JPH01145732A - Parity bit generating system - Google Patents

Parity bit generating system

Info

Publication number
JPH01145732A
JPH01145732A JP62303611A JP30361187A JPH01145732A JP H01145732 A JPH01145732 A JP H01145732A JP 62303611 A JP62303611 A JP 62303611A JP 30361187 A JP30361187 A JP 30361187A JP H01145732 A JPH01145732 A JP H01145732A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
parity bit
circuit
error correction
read
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62303611A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsuratoshi Nakano
連利 中野
Yuji Shibata
柴田 雄司
Yozo Igi
井木 洋三
Kazuo Nagabori
和雄 長堀
Hisamitsu Tanihira
久光 谷平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP62303611A priority Critical patent/JPH01145732A/en
Publication of JPH01145732A publication Critical patent/JPH01145732A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30Hydrogen technology
    • Y02E60/50Fuel cells

Landscapes

  • Detection And Correction Of Errors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To curtail the data output time and to operate the storage device at a high speed by providing a logical value inverting circuit so that an error correction time by a parity bit generating circuit is absorbed in an error correction time of an error correcting circuit. CONSTITUTION:A parity bit generating circuit 16 receives a data dr read out of a storage circuit 14, and generates a parity bit pr to the data dr. A logical value inverting circuit 100 receives the parity bit pr generated by the parity bit generating circuit 16, and a correction executing signal ec for showing whether an error correcting circuit 15 performed an error correction to the data dr or not, and when it is shown that the correction executing signal ec has performed the error correction, a logical value of the parity bit pr is inverted, and outputted as a correction parity bit pc. In such a way, an error correction time by the parity bit generating circuit is absorbed in the error correction time, a data output time is curtailed and a storage device can be operated at a high speed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 記憶回路から読出されたデータに誤り訂正を施し、パリ
テイビットを付加して出力する記憶装置におけるパリテ
ィビット生成方式に関し、記憶装置のデータ出力時間を
極力短縮することを目的とし、 誤り訂正符号付きデータを記憶する記憶回路と、記憶回
路から読出された誤り訂正符号付きデータを受信し、デ
ータに対して一ビットの誤り訂正を施し、訂正データと
して出力する誤り訂正回路とを具備する記憶装置におい
て、記憶回路から読出されたデータを受信し、データに
対するパリティビットを生成するパリテイビット生成回
路と、パリティビット生成回路が生成するパリティビッ
トと、誤り訂正回路がデータに対して誤り訂正を施した
か否かを示す訂正実行信号とを受信し、正実行信号が誤
り訂正を施したことを示す場合に、パリティビットの論
理値を反転し、訂正パリテイビットとして出力する論理
値反転回路とを設ける様に構成する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a parity bit generation method in a storage device that performs error correction on data read from a storage circuit, adds a parity bit, and outputs the data, the data output time of the storage device is minimized. A storage circuit that stores data with an error correction code, and a memory circuit that receives the data with an error correction code read from the storage circuit, performs one-bit error correction on the data, and outputs it as corrected data. a parity bit generation circuit that receives data read from the storage circuit and generates a parity bit for the data; a parity bit generated by the parity bit generation circuit; and an error correction circuit. receives a correction execution signal indicating whether or not error correction has been performed on the data, and when the correct execution signal indicates that error correction has been performed, inverts the logic value of the parity bit and corrects the correction parity bit. The configuration is such that a logical value inverting circuit is provided to output the output as follows.

〔産業上の利用分野] 本発明は記憶装置に係り、特に記憶回路から読出された
データに誤り訂正を施し、パリティビットを付加して出
力する記憶装置におけるパリティビット生成方式に関す
る。
[Industrial Field of Application] The present invention relates to a storage device, and more particularly to a parity bit generation method in a storage device that performs error correction on data read from a storage circuit, adds a parity bit, and outputs the data.

例えば電子交換機等において、中央制御装置等からデー
タバスを経由して伝達されたデータを書込み、また読出
したデータをデータバスを経由して中央制御装置等に伝
達する記憶装置において、データには書込みおよび読出
しの際にデータバスを伝送される間と、記憶回路に記憶
されている間とに誤りが発生する可能性があり、それぞ
れ誤りの発生確率に応じた対策が講じられている。
For example, in electronic exchanges, etc., data transmitted from a central control unit etc. via a data bus is written, and in a storage device that transmits read data to a central control unit etc. via a data bus, data is written. There is also a possibility that an error may occur during data transmission over a data bus during reading and during storage in a storage circuit, and countermeasures are taken depending on the probability of error occurrence.

本発明においては、データバスを伝送されるデータには
パリティビットを付加して一ビットの誤りを検出可能と
し、記憶回路に書込むデータには誤り訂正符号を付加し
て一ビットの誤りを訂正可能とし、且つ二ビットの誤り
検出可能とする記憶装置を対象としている。
In the present invention, a parity bit is added to the data transmitted on the data bus so that a single bit error can be detected, and an error correction code is added to the data written to the memory circuit to correct a single bit error. The target is a storage device that is capable of detecting two-bit errors.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第4図はこの種の従来ある記憶装置の一例を示す図であ
り、第5図は第4図におけるデータ出力時間を例示する
図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a conventional storage device of this type, and FIG. 5 is a diagram illustrating the data output time in FIG. 4.

第4図および第5図において、記憶装置lに対し、アド
レス/制御バス2を経由して書込みアドレスawが入力
され、またデータバス3を経由して、例えば奇数パリテ
ィ則に基づき生成された書込みパリティピッI−p。を
付加した書込みデータdwが入力されると、パリティ検
査回路(PC)12は入力された書込みパリティビット
p。付きの書込みデータdwに対し、奇数パリティ則に
基づき誤りの有無を検査し、検査結果を示す書込み誤り
検出信号eWを記憶制御回路(MC)11に伝達する。
4 and 5, a write address aw is input to the storage device l via the address/control bus 2, and a write address aw generated based on the odd parity rule, for example, is input via the data bus 3. Paritipi I-p. When the write data dw to which p is added is input, the parity check circuit (PC) 12 checks the input write parity bit p. The write data dw with the tag is checked for errors based on the odd parity rule, and a write error detection signal eW indicating the check result is transmitted to the storage control circuit (MC) 11.

一方誤り訂正符号生成回路(ECCG)13は、入力さ
れた書込みデータd。に対して、−ビットの誤りを訂正
可能とし、二ビットの誤りを検出可能とする書込み誤り
訂正符号cwを生成し、記憶回路(MEM)14の誤り
符号記憶部(C)142に入力する。
On the other hand, the error correction code generation circuit (ECCG) 13 receives the input write data d. For this, a write error correction code cw that can correct a - bit error and detect a 2-bit error is generated and input to the error code storage section (C) 142 of the memory circuit (MEM) 14.

なお記憶回路14のデータ記憶部CD)141には、書
込みデータdwが入力される。
Note that write data dw is input to the data storage unit CD) 141 of the storage circuit 14.

記憶制御回路11は、パリティ検査回路12から伝達さ
れた書込み誤り検出信号ewが、誤り検出状態(例えば
論理“1“)に設定されている場合には、記憶回路14
に対して書込み制御を行わず、アドレス/制御バス2に
誤り検出を示す応答信号mを送出するが、書込み誤り検
出信号e。が誤り無検出状態(例えば論理“O”)に設
定されている場合には、記憶回路14に対して書込みア
ドレスa8を入力し、入力された書込みデータd1をデ
ータ記憶部141に、また書込み誤り訂正符号c、を娯
り符号記憶部142に、それぞれ書込ませる。
When the write error detection signal ew transmitted from the parity check circuit 12 is set to an error detection state (for example, logic "1"), the storage control circuit 11 controls the storage circuit 14.
A response signal m indicating error detection is sent to the address/control bus 2 without performing write control on the write error detection signal e. is set to an error-free state (for example, logic "O"), the write address a8 is input to the memory circuit 14, and the input write data d1 is transferred to the data storage section 141, and the write error is detected. The correction code c is respectively written into the entertainment code storage unit 142.

次に記憶装置1に対し、アドレス/制御バス2を経由し
て読出しアドレスa1が入力されると、記憶制御回路1
1は入力された読出しアドレスa7を記憶回路14に対
して入力し、データ記憶部141の該当読出しアドレス
a、から続出しデータd1を読出し、また誤り符号記憶
部142の該当読出しアドレスa、から続出し誤り訂正
符号C1を続出し、誤り訂正回路(ECC)15に伝達
する。
Next, when the read address a1 is input to the storage device 1 via the address/control bus 2, the storage control circuit 1
1 inputs the input read address a7 to the memory circuit 14, reads the continuous data d1 from the corresponding read address a of the data storage section 141, and also reads the continuous data d1 from the corresponding read address a of the error code storage section 142. The error correction code C1 is successively generated and transmitted to an error correction circuit (ECC) 15.

誤り訂正回路15は、伝達された読出しデータd、およ
び読出し誤り訂正符号c、、に対して所定の誤り検査/
訂正則に基づき、二ビットの誤りの有無を検出し、検査
結果を示す読出し誤り検出信号e1を記憶制御回路11
に伝達すると共に、−ビットの誤り発生個所を検査し、
検出された場合には誤り発生個所を訂正(論理値反転)
して訂正データdcを生成し、データバス3に出力する
と共に、パリティビット生成回路(PC)16に伝達す
る。
The error correction circuit 15 performs a predetermined error check on the transmitted read data d and the read error correction code c, .
Based on the correction rule, the presence or absence of a two-bit error is detected and a read error detection signal e1 indicating the inspection result is sent to the storage control circuit 11.
In addition to transmitting the information to the - bit error location,
If detected, correct the error location (logical value inversion)
The corrected data dc is generated and outputted to the data bus 3 as well as transmitted to the parity bit generation circuit (PC) 16.

パリティビット生成回路16は、伝達された訂正データ
dcに対し、奇数パリティ検査則に基づき訂正パリテイ
ビットpcを生成し、誤り訂正回路15が出力する訂正
データdcと共にデータバス3に出力する。
The parity bit generation circuit 16 generates a correction parity bit pc based on the odd parity check rule for the transmitted correction data dc, and outputs it to the data bus 3 together with the correction data dc output by the error correction circuit 15.

なお誤り訂正回路15が読出しデータd、に二ビットの
誤りを検出し、読出し誤り検出信号e。
Note that the error correction circuit 15 detects a two-bit error in the read data d, and outputs a read error detection signal e.

を誤り検出状態(例えは論理“1”)に設定した場合に
は、記憶制御回路11はアドレス/制御バス2に誤り検
出を示す応答信号mを出力し、データバス3に出力され
た訂正データdcが無効であることを通知する。
When set to an error detection state (for example, logic "1"), the storage control circuit 11 outputs a response signal m indicating error detection to the address/control bus 2, and corrects the corrected data output to the data bus 3. Notify that dc is invalid.

以上の時間経過は、第5図に示す如く、記憶装置1に読
出しアドレスa、が入力されてから、読出し時間t1経
過後に、記憶回路14から読出しデータd1および読出
し誤り訂正符号C,,が続出され、次に誤り訂正時間1
を経過後に、誤り訂正回路15から訂正データdcが出
力され、更にパリテイビット生成時間t、経過後に、パ
リティビット生成回路16から訂正パリテイビットpc
が出力されることとなる。
As shown in FIG. 5, after the read address a is input to the storage device 1 and the read time t1 has elapsed, the read data d1 and the read error correction code C, , are successively output from the memory circuit 14 as shown in FIG. and then error correction time 1
After the elapse of t, the error correction circuit 15 outputs the corrected data dc, and further after the elapse of the parity bit generation time t, the parity bit generation circuit 16 outputs the corrected parity bit pc.
will be output.

〔発明が解決しようとする問題点1 以上の説明から明らかな如く、従来ある記憶装置におい
ては、アドレス/制御バス2から読出しアドレスa、が
入力されてから、データバス3に訂正パリテイビットp
c付きの訂正データdcが出力される迄のデータ出力時
間は、第5図に示す如< (t、+tz +t+ )と
なり、記憶装置の高速化を阻害する問題点があった。
[Problem to be Solved by the Invention 1] As is clear from the above description, in a conventional storage device, after the read address a is input from the address/control bus 2, the correction parity bit p is input to the data bus 3.
The data output time until the correction data dc with c is outputted is < (t, +tz +t+) as shown in FIG. 5, which poses a problem that hinders the speeding up of the storage device.

本発明は、記憶装置のデータ出力時間を極力短縮するこ
とを目的とする。
The present invention aims to shorten the data output time of a storage device as much as possible.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

第1図は本発明の原理を示す図である。 FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention.

第1図において、14は誤り訂正符号cr付きデータd
rを記憶する記憶回路、15は記憶回路14から読出さ
れた誤り訂正符号C1付きデータdrを受信し、データ
d、に対して−ビットの誤り訂正を施し、訂正データd
cとして出力する誤り訂正回路である。
In FIG. 1, 14 is data d with error correction code cr.
A storage circuit 15 for storing data r receives the data dr with error correction code C1 read from the storage circuit 14, performs -bit error correction on the data d, and stores the corrected data d.
This is an error correction circuit that outputs as c.

16は、本発明により設けられたパリティビット生成回
路である。
16 is a parity bit generation circuit provided according to the present invention.

100は、本発明により設けられた論理値反転回路であ
る。
100 is a logic value inversion circuit provided according to the present invention.

〔作用〕[Effect]

パリティビット生成回路16は、記憶回路14から読出
されたデータd、を受信し、該データd1に対するパリ
ティビットprを生成する。
Parity bit generation circuit 16 receives data d read from storage circuit 14 and generates parity bit pr for data d1.

論理値反転回路100は、パリティビット生成回路16
が生成するパリテイビットprと、誤り訂正回路15が
データd、に対して誤り訂正を施したか否かを示す訂正
実行信号ecとを受信し、該訂正実行信号ecが誤り訂
正を施したことを示す場合に、パリティビットPrの論
理値を反転し、訂正パリティビットpcとして出力する
The logic value inversion circuit 100 includes a parity bit generation circuit 16
The parity bit pr generated by , the logical value of the parity bit Pr is inverted and output as a corrected parity bit pc.

従って、記憶回路からデータおよび誤り訂正符号が読出
されてから、訂正パリテイビット付き訂正データが記憶
装置から出力される迄の経過時間は、殆ど誤り訂正回路
の誤り訂正時間により定まり、パリティビット生成回路
による誤り訂正時間は誤り訂正時間に吸収されることと
なり、データ出力時間が削減され、当該記憶装置の高速
化が促進される。
Therefore, the elapsed time from when data and error correction codes are read from the storage circuit until corrected data with corrected parity bits is output from the storage device is determined mostly by the error correction time of the error correction circuit, and The error correction time by the circuit is absorbed by the error correction time, the data output time is reduced, and the speed of the storage device is promoted.

〔実施例] 以下、本発明の一実施例を図面により説明する。〔Example] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第2図は本発明の一実施例による記憶装置を示す図であ
り、第3図は第2図におけるデータ出力時間を例示する
図である。なお、企図を通じて同一符号は同一対象物を
示す。
FIG. 2 is a diagram showing a storage device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram illustrating the data output time in FIG. 2. Note that the same reference numerals refer to the same objects throughout the plan.

第2図においては、第1図における論理値反転回路10
0として、排他論理和回路17が設けられている。
In FIG. 2, the logical value inversion circuit 10 in FIG.
0, an exclusive OR circuit 17 is provided.

第2図および第3図において、記憶装置1に対し、アド
レス/制御バス2を経由して書込みアドレスa。が入力
され、またデータバス3を経由して、例えば奇数パリテ
ィ則に基づき生成された書込みパリティビットP、を付
加した書込みデータdwが入力されると、第4図におけ
ると同様の過程で、パリティ検査回路(PC)12が書
込みパリテイビットp。付きの書込みデータd。に対し
て奇数パリティ則に基づき誤りの有無を検査し、誤りが
検出されなかった場合には、誤り訂正符号生成回路(E
CCG)13が生成する書込み誤り訂正符号C8と、デ
ータバス3から入力された書込みデータd、とか、記憶
回路(MEM)14の誤り符号記憶部(C)142とデ
ータ記憶部(D)141との該当書込みアドレスa、に
それぞれ書込まれる。
In FIGS. 2 and 3, a write address a is written to the storage device 1 via an address/control bus 2. is input, and when write data dw with a write parity bit P generated based on the odd parity rule is input via the data bus 3, the parity is changed in the same process as in FIG. The check circuit (PC) 12 writes parity bit p. Write data with d. The presence or absence of an error is checked based on the odd parity rule, and if no error is detected, an error correction code generation circuit (E
The write error correction code C8 generated by the CCG) 13, the write data d input from the data bus 3, and the error code storage section (C) 142 and data storage section (D) 141 of the memory circuit (MEM) 14. are written to the corresponding write address a, respectively.

かかる状態で、記憶装置lに対し、アドレス/制御バス
2を経由して読出しアドレスa、が入力されると、記憶
制御回路(MC)11は入力された読出しアドレスa、
を記憶回路14に対して入力し、データ記憶部(D)1
41の該当読出しアドレスa、から読出しデータd、を
続出して誤り訂正回路(ECC)15とパリティビット
生成回路(PC)16とに伝達し、また誤り符号記憶部
(C)14−2の該当読出しアドレスa、から続出し誤
り訂正符号C1を続出して誤り訂正回路15に伝達する
In this state, when a read address a is input to the storage device l via the address/control bus 2, the memory control circuit (MC) 11 reads the input read address a,
is input to the storage circuit 14, and the data storage section (D) 1
The read data d is sequentially output from the corresponding read address a of 41 and transmitted to the error correction circuit (ECC) 15 and the parity bit generation circuit (PC) 16, and the corresponding read data d of the error code storage unit (C) 14-2 is sequentially transmitted to the error correction circuit (ECC) 15 and the parity bit generation circuit (PC) 16. The error correction code C1 is successively read out from the read address a and transmitted to the error correction circuit 15.

誤り訂正回路15は、伝達された読出しデータdrおよ
び読出し誤り訂正符号Crに対して所定の誤り検査/訂
正剤に基づき、二ビットの誤りの有無を検出し、検査結
果を示す読出し誤り検出信号erを記憶制御回路11に
伝達すると共に、−ビットの誤り発生個所を検査し、検
出された場合には誤り発生個所を訂正(論理値反転)し
て訂正データdcを生成し、データバス3に出力する。
The error correction circuit 15 detects the presence or absence of a two-bit error on the transmitted read data dr and read error correction code Cr based on a predetermined error check/correction agent, and outputs a read error detection signal er indicating the test result. is transmitted to the storage control circuit 11, and the location where the - bit error occurs is checked, and if detected, the error location is corrected (logical value inverted) to generate corrected data dc, which is output to the data bus 3. do.

なお誤り訂正回路15は、データ記憶部141から読出
された読出しデータd、に対して何等誤り訂正を施さず
、その侭訂正データdcとして出力した場合には、訂正
実行信号ecを論理゛0”に設定して排他論理和回路1
7に伝達し、またデータ記憶部141から読出された読
出しデータd、に対して−ビットの誤り訂正を施し、訂
正データdcとして出力した場合には、訂正実行信号e
。を論理“1°′に設定して排他論理和回路17に伝達
する。
Note that when the error correction circuit 15 does not perform any error correction on the read data d read from the data storage section 141 and outputs it as the still-corrected data dc, the error correction circuit 15 sets the correction execution signal ec to logic "0". Exclusive OR circuit 1 by setting
7 and read data d read from the data storage section 141 is subjected to -bit error correction and output as corrected data dc, the correction execution signal e
. is set to logic "1°" and transmitted to the exclusive OR circuit 17.

パリテイビット生成回路16は、データ記憶部141か
ら読出された読出しデータd、に対して奇数パリティ検
査則に基づき読出しパリテイビットprを生成し、排他
論理和回路17に伝達する。
Parity bit generation circuit 16 generates read parity bit pr for read data d read from data storage section 141 based on the odd parity check rule, and transmits it to exclusive OR circuit 17 .

排他論理和回路17は、誤り訂正回路15から伝達され
る訂正実行信号ecと、パリテイビット生成回路16か
ら伝達される読出しパリティビットprとの排他論理和
処理を実行し、実行結果を訂正パリティビットT)cと
してデータバス3に出力する。
The exclusive OR circuit 17 executes exclusive OR processing on the correction execution signal ec transmitted from the error correction circuit 15 and the read parity bit pr transmitted from the parity bit generation circuit 16, and converts the execution result into a corrected parity. It is output to the data bus 3 as bit T)c.

即ち排他論理和回路17は、誤り訂正回路15から伝達
される訂正実行信号ecが論理“0°“に設定される場
合には、パリテイビット生成回路16から伝達される読
出しパリティビットPrの論理値を反転すること無く、
その侭訂正パリテイビットpcとして、出力するが、誤
り訂正回路15から伝達される訂正実行信号ecが論理
“1パに設定される場合には、パリテイビット生成回路
16から伝達される読出しパリティビットp1の論理値
を反転し、訂正パリテイビットpcとして出力する。
That is, when the correction execution signal ec transmitted from the error correction circuit 15 is set to logic "0°", the exclusive OR circuit 17 selects the logic of the read parity bit Pr transmitted from the parity bit generation circuit 16. without inverting the value,
However, when the correction execution signal ec transmitted from the error correction circuit 15 is set to logic "1", the read parity transmitted from the parity bit generation circuit 16 is output as the side correction parity bit pc. The logical value of bit p1 is inverted and output as a corrected parity bit pc.

従って、データ記憶部141から読出されたデータd、
が、訂正を受けること無く訂正パリティビットPcとし
てデータバス3に出力される場合には、読出しデータd
、から生成された読出しパリティビットprがその侭訂
正パリティビットpゎとしてデータバス3に出力され、
またデータ記憶部141から読出されたデータd、が−
ビットの訂正(論理値反転)を受けて訂正パリテイビッ
トpcとしてデータバス3に出力される場合には、読出
しデータd、から生成された読出しパリテイビットpr
も論理値を反転されて訂正パリティビットpcとしてデ
ータバス3に出力される為、訂正パリティビットpcは
常に訂正データdcに対して正確なパリティビットとな
る。
Therefore, the data d read from the data storage section 141,
is output to the data bus 3 as the corrected parity bit Pc without being corrected, the read data d
The read parity bit pr generated from , is outputted to the data bus 3 as the correction parity bit p,
Moreover, the data d read from the data storage section 141 is -
When the bit is corrected (logical value inversion) and output to the data bus 3 as a corrected parity bit pc, the read parity bit pr generated from the read data d is
Since the logical value of the corrected parity bit pc is inverted and outputted to the data bus 3 as the corrected parity bit pc, the corrected parity bit pc always becomes an accurate parity bit with respect to the corrected data dc.

以上の時間経過は、第3図に示す如く、記憶装置1に読
出しアドレスa、が入力されてから、読出し時間tl経
過後に、記憶回路14から読出しデータd、、および読
出し誤り訂正符号C1が読出された後、誤り訂正回路1
5からは誤り訂正時間t2経過後に訂正データdeと訂
正実行信号ecとが出力され、これと並行してパリティ
ビット生成回路16からはパリティビット生成時間t3
経過後に読出しパリティビットp1が出力されることと
なる。
As shown in FIG. 3, after the read address a is input to the storage device 1 and the read time tl has elapsed, the read data d and the read error correction code C1 are read out from the storage circuit 14, as shown in FIG. After the error correction circuit 1
5 outputs the correction data de and the correction execution signal ec after the error correction time t2 has elapsed, and in parallel, the parity bit generation circuit 16 outputs the correction data de and the correction execution signal ec after the error correction time t2 has elapsed.
After the lapse of time, the read parity bit p1 will be output.

通常パリテイビット生成時間t、は、誤り訂正時間t2
に比し短時間である為、訂正データdcが出力される以
前に読出しパリティビットp、が出力されており、誤り
訂正回路15から訂正実行信号ecが出力されると、論
理値反転時間t4経過後に訂正パリティビットpcとし
て出力されることとなる。
The normal parity bit generation time t is the error correction time t2
Since it is a short time compared to , the read parity bit p is output before the correction data dc is output, and when the correction execution signal ec is output from the error correction circuit 15, the logical value inversion time t4 has elapsed. It will be output later as a corrected parity bit pc.

なお論理値反転時間t4は、誤り訂正時間t2或いはパ
リテイビット生成時間t、に対して無視可能な時間であ
る為、第3図におけるデータ出力時間は、略(t++t
2)に等しくなり、第5図におけるデータ出力時間に比
し、略パリティビット生成時間t3丈短縮される。
Note that since the logical value inversion time t4 is a time that can be ignored with respect to the error correction time t2 or the parity bit generation time t, the data output time in FIG. 3 is approximately (t++t
2), and compared to the data output time in FIG. 5, the parity bit generation time is reduced by approximately t3.

以上の説明から明らかな如く、本実施例によれば、パリ
ティビット生成回路16がデータ記憶部141から読出
された読出しデータdrに対して直ちに読出しパリティ
ビットp、を生成し、誤り訂正回路15が読出しデータ
d1に対して−ビットの誤り訂正を施すか否かにより論
理値を操作して訂正パリティビットPcとしている為、
データ出力時間が従来に比し、パリテイビット生成時間
t3丈短縮される。
As is clear from the above description, according to this embodiment, the parity bit generation circuit 16 immediately generates the read parity bit p for the read data dr read from the data storage section 141, and the error correction circuit 15 Since the corrected parity bit Pc is set by manipulating the logical value depending on whether or not to perform -bit error correction on the read data d1,
The data output time is reduced by the parity bit generation time t3 compared to the conventional case.

なお、第2図および第3図はあく迄本発明の一実施例に
過ぎず、例えばパリティ検査回路12およびパリティビ
ット生成回路16は奇数パリティ則に基づくものに限定
されることは無く、偶数パリティ則に基づ(ことも考慮
されるが、かかる場合にも本発明の効果は変わらない。
Note that FIGS. 2 and 3 are only one embodiment of the present invention, and for example, the parity check circuit 12 and the parity bit generation circuit 16 are not limited to those based on the odd parity rule, but are based on even parity rules. (Although this is also considered, the effect of the present invention does not change even in such a case.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上、本発明によれば、前記記憶装置において、記憶回
路からデータおよび誤り訂正符号が続出されてから、訂
正パリティビット付き訂正データが記憶装置から出力さ
れる迄の経過時間は、殆ど誤り訂正回路の誤り訂正時間
により定まり、パリティビット生成回路による誤り訂正
時間は誤り訂正時間に吸収されることとなり、データ出
力時間が削減され、当該記憶装置の高速化が促進される
As described above, according to the present invention, in the storage device, the elapsed time from when data and error correction codes are successively outputted from the storage circuit to when corrected data with corrected parity bits is outputted from the storage device is almost the same as when the error correction circuit The error correction time by the parity bit generation circuit is absorbed by the error correction time, reducing the data output time and promoting higher speed of the storage device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の原理を示す図、第2図は本発明の一実
施例による記憶装置を示す図、第3図は第2図における
データ出力時間を例示する図、第4図は従来ある記憶装
置の一例を示す図、第5図は第4図におけるデータ出力
時間を例示する図である。 図において、1は記憶装置、2はアドレス/制御バス、
3はデータバス、11は記憶制御回路(MC)、12は
パリティ検査回路(PC)、13は誤り訂正符号生成回
路(ECCG) 、14は記憶回路(MEM) 、15
は誤り訂正回路(ECC)、16はパリティビット生成
回路(PC)、17は排他論理和回路、100は論理値
反転回路、141はデータ記憶部CD)、142は誤り
符号7P−レイ6日月 の原理C口 亭 1 口 ! n(功ち8月(二乃言乙′慝l(翌り 牛 2 口 亭2区(二%17るテ′ニタ5之)1;力日等P暑各 
4 圀 乎4区B;お(邦データ用力「げ5 榮 5 (2)
Fig. 1 is a diagram showing the principle of the present invention, Fig. 2 is a diagram showing a storage device according to an embodiment of the invention, Fig. 3 is a diagram illustrating the data output time in Fig. 2, and Fig. 4 is a diagram illustrating the conventional method. FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a certain storage device, and is a diagram illustrating the data output time in FIG. 4. In the figure, 1 is a storage device, 2 is an address/control bus,
3 is a data bus, 11 is a memory control circuit (MC), 12 is a parity check circuit (PC), 13 is an error correction code generation circuit (ECCG), 14 is a memory circuit (MEM), 15
16 is an error correction circuit (ECC), 16 is a parity bit generation circuit (PC), 17 is an exclusive OR circuit, 100 is a logical value inversion circuit, 141 is a data storage unit (CD), 142 is an error code 7P-Ray 6th month Principle of C mouth 1 mouth! n (Kengachi August (two words Otsu'ki l (next day))
4 Kuni 4 Ward B; O (Japanese data usage ``Ge 5 Ei 5 (2)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 誤り訂正符号(c_r)付きデータ(d_r)を記憶す
る記憶回路(14)と、該記憶回路(14)から読出さ
れた前記誤り訂正符号(c_r)付きデータ(d_r)
を受信し、該データ(d_r)に対して−ビットの誤り
訂正を施し、訂正データ(d_c)として出力する誤り
訂正回路(15)とを具備する記憶装置において、 前記記憶回路(14)から読出されたデータ(d_r)
を受信し、該データ(d_r)に対するパリテイビット
(p_r)を生成するパリテイビット生成回路(16)
と、 該パリテイビット生成回路(16)が生成する前記パリ
テイビット(p_r)と、前記誤り訂正回路(15)が
前記データ(d_r)に対して誤り訂正を施したか否か
を示す訂正実行信号(e_c)とを受信し、該訂正実行
信号(e_c)が誤り訂正を施したことを示す場合に、
前記パリテイビット(p_r)の論理値を反転し、訂正
パリテイビット(p_c)として出力する論理値反転回
路(100)とを設けことを特徴とするパリテイビット
生成方式。
[Claims] A memory circuit (14) for storing data (d_r) with an error correction code (c_r), and a data (d_r) with the error correction code (c_r) read from the memory circuit (14).
an error correction circuit (15) that receives -bit error correction on the data (d_r) and outputs it as corrected data (d_c), the storage device comprising: data (d_r)
a parity bit generation circuit (16) that receives the data (d_r) and generates a parity bit (p_r) for the data (d_r).
and a correction execution indicating whether or not the parity bit (p_r) generated by the parity bit generation circuit (16) and the error correction circuit (15) have performed error correction on the data (d_r). signal (e_c), and when the correction execution signal (e_c) indicates that error correction has been performed,
A parity bit generation method, comprising: a logic value inversion circuit (100) that inverts the logic value of the parity bit (p_r) and outputs it as a corrected parity bit (p_c).
JP62303611A 1987-12-01 1987-12-01 Parity bit generating system Pending JPH01145732A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62303611A JPH01145732A (en) 1987-12-01 1987-12-01 Parity bit generating system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62303611A JPH01145732A (en) 1987-12-01 1987-12-01 Parity bit generating system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01145732A true JPH01145732A (en) 1989-06-07

Family

ID=17923079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62303611A Pending JPH01145732A (en) 1987-12-01 1987-12-01 Parity bit generating system

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01145732A (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55157042A (en) * 1979-05-28 1980-12-06 Toshiba Corp Information processor
JPS5965357A (en) * 1982-10-05 1984-04-13 Fujitsu Ltd Control system for production of parity bit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55157042A (en) * 1979-05-28 1980-12-06 Toshiba Corp Information processor
JPS5965357A (en) * 1982-10-05 1984-04-13 Fujitsu Ltd Control system for production of parity bit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900002604B1 (en) Restoring method and apparatus for the error of processor
JPH01145732A (en) Parity bit generating system
JPS62242258A (en) Storage device
JP2806856B2 (en) Diagnostic device for error detection and correction circuit
JP2818659B2 (en) Error correction method
JPS60214043A (en) Pipeline control circuit
JPH06301604A (en) Storage reproducing system
JPH0520215A (en) Information processor
JPH02103639A (en) Microprogram error correction circuit
JPH01171033A (en) Arithmetic unit
JPH04199247A (en) Pseudo-memory error generation circuit
JPS6373437A (en) Checking system for parity circuit
JPS63216150A (en) Storage device
JPS59110098A (en) Error correcting device of data storage device
JPS58186851A (en) Error checking device
JP2000010871A (en) Method and system for memory patrol
JPH0371236A (en) Error detecting system
JPS58207155A (en) Diagnosing system of error correcting circuit
JPH064412A (en) Local memory inspecting/correcting circuit
US20120290904A1 (en) Error generation direction circuit, storage unit, information processing apparatus and control method of error generation direction circuit
JPH0198033A (en) Detecting circuit for data error
JPH0484246A (en) Memory rewrite system
JPH03168838A (en) Parity checking system
JPH01201735A (en) Microprocessor device
JPH01133147A (en) Data processor