JPH01144468A

JPH01144468A - チタニウムフタロシアニン化合物，その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体

Info

Publication number: JPH01144468A
Application number: JP30377387A
Authority: JP
Inventors: Toshio Enokida; 年男榎田
Original assignee: Toyo Ink Mfg Co Ltd
Current assignee: Toyo Ink SC Holdings Co Ltd
Priority date: 1987-12-01
Filing date: 1987-12-01
Publication date: 1989-06-06

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、中心金属としてチタニウムを含有するフタロ
シアニン化合物およびその製造方法に関し。

さらには、それを電荷発生剤として用いた優れた露光感
度特性２分光感度を有する電子写真感光体に関する。

（従来の技術）従来、電子写真感光体の感光体としては、セレン。

セレン合金、酸化亜鉛、硫化カドミウムおよびテルルな
どの無機光導電体を用いたものが主として使用されて来
た。近年、半導体レーザーの発展は目覚ましく、小型で
安定したレーザー発振器が安価に入手出来るようになり
、電子写真用光源として用いられ始めている。しかし、
これらの装置に短波長光を発振する半導体レーザーを用
いるのは、寿命、出力等を考えれば問題が多い。従って
、従来用いられて来た短波長領域に感度を持つ材料を半
導体レーザー用に使うには不適当であり、長波長領域（
７８０ｎｍ以上）に高感度を持つ材料を研究する必要が
生じて来た。最近は有機系の材料、特に長波長領域に感
度を持つことが期待されるフタロシアニンを使用し、こ
れを積層した積層型有機感光体の研究が盛んに行なわれ
ている。例えば、二価のフタロシアニンとしては、ε型
銅フタロシアニン（ε−ＣｕＰｃ）、Ｘ型無金属フタロ
シアニン（Ｘ−Ｈ２Ｐｃ）、　　τ型無金属フタロシア
ニン（τ−Ｈ２Ｐｃ）が長波長領域に感度を持つ。三価
、四価の金属フタロシアニンとしては、クロロアルミニ
ウムフタロシアニン（ＡβＰｃＣ１）、クロロアルミニ
ウムフタロシアニンクロライド（ＣＩＡｊ２ＰｃＣ１）
、オキソチタニウムフタロシアニン（ＴｉＯＰＣ）また
はクロロインジウムフタロシアニン（ＩｎＰｃＣりを蒸
着し２次いで可溶性溶媒の蒸気に接触させて長波長、高
感度化する方法（特開昭５７−３９４８４号、特開昭５
９−１６６９５９号公報）、第■族金属としてＴｉ。

ＳｎおよびＰｂを含有するフタロシアニンを各種の置換
基、誘導体またはクラウンエーテルなどのシフト化剤を
用いて長波長処理をする方法（特願昭５９−３６２５４
号、特願昭５９−２０４０４５号）により、長波長領域
に感度を得ている。

特開昭５９−１６６９５９号公報記載の、基板上にオキ
ソチタニウムフタロシアニンまたはインジウムクロロフ
タロシアニンを蒸着し２次いで、可溶性溶媒の蒸気に接
触させることにより作成した電荷発生層を設けた電子写
真感光体は、蒸着層を結晶化するため、膜厚が不均一に
なり電子写真緒特性低下および画像欠陥を引き起す。ま
た、特開昭５９−４９５４４号公報記載の、オキソチタ
ニウムフタロシアニンを使用して電荷発生層を作成し、
その上に２゜６−シメトキシー９．１０−ジヒドロキシ
アントラセンを原料とするポリエステルを主成分する電
荷移動層を設けた電子写真感光体は、残留電位が高く。

使用方法に制約が多い。

従来、公知のオキソチタニウムフタロシアニンは。

強固に凝集した塊状粒子であり、凝集した粒子間に含ま
れる不純物が多く、結晶化の際に必ず結晶成長するため
、また顔料粒子径が大きいなどのために。

それらを用いて蒸着および分散塗布された電荷発生層は
、均一性および分散安定性を欠いていた。それにより、
均質な電荷発生層を得ることが難しく、美しい画像を得
ることや安定性のある感光体を得ることは出来なかった
。

例えば特開昭５９−４９５４４号、特開昭５９−１６６
９５９号公報に示されているＸ線回折図から明らかなよ
うに、使用されているオキソチタニウムフタロシアニン
は光吸収効率が十分でなく、電荷発生層のキャリア発生
効率の低下、電荷移動層へのキャリアーの注入効率の低
下、さらには、長期にわたる繰り返し使用時の耐劣化特
性、耐剛性９画像安定性などの電子写真緒特性を十分満
足していない欠点があった。

また、特開昭６１−１０９０５６号、特開昭６１−１７
１７７１号およびＵＳＰ４．６６４．９９７により、熱
水処理した後、Ｎ−メチルピロリドン処理して精製した
チタンフタロシアニン化合物とバインダポリマーを含む
電荷発生層を設けた電子写真感光体は、Ｎ−メチルピロ
リドンによる熱懸濁処理の前後に使用されるアルコール
類およびエーテル類は極性が強いため、精製工程中チタ
ンフタロシアニン化合物の結晶粒子は強固に凝集し、そ
の後の精製は困難になる。合成時に生成する酸類、中間
不純物は凝集粒子の中や表面に残りやすく、そのために
次の工程で使用されるＮ−メチルピロリドンは分解し２
反応を起こし電気的緒特性は低下せざるを得ない。

これらの場合光吸収効率が十分でなく、電荷発生層のキ
ャリア発生効率の低下、電荷移動層へのキャリアーの注
入効率の低下、さらには、長期にわたる繰り返し使用時
の耐劣化特性、耐剛性１画像安定性などの電子写真緒特
性を十分満足していない欠点があった。

プリンター用のデジタル光源として、ＬＥＤも実用化さ
れている。可視光領域のＬＥＤも使われているが、一般
に実用化されているものは、６５０ｎｍ以上、標準的に
は６６０ｎｍの発振波長を持っている。

アゾ化合物、ペリレン化合物、セレン、酸化亜鉛等は、
６５０ｎｍ前後で充分な光感度を有するとは言えない。

従来までに報告されているオキソチタニウムフタロシア
ニンを電荷発生剤に用いた電子写真感光１の最大感度波
長は７８０〜８３０（ｎｍ）のみにあり、６００〜７０
０　　（ｎｍ）の感度は低くなり。

ＬＥＤ用感光感光体ては不十分であった。

（発明が解決しようとする問題点）本発明の目的は、優れた露光感度特性１分光感度に加え
て、長期にわたる繰り返し使用時の耐劣化特性、耐刷性
、および画像安定性を有する電子写真感光体を得ること
にある。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段および作用）本発明は、
Ｘ線回折図において、ブラッグ角度（２θ±０．２’）
の６．９°および２３．４”の位置に明確なＸ線回折ピ
ークを示すチタニウムフタロシアニン化合物であり、か
つ、その二本のＸ線回折ピーク強度がそれぞれ他のＸ線
回折ピーク強度の２倍以上の強度であるチタニウムフタ
ロシアニン化合物に関する。さらに詳細に言えば、ブラ
ッグ角度（２θ±０．２°）の６．９’、１５．５°お
よび２３．４°の位置に明確なＸ線回折ピークを示すチ
タニウムフタロシアニン化合物であり、かつ、６．９’
および２３．４０のＸ線回折ピーク強度が、それぞれ他
のＸ線回折ピーク強度の２倍以上の強度であるチタニウ
ムフタロシアニンであり、チタニウムフタロシアニン化
合物およびフタロシアニン分子のベンゼン核に置換基を
有するフタロシアニン誘導体をアシッドペースティング
またはアシッドスラリーを行った後に、乾式および／ま
たは湿式ミリングを行うこと、または。

チタニウムフタロシアニン化合物をアシッドペースティ
ングまたはアシッドスラリーを行った後に、フタロシア
ニン分子に置換基を有するフタロシアニン誘導体を加え
て乾式および／または湿式ミリングを行うチタニウムフ
タロシアニン化合物の製造方法に関する。さらには、電
荷発生剤および電荷移動剤を使用してなる電子写真感光
体において、電荷発生剤が該チタニウムフタロシアニン
化合物である電子写真感光体により前記の目的を達成し
た。本発明で使用されるチタニウムフタロシアニン化合
物は、いずれの置換基、置換基数を有していても良い。

また。

単独または二種類以上の化学構造式を示すチタニウムフ
タロシアニン化合物の混合物であっても良い。

従来、報告されている結晶性粗大粒子を電荷発生層に含
有した電子写真感光体は、光吸収効率の低下により、キ
ャリア発生数が減少し光感度が低下する。

また電荷発生層が不均一のため電荷輸送層に対するキャ
リアの注入効率も低下し、その結果、静電特性としては
、インダクション現象が起きたり２表面電位が低下した
り、繰り返し使用時の電位安定性が劣る等の感光体の感
度上好ましくない現象が生じる。

また５画像としても均質性を欠き、微小な欠陥を生じる
。

電荷発生層として使用されるオキソチタニウムフタロシ
アニンは、λ＝１．５４１８　（Ａ、　　Ｕ、　”）の
Ｃｕｋαの放射線を用いて２θ（±２＠）＝９．２’。

１３．１”、２０．７゜、２６．２”および２７．１”
（θはブラッグ角）にＸ線回折ピークを持つもの（特開
昭５９−４９５４４号）、２θ＝７．５　＠、　　１２
．６　’。

１３．０゜、２５．４°２６．２＠および２８．６°に
Ｘ線回折ピークを持つもの（特開昭５９−１６６９５９
号）、２θ＝７．５゜、１２．３゜、１６．３゜、２５
．３０および２８．７”にＸ線回折ピークを持つα型（
特開開６１−２３９２４８号）、２θ＝９．３゜、１０
゜６”、　　１３．２’、　　１５．１’、　　１５．
７　　゜、１６．１　　°。

２０．８゜、　　２３．３　”、　　２６．３°および
２７．１’にＸ線回折ピークを持つβ型（特開昭６２−
６７０９４号、ＵＳＰ４．６６４．９９７号）が公知で
あるが、これらは結晶型のオキソチタニウムフタロシア
ニンであり、それぞれの方法で合成および溶剤で精製さ
れた材料は前記記載の理由で問題が多く、高品位の感光
体であるとは言い難い。本発明のチタニウムフタロシア
ニン化合物を電荷発生剤として用いた感光体は２以上に
示したオキソチタニウムフタロシアニンに比べて光露光
時の感度が良く２分光感度も６００〜８５０（ｎｍ）の
範囲でほぼ一定の良好な値を示す。

以下に本発明のチタニウムフタロシアニン化合物の製造
方法を示す。

一般的にフタロシアニンは、フタロジニトリルと金属塩
化物とを加熱融解または有機溶媒存在下で加熱するフタ
ロジニトリル法、無水フタル酸を尿素および金属塩化物
と加熱融解または有機溶媒存在下で加熱するワイラー法
、シアノベンズアミドと金属塩とを高温で反応させる方
法、ジリチウムフタロシアニンと金属塩を反応させる方
法があるが、これらに限定されるものではない。また有
機溶媒としては。

α−クロロナフタレン、β−クロロナフタレン、α−メ
チルナフタレン、メトキシナフタレン、ジフェニルエタ
ン、エチレングリコール、ジアルキルエーテル、キノリ
ン、スルホラン、ジクロロベンゼン。

ジクロロトルエンなどの反応不活性な高沸点の溶媒が望
ましい。すなわち１本発明のチタニウムフタロシアニン
化合物は２例えばフタロジニトリルとチタニウム化合物
（望ましくは副生成物が少なく低価格である四塩化チタ
ンを）上記の有機溶媒中、１５０〜３００℃の温度範囲
で加熱攪拌して合成することが出来る。また、フタロジ
ニトリルの代りに、ジイミノイソインドリンなどのイン
ドリン系化合物、もしくは、１−アミノ−３−イミノイ
ソインドレニンなどのインドレニン系化合物を使用する
ことも出来。

チタニウム化合物も、四塩化チタンに限らず、三塩化チ
タン、四臭化チタンなどであっても良い。

本発明で使用するチタニウムを含有するフタロシアニン
は、モーザーおよびトーツスの［フタロシアニン化合物
Ｊ　　（Ｍｏｓｅｒ　　ａｎｄ　　Ｔｈｏｍａｓ”Ｐｈ
ｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ　　　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ”
）等の公知方法および前記の適切な方法によって得られ
た合成物を酸、アルカリ、アセトン、メチルエチルケト
ン、テトラヒドロフラン、ピリジン。

キノリン、スルホラン、α−クロロナフタレン、トルエ
ン、ジオキサン、キシレン、クロロホルム、四塩化炭素
、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロプロパ
ン、Ｎ、Ｎ’　　−ジメチルアセトアミド。

Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ、Ｎ’　　−ジメチルホルム
アミド等により精製して得られる。精製法としては洗浄
法、再結晶法、ソックスレー等の抽出法、および熱懸濁
法などがある。また、昇華精製することも可能である。

精製方法は、これらに限られるものではな（、未反応物
２反応副生成物および不純物を取り除く作用であればい
ずれでも良い。

なお９本発明に係わるチタニウムフタロシアニン化合物
とは、主としてＴｉＯを中心核とするフタロシアニン化
合物である。但し、ＴｔＣｌ２．ＴｔＢｒ２等を中心核
とするものを出発材料として使用することができるが９
種々の処理によって簡単に中心核がＴｉＯとなるために
ＴｔＣｌ、、ＴｉＢｒ、等を中心核とするものは安定し
て得にくい。また、チタニウムフタロシアニン化合物と
して、低ハロゲン化チタニウムフタロシアニン化合物で
あってもよい。

以上の方法で得られたチタニウムフタロシアニン化合物
は、充分な感度および緒特性を有するものではない。従
って、さらに結晶転移工程を加えて目的の結晶を得るこ
とが出来る。本発明のチタニウムフタロシアニン化合物
は、以下の工程で製造される。

すなわち、前記工程で作製したチタニウムフタロシアニ
ン化合物に、フタロシアニン分子に置換基を有するフタ
ロシアニン誘導体（または金属酸化物）を添加した後に
、アシッドペースティングまたはアシッドスラリー法に
より処理を行う。

アシッドペースティング法、アシッドスラリー法は、従
来より知られている硫酸等の強酸を用いる顔料化法であ
る。粗顔料（ｃｒｕｄｅ　ｐｉｇｍｅｎｔ）をやや大量
の濃硫酸等に溶解して処理するのがアシッドペースティ
ング法であり、顔料を溶解するには不十分な量と濃度の
硫酸等で処理する方法がアシッドスラリー法である。

得られたチタニウムフタロシアニン化合物は、溶剤処理
や湿式磨砕法により結晶成長が促進される。

すなわち、結晶成長が促進されると各ブラッグ角度のピ
ーク強度が大きくなる。この角度にＸ′！ＩＡ回折ピー
クを持つチタニウムフクロシアニン化合物は、従来報告
されているオキソチタニウムフタロシアニンに比べて、
電荷発生剤として使用した場合に極めて優れた電子写真
特性が得られる。その理由は、他の結晶に比べて光導電
性の良好な結晶状態であること。

また、湿式ミリング法で充分に微細化されたためである
。

フタロシアニン分子に置換基を有するフタロシアニン誘
導体を、上記工程中に使用すること、すなわち、置換基
を有するフタロシアニン分子を、フタロシアニンの配向
中に加えることにより、結晶性を調整して該結晶状態に
変えるのである。フタロシアニン誘導体は、中心にチタ
ニウム（Ｔ　ｉ　Ｏ）を配位したものが望ましいが、無
金属または銅、ニッケル。

コバルト、アルミニウム、ガリウム、バナジウム等金属
または金属の酸化物もしくは塩化物を中心核としたもの
のいずれでも良い。

また、置換基としては、アミノ基、ニトロ基、アルキル
基、アルコキシ基、シアノ基、メルカプト基。

ハロゲン原子などがあり′、さらにスルホン基、カルボ
ン酸基、またはそれらの金属塩、アンモニウム基。

アミン塩などを比較的簡単な置換基として例示すること
ができる。さらに、ベンゼン核にアルキレン基。

スルホニル基、カルボニル基、イミノ基などを介して種
々の置換基を導入することができ、これらは。

従来フタロシアニン顔料の技術約分、野において凝集防
止剤、結晶成長防止剤あるいは結晶転移防止剤として公
知のもの（例えばＵＳＰ４０８８５０７号）を使用する
ことができる。

また、フタロシアニン誘導体に代えて、フタロシアニン
系窒素同構体でも良く、各種のポルフィン類。

例えばフタロシアニンのベンゼン核の一つをキノリン核
に置き換えたテトラピリジノポルフィラジンでも良い。

またフタロシアニン系に限らず、酸化チタン、酸化亜鉛
、酸化ケイ素などの無機化合物を加えて結晶の配向を低
下させることも出来る。チタニウムフタロシアニン化合
物とフタロシアニン分子に置換基を有するフタロシアニ
ン誘導体（フタロシアニン系窒素同構体や無機化合物で
も良い）の混合割合は、置換基の種類やチタニウムフタ
ロシアニン化合物の結晶状態などによって異なるが、望
ましくは１００１５０（重量比）〜１００１０．１（重
量比）が良い。

また、粗合成時に置換基を有する結晶性チタニウムフタ
ロシアニン化合物を作製し、フタロシアニン誘導体の混
合割合を減らす、または混合することなしに本発明のチ
タニウムフタロシアニン化合物を得ることも出来る。

末法により得られた。チタニウムフタロシアニン化合物
は、電荷発生層の塗工性を向上すること、および安定的
に高感度を得ることを目的として１粒子を均一にする工
程が必要である。すなわち、チタニウムフタロシアニン
化合物の化学的処理直後の粒子。

または処理後にＴＨＦやアセトン等の溶剤により結晶を
整えた粒子を機械的ミリング法により、歪力やせん断力
を加えて調整される。

使用される装置としては、ニーグー、バンバリーミキサ
−、アトライター、エツジランナーミル、ロールミル、
ボールミル、サンドミル、５ＰＥＸミル。

ホモミキサー、ディスパーザ−、アジター、ショークラ
ッシャー、スタンプミル、カッターミル、マイクロナイ
ザー等あるが、これらに限られるものではない。

使用される分散メディアとしては１例えば、ガラスピー
ズ、スチールビーズ、ジルコニアビーズ、アルミナボー
ル、ジルコニアボール、鋼球、フリント石が挙げられる
が、必ずしも必要ではない。

また、必要があれば９食塩やばう硝等の磨砕助剤を使用
することも可能である。粒子の調整は歪力やせん断力が
試料に最も効率良く加わる乾式法、または粒子の均一調
整の容易な湿式法が選択される。湿式法は、ミリング時
に液状の溶剤を使用する。例えば、グリセリン、エチレ
ングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチレ、ン
グリコール等のアルコール系溶剤、カルピトール系溶剤
、セロソルブ系溶剤。

ケトン系溶剤、エステルケトン系溶剤等の中から１種以
上選択される。

また、フタロシアニン分子に置換基を有するフタロシア
ニン誘導体は、アシッドペースティングやアシ・７ドス
ラリー法などの化学的処理の前に混合しても良いし、化
学的処理後に混合して機械的ミリングしても良い。

本発明のチタニウムフタロシアニン化合物を得るために
は、５０℃以下の温度が好ましい。ミリング時の発熱の
ために４０〜５０℃まで発熱するが。

外部より加熱を加えずにミリングを続けることにより安
定した温度が得られる。すなわち、加熱による結晶の成
長を押さえ、ミリングにより結晶を転移することにより
２本発明のチタニウムフタロシアニン化合物のＸ線回折
ピークの結晶面が得られるのである。

本発明により得られたチタニウムフタロシアニン化合物
を用いた電荷発生層は、光吸収効率の大きな均一層であ
り、電荷発生層中の粒子間、電荷発生層と電荷移動層の
間、電荷発生層と下引き層または導電性基板の間の空隙
が少なく、繰り返し使用時での。

電位安定性、明部電位の上昇防止等の電子写真感光体と
しての特性、および２画像欠陥の減少、耐剛性環、多く
の要求を満足する電子写真感光体を得ることができる。

ｎ型感光体は、導電性基板上に、下引き層、電荷発生層
、電荷移動層の順に積層し作成される。またｐ型感光体
は、下引き層上に電荷移動層、電荷発生層の順に積層し
たもの、または、下引き層上に電荷発生剤と電荷移動剤
とを適当な樹脂と共に分散塗工し作成されたものがある
。両怒光体ともに必要があれば表面保護およびトナーに
よるフィルミング防止等の意味でオーバーコート層を設
けることも出来る。

また、下引き層は、必要がなければ除くことが出来る。

本発明のチタニウムフタロシアニン化合物は、前記各種
感光体についてすべて好適に用いられる。また、電荷発
生層は、チタニウムフタロシアニン化合物と樹脂とを適
切な溶媒とで分散塗工して得られるが、必要であれば、
樹脂を除いて溶媒のみで分散塗工しても使用出来る。

また電荷発生層を蒸着により得ることは公知であるが１
本発明により得られた材料は、微小な一次粒子まで処理
され、また粒子間に存在した不純物が除去されるために
きわめて効率良く蒸着することが出来、蒸着用材料とし
ても有効である。

感光体の塗工は、スピンコーター、アプリケーター、ス
プレーコーター、バーコーター、］ｔ！コーター、ドク
ターブレード、ローラーコーター、カーテンコーター、
ビードコーター装置を用いて行ない。

乾燥は、４０〜２００℃、１０分〜６時間の範囲で静止
または送風条件下で行なう。乾燥後膜厚は０．０１から
５ミクロン、望ましくは０．１から１ミクロンになるよ
うに塗工される。

電荷発生層を塗工によって形成する際に用いうるバイン
ダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき。

またポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアント
ラセンやポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマー
から選択できる。好ましくは、ポリビニルブチラール、
ボリアリレート（ビスフェノールＡとフタル酸の縮重合
体など）、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキ
シ樹脂、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリル
アミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリビニルピリジン、セ
ルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコ
ン樹脂、ポリスチレン、ポリケトン樹脂、ポリ塩化ビニ
ル、塩ビー酸ビ弁型合体、ポリビニルアセタール、ポリ
ビニルホルマール、ポリアクリロニトリル、フェノール
樹脂、メラミン樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール
、ポリビニルピロリドン等の絶縁性樹脂を挙げることが
できる。電荷発生層中に含有する樹脂は、１００重量％
以下、好ましくは４０重量％以下が適している。またこ
れらの樹脂は、１種または２種以上組合せて用いても良
い。これらの樹脂を溶解する溶剤は樹脂の種類によって
異なり、後述する電荷発生層や下引き層を塗工時に影響
を与えないものから選択することが好ましい。具体的に
はベンゼン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼンなどの芳香族炭化水素、アセトン
、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン
類。

メタノール、エタノール、イソプロパツールなどのアル
コール類、酢酸エチル、メチルセロソルブ、などのエス
テル類、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロルメタン、
ジクロルエタン、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル
類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチル
アセトアミドなどのアミド類、およびジメチルスルホキ
シドなどのスルホキシト類が用いられる。蒸着法により
電荷発生層を形成することも出来、１０−５〜１０−’
Ｔｏｒｒ程度の真空下で蒸着し、膜厚は０．０１から５
ミクロン、望ましくは０．０５から０．５ミクロンが良
い。

電荷移動層は、電荷移動剤単体または結着剤樹脂に溶解
分散させて形成される。電荷移動物質としては電子移動
物質と正孔移動性物質があり、電子移動物質としては、
クロルアニル、ブロモアニル、テトラシアノエチレン、
テトラシアノキノジメタン、２゜４、７−　トリニトロ
−９−フルオレノン、２．４．５．７−テトラニトロ−
９−フルオレノン、２．４．７−１−リートロー９−ジ
シアノメチレンフルオレノン、２．４．５゜７−チトラ
ニトロキ′サントン、２．４．８−）リニトロチオキサ
ントン等の電子吸引性物質やこれら電子吸引物質を高分
子化したもの等がある。

正孔移動物質がとしては、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾ
ール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−メチル−Ｎ
−フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカ
ルバゾール、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチ
リデン−９−エチルカルバゾール、Ｎ、Ｎ−ジフェニル
ヒドラジノ−３−メチリデン−１０−エチルフェノチア
ジン、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン
−１０−エチルフェノキサジン、Ｐ−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｐ−
ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−
Ｎ−フェニルヒドラゾン、Ｐ−ピロリジノベンズアルデ
ヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、２−メチル−４
−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−１′−エチル−
１′−ベンゾチアゾリルヒドラゾン、２−メチル−４−
ジベンジルアミノベンズアルデヒド−１′−プロピル−
１１−ベンゾチアゾリルヒドラゾン、２−メチル−４−
ジベンジルアミノベンズアルデヒド−１’、１’−ジフ
ェニルヒドラゾン、９−ニチル力ルバゾール−３−カル
ボキサルデヒド−１′−メチル−１′−フェニルヒドラ
ゾン、１−トリル−１，２，３，４−テトラヒドロキノ
リン−６−カルポキシアルデヒドー１’、１’−ジフェ
ニルヒドラゾン、１．３．３−トリメチルインドレニン
−ω−アルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｐ
−ジエチルベンズアルデヒド−３−メチルベンズチアゾ
リノン−２−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、２．５−ヒ
ス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキ
サジアゾール、１−フェニル−３−（Ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、１−　〔キノリル（２））−３−（Ｐ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（２）　）−３−（
Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）ピラゾリン、１−（６−メドキシーピリ
ジル（２１）　−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１
−〔ピリジル＋３））−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリ
ン、■−〔レビジル（２）〕−３−（Ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）　−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）
ピラゾリン、１−〔ピリジル（２１）　−３−（Ｐ−ジ
エチルアミノスチリル）−４−メチル−５−（Ｐ−ジエ
チルアミノフェニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（２
））−３−（α−メチル−Ｐ−ジエチルアミノスチリル
）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、
１−フェニル−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
４−メチル−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラ
ゾリン、１−フェニル−３−（α−ベンジル−Ｐ−ジエ
チルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）−６−ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラ
ゾリン類、２−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−
ジニチルアミノベンズオキサゾール、２−（Ｐ−ジエチ
ルアミノフェニル）−４−（Ｐ−’；エチルアミノフェ
ニル）−５−（２−クロロフェニル）オキサゾール等の
オキサゾール系化合物。４．４−ビス（２−（４−ジエ
チルアミノフェニル）ビニル〕ビフェニル、α−フェニ
ル−４−Ｎ。

Ｎ−ジフェニル−アミノ−スチルベン等のスチルベン系
化合物、２−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジ
ニチルアミノベンゾチゾール等のチアゾール系化合物、
ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）−フ
ェニルメタン等のトリアリールメタン系化合物、１．１
−ビス（４−Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ−２−メチルフェ
ニル）へブタン、１．１．２．２−テトラキス（４−Ｎ
、Ｎ−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）エタン等
のポリアリールアルカン類、トリフェニルアミン、ポリ
−Ｎ−ビニル力ルバゾール２ポリビニルピレン、ポリビ
ニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９−
ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルムアルデヒ
ド樹脂。

エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂などの化合物
があるが、これらに限られるものではない。

これらの有機電荷移動物質の他に、セレン、セレン−テ
ルル、アモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無
機材料も用いることができる。

また、これらの電荷移動物質は、１種または２種以上組
合せて用いることができる。電荷移動層に用いられる樹
脂は、シリコン樹脂、ケトン樹脂、ポリメチルメタクリ
レート、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂、ボリアリレー
ト、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、
アクリロニトリル−スチレンコポリマー、アクリロニト
リル−ブタジェンコポリマー、ポリビニルブチラール、
ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポリアクリルア
ミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁性樹脂、ポリ
−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、
ポリビニルピレンなどが用いられる。

塗工方法は、スピンコーター２アプリケーター。

スプレーコーター、バーコーター、浸漬コーター。

ドクターブレード、ローラーコーター、カーテンコータ
ー、ビードコーター装置を用いて行ない、乾燥後膜厚は
５から５０ミクロン、望ましくは１０がら２０ミクロン
になるように塗工されるものが良い。

これらの各層に加えて、帯電性の低下防止、接着性向上
などの目的で下引き層を導電性基板上に設けることがで
きる。下引き層として、ナイロン６、ナイロン６６、ナ
イロン１１．ナイロン６１０　、　共重合ナイロン、ア
ルコキシメチル化ナイロンなどのポリアミド、カゼイン
、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン
−アクリル酸コポリマー、ゼラチン、ポリウレタン、ポ
リビニルブチラールおよび酸化アルミニウムなどの金属
酸化物が用いられる。

また、酸化亜鉛、酸化チタン等の金属酸化物、窒化ケイ
素、炭化ケイ素やカーボンブラッグなどの導電性および
誘電性粒子を樹脂中に含有させて調整することも出来る
。

本発明の材料は８００部ｍ以上および６５０部ｍの波長
に吸収ピークを持ち、電子写真感光体として複写機、プ
リンターに用いられるだけでなく、太陽電池。

光電変換素子および光デイスク用吸収材料としても好適
である。

（実　施　例）以下１本発明の実施例について具体的に説明する。

例中で部とは２重量部を示す。

本発明で使用されるフタロシアニン誘導体は例えば以下
の方法で得ることが出来る。ただし、カッコ外のＰｃは
フタロシアニン残基を、数字は分析による平均置換基数
を示す。

（シ灯　余り参考例１オキソチタニウムフタロシアニン１５部、トリクロルベ
ンゼン５００部、塩化アセチルクロライド２５部および
塩化アルミニウム７０部の混合物を６０〜８０℃で８時
間攪拌し、その後水中に投入し固形分を口過、水洗、乾
燥し１次式で示される化合物を得た。なお、　Ｔｉ０Ｐ
ｃ−はオキソチタニウムフタロシアニン残基を示す。

Ｔｉ０Ｐｃ　（Ｃ０Ｃ）ｌｚｃ　ｌ　）＋、　３これに
、アミン類を公知の方法で反応させることにより１表１
に示す種々のフタロシアニン誘導体を得た。

表　　　１参考例２オキソチタニウムフタロシアニンをクロロメチル化した
後に８種々のアミンと反応させて表２に示したフタロシ
アニン誘導体を得た。

表　　　２参考例３常法によりハロゲン化したオキソチタニウムフタロシア
ニンを表３に示す。

表　　　３参考例４常法によりクロルスルホン化したオキソチタニウムフタ
ロシアニンに各種のアミンと反応させて表４に示したフ
タロシアニン誘導体を示した。

０口　余色） Φ 表　　　４参考例５次に中心金属をチタニウム（Ｔ　ｉ　Ｏ）から他の金属
または無金属に代えてフタロシアニン誘導体を作製した
０作製したフタロシアニン誘導体を表５に示す。なお、
　ＣｕＰｃ−は銅フタロシアニン残基、１１２Ｐｃ−は
無金属フタロシアニン残基、ＮｉＰｃ−はニッケルフタ
ロ　−シアニン残基、ＡｌＰｃ−はアルミニウムフタロ
シアニン残基、　ＣｏＰｃ−はコバルトフタロシアニン
残基＋　ＶＯＰｃ−はバナジルフタロシアニン残基、を
それぞれ示す。

表　　　５実施例１〜６゜フタロジニトリル２０．４部、四塩化チタン７．６部を
キノリン１５０部中で２２０℃にて４時間加熱反応後、
水蒸気蒸留で溶媒を除いた。次いで、２％塩酸水溶液、
続いて２％水酸化す）　ＩＪウム水溶液で精製した後に
アセトンで精製し、試料を乾燥してオキシチタニウムフ
タロシアニン（ＴｉＯＰｃ）２１．３部を得た。

得られたＴｉｏＰｃｌＯ部に参考例で作製したフタロシ
アニン誘導体等をそれぞれ表６の割合で添加混合した後
に、２℃の９７％硫酸２００部中に少しずつ溶解し、そ
の混合物を１時間、５℃以下の温度を保ちながら攪拌す
る。続いてこの硫酸溶液を高速攪拌した２０００部の氷
水中にゆっくりと注水して析出した結晶を口過する。結
晶を酸が残留しなくなるまで蒸留水で洗浄した後に乾燥
してチタニウムフタロシアニン化合物を得た。

それぞれの添加剤を加えて作製したチタニウムフタロシ
アニン化合物を湿式ミリング法により目的の結晶型に転
移させた。すなわち、上記方法で作製したチタニウムフ
タロシアニン化合物１０部２禽塩４０部およびボエエチ
レングリコール４０部をサンドミルに入れて、１０時間
ミリングした。ミリング時の温度は４０〜５０℃であっ
た。その後、濾過、水洗、乾燥して試料を得た。実施例
１で得られたチタニウムフタロシアニン化合物のＸ線回
折図を図１に示す。ブラッグ角度（２θ±０．２°）の
６．９゜、１５．５°および２３．４″に明確なＸｖＡ
回折ピークを示し、６．９°および２３．４°のピーク
は、１５．５°のピークの２倍以上の強度を有していた
。実施例２〜６のチタニウムフタロシアニン化合物もほ
ぼ同様のＸ線回折図が得られた。

次に、電子写真感光体の作製方法を述べる。

共重合ナイロン（東し製アミランＣＭ−８０００）１０
部をエタノール１９０部とともにボールミルで３時間部
合し、溶解させた塗液を、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）フィルム上にアルミニウムを蒸着したシート
上に、ワイヤーバーで塗布した後、１００℃で１時間乾
燥させて膜厚０．５ミクロンの下引き層を持つシートを
得た。

本実施例で得たチタニウムフタロシアニン化合物２部を
ＴＨＦ　　９７部にポリビニルブチラール樹脂１部（積
木化学製Ｂ　Ｈ−３”）を溶解した樹脂液とともにボー
ルミルで６時間分散した。

この分散液を下引き層上に塗布し、乾燥させた後。

０．２ミクロンの電荷発生層を形成１次に電荷移動剤と
して、１−フェニル−１，２，３，４−テトラヒドロキ
ノリン−６−カルポキシアルデヒドー１’、１’−ジフ
ェニルヒドラゾン１０部、ポリカーボネート樹脂（奇人
化成製パンライトに１３００）１０部を塩化メチレン１
００重量部に溶かした液を電荷発生層上に塗布、乾燥し
、１５ミクロンの電荷移動層を形成し、電子写真感光体
を得て、その特性を測定した。

実施例７フタロジニトリル２０．４部、四塩化チタン７．６部を
キノリン１５０部中で２２０℃にて４時間加熱反応後、
水蒸気蒸留で溶媒を除いた。次いで、２％塩酸水溶液、
続いて２％水酸化ナトリウム水溶液で精製した後にアセ
トンで精製し、試料を乾燥してオキシチタニウムフタロ
シアニン（Ｔ　ｉ　ＯＰ　ｃ）　　２１．３部を得た。

得られた’［”ｔＯＰｃｌＯ部を添加した後に、２℃の
９７％硫酸２００部中に少しずつ溶解し、その混金物を
１時間、５℃以下の温度を保ちながら攪拌する。続いて
この硫酸溶液を高速攪拌した２０００部の氷水中にゆっ
くりと注水して析出した結晶を濾過する。結晶を酸が残
留しなくなるまで蒸留水で洗浄した後に乾燥してＴｉ０
Ｐｃを得た。

上記方法により得られたＴｉ０Ｐｃ　１０部に前記１−
ｄのフタロシアニン誘導体０．３部を加えた後に。

食塩４０部およびポリエチレングリコール４０部をサン
ドミルに入れて、１０時間ミリングした。ミリング時の
温度は４０〜５０℃であった。その後、濾過、水洗、乾
燥して試料を得た。実施例１のＸ線回折図とほぼ同様で
あり、ブラッグ角度（２θ±０．２０）の６．９°およ
び２３．４°のピークは、１５．５’のピークの２倍以
上の強度を有していた。実施例１と同様の方法で電子写
真感光体を作製して、その特性を測定した。

比較例１フタロジニトリル２０．４部、四塩化チタン７．６部を
２３０℃で３時間α−クロロナフタレン１５０部中で攪
拌した後、放冷し、１００〜１３０℃で熱時口過し、１
００℃に加熱したα−クロロナフタレンで洗浄する。さ
らにメタノールで口過した後に水洗してｐＨが６〜８に
なるまで繰り返す。

得られたウェットケーキをＮ−メチルピロリドン中で１
４０〜１５０℃で２時間加熱攪拌した後に口過し、メタ
ノールで洗浄、そして、乾燥して１５．８部のＴｉ０Ｐ
ｃを得た。このＴｉ０ＰｃのＸ線回折図を測定したとこ
ろ１図２に示される強いＸ線回折線を持っていた。更に
このＴｉ０Ｐｃを電荷発生剤に使用して実施例１と同様
の方法で感光体を作製し電子写真特性を測定した。

比較例２フタロジニトリル２０．４部、四塩化チタン７．６部を
２２０℃で３時間α−クロロナフタレン１５０部中で攪
拌した後２口過した。さらに濃アンモニア水２００部と
ともに１時間加熱還流した後にアセトンで洗浄した後に
乾燥して２０．０部のＴｉ０Ｐｃを得た。このＴｉ０Ｐ
ｃＯＸ線回折図を第３図に示す。

ＸｖＡ回折ピークよりα型であることがわかった。この
Ｔｉ０Ｐｃを電荷発生剤に使用して実施例１と同様の方
法で感光体を作製し電子写真特性を測定した。

電子写真特性は以下の方法で測定した。

静電複写紙試験装置５Ｐ−４２８（川口電機型）により
、スタティックモード２．コロナ帯電は−５゜２ＫＶで
１表面型位（Ｖｏ）および５Ｌｕｘの白色光または１μ
Ｗに調整した８００ｎｍの光を照射して帯電量が１／２
まで減少する時間から白色光半減露光量感度（Ｅｌ／２
）を調べた。

表　　　７表７により実施例１〜７の感光体は、白色および８００
ｎｍの光源に対して高感度であることが確認された。

以上の結果より１本発明で得られた。Ｘ線回折図におい
て、ブラッグ角度（２θ±０．２’）旬６．９゜、１５
．５°および２３．４°の位置に明確なＸ線回折ピーク
を示すチタニウムフタロシアニン化合物であり、かつ。

６．９６および２３．４　”のＸ線回折ピーク強度が、
それぞれ他のＸ線回折ピーク強度の２倍以上の強度であ
ることを特徴とするチタニウムフタロシアニン化合物は
。

電子写真感光体用の電荷発生剤として優れたいることが
確認された。

さらに９本実施例で作成した感光体を、コロナ帯電器、
露光部、現像部、転写帯電部、除電露光部およびクリー
ナーを持つ電子写真方式の複写機のドラムに貼り付けた
。この複写機の暗部電位を一６５０Ｖ、明部電位を一１
５０■に設定し、５０００枚の繰り返し耐久試験の後２
画像を比較した。

５０００枚の耐久試験の結果、実施例１〜７は極めて美
しい画像が得られた。しかし、比較例１．２は初期画像
に比べて５０００回繰り返し後の画質は。

繰り返しでの帯電性の低下に伴う印字濃度の低下および
白斑点、黒斑点の数が増加している。実施例１〜７で作
成された感光体は、５ｏｏｏ回繰り返し後でも初期印字
濃度を保ち、白斑点、黒斑点もほとんど見とめられない
美しい画像が得られた。本発明で得られた電子写真感光
体は、ＬＥＤの発振波長領域の６５０ｎｍおよび半導体
レーザーの発振波長領域の８００ｎｍで０．４μＪ／ｃ
ｔＡ以上の高感度を有していることがわかる。

〔発明の効果〕

本発明により得られたチタニウムフタロシアニン化合物
を電荷発生剤として使用することにより、高感度、繰り
返しでの安定性が良い電子写真感光体を得ることが出来
た。それにより、安定して美しい画像を得ることも可能
となり、７５０ｎｍ以上の長波長領域および６５０ｎｍ
で高感度を有することから、半導体レーザーおよびＬＥ
Ｄを光源とするプリンター用感光体として最適である。

【図面の簡単な説明】

第１〜３図は、それぞれ実施例１．比較例１および２で
得られた。チタニウムフタロシアニン化合物のＣｕＫα
線を用いたＸ線回折図をそれぞれ表す。第３図ｆｏ　　　　　　　２Ｄ３０

Claims

【特許請求の範囲】１、Ｘ線回折図において、ブラッグ角度（２θ±０．２
゜）の６．９゜および２３．４゜の位置に明確なＸ線回
折ピークを示すチタニウムフタロシアニン化合物であり
、かつ、その二本のＸ線回折ピーク強度が他のＸ線回折
ピーク強度の２倍以上の強度であることを特徴とするチ
タニウムフタロシアニン化合物。２、Ｘ線回折図において、ブラッグ角度（２θ±０．２
゜）の６．９゜、１５．５゜および２３．４゜の位置に
明確なＸ線回折ピークを示すチタニウムフタロシアニン
化合物であり、かつ、６．９゜および２３．４゜のＸ線
回折ピーク強度が、他のＸ線回折ピーク強度の２倍以上
の強度である特許請求の範囲第１項記載のチタニウムフ
タロシアニン化合物。３、チタニウムフタロシアニン化
合物およびフタロシアニン分子に置換基を有するフタロ
シアニン誘導体をアシッドペースティングまたはアシッ
ドスラリーを行うことを特徴とする、Ｘ線回折図におい
て、ブラッグ角度（２θ±０．２゜）の６．９゜および
２３．４゜の位置に明確なＸ線回折ピークを示すチタニ
ウムフタロシアニン化合物であり、かつ、その二本のＸ
線回折ピーク強度が、他のＸ線回折ピーク強度の２倍以
上の強度であるチタニウムフタロシアニン化合物の製造
方法４、チタニウムフタロシアニン化合物およびフタロシア
ニン分子のベンゼン核に置換基を有するフタロシアニン
誘導体をアシッドペースティングまたはアシッドスラリ
ーを行った後に、乾式および／または湿式ミリングを行
う特許請求の範囲第３項記載のチタニウムフタロシアニ
ン化合物の製造方法。５、チタニウムフタロシアニン化合物をアシッドペース
ティングまたはアシッドスラリーを行った後に、フタロ
シアニン分子に置換基を有するフタロシアニン誘導体を
加えて乾式および／または湿式ミリングを行う特許請求
の範囲第３項または第４項記載のチタニウムフタロシア
ニン化合物の製造方法。６、導電性支持体上に、電荷発生剤および電荷移動剤を
使用してなる電子写真感光体において、電荷発生剤が、
Ｘ線回折図において、ブラッグ角度（２θ±０．２゜）
の６．９゜および２３．４゜の位置に明確なＸ線回折ピ
ークを示すチタニウムフタロシアニン化合物であり、か
つ、その二本のＸ線回折ピーク強度が、他のＸ線回折ピ
ーク強度の２倍以上の強度を有するチタニウムフタロシ
アニン化合物であることを特徴とする電子写真感光体。