々から出力を取り出すことを特徴とする４端子型
薄膜太陽電池。 - （２）第２の太陽電池のアモルファスシリコン薄膜がｎ
型であり、硫化銅薄膜がｐ型であることを特徴とする、
特許請求の範囲（１）項記載の４端子型薄膜太陽電池。 - （３）第２の太陽電池のｎ型アモルファスシリコン薄膜
の膜厚が２００Å〜５０００Åであることを特徴とする
、特許請求の範囲（２）項記載の４端子型薄膜太陽電池
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP87305173A JPH01146373A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | ４端子型薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP87305173A JPH01146373A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | ４端子型薄膜太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01146373A true JPH01146373A (ja) | 1989-06-08 |
Family
ID=17941940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP87305173A Pending JPH01146373A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | ４端子型薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01146373A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033497A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Nihon University | 太陽電池並びに太陽電池パネル |
| KR20120027046A (ko) * | 2009-06-05 | 2012-03-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 광전 변환 디바이스 및 그 제조 방법 |
| JP2015092642A (ja) * | 2009-07-08 | 2015-05-14 | トタル マルケタン セルヴィス | 多接合及び多電極を有する光起電性電池の製造方法 |
| WO2021220925A1 (ja) * | 2020-04-27 | 2021-11-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP87305173A patent/JPH01146373A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033497A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Nihon University | 太陽電池並びに太陽電池パネル |
| KR20120027046A (ko) * | 2009-06-05 | 2012-03-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 광전 변환 디바이스 및 그 제조 방법 |
| JP2015092642A (ja) * | 2009-07-08 | 2015-05-14 | トタル マルケタン セルヴィス | 多接合及び多電極を有する光起電性電池の製造方法 |
| WO2021220925A1 (ja) * | 2020-04-27 | 2021-11-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3490964B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH0370183A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH0577308B2 (ja) | ||
| JPS6384075A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS5846074B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH01146373A (ja) | ４端子型薄膜太陽電池 | |
| JPH09172193A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPH09162431A (ja) | 並列型集積化太陽電池 | |
| JP3646953B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JPH0125235B2 (ja) | ||
| JP2002016271A (ja) | 薄膜光電変換素子 | |
| JP2004095669A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP2936269B2 (ja) | アモルファス太陽電池 | |
| JP2632740B2 (ja) | 非晶質半導体太陽電池 | |
| JPS61135167A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JP2946214B2 (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPH01140778A (ja) | 薄膜光起電力素子 | |
| JP2669926B2 (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JP2630657B2 (ja) | 集積型多層アモルファス太陽電池の製造方法 | |
| JPS6358974A (ja) | アモルフアス光起電力素子 | |
| JP2884171B2 (ja) | アモルファス太陽電池 | |
| JP2004335733A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPH01128476A (ja) | 積層型光起電力装置 | |
| JP3143392B2 (ja) | 積層型太陽電池 | |
| JP2713799B2 (ja) | 薄膜太陽電池 |