JPH01136367A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01136367A JPH01136367A JP29478987A JP29478987A JPH01136367A JP H01136367 A JPH01136367 A JP H01136367A JP 29478987 A JP29478987 A JP 29478987A JP 29478987 A JP29478987 A JP 29478987A JP H01136367 A JPH01136367 A JP H01136367A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
バイポーラトランジスタ等の半導体装置を製造する方法
に関し、 特に、ベース・エミッタ拡散領域を更に微細化形成でき
、もって高速動作を可能とすることを目的とし、 基板上、エミッタコンタクト部、コレクタコンタクト部
となる各部分を除いた部分に酸化膜を形成し、その上に
シリコン膜を形成し、更にその上に遮蔽膜を形成する工
程と、エミッタ開口部となる部分の遮蔽膜を残してその
他の部分の遮蔽膜を除去し、シリコン膜の選択酸化によ
って表面に選択酸化膜を形成する工程と、遮蔽膜を除去
し、選択酸化膜をマスクとしてシリコン膜を異方性エツ
チングしてエミッタ開口部となる部分に孔を形成し、孔
の側面及び底面のみ酸化し、孔上方からのイオン注入で
ベース拡散層を形成する工程と、選択酸化膜を所定部分
除去し、かつ、エミッタコンタクト部、コレクタコンタ
クト部となる部分にシリコン膜を形成してベースコンタ
クト部、エミッタコンタクト部、コレクタコンタクト部
を形成し、イオン注入によってエミッタコンタクト部の
下方にエミッタ拡散層を形成する工程とを含む。
に関し、 特に、ベース・エミッタ拡散領域を更に微細化形成でき
、もって高速動作を可能とすることを目的とし、 基板上、エミッタコンタクト部、コレクタコンタクト部
となる各部分を除いた部分に酸化膜を形成し、その上に
シリコン膜を形成し、更にその上に遮蔽膜を形成する工
程と、エミッタ開口部となる部分の遮蔽膜を残してその
他の部分の遮蔽膜を除去し、シリコン膜の選択酸化によ
って表面に選択酸化膜を形成する工程と、遮蔽膜を除去
し、選択酸化膜をマスクとしてシリコン膜を異方性エツ
チングしてエミッタ開口部となる部分に孔を形成し、孔
の側面及び底面のみ酸化し、孔上方からのイオン注入で
ベース拡散層を形成する工程と、選択酸化膜を所定部分
除去し、かつ、エミッタコンタクト部、コレクタコンタ
クト部となる部分にシリコン膜を形成してベースコンタ
クト部、エミッタコンタクト部、コレクタコンタクト部
を形成し、イオン注入によってエミッタコンタクト部の
下方にエミッタ拡散層を形成する工程とを含む。
本発明は、バイポーラトランジスタ等の゛半導体装置を
製造する方法に関する。
製造する方法に関する。
一般に、従来、バイポーラトランジスタを構成する場合
、アルミ、ニウム配線で直接夫々の電極部からベース及
びエミッタを引出す構造をとるため、ベース・エミッタ
の拡散領域が、アルミニウム配線と接続されるベース電
極部とエミッタ電極部との離間距離（マスクパターンで
決定）決定されてしまい、ベース・エミッタ拡散領域の
微細化には限界がある。エミッタ拡散領域を微細化でき
ないということは、遮断周波数を高くとれないというこ
とであり、高速動作が不可能である。
、アルミ、ニウム配線で直接夫々の電極部からベース及
びエミッタを引出す構造をとるため、ベース・エミッタ
の拡散領域が、アルミニウム配線と接続されるベース電
極部とエミッタ電極部との離間距離（マスクパターンで
決定）決定されてしまい、ベース・エミッタ拡散領域の
微細化には限界がある。エミッタ拡散領域を微細化でき
ないということは、遮断周波数を高くとれないというこ
とであり、高速動作が不可能である。
そこで、この種のバイポーラトランジスタでは、ベース
・エミッタ拡散領域を微細化でき、高速動作が可能とな
るようにすることが必要である。
・エミッタ拡散領域を微細化でき、高速動作が可能とな
るようにすることが必要である。
上記要求を満足するために、多結晶シリコンによってベ
ース及びエミッタの引出しを行ない、この場合、ベース
コンタクト部（多結晶シリコン）とエミッタコンタクト
部（多結晶シリコン）とをいわゆる２段重ね構造とした
半導体装置が従来知られている。
ース及びエミッタの引出しを行ない、この場合、ベース
コンタクト部（多結晶シリコン）とエミッタコンタクト
部（多結晶シリコン）とをいわゆる２段重ね構造とした
半導体装置が従来知られている。
第２図はこのような構造をもつ従来の半導体装置の製造
方法を示す図である。同図（Ａ）に示す如く、Ｐ型シリ
コン基板１にｎ＋高濃度層２を形成し、かつ、単結晶シ
リコンのエピタキシャル成長膜３を形成し、その上に酸
化シリコン（５ｉＯｚ ）の選択酸化膜（破線部分も含
む）４を形成する。
方法を示す図である。同図（Ａ）に示す如く、Ｐ型シリ
コン基板１にｎ＋高濃度層２を形成し、かつ、単結晶シ
リコンのエピタキシャル成長膜３を形成し、その上に酸
化シリコン（５ｉＯｚ ）の選択酸化膜（破線部分も含
む）４を形成する。
次に、ｎ＋のコレクタ拡散１５をイオン注入等で形成し
、しかる後、トランジスタのベース・エミッタ形成部の
選択酸化膜４を除去（破線部分）し、次に、同図（Ｂ）
に示すように多結晶シリコン膜６を気相成長する。
、しかる後、トランジスタのベース・エミッタ形成部の
選択酸化膜４を除去（破線部分）し、次に、同図（Ｂ）
に示すように多結晶シリコン膜６を気相成長する。
次に、同図（Ｃ）に示す如く、多結晶シリコン膜６上に
窒化シリコン膜（ＳｉＮ）７を気相成長し、多結晶シリ
コン選択酸化フォトリソグラフィを行なって選択酸化膜
８を形成する。次に、窒化シリコンＩ！７を除去し、同
図（Ｄ）に示す如く、ホウ素（Ｂ＋）を注入して多結晶
シリコン１１６にＰＪＩを形成する。次に、表面にＣＶ
Ｄ法によって酸化シリコン膜９を形成し、更に、ベース
・エミッタ部を作るためにレジスト膜１０を置く。レジ
ストＦＪ１０の開口９部１０ａは例えば１μ−程度であ
る。
窒化シリコン膜（ＳｉＮ）７を気相成長し、多結晶シリ
コン選択酸化フォトリソグラフィを行なって選択酸化膜
８を形成する。次に、窒化シリコンＩ！７を除去し、同
図（Ｄ）に示す如く、ホウ素（Ｂ＋）を注入して多結晶
シリコン１１６にＰＪＩを形成する。次に、表面にＣＶ
Ｄ法によって酸化シリコン膜９を形成し、更に、ベース
・エミッタ部を作るためにレジスト膜１０を置く。レジ
ストＦＪ１０の開口９部１０ａは例えば１μ−程度であ
る。
次に、同図（Ｅ）に示す如く、レジスト膜１０を利用し
て異方性エツチングを行ない、孔１１を形成してｎ−１
１）を露出させる。次に、孔１１の側面及び底面に酸化
シリコン膜１２を酸化形成する。
て異方性エツチングを行ない、孔１１を形成してｎ−１
１）を露出させる。次に、孔１１の側面及び底面に酸化
シリコン膜１２を酸化形成する。
しかる後、同図（Ｆ）に示す如く、ホウ素（Ｂ＋）を注
入してＰ”１ｉ１３を形成し、表面に多結晶シリコン膜
１４を気相成長する。
入してＰ”１ｉ１３を形成し、表面に多結晶シリコン膜
１４を気相成長する。
次に、多結晶シリコンＩｇ１１４及び酸化シリコンｍ９
においてエミッタコンタクト部、ペースコンクト部、コ
レクタコンタクト部を形成するために異方性エツチング
及びフォトリソグラフィを行ない、同図（Ｇ）に示すよ
うに多結晶シリコン膜（破線部分も含む）１５を形成す
る。次に、ヒ素（Ａｓ” ）イオン注入を行なってｎ＋
のエミッタ拡散層１６を形成し、多結晶シリコン膜１５
に分離フォトリソグラフィを行ない、ベースコンタクト
開口フォトリソグラフィを行ない、エミッタ熱処理を行
なう。これにより、ベースコンタクト窓、エミッタコン
タクト部、コレクタコンタクト部が形成される。以下、
配線工程になる。
においてエミッタコンタクト部、ペースコンクト部、コ
レクタコンタクト部を形成するために異方性エツチング
及びフォトリソグラフィを行ない、同図（Ｇ）に示すよ
うに多結晶シリコン膜（破線部分も含む）１５を形成す
る。次に、ヒ素（Ａｓ” ）イオン注入を行なってｎ＋
のエミッタ拡散層１６を形成し、多結晶シリコン膜１５
に分離フォトリソグラフィを行ない、ベースコンタクト
開口フォトリソグラフィを行ない、エミッタ熱処理を行
なう。これにより、ベースコンタクト窓、エミッタコン
タクト部、コレクタコンタクト部が形成される。以下、
配線工程になる。
このように、エミッタコンタクト部及びベースコンタク
ト部を多結晶シリコンで形成し、これらを２段重ね構造
にしているので、エミッタコンタクト部の開口部を異方
性エツチングによって比較的狭く形成し、ベース・エミ
ッタ拡散層を微細化できる。これにより、ベース電極部
とエミッタ電極部との離間距離で制約を受けることなく
、微細化が可能である。
ト部を多結晶シリコンで形成し、これらを２段重ね構造
にしているので、エミッタコンタクト部の開口部を異方
性エツチングによって比較的狭く形成し、ベース・エミ
ッタ拡散層を微細化できる。これにより、ベース電極部
とエミッタ電極部との離間距離で制約を受けることなく
、微細化が可能である。
前記従来の方法では、エミッタコンタクト部における孔
１１を形成するに際し、孔１１の大きさはレジストＩｇ
１１０の開口部１０ａの大きさによって決定され、この
ため、１μ−程度の大きさにしか形成できない。従って
、エミッタ拡散層１６を微細化できるといっても限界が
あり、必要な高速動作を可能とし得ない問題点があった
。
１１を形成するに際し、孔１１の大きさはレジストＩｇ
１１０の開口部１０ａの大きさによって決定され、この
ため、１μ−程度の大きさにしか形成できない。従って
、エミッタ拡散層１６を微細化できるといっても限界が
あり、必要な高速動作を可能とし得ない問題点があった
。
本発明は、ベース・エミッタ拡散領域を更に微細化形成
でき、も、って高速動作を可能とする半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
でき、も、って高速動作を可能とする半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点は、基板上、エミッタコンタクト部、コレク
タコンタクト部となる各部分を除いた部分に酸化膜を形
成し、その上にシリコン膜を形成し、更にその上に遮蔽
膜を形成する工程と、エミッタ開口部となる部分の遮蔽
膜を残してその他の部分の遮蔽膜を除去し、シリコン膜
の選択酸化によって表面に選択酸化膜を形成する工程と
、遮蔽膜を除去し、選択酸化膜をマスクとしてシリコン
膜を異方性エツチングしてエミッタ開口部となる部分に
孔を形成し、孔の側面及び底面のみ酸化し、孔上方から
のイオン注入でベース拡散層を形成する工程と、選択酸
化膜を所定部分除去し、かつ、エミッタコンタクト部、
コレクタコンタクト部となる部分にシリコン膜を形成し
てベースコンタクト部、エミッタコンタクト部、コレク
タコンタクト部を形成し、イオン注入によってエミッタ
コンタクト部の下方にエミッタ拡散層を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法によって
解決される。
タコンタクト部となる各部分を除いた部分に酸化膜を形
成し、その上にシリコン膜を形成し、更にその上に遮蔽
膜を形成する工程と、エミッタ開口部となる部分の遮蔽
膜を残してその他の部分の遮蔽膜を除去し、シリコン膜
の選択酸化によって表面に選択酸化膜を形成する工程と
、遮蔽膜を除去し、選択酸化膜をマスクとしてシリコン
膜を異方性エツチングしてエミッタ開口部となる部分に
孔を形成し、孔の側面及び底面のみ酸化し、孔上方から
のイオン注入でベース拡散層を形成する工程と、選択酸
化膜を所定部分除去し、かつ、エミッタコンタクト部、
コレクタコンタクト部となる部分にシリコン膜を形成し
てベースコンタクト部、エミッタコンタクト部、コレク
タコンタクト部を形成し、イオン注入によってエミッタ
コンタクト部の下方にエミッタ拡散層を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法によって
解決される。
第１図（Ｄ）に示す如く、エミッタ拡散層開口部のみ遮
蔽膜（窒化シリコン膜＞７ａを残すフォトリソグラフィ
を行ない、次に、表面に再度多結晶シリコンの選択酸化
を行ない選択酸化膜２０を形成する。このとき、選択酸
化１２２０はエミッタ開口部に残された遮蔽Ｉｔ！７ａ
の下に両側から潜り込みを生じ（バーズビーク）、これ
によって開口部は狭められる。次に、遮蔽１１７ａを除
去し、選択酸化膜２０をマスクとして多結晶シリコン膜
６を異方性エツチングを行ない、ｎ−層を露出させる。
蔽膜（窒化シリコン膜＞７ａを残すフォトリソグラフィ
を行ない、次に、表面に再度多結晶シリコンの選択酸化
を行ない選択酸化膜２０を形成する。このとき、選択酸
化１２２０はエミッタ開口部に残された遮蔽Ｉｔ！７ａ
の下に両側から潜り込みを生じ（バーズビーク）、これ
によって開口部は狭められる。次に、遮蔽１１７ａを除
去し、選択酸化膜２０をマスクとして多結晶シリコン膜
６を異方性エツチングを行ない、ｎ−層を露出させる。
この場合、バーズビークによって開口部は狭められてい
るので、同図（Ｆ）に示す如く、エミッタ拡散ｌｉ！２
５を微細化形成できる。
るので、同図（Ｆ）に示す如く、エミッタ拡散ｌｉ！２
５を微細化形成できる。
第１図は本発明になる半導体装置のｌ！Ｊ造方決方法実
施例を示す図である。同図（Ａ）〜（Ｃ）の工程は第２
図に示す従来例と同様であるので、その説明を省略する
。
施例を示す図である。同図（Ａ）〜（Ｃ）の工程は第２
図に示す従来例と同様であるので、その説明を省略する
。
同図（Ｄ）に示す如く、エミッタ拡散層開口部のみ窒化
シリコン膜７ａを残すフォトリソグラフィを行ない、ホ
ウ素をイオン注入して多結晶シリコン膜６にＰ層を形成
する。次に、表面に再度多結晶シリコンの選択酸化を行
ない選択酸化膜２０を形成する。このとき、選択酸化１
１２０はエミッタ開口部に残された窒化シリコン膜７ａ
の下に両側から潜り込みを生じ（バーズビーク）、その
膜厚が例えば３０００人であれば両側から１５００人ず
つのバーズビークになり、もともとの開口部を１μｍと
すれば、バーズビークによって狭められた開口部は７０
００Ａとなる。
シリコン膜７ａを残すフォトリソグラフィを行ない、ホ
ウ素をイオン注入して多結晶シリコン膜６にＰ層を形成
する。次に、表面に再度多結晶シリコンの選択酸化を行
ない選択酸化膜２０を形成する。このとき、選択酸化１
１２０はエミッタ開口部に残された窒化シリコン膜７ａ
の下に両側から潜り込みを生じ（バーズビーク）、その
膜厚が例えば３０００人であれば両側から１５００人ず
つのバーズビークになり、もともとの開口部を１μｍと
すれば、バーズビークによって狭められた開口部は７０
００Ａとなる。
次に、窒化シリコン膜７ａを除去し、選択酸化膜２０を
マスクとして多結晶シリコンｌ１ａ６を異方性エツチン
グを行ない、ｎ″″層を露出させる。この場合、バーズ
ビτりによって開口部は狭められているので、ｎ−層の
露出部分は従来方法に比して狭くできる。次に、同図（
Ｅ）に示す如く、異方性エツチングによって形成された
孔２１の側面及び底面のみ酸化を行ない、酸化膜２０を
形成する。次に、ホウ素をイオン注入してＰ＋のベース
拡散［１２２を形成し、表面に多結晶シリコン膜２３を
気相成長する。
マスクとして多結晶シリコンｌ１ａ６を異方性エツチン
グを行ない、ｎ″″層を露出させる。この場合、バーズ
ビτりによって開口部は狭められているので、ｎ−層の
露出部分は従来方法に比して狭くできる。次に、同図（
Ｅ）に示す如く、異方性エツチングによって形成された
孔２１の側面及び底面のみ酸化を行ない、酸化膜２０を
形成する。次に、ホウ素をイオン注入してＰ＋のベース
拡散［１２２を形成し、表面に多結晶シリコン膜２３を
気相成長する。
次に、多結晶シリコン膜２３及び酸化膜２０においてエ
ミッタコンタクト部、ベースコンタクト部、コレクタコ
ンタクト部を形成するために異方性エツチング及びフォ
トリソグラフィを行ない、同図（Ｆ）に示すように多結
、晶シリコン膜（破線部分も含む）２４を形成する。次
に、ヒ素（Ａｓ” ）イオン注入を行なってＰ＋のエミ
ッタ拡散層２５を形成し、多結晶シリコン膜２４に分離
フォトリドリソグラフィを行ない、エミッタ熱処理を行
なう。これにより、ベースコンタクト窓、エミッタコン
タクト部、コレクタコンタクト部が形成される。以下、
配線工、程になる。
ミッタコンタクト部、ベースコンタクト部、コレクタコ
ンタクト部を形成するために異方性エツチング及びフォ
トリソグラフィを行ない、同図（Ｆ）に示すように多結
、晶シリコン膜（破線部分も含む）２４を形成する。次
に、ヒ素（Ａｓ” ）イオン注入を行なってＰ＋のエミ
ッタ拡散層２５を形成し、多結晶シリコン膜２４に分離
フォトリドリソグラフィを行ない、エミッタ熱処理を行
なう。これにより、ベースコンタクト窓、エミッタコン
タクト部、コレクタコンタクト部が形成される。以下、
配線工、程になる。
この場合、開口部は前述のように狭められているので、
エミッタ拡散層２５は従来方法によって得られるエミッ
タ拡散層よりも微細化できる。
エミッタ拡散層２５は従来方法によって得られるエミッ
タ拡散層よりも微細化できる。
以上説明した如く、本発明によれば、エミッタ開口部を
シリコンの選択酸化によるバーズビークによって狭めて
形成することができ、これにより、エミッタ拡散層を従
来例に比して更に微細化形成でき、従って、エミッタを
小さくできることによって遮断周波数を高くとり得るの
で、高速動作が可能になる。
シリコンの選択酸化によるバーズビークによって狭めて
形成することができ、これにより、エミッタ拡散層を従
来例に比して更に微細化形成でき、従って、エミッタを
小さくできることによって遮断周波数を高くとり得るの
で、高速動作が可能になる。
第１図は本発明の製造方法を示す図、
第２図は従来の製造方法を示す図である。
図において、
１はシリコン基板、
４．８は酸化膜、
５はコレクタ拡散層、
６．２３．２４は多結晶シリコン膜、
７は窒化シリコン膜（遮蔽膜）
７ａはエミッタ開口部となる部分に設けられた窒化シリ
コン膜（遮蔽膜）、 ２０は選択酸化膜、 ２１は孔、 ２２はベース拡散層、 ２５はエミッタ拡散層 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 同 富士通ヴイエルエスアイ株式会社＾
＾ＯＬ
ＬＪ ＾
＾Ｏ。
コン膜（遮蔽膜）、 ２０は選択酸化膜、 ２１は孔、 ２２はベース拡散層、 ２５はエミッタ拡散層 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 同 富士通ヴイエルエスアイ株式会社＾
＾ＯＬ
ＬＪ ＾
＾Ｏ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板（１）上、エミッタコンタクト部、コレクタコン
タクト部となる各部分を除いた部分に酸化膜（４）を形
成し、その上にシリコン膜（６）を形成し、更に・その
上に遮蔽膜（７）を形成する工程と、 エミッタ開口部となる部分の遮蔽膜（７ａ）を残してそ
の他の部分の遮蔽膜（７）を除去し、上記シリコン膜（
６）の選択酸化によつて表面に選択酸化膜（２０）を形
成する工程と、 上記遮蔽膜（７ａ）を除去し、該選択酸化膜（２０）を
マスクとして上記シリコン膜（６）を異方性エッチング
してエミッタ開口部となる部分に孔（２１）を形成し、
該孔（２１）の側面及び底面のみ酸化し、該孔（２１）
上方からのイオン注入でベース拡散層（２２）を形成す
る工程と、上記選択酸化膜（２０）を所定部分除去し、
かつ、エミッタコンタクト部、コレクタコンタクト部と
なる部分にシリコン膜（２４）を形成してベースコンタ
クト部、エミッタコンタクト部、コレクタコンタクト部
を形成し、イオン注入によつてエミッタコンタクト部の
下方にエミッタ拡散層（２５）を形成する工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29478987A JPH01136367A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29478987A JPH01136367A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01136367A true JPH01136367A (ja) | 1989-05-29 |
Family
ID=17812297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29478987A Pending JPH01136367A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01136367A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136073A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP29478987A patent/JPH01136367A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136073A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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