JPH01133396A - 混成厚膜集積回路の製造方法 - Google Patents
混成厚膜集積回路の製造方法Info
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- JPH01133396A JPH01133396A JP62292377A JP29237787A JPH01133396A JP H01133396 A JPH01133396 A JP H01133396A JP 62292377 A JP62292377 A JP 62292377A JP 29237787 A JP29237787 A JP 29237787A JP H01133396 A JPH01133396 A JP H01133396A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は小型化、薄型化をめざした平板型デイスプレィ
等に用いる混成厚膜集積回路の製造方法に関するもので
ある。
等に用いる混成厚膜集積回路の製造方法に関するもので
ある。
従来の技術
近年、電子機器の高機能化、小型化、薄型化。
軽量化等に伴ない、高密度実装基板や超小型チップ部品
などを利用するハイブリッドＩＣ化の傾向が増加してい
る。ハイブリッドＩＣ用基板として従来アＶミナ基板が
最も広く利用されて来た。
などを利用するハイブリッドＩＣ化の傾向が増加してい
る。ハイブリッドＩＣ用基板として従来アＶミナ基板が
最も広く利用されて来た。
一方、高密度化、ハイパワー化のために各種の高熱伝導
基板材料が注目されている。これらの基板の中で芯材に
金属板を用い、その金属の周囲を絶縁物で覆ったメタル
コア基板が放熱性の優れた基板の特長を生かして用いら
れるようになって来たＯ 一方、文字１画像等を表示するだめの、いわゆる平板型
デイスプレィとしては、液晶、ＥＬ。
基板材料が注目されている。これらの基板の中で芯材に
金属板を用い、その金属の周囲を絶縁物で覆ったメタル
コア基板が放熱性の優れた基板の特長を生かして用いら
れるようになって来たＯ 一方、文字１画像等を表示するだめの、いわゆる平板型
デイスプレィとしては、液晶、ＥＬ。
ＰＤＩ’ 、ＬＥＤ等を用いたものが開発、商品化され
ている。
ている。
そんな中で電子ビームを用いた平板型画像表示を提案さ
れている。この画像表示装置は第３図に示すように内部
が真空に保持された平扁な容器内に、線状熱陰極１、背
面電極２、電子ビーム取シ出し電極３、電子、ビーム制
御電極５、電子ビーム描面電極４，６および表示面７を
備えた構成になっている。線状熱陰極１はタングステン
線等の高融点金属線にＢａ、Ｓｒ、Ｃａ等のアルカリ土
類法酸塩を塗布した細線よシなシ、画面の横方向に一定
間隔で複数本配置されている。背面電極２は線状熱陰極
１の後方に位置し、金属あるいはガラス板に導電膜を設
けた１枚の板よ多構成されている。
れている。この画像表示装置は第３図に示すように内部
が真空に保持された平扁な容器内に、線状熱陰極１、背
面電極２、電子ビーム取シ出し電極３、電子、ビーム制
御電極５、電子ビーム描面電極４，６および表示面７を
備えた構成になっている。線状熱陰極１はタングステン
線等の高融点金属線にＢａ、Ｓｒ、Ｃａ等のアルカリ土
類法酸塩を塗布した細線よシなシ、画面の横方向に一定
間隔で複数本配置されている。背面電極２は線状熱陰極
１の後方に位置し、金属あるいはガラス板に導電膜を設
けた１枚の板よ多構成されている。
電子ビーム取シ出し電極３は線状熱陰極１を挟んで対向
する位置に配置された１枚の金属板よ多構成される。電
子ビーム取シ出し電極３には線状熱陰極１のそれぞれに
対応した位置に図面の横方向に沿って一定間隔で貫通孔
３ａが設けられている〇電子ビーム制御電極６は線状熱
陰極１と直交し、かつ貫通孔３ａに対応した数に分割さ
れた短冊状の金属片５ａによって構成されている。また
金属片５ａは前記電子ビーム取シ出し電極３に設けた貫
通孔３ａに対応した位置に貫通孔５ｂを設けた構成とな
っている。電子ビーム偏向電極は電子ビーム取シ出し電
極３と電子ビーム制御電極６との間に位置する垂直偏向
電極４と電子ビーム制御電極５の後方に位置する水平偏
向電極６とからなる。
する位置に配置された１枚の金属板よ多構成される。電
子ビーム取シ出し電極３には線状熱陰極１のそれぞれに
対応した位置に図面の横方向に沿って一定間隔で貫通孔
３ａが設けられている〇電子ビーム制御電極６は線状熱
陰極１と直交し、かつ貫通孔３ａに対応した数に分割さ
れた短冊状の金属片５ａによって構成されている。また
金属片５ａは前記電子ビーム取シ出し電極３に設けた貫
通孔３ａに対応した位置に貫通孔５ｂを設けた構成とな
っている。電子ビーム偏向電極は電子ビーム取シ出し電
極３と電子ビーム制御電極６との間に位置する垂直偏向
電極４と電子ビーム制御電極５の後方に位置する水平偏
向電極６とからなる。
電子ビーム垂直偏向電極４は電子ビーム取シ出し電極３
に設けたそれぞれの貫通孔３ａを挟んで対向する２枚１
粗の平行平板はたとえばガラス等の絶縁物よ多構成され
、両面に金属膜を形成し、それぞれ独立した電極４ｂ’
、４ｂ”として使用する。
に設けたそれぞれの貫通孔３ａを挟んで対向する２枚１
粗の平行平板はたとえばガラス等の絶縁物よ多構成され
、両面に金属膜を形成し、それぞれ独立した電極４ｂ’
、４ｂ”として使用する。
したがって１枚の平行平板の一方の面の電極４ｂ’はた
とえばｎ列目の貫通孔に対応するとすると他の面の電極
４ｂ′′は次の（ｎ＋１）列の貫通孔に対応するという
共有関係になる。電子ビーム水平偏向電極６は電子ビー
ム制御電極５の金属片５ａに設けたそれぞれの貫通孔５
ｂを挟んで対応する２枚１組の金属片よ多構成される。
とえばｎ列目の貫通孔に対応するとすると他の面の電極
４ｂ′′は次の（ｎ＋１）列の貫通孔に対応するという
共有関係になる。電子ビーム水平偏向電極６は電子ビー
ム制御電極５の金属片５ａに設けたそれぞれの貫通孔５
ｂを挟んで対応する２枚１組の金属片よ多構成される。
したがって電子ビーム水平偏向電極は貫通孔の数、ｍに
対応した数、２ｍの金属片となる。表示面７はガラスの
内面に図面の縦方向に沿って設けられた赤、緑、青の三
種類の螢光体ストライプ層との間に設けたブラックスト
ライプ層および、それらの前面に設けたメタルバック層
よ多構成されている。また表示面７に対応し、内部を真
空に保持するために裏面容器８は金属板から構成されて
いる。
対応した数、２ｍの金属片となる。表示面７はガラスの
内面に図面の縦方向に沿って設けられた赤、緑、青の三
種類の螢光体ストライプ層との間に設けたブラックスト
ライプ層および、それらの前面に設けたメタルバック層
よ多構成されている。また表示面７に対応し、内部を真
空に保持するために裏面容器８は金属板から構成されて
いる。
発明が解決しようとする問題点
前述のような構造を持つ平板型画像表示パネルにおいて
、平板型画像表示装置の特長を生かして高密度に駆動回
路を実装するためには、画像表示装置の表示面を形成す
る表面容器の傾斜部分か、裏面容器の金属板上を利用す
ることが望ましい〇しかしながら裏面容器に用いる金属
板は表示面を形成する表面容器とによシ、内部を高真空
（１×１Ｏ−８Ｔｏｒｒ以下）に保持できる材料でなけ
ればならない。一方、金属板上に駆動回路を形成する場
合には金属板と絶縁層の密着性を強固にする必要がある
Ｏ 本発明は、このような問題点に鑑み、絶縁層との密着性
を強固にし、かつ画像表示パネル内の真空を高真圧に保
つことのできる混成厚膜集積回路の製造方法を提供しよ
うとするものである。
、平板型画像表示装置の特長を生かして高密度に駆動回
路を実装するためには、画像表示装置の表示面を形成す
る表面容器の傾斜部分か、裏面容器の金属板上を利用す
ることが望ましい〇しかしながら裏面容器に用いる金属
板は表示面を形成する表面容器とによシ、内部を高真空
（１×１Ｏ−８Ｔｏｒｒ以下）に保持できる材料でなけ
ればならない。一方、金属板上に駆動回路を形成する場
合には金属板と絶縁層の密着性を強固にする必要がある
Ｏ 本発明は、このような問題点に鑑み、絶縁層との密着性
を強固にし、かつ画像表示パネル内の真空を高真圧に保
つことのできる混成厚膜集積回路の製造方法を提供しよ
うとするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、絶縁層との密着性を強固にし、かつ平板型画
像表示パネル内の真空を高真空に保つために、裏面容器
用金属板としてクロムを含むＦｅ系金属板を用い、それ
をウェット水素中で高温加熱処理したものを使用するも
のである・作 用 混成厚膜集積回路基板としての裏面金属板にＣｒを含む
Ｆｅ系金属板を用い、ウェット水素中で高温処理するこ
とによって金属板表面にＣｒ２ｏ３膜を形成、すること
によシ、表面がＦｅまたＦｅ２Ｏ３である場合に比べて
、酸化物セラミックス（Ｂ ａｏ 。
像表示パネル内の真空を高真空に保つために、裏面容器
用金属板としてクロムを含むＦｅ系金属板を用い、それ
をウェット水素中で高温加熱処理したものを使用するも
のである・作 用 混成厚膜集積回路基板としての裏面金属板にＣｒを含む
Ｆｅ系金属板を用い、ウェット水素中で高温処理するこ
とによって金属板表面にＣｒ２ｏ３膜を形成、すること
によシ、表面がＦｅまたＦｅ２Ｏ３である場合に比べて
、酸化物セラミックス（Ｂ ａｏ 。
ＳｉＯ，Ｂ２Ｏ５，Ｍｇ０） および結晶性あるいは非
結晶性フリットガラスとの密着性が向上し、厚膜集積回
路の信頼性が高くなる。
結晶性フリットガラスとの密着性が向上し、厚膜集積回
路の信頼性が高くなる。
実施例
以下、本発明の実施例の混成厚膜集積回路の製造方法を
図面を用いて詳しく説明する〇まず第１図を参照しなが
ら第１の実施例の製造方法について説明する。なお第１
図において第３図に示したものと同様の構成要素につい
ては同符号を付している。第１図ａに示すように本実施
例の混成厚膜集積回路は、裏面金属板８を回路基板とし
て用い、大きさは（縦×横×板厚）−２００Ｈｘ １７
０ａｎｒｘ ２ ｔｍ （７） ４２−６合金（Ｆｅ５
２％。
図面を用いて詳しく説明する〇まず第１図を参照しなが
ら第１の実施例の製造方法について説明する。なお第１
図において第３図に示したものと同様の構成要素につい
ては同符号を付している。第１図ａに示すように本実施
例の混成厚膜集積回路は、裏面金属板８を回路基板とし
て用い、大きさは（縦×横×板厚）−２００Ｈｘ １７
０ａｎｒｘ ２ ｔｍ （７） ４２−６合金（Ｆｅ５
２％。
Ｎｉ ４２％、Ｃｒ ６％）とした。まずこの金属板８
をウェット水素中で高温加熱し、第１図すに示すように
表面に酸化クロム膜９（Ｃｒ２Ｏ２）を形成した。
をウェット水素中で高温加熱し、第１図すに示すように
表面に酸化クロム膜９（Ｃｒ２Ｏ２）を形成した。
次に第１図Ｃに示すように基板の両方の面の酸化クロム
層ｅ上にスクリーン印刷によシ酸化物セラミック絶縁層
１ｏを形成し、９００℃で焼成し、絶縁性基板とした。
層ｅ上にスクリーン印刷によシ酸化物セラミック絶縁層
１ｏを形成し、９００℃で焼成し、絶縁性基板とした。
次に第１図ｄに示すように絶縁性基板８の片側の面のセ
ラミック絶縁層１０上にスクリーン印刷によシ画像表示
装置の駆動に必要な回路の一部の回路をＣｕ導体１１で
形成し、９００℃で焼成し、回路形成基板とした。
ラミック絶縁層１０上にスクリーン印刷によシ画像表示
装置の駆動に必要な回路の一部の回路をＣｕ導体１１で
形成し、９００℃で焼成し、回路形成基板とした。
次に第１図ｅに示すようにＣｕ導体１１間に任意の抵抗
体１２を描画し、９００〜９２５℃で５＃。
体１２を描画し、９００〜９２５℃で５＃。
成し、厚膜集積回路基板とした。
次に、混成厚膜集積回路の頃造方法の第２の実施例を説
明する。なお第１の実施例と同様の構成については同符
号を付してその詳細な説明は省略する。
明する。なお第１の実施例と同様の構成については同符
号を付してその詳細な説明は省略する。
前述の裏面金属板８を回路基板として、この回路基板上
に酸化クロム膜９を形成した。その後、コノ酸化クロム
膜９の両面ニＢａｏ、５ｉ０２．Ｂ２ｏ３゜ＭｇＯの酸
化物セラミック絶縁層のかわりに、結晶性７リツトガラ
ス層１０’を形成し、４５０℃にて焼成し絶縁層を設け
た。
に酸化クロム膜９を形成した。その後、コノ酸化クロム
膜９の両面ニＢａｏ、５ｉ０２．Ｂ２ｏ３゜ＭｇＯの酸
化物セラミック絶縁層のかわりに、結晶性７リツトガラ
ス層１０’を形成し、４５０℃にて焼成し絶縁層を設け
た。
次に結晶性フリットガラス層１０′上に画像表示装置の
駆動に必要な回路の一部を低温焼成用Ｃｕペースト１１
′を用いてスクリーン印刷により印刷し、６００℃で焼
成して回路形成基板とした。
駆動に必要な回路の一部を低温焼成用Ｃｕペースト１１
′を用いてスクリーン印刷により印刷し、６００℃で焼
成して回路形成基板とした。
そして、Ｃｕペースト１１からなる回路形成基板のＣｕ
導体間に低温焼成用抵抗体１２′を描画した後、６００
℃で焼成し、厚膜集積回路基板としだ。
導体間に低温焼成用抵抗体１２′を描画した後、６００
℃で焼成し、厚膜集積回路基板としだ。
このようにして得られた厚膜集積回路基板を平板型画像
表示装置の裏面容器用金属板として用いる。
表示装置の裏面容器用金属板として用いる。
以下、上述の厚膜集積回路基板を用いた平板型画像表示
装置の形成について説明する。
装置の形成について説明する。
第２図ａに示すよう厚膜集積回路基板の回路つまりＣｕ
導体層１１ 、１１’および抵抗体１２ 、１２’の形
成されていない面の端部に非結晶性フリットガラス１３
を塗布し、４５０’Ｃで焼成する。そして、非結晶性フ
リットガラス３層上に、平板型表示装置の表示面を形成
する表面容器７を接合させる。こうすることにより第２
図すに示すように裏面金属板８の裏側に厚膜集積回路が
形成された平板型画像表示装置を製造することができる
。
導体層１１ 、１１’および抵抗体１２ 、１２’の形
成されていない面の端部に非結晶性フリットガラス１３
を塗布し、４５０’Ｃで焼成する。そして、非結晶性フ
リットガラス３層上に、平板型表示装置の表示面を形成
する表面容器７を接合させる。こうすることにより第２
図すに示すように裏面金属板８の裏側に厚膜集積回路が
形成された平板型画像表示装置を製造することができる
。
次に第２図Ｃに示すように厚膜集積回路基板上に形成さ
れた絶縁層１０ 、１０’、導体層１１．１１’、抵抗
体層１２ 、１２’の表面を保護するためにレジ ４ス
ト１４を印刷し３５０℃乾燥した。
れた絶縁層１０ 、１０’、導体層１１．１１’、抵抗
体層１２ 、１２’の表面を保護するためにレジ ４ス
ト１４を印刷し３５０℃乾燥した。
最後に第２図ｄに示す厚膜集積回路基板上に平板型画像
表示装置の駆動に必要な各種電子部品１６を実装した。
表示装置の駆動に必要な各種電子部品１６を実装した。
以上のように本実施例によれば画像表示装置の厚膜集積
回路の芯材である金属板と、その上層の絶縁層の密着性
を向上させることができ、回路の信頼度を上げることが
できるとともに、表示装置の真空度を保つことができ１
品信頼性を向上させるものである。
回路の芯材である金属板と、その上層の絶縁層の密着性
を向上させることができ、回路の信頼度を上げることが
できるとともに、表示装置の真空度を保つことができ１
品信頼性を向上させるものである。
発明の効果
本発明によれば裏面金属板に厚膜集積回路を形成するた
めに平板型画像表示装置の高密度実装が可能になるばか
シでなく、基板材料（裏面金属板）にクロムを含む材料
を用い、ウェット水素中で高熱処理することにより、酸
化物セラミックあるいは結晶性フリットガラスからなる
絶縁層との密着性および絶縁性が向上し、信頼性の高い
混成厚膜集積回路を形成することができる。
めに平板型画像表示装置の高密度実装が可能になるばか
シでなく、基板材料（裏面金属板）にクロムを含む材料
を用い、ウェット水素中で高熱処理することにより、酸
化物セラミックあるいは結晶性フリットガラスからなる
絶縁層との密着性および絶縁性が向上し、信頼性の高い
混成厚膜集積回路を形成することができる。
第１図は本発明の一実施例における混成厚膜集積回路の
１造方法の工程を示す断面図、第２図は本発明の一実施
例の混成厚膜集積回路を用いた画像表示装置のＴ４造方
法の工程を示す断面図、第３図は従来の画像表示装置の
構造を示す斜視図である。 ７・・・・・・表示面容器、８・・・・・・裏面金属板
、９・・・・・・酸化クロム層、１０・・・・・・酸化
物セラミックス層。 １１・・・・・・Ｃｕ導体層、１２．−０−抵抗体、１
３・・・・・・非結晶質フリット、１４・・・・・・レ
ジスト層、１６・・・・・・電子部品。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名菓
２１！ｌ １４−−
−Ｌヅヌト／４ −／、ｓ
１造方法の工程を示す断面図、第２図は本発明の一実施
例の混成厚膜集積回路を用いた画像表示装置のＴ４造方
法の工程を示す断面図、第３図は従来の画像表示装置の
構造を示す斜視図である。 ７・・・・・・表示面容器、８・・・・・・裏面金属板
、９・・・・・・酸化クロム層、１０・・・・・・酸化
物セラミックス層。 １１・・・・・・Ｃｕ導体層、１２．−０−抵抗体、１
３・・・・・・非結晶質フリット、１４・・・・・・レ
ジスト層、１６・・・・・・電子部品。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名菓
２１！ｌ １４−−
−Ｌヅヌト／４ −／、ｓ
Claims (2)
- （１）芯材としてクロムを含む金属合金板を用い、前記
芯材をウェット水素中で高温熱処理して表面に酸化クロ
ム層を形成する第１の工程と、前記酸化クロム層の表面
全面または一部に酸化物セラミックもしくは結晶性フリ
ットガラスからなる絶縁層を形成する第２の工程と、前
記絶縁層に導体層を形成する第３の工程と、前記導体層
間に抵抗体を形成する第４の工程と、前記絶縁層、導体
層および抵抗体の表面を保護するレジスト層を形成する
第５の工程とからなることを特徴とする混成厚膜集積回
路の製造方法。 - （２）導体層上に各種電子部品を実装することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の混成厚膜集積回路の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62292377A JPH01133396A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 混成厚膜集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62292377A JPH01133396A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 混成厚膜集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01133396A true JPH01133396A (ja) | 1989-05-25 |
Family
ID=17781009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62292377A Pending JPH01133396A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 混成厚膜集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01133396A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030050396A (ko) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 오리온전기 주식회사 | 저온 동시 소성 세라믹 모듈 제조 방법 |
Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS57192003A (en) * | 1981-05-20 | 1982-11-26 | Sanyo Electric Co | Method of producing thick film conductive path |
| JPS59228749A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路 |
| JPS6149829A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-11 | Meiwa Sangyo Kk | 多重層成形体の製造方法 |
| JPS6149833A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-11 | Toyota Motor Corp | 繊維強化樹脂構造体の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-19 JP JP62292377A patent/JPH01133396A/ja active Pending
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