JPH06301604A - Storage reproducing system - Google Patents

Storage reproducing system

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Publication number
JPH06301604A
JPH06301604A JP5091077A JP9107793A JPH06301604A JP H06301604 A JPH06301604 A JP H06301604A JP 5091077 A JP5091077 A JP 5091077A JP 9107793 A JP9107793 A JP 9107793A JP H06301604 A JPH06301604 A JP H06301604A
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JP
Japan
Prior art keywords
address
data
parity
error
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP5091077A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuyuki Sase
信之 佐瀬
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH06301604A publication Critical patent/JPH06301604A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a storage reproducing system capable of detecting an address error by a comparatively compact circuit without being influenced by the size of address information. CONSTITUTION:This memory reproducing system is provided with a memory 1, a data register 2, an ECC register 3, an address register 4, an 11 ECC generating circuit 5, an ECC check correcting circuit 6, a parity generating circuit 7 for generating a parity from the address value of the register 4, an EOR circuit 8 for executing the inversion/noninversion of write data, an EOR circuit 10 for inverting an address parity outputted from circuit 7 in accordance with the checked result of the circuit 6, and an EOR circuit 9 for executing the inversion/non-inversion of read data in accordance with the address parity and constituted so as to verify an address error by inverting/non-inverting writing data in accordance with the address parity, and at the time of reading out the inverted/non-inverted data from the memory 1, inverting/non-inverting the data in accordance with the address parity and an ECC check result, thin, verifying the address error.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、記憶再生技術に関し、
特に、半導体メモリを用いた記憶装置などにおける動作
の信頼性向上に有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a storage / reproduction technique,
In particular, the present invention relates to a technique effective in improving the reliability of operation in a storage device using a semiconductor memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば、半導体メモリ素子を記憶媒体
とする記憶装置などでは、データの入出力に伴うアドレ
スの検証が動作の信頼性を向上させるなどの観点から重
要となる。従来、このようなアドレスの検証技術として
は、たとえば、特開昭55−8617号公報に開示され
た技術が知られている。すなわち、当該技術では、エラ
ー訂正符号の生成時にアドレス情報と格納データとを組
にしてエラー訂正符号を生成し、データの読み出し時に
アドレス情報に対応したエラーが存在することを検出し
てアドレスエラーを通知するものである。
2. Description of the Related Art For example, in a storage device using a semiconductor memory device as a storage medium, verification of an address associated with input / output of data is important from the viewpoint of improving operation reliability. Conventionally, as a technique for verifying such an address, for example, the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 55-8617 has been known. That is, in this technique, when the error correction code is generated, the address information and the stored data are paired to generate the error correction code, and when the data is read, it is detected that an error corresponding to the address information exists, and the address error is detected. It is a notification.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、ア
ドレス情報と格納データを組にしてエラー訂正符号を生
成しているが、アドレス情報の一部のみを使用した場合
には、メモリの全アドレス空間に対してアドレスエラー
を検出することはできない。すなわち、メモリの全アド
レス空間に対してアドレスエラーを検出する必要がある
場合には、アドレス情報の全部を使用してエラー訂正符
号を生成しなければならない。
In the above prior art, the error correction code is generated by combining the address information and the stored data. However, when only a part of the address information is used, all the addresses in the memory are No address error can be detected for space. That is, when it is necessary to detect an address error in the entire address space of the memory, the error correction code must be generated using all the address information.

【0004】このため、アドレスエラーを検出するため
の論理回路の規模がアドレス情報の大きさに比例して増
大する、という問題がある。
Therefore, there is a problem that the scale of the logic circuit for detecting the address error increases in proportion to the size of the address information.

【0005】本発明の目的は、アドレス情報の大きさに
影響されることなく、比較的小規模な回路でアドレスエ
ラーを検出することが可能な記憶再生技術を提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to provide a storage / reproduction technique capable of detecting an address error with a relatively small circuit without being affected by the size of address information.

【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.

【0008】すなわち、本発明は、メモリと、このメモ
リに対する入出力データを一時的に保持するデータレジ
スタと、アクセスするメモリのアドレスを一時的に保持
するアドレスレジスタと、入出力データに対するエラー
訂正符号を生成するエラー訂正符号生成回路と、生成さ
れたエラー訂正符号を一時的に保持するエラー訂正符号
レジスタと、エラー訂正符号に基づいて入出力データに
おけるエラーのチェックおよび訂正を行うエラーチェッ
ク訂正回路とを含む記憶再生システムにおいて、アクセ
スするメモリのアドレスのパリティを生成するパリティ
生成手段と、パリティおよびエラーチェック訂正回路に
おける処理結果の少なくとも一方に基づいて入出力デー
タの反転操作または非反転操作を行うデータ反転手段と
を設け、エラーチェック訂正回路から出力されるチェッ
ク結果とアクセスしたメモリのアドレスのパリティ値か
らアドレスのエラーを検出するものである。
That is, according to the present invention, a memory, a data register for temporarily holding input / output data for the memory, an address register for temporarily holding an address of a memory to be accessed, and an error correction code for the input / output data. An error correction code generation circuit that generates the error correction code, an error correction code register that temporarily holds the generated error correction code, and an error check correction circuit that checks and corrects errors in input / output data based on the error correction code. In a storage / reproduction system including a memory, a parity generating unit that generates a parity of an address of a memory to be accessed, and data that performs an inversion operation or a non-inversion operation of input / output data based on at least one of a parity and a processing result in an error check correction circuit Equipped with reversing means, And detects the error address from the check result and accessed parity value of the address of the memory to be output from the click correction circuit.

【0009】[0009]

【作用】上記した本発明の記憶再生システムは、一例と
して以下のように作用する。
The above-described storage / reproduction system of the present invention operates as follows as an example.

【0010】まず、書込みに際しては、データからエラ
ー訂正符号を生成した後に、当該データの書込みアドレ
ス情報から生成したパリティの値に応じて、当該データ
の一部または全部に反転操作または非反転操作を施し、
エラー訂正符号とともにメモリに書き込む。
First, at the time of writing, after an error correction code is generated from the data, an inversion operation or a non-inversion operation is performed on a part or all of the data according to the parity value generated from the write address information of the data. Giving,
Write to memory with error correction code.

【0011】この時に、生成するパリティは、奇数パリ
ティまたは偶数パリティのいずれでも問題はない。ま
た、データの特定の一部分のみを反転させる場合は、当
該反転部分のビット数がエラー訂正符号によるエラー訂
正能力を越えた値でなければならない。
At this time, the parity to be generated may be either odd parity or even parity. When only a specific part of the data is inverted, the number of bits of the inverted part must be a value exceeding the error correction capability of the error correction code.

【0012】このような書込み操作によってメモリ中に
は、アドレス情報のパリティに対応した非反転データと
反転データが存在する。
Due to such a write operation, non-inverted data and inverted data corresponding to the parity of the address information exist in the memory.

【0013】一方、データの読み出しに際しては、ま
ず、読み出しアドレス情報からパリティを生成し、当該
パリティの値に応じて、読み出したデータに対して反転
操作または非反転操作を施した後、当該データとともに
読み出されたエラー訂正符号を用いてエラーチェックを
実行する。この時、エラーが無ければそのままデータを
出力し、エラー訂正符号で訂正可能な誤りであれば、読
み出したデータの誤りとして訂正する。また、訂正不能
であれば、無条件で当該データの反転操作を行い、再
度、エラー訂正符号を用いてエラーチェックを実行す
る。その結果、データの誤りが検出できない場合には、
アドレス異常が検出されたことになる。また、データの
誤りを検出した時は、訂正不能なデータの誤りが検出さ
れたことになる。
On the other hand, when reading data, first, a parity is generated from the read address information, and the read data is subjected to an inversion operation or a non-inversion operation according to the value of the parity, and then, together with the data. An error check is executed using the read error correction code. At this time, if there is no error, the data is output as it is, and if the error can be corrected by the error correction code, it is corrected as an error of the read data. If the data cannot be corrected, the data inversion operation is unconditionally performed, and the error check is performed again using the error correction code. As a result, if no data error can be detected,
An address error has been detected. When an error in the data is detected, it means that an error in the data that cannot be corrected is detected.

【0014】このように、本発明では、アドレス情報の
パリティと、データのエラー訂正符号によるエラーチェ
ック結果から、ノイズなどに起因するアドレスの1ビッ
トエラーを検出でき、アドレス情報の増加に伴って必要
以上に回路規模を大きくする必要がない。
As described above, according to the present invention, it is possible to detect a 1-bit error of an address due to noise or the like from the parity of the address information and the error check result of the error correction code of the data, which is necessary as the address information increases. It is not necessary to increase the circuit scale more than that.

【0015】また、データの読み出しに際して、当該デ
ータから反転データおよび非反転データを同時に生成
し、エラー訂正符号を用いた上述のエラーチェックを並
行して実行すれば、データエラー、アドレスエラーの一
層の高速化を図ることができる。
Further, when the data is read, if the inverted data and the non-inverted data are generated at the same time from the data and the above-mentioned error check using the error correction code is executed in parallel, the data error and the address error are further improved. The speed can be increased.

【0016】[0016]

【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の一実施
例である記憶再生システムについて詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A storage / playback system according to an embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0017】図1は本実施例の記憶再生システムの構成
の一例を示すブロック図であり、図2は、その作用の一
例を示す概念図である。また、図3および図4は、その
作用の一例を示すフローチャートである。
FIG. 1 is a block diagram showing an example of the configuration of the storage / reproduction system of this embodiment, and FIG. 2 is a conceptual diagram showing an example of its operation. 3 and 4 are flowcharts showing an example of the operation.

【0018】本実施例の記憶再生システムは、たとえ
ば、半導体メモリなどの記憶媒体からなるメモリ1と、
このメモリ1に対して入出力されるデータが格納される
データレジスタ2と、当該データレジスタ2に格納され
たデータから生成され、当該データとともにメモリ1に
入出力されるエラー訂正符号(ECC:Error Correcti
ng Code )を保持するECCレジスタ3と、メモリ1に
おける目的のデータのリード/ライトアドレスが設定さ
れるアドレスレジスタ4とを備えている。
The storage / reproduction system according to the present embodiment includes, for example, a memory 1 including a storage medium such as a semiconductor memory,
A data register 2 in which data input / output to / from the memory 1 is stored, and an error correction code (ECC: Error) generated from the data stored in the data register 2 and input / output to / from the memory 1 together with the data. Correcti
ng Code) and an ECC register 3 for holding the read / write address of the target data in the memory 1.

【0019】ECCレジスタ3には、データレジスタ2
にセットされるライトデータからエラー訂正符号を生成
するECC生成回路5および、データレジスタ2および
ECCレジスタ3を介してメモリ1から読み出されるリ
ードデータと、当該リードデータに対応したエラー訂正
符号とによって当該リードデータのエラーチェックおよ
びエラー訂正を実行するECCチェック訂正回路6が接
続されている。
The ECC register 3 includes a data register 2
The ECC generation circuit 5 for generating an error correction code from the write data set to the read data read from the memory 1 via the data register 2 and the ECC register 3 and the error correction code corresponding to the read data. An ECC check / correction circuit 6 for executing error check and error correction of read data is connected.

【0020】この場合、アドレスレジスタ4のメモリ1
に対する出力側には、当該アドレスレジスタ4に設定さ
れたアドレスからパリティを生成するパリティ生成回路
7が接続され、さらに、このパリティ生成回路7からの
出力は、データレジスタ2に対するライトデータの入出
力経路に介設されたEOR(排他的論理和)回路8の一
方の入力となっている。そして、ライトデータはEOR
回路8を通過する際に、アドレスレジスタ4にセットさ
れたライトアドレスのパリティに応じて、反転または非
反転処理され、データレジスタ2に保持される。
In this case, the memory 1 of the address register 4
A parity generation circuit 7 that generates parity from the address set in the address register 4 is connected to the output side of the parity register 7. The output from the parity generation circuit 7 is an input / output path for write data to the data register 2. It is one of the inputs of an EOR (exclusive OR) circuit 8 interposed between the two. And the write data is EOR
When passing through the circuit 8, it is inverted or non-inverted according to the parity of the write address set in the address register 4 and held in the data register 2.

【0021】また、パリティ生成回路7から出力される
アドレスパリティは、EOR回路10を介して、データ
レジスタ2からECCチェック訂正回路6に至るリード
データの経路に介設されたEOR回路9の入力となって
いる。EOR回路10におけるアドレスパリティの他方
の入力端子には、ECCチェック訂正回路6においてE
CCによる訂正不能が検出された時に出力されるパリテ
ィ反転信号が入力されており、EOR回路9におけるリ
ードデータの反転操作が通常のアドレスパリティによる
反転と逆になるように動作する。
The address parity output from the parity generation circuit 7 is input via the EOR circuit 10 to the input of the EOR circuit 9 provided on the read data path from the data register 2 to the ECC check correction circuit 6. Has become. The other input terminal of the address parity in the EOR circuit 10 is connected to the E in the ECC check correction circuit 6.
A parity inversion signal output when uncorrectable by CC is detected is input, and the read data inversion operation in the EOR circuit 9 operates so as to be the reverse of the normal address parity inversion operation.

【0022】以下、本実施例の作用の一例について説明
する。
An example of the operation of this embodiment will be described below.

【0023】メモリ1へのデータの書込みは、次のよう
にして行われる。まず、アドレスレジスタ4にセットさ
れたメモリアドレスからパリティ生成回路7にてアドレ
スパリティを生成する。次に、このアドレスパリティと
ライトデータをEOR回路8で演算し、当該アドレスパ
リティに応じたライトデータの反転操作または非反転操
作(例えば、パリティ=1:反転、パリティ=0:非反
転)を実行した後、データレジスタ2へセットする。同
時に、ECC生成回路5は、反転または非反転操作を受
ける前のライトデータのECCを生成し、ECCレジス
タ3にセットする。その後、アドレスレジスタ4で指示
されるメモリ1のアドレスへデータレジスタ2にセット
されているライトデータおよびECCレジスタ3にセッ
トされているECCを対にして書き込む。以上のような
データ書込み動作を、図3のフローチャートに示す。
Writing of data to the memory 1 is performed as follows. First, the parity generation circuit 7 generates an address parity from the memory address set in the address register 4. Next, the address parity and the write data are calculated by the EOR circuit 8, and the inversion operation or non-inversion operation (for example, parity = 1: inversion, parity = 0: non-inversion) of the write data according to the address parity is executed. After that, the data is set in the data register 2. At the same time, the ECC generation circuit 5 generates an ECC of the write data before undergoing the inversion or non-inversion operation, and sets it in the ECC register 3. After that, the write data set in the data register 2 and the ECC set in the ECC register 3 are written as a pair to the address of the memory 1 designated by the address register 4. The data write operation as described above is shown in the flowchart of FIG.

【0024】一方、メモリ1からのデータの読み出しは
次のようにして行われる。まず、アドレスレジスタ4に
セットされているリードアドレスで指示されるメモリ1
のアドレスから、データおよび対応するECCを読み出
してデータレジスタ2およびECCレジスタ3にそれぞ
れ格納した後、パリティ生成回路7にて生成されたリー
ドアドレスのパリティとデータをEOR回路9で演算
し、データの反転または非反転処理をした後、ECCチ
ェック訂正回路6でデータのチェックおよび訂正処理を
行い、リードデータを得る。
On the other hand, the reading of data from the memory 1 is performed as follows. First, the memory 1 designated by the read address set in the address register 4
After reading the data and the corresponding ECC from the address of 1 and storing them in the data register 2 and the ECC register 3, respectively, the parity and the data of the read address generated by the parity generation circuit 7 are calculated by the EOR circuit 9, and the data After the inversion or non-inversion processing, the ECC check / correction circuit 6 checks and corrects the data to obtain read data.

【0025】アドレスエラーまたはデータエラーの検出
は、メモリ1からのデータの読み出し時に、ECCチェ
ック訂正回路6で行われる。メモリ1の中に格納される
データは、図2に例示されるように、アドレスのパリテ
ィに対応した反転または非反転状態で記憶されている。
アドレスエラーの検出は、この状態で、例えば、リード
アドレス“011”に1ビットエラーが発生したと仮定
すると、誤ったアドレス値としては、“111”,“0
01”,“010”の三通りの場合があり、読み出しデ
ータは、この三つのアドレスの中の一つから読み出され
る。
The detection of the address error or the data error is performed by the ECC check correction circuit 6 when the data is read from the memory 1. The data stored in the memory 1 is stored in the inverted or non-inverted state corresponding to the parity of the address, as illustrated in FIG.
In this state, assuming that a 1-bit error has occurred in the read address "011", the address error is detected as "111", "0" as an incorrect address value.
There are three cases of "01" and "010", and read data is read from one of these three addresses.

【0026】この三通りの誤ったアドレスに対応して読
み出されるデータは、図2に例示されるようにいずれも
非反転データであるが、アドレスレジスタ4にセットさ
れたデータの正しいリードアドレス“011”のパリテ
ィの値に従い、EOR回路9で反転処理され、ECCチ
ェック訂正回路6で、エラーのチェックが行われる。
The data read corresponding to these three incorrect addresses are all non-inverted data as illustrated in FIG. 2, but the correct read address "011" of the data set in the address register 4 is set. In accordance with the parity value of "", the EOR circuit 9 performs the inversion process, and the ECC check correction circuit 6 checks the error.

【0027】このチェックの結果、ECCの訂正不能な
エラーが検出された場合、パリティ反転信号がEOR回
路10へ出力され、EOR回路9に入力されるパリティ
を反転させる。このパリティの反転により、前記の誤っ
た三つのアドレスのいずれかから読み出されたデータ
は、再び反転され、ECCチェック訂正回路6で再びチ
ェックされる。この二回目のチェックの結果、データの
エラーが検出されない場合は、アドレスの1ビットエラ
ーが検出されたことになり、アドレスエラーを出力す
る。また、この時、他のデータエラーが検出された場合
は、データ自体の訂正不能なエラーを検出したことにな
り、データエラーを出力する。以上のデータ読み出し動
作を、図4のフローチャートに示す。
As a result of this check, when an uncorrectable ECC error is detected, the parity inversion signal is output to the EOR circuit 10 and the parity input to the EOR circuit 9 is inverted. Due to the inversion of the parity, the data read from any of the above-mentioned three erroneous addresses is inverted again, and is checked again by the ECC check correction circuit 6. If no data error is detected as a result of this second check, it means that a 1-bit error in the address has been detected and an address error is output. At this time, if another data error is detected, it means that an uncorrectable error of the data itself is detected, and the data error is output. The above data read operation is shown in the flowchart of FIG.

【0028】また、書込み時におけるアドレスのエラー
は、メモリ1の中でアドレスのパリティと、当該アドレ
スで読み出されるデータの反転または非反転状態が一致
しないため、読み出し時に検出することができる。
An address error at the time of writing can be detected at the time of reading because the parity of the address in the memory 1 does not match the inverted or non-inverted state of the data read at the address.

【0029】データエラーの検出は、一般的なECCの
検出方法によって検出できることはいうまでもない。
It goes without saying that the data error can be detected by a general ECC detecting method.

【0030】このように、本実施例の記憶再生システム
によれば、比較的小規模な回路構成でメモリ1のアドレ
スの1ビットエラーを検出することができる。また、従
来技術のように、アドレス情報とデータを組にしてEC
Cを生成する必要がないので、一般の汎用的な32ビッ
ト、64ビット、128ビットというようなデータ長に
対してのECC生成/訂正回路を用いてアドレスのエラ
ーを検出することができる。さらに、データ長に対して
アドレス長が比較的長い場合でも、ECC生成/訂正回
路を簡略化することができる。
As described above, according to the storage / reproduction system of the present embodiment, it is possible to detect a 1-bit error in the address of the memory 1 with a relatively small circuit configuration. In addition, as in the prior art, the EC is paired with address information and data.
Since it is not necessary to generate C, an address error can be detected by using a general-purpose ECC generation / correction circuit for data lengths such as 32 bits, 64 bits, and 128 bits. Further, the ECC generation / correction circuit can be simplified even when the address length is relatively long with respect to the data length.

【0031】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0032】[0032]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.

【0033】本発明の記憶再生システムによれば、アド
レス情報の大きさに影響されることなく、比較的小規模
な回路でアドレスエラーを検出することができる、とい
う効果が得られる。
According to the storage / reproduction system of the present invention, it is possible to detect an address error with a relatively small circuit without being affected by the size of the address information.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例である記憶再生システムの構
成の一例を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an example of a configuration of a storage / reproduction system that is an embodiment of the present invention.

【図2】その作用の一例を示す概念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram showing an example of the operation.

【図3】その作用の一例を示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing an example of the operation.

【図4】その作用の一例を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing an example of the operation.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 メモリ 2 データレジスタ 3 ECCレジスタ 4 アドレスレジスタ 5 ECC生成回路 6 ECCチェック訂正回路 7 パリティ生成回路(パリティ生成手段) 8 EOR回路(データ反転手段) 9 EOR回路(データ反転手段) 10 EOR回路(データ反転手段) 1 memory 2 data register 3 ECC register 4 address register 5 ECC generation circuit 6 ECC check correction circuit 7 parity generation circuit (parity generation means) 8 EOR circuit (data inversion means) 9 EOR circuit (data inversion means) 10 EOR circuit (data (Reversing means)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 メモリと、このメモリに対する入出力デ
ータを一時的に保持するデータレジスタと、アクセスす
る前記メモリのアドレスを一時的に保持するアドレスレ
ジスタと、前記入出力データに対するエラー訂正符号を
生成するエラー訂正符号生成回路と、生成された前記エ
ラー訂正符号を一時的に保持するエラー訂正符号レジス
タと、前記エラー訂正符号に基づいて前記入出力データ
におけるエラーのチェックおよび訂正を行うエラーチェ
ック訂正回路とを含む記憶再生システムであって、アク
セスする前記メモリのアドレスのパリティを生成するパ
リティ生成手段と、前記パリティおよび前記エラーチェ
ック訂正回路における処理結果の少なくとも一方に基づ
いて前記入出力データの反転操作または非反転操作を行
うデータ反転手段とを備え、前記エラーチェック訂正回
路から出力されるチェック結果とアクセスした前記メモ
リのアドレスのパリティ値から前記アドレスのエラーを
検出することを特徴とする記憶再生システム。
1. A memory, a data register for temporarily holding input / output data for the memory, an address register for temporarily holding an address of the memory to be accessed, and an error correction code for the input / output data. Error correction code generation circuit, an error correction code register that temporarily holds the generated error correction code, and an error check correction circuit that checks and corrects errors in the input / output data based on the error correction code And a parity generation means for generating a parity of an address of the memory to be accessed, and an inversion operation of the input / output data based on at least one of the parity and a processing result in the error check correction circuit. Or a data inversion means for performing non-inversion operation A storage / reproduction system comprising: a check result output from the error check / correction circuit and an address error detected from a parity value of an address of the accessed memory.
JP5091077A 1993-04-19 1993-04-19 Storage reproducing system Pending JPH06301604A (en)

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Applications Claiming Priority (1)

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JP5091077A JPH06301604A (en) 1993-04-19 1993-04-19 Storage reproducing system

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JP5091077A Pending JPH06301604A (en) 1993-04-19 1993-04-19 Storage reproducing system

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Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100460708B1 (en) * 1997-09-23 2005-05-24 삼성전자주식회사 Error check and correcting circuit for testing of semiconductor memory
JP2016170679A (en) * 2015-03-13 2016-09-23 株式会社デンソー Semiconductor device
JP2020194357A (en) * 2019-05-28 2020-12-03 株式会社東芝 Information processing circuit and information processing method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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