JPH01126227A - 超伝導材の製造方法 - Google Patents

超伝導材の製造方法

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JPH01126227A
JPH01126227A JP63169255A JP16925588A JPH01126227A JP H01126227 A JPH01126227 A JP H01126227A JP 63169255 A JP63169255 A JP 63169255A JP 16925588 A JP16925588 A JP 16925588A JP H01126227 A JPH01126227 A JP H01126227A
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JP
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superconducting
superconducting material
transition temperature
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elements
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JP63169255A
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Teruichiro Matsumura
松村 輝一郎
Kazuharu Shimizu
一治 清水
Hitoshi Nobumasa
均 信正
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Toray Industries Inc
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Toray Industries Inc
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208Oxides, e.g. ceramics
    • C23C18/1216Metal oxides

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  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、核融合炉、電磁流体発電機、加速器、回転
電気機器、磁気分離機、磁気浮上列車、核磁気共鳴断層
躍影診断装置、磁気推進船、各種実験装置、送電線、エ
ネルギー貯蔵器、ジョセフソン素子、5QUID(スキ
ッド)素子、磁気センサ、ホロメータ等の用途に適した
超伝導材を製造する方法に関する。
(従来の技術) 超伝導材を製造する方法はいろいろあるが、そのひとつ
に、CVD法(化学気相蒸着法)がある。
この方法は、成分元素を含む揮発性組成物を蒸発させて
基材上に上記組成物の薄膜を形成し、次いでその薄膜を
酸化して超伝導材とする方法である。
揮発性組成物としては、成分元素を含む、1,1゜1−
トリフルオロ−2,4−ペンタンジオン、ヘキサフルオ
ロアセチルアセトン、4.4.4−トリフルオロ−1−
(2−チエニル)−1,3−ブタンジオン等のβ−ジケ
トン錯体が用いられる。
ところが、この方法は、β−ジケトン錯体を使用するた
め、蒸気圧を高くできず、製膜操作が大変能しいという
問題がある。
(発明が解決しようとする課題) この発明の目的は、従来の方法の上述した問題点を解決
し、製膜操作が大変容易な、超伝導材の製造方法を提供
するにおる。
(課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために、この発明においては、下記
α、β、γおよびδの元素のうち、少なくともα、βお
よびγの元素を含む化合物の溶液の霧滴を高温の基材に
接触させ、その基材上に膜状の超伝導材を形成すること
を特徴とする、超伝導材の製造方法が提供される。
cx:Y、   Nd  S  Sm S  Eu、 
 Gd、   Dy、   ト10゜Er、1m、 Y
bまたはLLI β:Ba γ:Cu δ:Ag この発明の方法によれば、α、βおよびγの元素を含む
化合物の溶液を用いたときには、一般式、((xl−x
βx)zγ04−y ただし、OくXく1 0≦y<2 0.5≦2≦3 で表わされる超伝導材が得られる。また、α、β、γお
よびδの元素を含む化合物の溶液を用いたとぎには、一
般式、 (α8βbδ。)2(γdδ。)04□ただし、a>Q b>O Q<c<Q、4 a+b+c=1 0.5<d<1 Q<e≦0.5 d+e=1 0≦V<2 0.5≦Z≦3 で表わされる超伝導材が得られる。もっとも、基材とし
て銀を用いると、α、βおよびγの元素のみを含む化合
物の溶液を用いてもこの一般式で表わされる超伝導材と
得ることができる。
この発明をさらに詳細に説明するに、基材としては、繊
維状、板状、フィルム状、テープ状など、いろいろな形
態のものを使用することができる。
繊維状基材の場合、形状は、内部への磁束の侵入を抑制
して発熱を抑え、また、その侵入速度を遅くして単位時
間当りの発熱量を低くし、さらに、冷却効果を高めて超
伝導特性を安定化するために、極細多芯化するのが好ま
しい。たとえば、4〜10μm程度の太さの単繊維を束
ねたものであるのが好ましい。また、超伝導材は、使用
時に、液体ヘリウムや液体窒素、その他の冷媒を用いて
冷却するが、この冷却効果を高めるため、中空の基材を
用いるのも好ましい。
そのような基材を形成する材料としては、大別して、金
属系のものと非金属系のものとがある。
金属系の基材としては、たとえば、銅、クロム、鉄、モ
リブデン、ニッケル、ニオブ、パラジウム、白金、銀、
タンタル、チタン、タングステン、バナジウム、イツト
リウム、ジルコニウム等の単体金属や、それら単体金属
を主成分とする合金等がある。また、非金属系の基材と
しては、アルミナ、サファイア、チタン酸ストロンチウ
ム、酸化マグネシウム、アルミナ−シリカ、ジルコニア
、Eガラス、Sガラス、シリコンカーバイド、チタンと
シリコンカーバイドとの混合物、ボロン、窒化ホウ素、
チタン酸アルカリ、ケイ酸鉛カリ等が必る。
なかでも、ジルコニア、それも部分安定化ジルコニア(
PSZ)が最も好ましい。PSZは、周知のように、安
定化剤として、セリア、イツトリア、マグネシア、カル
シア等の、希土類元素の酸化物を固溶せしめてなるジル
コニアセラミックスである。なかでも、比較的低温で焼
結できるために結晶粒子径を小さくでき、機械的強度の
高いものが得られるという理由で、イツトリアやカルシ
アを使用したPSZであるのが好ましい。
さて、この発明においては、次に、上記基材に、上述し
たα、βおよびγの元素、すなわち、a:Y、Nd、S
m、Eu、Gd、 Dy、 Ho、Er、1’−m、y
bまたハLu β:Ba γ:Cu を所望の割合で含む化合物の溶液か、または、上述した
α、βおよびγの元素に加えて、ざらにδの元素、すな
わち、 δ:Aq を所望の割合で含む化合物の溶液の霧滴を接触させ、基
材上にそれらの元素を含む化合物の薄膜を形成する。元
素の割合は、上述した組成の超伝導材が得られる割合で
ある。特に、α:β:γが1:2:3である三重ペロブ
スカイト構造とするのが最も好ましい。なお、条件によ
っては、化合物の溶液に含まれている元素の割合と、生
成される超伝導材中における元素の割合とがずれること
があるが、その場合には、ずれに応じて溶液中の元素の
割合を調節しておけばよい。
上述した元素を含む化合物は、溶媒に可溶性のものであ
ればよく、硝酸塩、塩化物、蓚酸塩、酢酸塩、ナフテン
酸塩、アルコキシド、β−ジケトン錯体、エチレンジア
ミン四酢M Ifi体、炭酸塩、過塩素酸塩等を使用す
ることができ゛る。特に、アルコキシドに炭酸ガスを挿
入して1qられる金属アルキルカーボネート、それも、
メチル、エチル、プロピル、i−プロピル、ブチル、i
−ブチル等の低級アルキルカーボネートが好適である。
また、上記元素のメトキシエチレートやエトキシエチル
−1・に炭酸ガスを挿入して得られる金属アルキルカー
ボネートも好適である。
これらの化合物の溶媒は、水や、アルコール類や、炭化
水素類や、ジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ピリジン、アセトニトリル等の含窒素溶媒や、ジ
メチルスルフオキシド等の含硫黄溶媒など、化合物を溶
解し、かつ霧滴にし得る粘度を有するものであればよい
。なお、溶液中におけるの化合物の濃度は、1〜100
0100O/1であるのが好ましい。さらに好ましい濃
度は、10〜500mmol/lである。
溶液を霧滴にする方法としては、圧縮ガスを利用したス
プレー法や、超音波振動子を利用する方法等がある。よ
り均一な大きさの霧滴を低い流速で発生させることがで
き、また、繊維状等の基材にも容易に適用でき、ざらに
、生成される超伝導材の表面がきれいになるという理由
で、後者の方法が好ましい。この超音波振動子を利用す
る方法は、圧電素子を用いて溶液を高周波で振動させる
ことによって溶液をN滴にするものであり、霧滴はキャ
リアーガスで反応室に運ばれる。圧電素子の出力は数百
ワット程度であり、周波数は数百キロヘルツから18H
2程度が好適である。キャリヤーガスとしては、空気、
窒素、アルゴン、炭酸ガスなどが用いられる。溶媒が不
燃性の場合には空気が適しているが、可燃性の場合には
、窒素、アルゴン、炭酸ガス等の非支燃性ガスを使用す
る。
なお、化合物の分解、酸化のために、適当量の酸素およ
び/または水等の分解剤や酸化剤等をこれらのキャリア
ーガスに含ませておくこともできる。
基材の温度は、化合物の種類等によって異なるので一概
にはいえないが、通常、200〜1100℃の範囲であ
る。好ましくは500〜950℃の範囲である。
さて、基材上に形成された薄膜は、化合物が分解、酸化
して超伝導材になっている場合もあるが、通常はさらに
熱処理、酸化工程を経て超伝導材とする。
熱処理、酸化工程は、800〜1000’C程度で、か
つ基材の融点未満の温度で行う。処理時間は、10分か
ら数時間程度でよい。雰囲気は、通常、空気であるが、
M素または適当な酸素分圧の下で行うこともできる。ま
た、酸化の方法は、オゾン、酸素、空気、その他の酸化
剤による乾式酸化法が適当である。
かくして得られる超伝導材は、熱処理、酸化の過程で酸
素が逃げ、若干の酸素欠損を生ずる場合があるが、この
場合には、イオン注入法等の方法によって酸素を補充す
ることもできる。
(実 施 例) 実施例1 Y (NO3)3を10111111ol/l 、1e
a(NO3)2を8mmol/l 、Cu (NO3)
 2をF3 mmol/ I含む水溶液を、1M1lz
 、100Wの超音波振動子を用いて霧滴にし、その霧
滴を空気をキャリアーガスどして850℃に加熱された
金線(直径:0.2111m>に2時間接触させ、金線
上に薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を金線ごと空気中にて900’Cで1時
間加熱し、金線上に主として(Yo、3[3aO,7)
I CuO2,2からなる膜状の超伝導材を得た。この
超伝導材の超伝導転移温度は、45にであった。
実施例2 実施例1において、Y (NO3)3をNd(NO3)
3に変えた。
1ワられた超伝導材は、主として(Nd。、3[3aO
,7>I CLJO2,2からなってあり、超伝導転移
温度は53にであった。
実施例3 実施例1において、Y (NO3)3をSm(NO3)
3に変えた。
1qられた超伝導材は、主として(Smo、3[3aO
,7>I CuO2,2からなっており、超伝導転移温
度は45にでめった。
実施例4 実施例1において、Y (NO3)3をELJ(NO3
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Euo、3Bao3 
)I CuO2,2からなっており、超伝導転移温度は
51にでめった。
実施例5 実施例1において、Y(NO3)3をGd(NO3)3
に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Gdo、3E3aO,
7)I CuO2,2からなってあり、超伝導転移温度
は53にであった。
実施例6 実施例1において、Y (NO3)3をDy(NO3)
3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(DV□、3[3a  
 )  CuO2,2からなっており、超伝導0.71 転移温度は52にであった。
実施例7 実施例1において、Y (NO3)3をト10(NO3
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(ト100.3Ba  
) CuO2,2からなっており、超伝導0.71 転移温度は52にでめった。
実施例8 実施例1にアイて、Y (NO3)3をEr(NO3)
3に変えた。
)qられた超伝導材は、主として(Ero、3’3aO
,7>I CuO2,2からなっており、超伝導転移温
度は53にでおった。
実施例9 実施例1において、Y (NO3)3をTm(NO3)
3に変えた。
得られた超伝導材は、主として”mO,3Ba   )
  CuO2,2からなっており、超伝導0.71 転移温度は45にであった。
実施例10 実施例1において、Y (NO3)3をYb(NO3)
3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Yb(33[3a  
 )  CuO2,2からなっており、超伝導0.71 転移温度は56にでおった。
実施例11 実施例1においT、Y (NO3)3をしり(NO3)
3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Lu(33E3aO,
7) I CLJO2,2からなっており、超伝導転移
温度は55にであった。
実施例12 Y (NO3)3を10mmol/l 、Ba(NO3
)2を28mmol/l 、Cu (NO3) 2@8
mmol/I 、AQ (NO3) 2を3mmol/
l含む水溶液を、1 )IHz 、100Wの超音波撮
動子を用いて霧滴にし、その霧滴を空気をキャリアーガ
スとして850℃に加熱された金線(直径口0゜2mm
>に2時間接触させ、金線上に主として(Y□、3 E
3a0.6 Ag□、1 ) 1  (CuO,8Ag
□、2 ) 02.2□なる膜状の超伝導材を得た。こ
の超伝導材の超伝導転移温度は、50にでおった。
実施例13 実施例12において、Y (NO3)3をNd(NO3
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Ndo、313aO,
6AQ□、1 ) 1  (CuO,8ΔQ□、2)0
2.2□からなっており、超伝導転移温度は60にであ
った。
実施例14 実施例12において、Y (NO3)3をSm(NO3
)3に変えた。
jqられた超伝導材は、主として(S m o、 31
3a0.6 A0□、1 > 1  (cuO,8AQ
o、2 >02.27からなっており、超伝導転移温度
は50にであった。
実施例15 実施例12において、Y (NO3> 3をEU(NO
3)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Euo、3t3a0.
6 A0□、1 ) 1  (CuO8B AgO,2
>02.27からなっており、超伝導転移温度は49に
であった。
実施例16 実施例12において、Y (NO3)3をGd(NO3
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Gdo、3E3aO,
6ACJ□、1 ) 1  (CuO,8AQ□、2 
>02.27からなっており、超伝導転移温度は49に
であった。
実施例17 実施例12において、Y (NO3)3をDy(NO3
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(D’i10.3E3a
0.6 Aqo、1 >1 (Cu□、BΔQ□、2)
02.27からなっており、超伝導転移温度は52にで
あった。
実施例18 実施例12において、Y (NO3)3をト10(NO
3)3硝酸イツトリウムを5肖酸ホルミウムに変えた。
得られた超伝導材は、主として(ト10o、3E3a0
.6 AC2□、1 ) 1  (Cu□、B Aqo
、2 )02.27からなっており、超伝導転移温度は
58にであった。
実施例19 実施例12において、Y (NO3)3をEr(NO3
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Ero、3BaO16
AQ□、1 ) 1  (cuO,8Ag0.2 >0
2.2□からなっており、超伝導転移温度は50にであ
った。
実施例20 実施例12において、Y (NO3)3をTm(NO3
> 3に変えた。
1qられた超伝導材は、主として(Tm□、3113a
O,6AQ□、1 > 1  (Cu□、B AQ□、
2 >02.2□からなっており、超伝導転移温度は5
5にであった。
実施例21 実施例12において、Y (NO3)3をYb(NO3
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(YbQ、3BaO,6
△Q(31>1  (cuO,8AQ□、2 )02、
27からなっており、超伝導転移温度は53にであった
実施例22 実施例12において、Y(NO3)3を1−u(NO3
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Luo、3BaO,6
ACI□、1 ) 1  (cuO,8AQ□、2 >
02.27からなっており、超伝導転移温度は55にで
あった。
実施例23 Y(C5H802)3  と、 Ba  (Cs  ト
1802)2と、Cu (C5H802)2とをそれぞ
れ10mmol/l 、28mmol/l 、8mmo
l/I含むジメチルアセトアミド溶液を、1 Hllz
 、100Wの超音波撮動子を用いて霧滴にし、その霧
滴を水を飽和させた窒素ガスをギヤリアーガスとして9
00℃に加熱された銀線(直径:0.2mm)に2時間
接触させ、銀線上に薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を銀線ごと空気中にて900’Cで1時
間加熱し、銀線上に(Yo、3Ba□、6Ag□、1 
) 1  (cuo、8 AQ□、2 > 02.27
なる超伝導材を得た。この超伝導材の超伝導転移温度は
、35にでめった。
実施例24 Y(C2H303)3 と、 [3a(C2N:+03
)2と、Cu (C2H3O3)2とをそれぞれ10m
mol/l 、23mmol/I 、8mmol/I含
むジメヂルフtルムアミド/ピリジン混合溶液(混合比
は重量で9:1)を、1MHz 、100Wの超音波撮
動子で霧滴にし、その霧滴を、酸素を3体積%含有する
窒素ガスをキャリアーガスとして、900℃に加熱され
た部分安定化ジルコニア板に2時間接触させ、部分安定
化ジルコニア板上に薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を部分安定化ジルコニア板ごとを空気中
にて950℃で1時間加熱し、部分安定化ジルコニア板
上に主として(Yo、3[3aO,7>I CuO2,
2なる超伝導材を得た。この超伝導材の超伝導転移温度
は、80にであった。
(発明の効果) この発明は、所望の元素を含む化合物の溶液の霧滴を高
温の基材に接触させてその基材上に膜状の超伝導材を形
成するから、実施例にも示したように、製膜操作が大変
容易でおる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  下記α、β、γおよびδの元素のうち、少なくともα
    、βおよびγの元素を含む化合物の溶液の霧滴を高温の
    基材に接触させ、その基材上に膜状の超伝導材を形成す
    ることを特徴とする、超伝導材の製造方法。 α:Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、
    Tm、YbまたはLu β:Ba γ:Cu δ:Ag
JP63169255A 1987-07-31 1988-07-06 超伝導材の製造方法 Pending JPH01126227A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01224209A (ja) * 1988-01-27 1989-09-07 Westinghouse Electric Corp <We> セラミック超電導体の製造に用いる方法
JP2011510171A (ja) * 2008-01-17 2011-03-31 ゼナジー・パワー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング 高温超伝導体を製造するための湿式化学的方法

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JP2011510171A (ja) * 2008-01-17 2011-03-31 ゼナジー・パワー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング 高温超伝導体を製造するための湿式化学的方法

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