JPH01126227A - 超伝導材の製造方法 - Google Patents
超伝導材の製造方法Info
- Publication number
- JPH01126227A JPH01126227A JP63169255A JP16925588A JPH01126227A JP H01126227 A JPH01126227 A JP H01126227A JP 63169255 A JP63169255 A JP 63169255A JP 16925588 A JP16925588 A JP 16925588A JP H01126227 A JPH01126227 A JP H01126227A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- superconducting material
- transition temperature
- changed
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- -1 etc. Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 abstract 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 40
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 24
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000002585 base Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910002077 partially stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910009253 Y(NO3)3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000005910 alkyl carbonate group Chemical group 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BXJPTTGFESFXJU-UHFFFAOYSA-N yttrium(3+);trinitrate Chemical group [Y+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O BXJPTTGFESFXJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- BSXCLFYNJYBVPM-UHFFFAOYSA-N 1-thiophen-2-ylbutane-1,3-dione Chemical compound CC(=O)CC(=O)C1=CC=CS1 BSXCLFYNJYBVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGDQQLAVJWUYSF-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-phenyl-1,3-thiazole-5-sulfonyl chloride Chemical compound S1C(S(Cl)(=O)=O)=C(C)N=C1C1=CC=CC=C1 NGDQQLAVJWUYSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- MWFSXYMZCVAQCC-UHFFFAOYSA-N gadolinium(III) nitrate Inorganic materials [Gd+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MWFSXYMZCVAQCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N hexafluoroacetylacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDVGLADRSBQDDY-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);trinitrate Chemical compound [Ho+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O WDVGLADRSBQDDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YZXCQIOLVHGCFP-UHFFFAOYSA-N lead potassium Chemical compound [K].[Pb] YZXCQIOLVHGCFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006148 magnetic separator Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000005609 naphthenate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、核融合炉、電磁流体発電機、加速器、回転
電気機器、磁気分離機、磁気浮上列車、核磁気共鳴断層
躍影診断装置、磁気推進船、各種実験装置、送電線、エ
ネルギー貯蔵器、ジョセフソン素子、5QUID(スキ
ッド)素子、磁気センサ、ホロメータ等の用途に適した
超伝導材を製造する方法に関する。
電気機器、磁気分離機、磁気浮上列車、核磁気共鳴断層
躍影診断装置、磁気推進船、各種実験装置、送電線、エ
ネルギー貯蔵器、ジョセフソン素子、5QUID(スキ
ッド)素子、磁気センサ、ホロメータ等の用途に適した
超伝導材を製造する方法に関する。
(従来の技術)
超伝導材を製造する方法はいろいろあるが、そのひとつ
に、CVD法(化学気相蒸着法)がある。
に、CVD法(化学気相蒸着法)がある。
この方法は、成分元素を含む揮発性組成物を蒸発させて
基材上に上記組成物の薄膜を形成し、次いでその薄膜を
酸化して超伝導材とする方法である。
基材上に上記組成物の薄膜を形成し、次いでその薄膜を
酸化して超伝導材とする方法である。
揮発性組成物としては、成分元素を含む、1,1゜1−
トリフルオロ−2,4−ペンタンジオン、ヘキサフルオ
ロアセチルアセトン、4.4.4−トリフルオロ−1−
(2−チエニル)−1,3−ブタンジオン等のβ−ジケ
トン錯体が用いられる。
トリフルオロ−2,4−ペンタンジオン、ヘキサフルオ
ロアセチルアセトン、4.4.4−トリフルオロ−1−
(2−チエニル)−1,3−ブタンジオン等のβ−ジケ
トン錯体が用いられる。
ところが、この方法は、β−ジケトン錯体を使用するた
め、蒸気圧を高くできず、製膜操作が大変能しいという
問題がある。
め、蒸気圧を高くできず、製膜操作が大変能しいという
問題がある。
(発明が解決しようとする課題)
この発明の目的は、従来の方法の上述した問題点を解決
し、製膜操作が大変容易な、超伝導材の製造方法を提供
するにおる。
し、製膜操作が大変容易な、超伝導材の製造方法を提供
するにおる。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するために、この発明においては、下記
α、β、γおよびδの元素のうち、少なくともα、βお
よびγの元素を含む化合物の溶液の霧滴を高温の基材に
接触させ、その基材上に膜状の超伝導材を形成すること
を特徴とする、超伝導材の製造方法が提供される。
α、β、γおよびδの元素のうち、少なくともα、βお
よびγの元素を含む化合物の溶液の霧滴を高温の基材に
接触させ、その基材上に膜状の超伝導材を形成すること
を特徴とする、超伝導材の製造方法が提供される。
cx:Y、 Nd S Sm S Eu、
Gd、 Dy、 ト10゜Er、1m、 Y
bまたはLLI β:Ba γ:Cu δ:Ag この発明の方法によれば、α、βおよびγの元素を含む
化合物の溶液を用いたときには、一般式、((xl−x
βx)zγ04−y ただし、OくXく1 0≦y<2 0.5≦2≦3 で表わされる超伝導材が得られる。また、α、β、γお
よびδの元素を含む化合物の溶液を用いたとぎには、一
般式、 (α8βbδ。)2(γdδ。)04□ただし、a>Q b>O Q<c<Q、4 a+b+c=1 0.5<d<1 Q<e≦0.5 d+e=1 0≦V<2 0.5≦Z≦3 で表わされる超伝導材が得られる。もっとも、基材とし
て銀を用いると、α、βおよびγの元素のみを含む化合
物の溶液を用いてもこの一般式で表わされる超伝導材と
得ることができる。
Gd、 Dy、 ト10゜Er、1m、 Y
bまたはLLI β:Ba γ:Cu δ:Ag この発明の方法によれば、α、βおよびγの元素を含む
化合物の溶液を用いたときには、一般式、((xl−x
βx)zγ04−y ただし、OくXく1 0≦y<2 0.5≦2≦3 で表わされる超伝導材が得られる。また、α、β、γお
よびδの元素を含む化合物の溶液を用いたとぎには、一
般式、 (α8βbδ。)2(γdδ。)04□ただし、a>Q b>O Q<c<Q、4 a+b+c=1 0.5<d<1 Q<e≦0.5 d+e=1 0≦V<2 0.5≦Z≦3 で表わされる超伝導材が得られる。もっとも、基材とし
て銀を用いると、α、βおよびγの元素のみを含む化合
物の溶液を用いてもこの一般式で表わされる超伝導材と
得ることができる。
この発明をさらに詳細に説明するに、基材としては、繊
維状、板状、フィルム状、テープ状など、いろいろな形
態のものを使用することができる。
維状、板状、フィルム状、テープ状など、いろいろな形
態のものを使用することができる。
繊維状基材の場合、形状は、内部への磁束の侵入を抑制
して発熱を抑え、また、その侵入速度を遅くして単位時
間当りの発熱量を低くし、さらに、冷却効果を高めて超
伝導特性を安定化するために、極細多芯化するのが好ま
しい。たとえば、4〜10μm程度の太さの単繊維を束
ねたものであるのが好ましい。また、超伝導材は、使用
時に、液体ヘリウムや液体窒素、その他の冷媒を用いて
冷却するが、この冷却効果を高めるため、中空の基材を
用いるのも好ましい。
して発熱を抑え、また、その侵入速度を遅くして単位時
間当りの発熱量を低くし、さらに、冷却効果を高めて超
伝導特性を安定化するために、極細多芯化するのが好ま
しい。たとえば、4〜10μm程度の太さの単繊維を束
ねたものであるのが好ましい。また、超伝導材は、使用
時に、液体ヘリウムや液体窒素、その他の冷媒を用いて
冷却するが、この冷却効果を高めるため、中空の基材を
用いるのも好ましい。
そのような基材を形成する材料としては、大別して、金
属系のものと非金属系のものとがある。
属系のものと非金属系のものとがある。
金属系の基材としては、たとえば、銅、クロム、鉄、モ
リブデン、ニッケル、ニオブ、パラジウム、白金、銀、
タンタル、チタン、タングステン、バナジウム、イツト
リウム、ジルコニウム等の単体金属や、それら単体金属
を主成分とする合金等がある。また、非金属系の基材と
しては、アルミナ、サファイア、チタン酸ストロンチウ
ム、酸化マグネシウム、アルミナ−シリカ、ジルコニア
、Eガラス、Sガラス、シリコンカーバイド、チタンと
シリコンカーバイドとの混合物、ボロン、窒化ホウ素、
チタン酸アルカリ、ケイ酸鉛カリ等が必る。
リブデン、ニッケル、ニオブ、パラジウム、白金、銀、
タンタル、チタン、タングステン、バナジウム、イツト
リウム、ジルコニウム等の単体金属や、それら単体金属
を主成分とする合金等がある。また、非金属系の基材と
しては、アルミナ、サファイア、チタン酸ストロンチウ
ム、酸化マグネシウム、アルミナ−シリカ、ジルコニア
、Eガラス、Sガラス、シリコンカーバイド、チタンと
シリコンカーバイドとの混合物、ボロン、窒化ホウ素、
チタン酸アルカリ、ケイ酸鉛カリ等が必る。
なかでも、ジルコニア、それも部分安定化ジルコニア(
PSZ)が最も好ましい。PSZは、周知のように、安
定化剤として、セリア、イツトリア、マグネシア、カル
シア等の、希土類元素の酸化物を固溶せしめてなるジル
コニアセラミックスである。なかでも、比較的低温で焼
結できるために結晶粒子径を小さくでき、機械的強度の
高いものが得られるという理由で、イツトリアやカルシ
アを使用したPSZであるのが好ましい。
PSZ)が最も好ましい。PSZは、周知のように、安
定化剤として、セリア、イツトリア、マグネシア、カル
シア等の、希土類元素の酸化物を固溶せしめてなるジル
コニアセラミックスである。なかでも、比較的低温で焼
結できるために結晶粒子径を小さくでき、機械的強度の
高いものが得られるという理由で、イツトリアやカルシ
アを使用したPSZであるのが好ましい。
さて、この発明においては、次に、上記基材に、上述し
たα、βおよびγの元素、すなわち、a:Y、Nd、S
m、Eu、Gd、 Dy、 Ho、Er、1’−m、y
bまたハLu β:Ba γ:Cu を所望の割合で含む化合物の溶液か、または、上述した
α、βおよびγの元素に加えて、ざらにδの元素、すな
わち、 δ:Aq を所望の割合で含む化合物の溶液の霧滴を接触させ、基
材上にそれらの元素を含む化合物の薄膜を形成する。元
素の割合は、上述した組成の超伝導材が得られる割合で
ある。特に、α:β:γが1:2:3である三重ペロブ
スカイト構造とするのが最も好ましい。なお、条件によ
っては、化合物の溶液に含まれている元素の割合と、生
成される超伝導材中における元素の割合とがずれること
があるが、その場合には、ずれに応じて溶液中の元素の
割合を調節しておけばよい。
たα、βおよびγの元素、すなわち、a:Y、Nd、S
m、Eu、Gd、 Dy、 Ho、Er、1’−m、y
bまたハLu β:Ba γ:Cu を所望の割合で含む化合物の溶液か、または、上述した
α、βおよびγの元素に加えて、ざらにδの元素、すな
わち、 δ:Aq を所望の割合で含む化合物の溶液の霧滴を接触させ、基
材上にそれらの元素を含む化合物の薄膜を形成する。元
素の割合は、上述した組成の超伝導材が得られる割合で
ある。特に、α:β:γが1:2:3である三重ペロブ
スカイト構造とするのが最も好ましい。なお、条件によ
っては、化合物の溶液に含まれている元素の割合と、生
成される超伝導材中における元素の割合とがずれること
があるが、その場合には、ずれに応じて溶液中の元素の
割合を調節しておけばよい。
上述した元素を含む化合物は、溶媒に可溶性のものであ
ればよく、硝酸塩、塩化物、蓚酸塩、酢酸塩、ナフテン
酸塩、アルコキシド、β−ジケトン錯体、エチレンジア
ミン四酢M Ifi体、炭酸塩、過塩素酸塩等を使用す
ることができ゛る。特に、アルコキシドに炭酸ガスを挿
入して1qられる金属アルキルカーボネート、それも、
メチル、エチル、プロピル、i−プロピル、ブチル、i
−ブチル等の低級アルキルカーボネートが好適である。
ればよく、硝酸塩、塩化物、蓚酸塩、酢酸塩、ナフテン
酸塩、アルコキシド、β−ジケトン錯体、エチレンジア
ミン四酢M Ifi体、炭酸塩、過塩素酸塩等を使用す
ることができ゛る。特に、アルコキシドに炭酸ガスを挿
入して1qられる金属アルキルカーボネート、それも、
メチル、エチル、プロピル、i−プロピル、ブチル、i
−ブチル等の低級アルキルカーボネートが好適である。
また、上記元素のメトキシエチレートやエトキシエチル
−1・に炭酸ガスを挿入して得られる金属アルキルカー
ボネートも好適である。
−1・に炭酸ガスを挿入して得られる金属アルキルカー
ボネートも好適である。
これらの化合物の溶媒は、水や、アルコール類や、炭化
水素類や、ジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ピリジン、アセトニトリル等の含窒素溶媒や、ジ
メチルスルフオキシド等の含硫黄溶媒など、化合物を溶
解し、かつ霧滴にし得る粘度を有するものであればよい
。なお、溶液中におけるの化合物の濃度は、1〜100
0100O/1であるのが好ましい。さらに好ましい濃
度は、10〜500mmol/lである。
水素類や、ジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ピリジン、アセトニトリル等の含窒素溶媒や、ジ
メチルスルフオキシド等の含硫黄溶媒など、化合物を溶
解し、かつ霧滴にし得る粘度を有するものであればよい
。なお、溶液中におけるの化合物の濃度は、1〜100
0100O/1であるのが好ましい。さらに好ましい濃
度は、10〜500mmol/lである。
溶液を霧滴にする方法としては、圧縮ガスを利用したス
プレー法や、超音波振動子を利用する方法等がある。よ
り均一な大きさの霧滴を低い流速で発生させることがで
き、また、繊維状等の基材にも容易に適用でき、ざらに
、生成される超伝導材の表面がきれいになるという理由
で、後者の方法が好ましい。この超音波振動子を利用す
る方法は、圧電素子を用いて溶液を高周波で振動させる
ことによって溶液をN滴にするものであり、霧滴はキャ
リアーガスで反応室に運ばれる。圧電素子の出力は数百
ワット程度であり、周波数は数百キロヘルツから18H
2程度が好適である。キャリヤーガスとしては、空気、
窒素、アルゴン、炭酸ガスなどが用いられる。溶媒が不
燃性の場合には空気が適しているが、可燃性の場合には
、窒素、アルゴン、炭酸ガス等の非支燃性ガスを使用す
る。
プレー法や、超音波振動子を利用する方法等がある。よ
り均一な大きさの霧滴を低い流速で発生させることがで
き、また、繊維状等の基材にも容易に適用でき、ざらに
、生成される超伝導材の表面がきれいになるという理由
で、後者の方法が好ましい。この超音波振動子を利用す
る方法は、圧電素子を用いて溶液を高周波で振動させる
ことによって溶液をN滴にするものであり、霧滴はキャ
リアーガスで反応室に運ばれる。圧電素子の出力は数百
ワット程度であり、周波数は数百キロヘルツから18H
2程度が好適である。キャリヤーガスとしては、空気、
窒素、アルゴン、炭酸ガスなどが用いられる。溶媒が不
燃性の場合には空気が適しているが、可燃性の場合には
、窒素、アルゴン、炭酸ガス等の非支燃性ガスを使用す
る。
なお、化合物の分解、酸化のために、適当量の酸素およ
び/または水等の分解剤や酸化剤等をこれらのキャリア
ーガスに含ませておくこともできる。
び/または水等の分解剤や酸化剤等をこれらのキャリア
ーガスに含ませておくこともできる。
基材の温度は、化合物の種類等によって異なるので一概
にはいえないが、通常、200〜1100℃の範囲であ
る。好ましくは500〜950℃の範囲である。
にはいえないが、通常、200〜1100℃の範囲であ
る。好ましくは500〜950℃の範囲である。
さて、基材上に形成された薄膜は、化合物が分解、酸化
して超伝導材になっている場合もあるが、通常はさらに
熱処理、酸化工程を経て超伝導材とする。
して超伝導材になっている場合もあるが、通常はさらに
熱処理、酸化工程を経て超伝導材とする。
熱処理、酸化工程は、800〜1000’C程度で、か
つ基材の融点未満の温度で行う。処理時間は、10分か
ら数時間程度でよい。雰囲気は、通常、空気であるが、
M素または適当な酸素分圧の下で行うこともできる。ま
た、酸化の方法は、オゾン、酸素、空気、その他の酸化
剤による乾式酸化法が適当である。
つ基材の融点未満の温度で行う。処理時間は、10分か
ら数時間程度でよい。雰囲気は、通常、空気であるが、
M素または適当な酸素分圧の下で行うこともできる。ま
た、酸化の方法は、オゾン、酸素、空気、その他の酸化
剤による乾式酸化法が適当である。
かくして得られる超伝導材は、熱処理、酸化の過程で酸
素が逃げ、若干の酸素欠損を生ずる場合があるが、この
場合には、イオン注入法等の方法によって酸素を補充す
ることもできる。
素が逃げ、若干の酸素欠損を生ずる場合があるが、この
場合には、イオン注入法等の方法によって酸素を補充す
ることもできる。
(実 施 例)
実施例1
Y (NO3)3を10111111ol/l 、1e
a(NO3)2を8mmol/l 、Cu (NO3)
2をF3 mmol/ I含む水溶液を、1M1lz
、100Wの超音波振動子を用いて霧滴にし、その霧
滴を空気をキャリアーガスどして850℃に加熱された
金線(直径:0.2111m>に2時間接触させ、金線
上に薄膜を形成した。
a(NO3)2を8mmol/l 、Cu (NO3)
2をF3 mmol/ I含む水溶液を、1M1lz
、100Wの超音波振動子を用いて霧滴にし、その霧
滴を空気をキャリアーガスどして850℃に加熱された
金線(直径:0.2111m>に2時間接触させ、金線
上に薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を金線ごと空気中にて900’Cで1時
間加熱し、金線上に主として(Yo、3[3aO,7)
I CuO2,2からなる膜状の超伝導材を得た。この
超伝導材の超伝導転移温度は、45にであった。
間加熱し、金線上に主として(Yo、3[3aO,7)
I CuO2,2からなる膜状の超伝導材を得た。この
超伝導材の超伝導転移温度は、45にであった。
実施例2
実施例1において、Y (NO3)3をNd(NO3)
3に変えた。
3に変えた。
1ワられた超伝導材は、主として(Nd。、3[3aO
,7>I CLJO2,2からなってあり、超伝導転移
温度は53にであった。
,7>I CLJO2,2からなってあり、超伝導転移
温度は53にであった。
実施例3
実施例1において、Y (NO3)3をSm(NO3)
3に変えた。
3に変えた。
1qられた超伝導材は、主として(Smo、3[3aO
,7>I CuO2,2からなっており、超伝導転移温
度は45にでめった。
,7>I CuO2,2からなっており、超伝導転移温
度は45にでめった。
実施例4
実施例1において、Y (NO3)3をELJ(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Euo、3Bao3
)I CuO2,2からなっており、超伝導転移温度は
51にでめった。
)I CuO2,2からなっており、超伝導転移温度は
51にでめった。
実施例5
実施例1において、Y(NO3)3をGd(NO3)3
に変えた。
に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Gdo、3E3aO,
7)I CuO2,2からなってあり、超伝導転移温度
は53にであった。
7)I CuO2,2からなってあり、超伝導転移温度
は53にであった。
実施例6
実施例1において、Y (NO3)3をDy(NO3)
3に変えた。
3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(DV□、3[3a
) CuO2,2からなっており、超伝導0.71 転移温度は52にであった。
) CuO2,2からなっており、超伝導0.71 転移温度は52にであった。
実施例7
実施例1において、Y (NO3)3をト10(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(ト100.3Ba
) CuO2,2からなっており、超伝導0.71 転移温度は52にでめった。
) CuO2,2からなっており、超伝導0.71 転移温度は52にでめった。
実施例8
実施例1にアイて、Y (NO3)3をEr(NO3)
3に変えた。
3に変えた。
)qられた超伝導材は、主として(Ero、3’3aO
,7>I CuO2,2からなっており、超伝導転移温
度は53にでおった。
,7>I CuO2,2からなっており、超伝導転移温
度は53にでおった。
実施例9
実施例1において、Y (NO3)3をTm(NO3)
3に変えた。
3に変えた。
得られた超伝導材は、主として”mO,3Ba )
CuO2,2からなっており、超伝導0.71 転移温度は45にであった。
CuO2,2からなっており、超伝導0.71 転移温度は45にであった。
実施例10
実施例1において、Y (NO3)3をYb(NO3)
3に変えた。
3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Yb(33[3a
) CuO2,2からなっており、超伝導0.71 転移温度は56にでおった。
) CuO2,2からなっており、超伝導0.71 転移温度は56にでおった。
実施例11
実施例1においT、Y (NO3)3をしり(NO3)
3に変えた。
3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Lu(33E3aO,
7) I CLJO2,2からなっており、超伝導転移
温度は55にであった。
7) I CLJO2,2からなっており、超伝導転移
温度は55にであった。
実施例12
Y (NO3)3を10mmol/l 、Ba(NO3
)2を28mmol/l 、Cu (NO3) 2@8
mmol/I 、AQ (NO3) 2を3mmol/
l含む水溶液を、1 )IHz 、100Wの超音波撮
動子を用いて霧滴にし、その霧滴を空気をキャリアーガ
スとして850℃に加熱された金線(直径口0゜2mm
>に2時間接触させ、金線上に主として(Y□、3 E
3a0.6 Ag□、1 ) 1 (CuO,8Ag
□、2 ) 02.2□なる膜状の超伝導材を得た。こ
の超伝導材の超伝導転移温度は、50にでおった。
)2を28mmol/l 、Cu (NO3) 2@8
mmol/I 、AQ (NO3) 2を3mmol/
l含む水溶液を、1 )IHz 、100Wの超音波撮
動子を用いて霧滴にし、その霧滴を空気をキャリアーガ
スとして850℃に加熱された金線(直径口0゜2mm
>に2時間接触させ、金線上に主として(Y□、3 E
3a0.6 Ag□、1 ) 1 (CuO,8Ag
□、2 ) 02.2□なる膜状の超伝導材を得た。こ
の超伝導材の超伝導転移温度は、50にでおった。
実施例13
実施例12において、Y (NO3)3をNd(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Ndo、313aO,
6AQ□、1 ) 1 (CuO,8ΔQ□、2)0
2.2□からなっており、超伝導転移温度は60にであ
った。
6AQ□、1 ) 1 (CuO,8ΔQ□、2)0
2.2□からなっており、超伝導転移温度は60にであ
った。
実施例14
実施例12において、Y (NO3)3をSm(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
jqられた超伝導材は、主として(S m o、 31
3a0.6 A0□、1 > 1 (cuO,8AQ
o、2 >02.27からなっており、超伝導転移温度
は50にであった。
3a0.6 A0□、1 > 1 (cuO,8AQ
o、2 >02.27からなっており、超伝導転移温度
は50にであった。
実施例15
実施例12において、Y (NO3> 3をEU(NO
3)3に変えた。
3)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Euo、3t3a0.
6 A0□、1 ) 1 (CuO8B AgO,2
>02.27からなっており、超伝導転移温度は49に
であった。
6 A0□、1 ) 1 (CuO8B AgO,2
>02.27からなっており、超伝導転移温度は49に
であった。
実施例16
実施例12において、Y (NO3)3をGd(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Gdo、3E3aO,
6ACJ□、1 ) 1 (CuO,8AQ□、2
>02.27からなっており、超伝導転移温度は49に
であった。
6ACJ□、1 ) 1 (CuO,8AQ□、2
>02.27からなっており、超伝導転移温度は49に
であった。
実施例17
実施例12において、Y (NO3)3をDy(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(D’i10.3E3a
0.6 Aqo、1 >1 (Cu□、BΔQ□、2)
02.27からなっており、超伝導転移温度は52にで
あった。
0.6 Aqo、1 >1 (Cu□、BΔQ□、2)
02.27からなっており、超伝導転移温度は52にで
あった。
実施例18
実施例12において、Y (NO3)3をト10(NO
3)3硝酸イツトリウムを5肖酸ホルミウムに変えた。
3)3硝酸イツトリウムを5肖酸ホルミウムに変えた。
得られた超伝導材は、主として(ト10o、3E3a0
.6 AC2□、1 ) 1 (Cu□、B Aqo
、2 )02.27からなっており、超伝導転移温度は
58にであった。
.6 AC2□、1 ) 1 (Cu□、B Aqo
、2 )02.27からなっており、超伝導転移温度は
58にであった。
実施例19
実施例12において、Y (NO3)3をEr(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Ero、3BaO16
AQ□、1 ) 1 (cuO,8Ag0.2 >0
2.2□からなっており、超伝導転移温度は50にであ
った。
AQ□、1 ) 1 (cuO,8Ag0.2 >0
2.2□からなっており、超伝導転移温度は50にであ
った。
実施例20
実施例12において、Y (NO3)3をTm(NO3
> 3に変えた。
> 3に変えた。
1qられた超伝導材は、主として(Tm□、3113a
O,6AQ□、1 > 1 (Cu□、B AQ□、
2 >02.2□からなっており、超伝導転移温度は5
5にであった。
O,6AQ□、1 > 1 (Cu□、B AQ□、
2 >02.2□からなっており、超伝導転移温度は5
5にであった。
実施例21
実施例12において、Y (NO3)3をYb(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(YbQ、3BaO,6
△Q(31>1 (cuO,8AQ□、2 )02、
27からなっており、超伝導転移温度は53にであった
。
△Q(31>1 (cuO,8AQ□、2 )02、
27からなっており、超伝導転移温度は53にであった
。
実施例22
実施例12において、Y(NO3)3を1−u(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた超伝導材は、主として(Luo、3BaO,6
ACI□、1 ) 1 (cuO,8AQ□、2 >
02.27からなっており、超伝導転移温度は55にで
あった。
ACI□、1 ) 1 (cuO,8AQ□、2 >
02.27からなっており、超伝導転移温度は55にで
あった。
実施例23
Y(C5H802)3 と、 Ba (Cs ト
1802)2と、Cu (C5H802)2とをそれぞ
れ10mmol/l 、28mmol/l 、8mmo
l/I含むジメチルアセトアミド溶液を、1 Hllz
、100Wの超音波撮動子を用いて霧滴にし、その霧
滴を水を飽和させた窒素ガスをギヤリアーガスとして9
00℃に加熱された銀線(直径:0.2mm)に2時間
接触させ、銀線上に薄膜を形成した。
1802)2と、Cu (C5H802)2とをそれぞ
れ10mmol/l 、28mmol/l 、8mmo
l/I含むジメチルアセトアミド溶液を、1 Hllz
、100Wの超音波撮動子を用いて霧滴にし、その霧
滴を水を飽和させた窒素ガスをギヤリアーガスとして9
00℃に加熱された銀線(直径:0.2mm)に2時間
接触させ、銀線上に薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を銀線ごと空気中にて900’Cで1時
間加熱し、銀線上に(Yo、3Ba□、6Ag□、1
) 1 (cuo、8 AQ□、2 > 02.27
なる超伝導材を得た。この超伝導材の超伝導転移温度は
、35にでめった。
間加熱し、銀線上に(Yo、3Ba□、6Ag□、1
) 1 (cuo、8 AQ□、2 > 02.27
なる超伝導材を得た。この超伝導材の超伝導転移温度は
、35にでめった。
実施例24
Y(C2H303)3 と、 [3a(C2N:+03
)2と、Cu (C2H3O3)2とをそれぞれ10m
mol/l 、23mmol/I 、8mmol/I含
むジメヂルフtルムアミド/ピリジン混合溶液(混合比
は重量で9:1)を、1MHz 、100Wの超音波撮
動子で霧滴にし、その霧滴を、酸素を3体積%含有する
窒素ガスをキャリアーガスとして、900℃に加熱され
た部分安定化ジルコニア板に2時間接触させ、部分安定
化ジルコニア板上に薄膜を形成した。
)2と、Cu (C2H3O3)2とをそれぞれ10m
mol/l 、23mmol/I 、8mmol/I含
むジメヂルフtルムアミド/ピリジン混合溶液(混合比
は重量で9:1)を、1MHz 、100Wの超音波撮
動子で霧滴にし、その霧滴を、酸素を3体積%含有する
窒素ガスをキャリアーガスとして、900℃に加熱され
た部分安定化ジルコニア板に2時間接触させ、部分安定
化ジルコニア板上に薄膜を形成した。
次に、上記薄膜を部分安定化ジルコニア板ごとを空気中
にて950℃で1時間加熱し、部分安定化ジルコニア板
上に主として(Yo、3[3aO,7>I CuO2,
2なる超伝導材を得た。この超伝導材の超伝導転移温度
は、80にであった。
にて950℃で1時間加熱し、部分安定化ジルコニア板
上に主として(Yo、3[3aO,7>I CuO2,
2なる超伝導材を得た。この超伝導材の超伝導転移温度
は、80にであった。
(発明の効果)
この発明は、所望の元素を含む化合物の溶液の霧滴を高
温の基材に接触させてその基材上に膜状の超伝導材を形
成するから、実施例にも示したように、製膜操作が大変
容易でおる。
温の基材に接触させてその基材上に膜状の超伝導材を形
成するから、実施例にも示したように、製膜操作が大変
容易でおる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記α、β、γおよびδの元素のうち、少なくともα
、βおよびγの元素を含む化合物の溶液の霧滴を高温の
基材に接触させ、その基材上に膜状の超伝導材を形成す
ることを特徴とする、超伝導材の製造方法。 α:Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、
Tm、YbまたはLu β:Ba γ:Cu δ:Ag
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63169255A JPH01126227A (ja) | 1987-07-31 | 1988-07-06 | 超伝導材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62-193301 | 1987-07-31 | ||
JP19330187 | 1987-07-31 | ||
JP63169255A JPH01126227A (ja) | 1987-07-31 | 1988-07-06 | 超伝導材の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01126227A true JPH01126227A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=26492650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63169255A Pending JPH01126227A (ja) | 1987-07-31 | 1988-07-06 | 超伝導材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01126227A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01224209A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-09-07 | Westinghouse Electric Corp <We> | セラミック超電導体の製造に用いる方法 |
JP2011510171A (ja) * | 2008-01-17 | 2011-03-31 | ゼナジー・パワー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 高温超伝導体を製造するための湿式化学的方法 |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP63169255A patent/JPH01126227A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01224209A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-09-07 | Westinghouse Electric Corp <We> | セラミック超電導体の製造に用いる方法 |
JP2011510171A (ja) * | 2008-01-17 | 2011-03-31 | ゼナジー・パワー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | 高温超伝導体を製造するための湿式化学的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5071828A (en) | Process for the production of a crystal-oriented surface layer of a ceramic high temperature superconductor | |
EP0326944B1 (en) | Superconductive powder and method of making superconductive powder | |
JPH01126227A (ja) | 超伝導材の製造方法 | |
US5141918A (en) | Method of forming an oxide superconducting thin film of a single phase having no carbonate | |
Schmutzler et al. | A novel reaction path to BaTiO3 by the oxidation of a solid metallic precursor | |
JPH01164729A (ja) | 超伝導材の製造方法 | |
JPS63289722A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
JPH01230430A (ja) | 超伝導材の製造方法 | |
JPH01246133A (ja) | 超伝導体の製造方法 | |
JPH09195050A (ja) | 酸化物又は金属の製造方法 | |
JP2006045055A (ja) | 粉末およびその製造方法ならびにそれを用いた超電導線材および超電導機器 | |
JPH02212308A (ja) | 超電導性を有するセラミック酸化物の製造法 | |
JPH02103818A (ja) | 超伝導線材の製造方法 | |
JPH01257134A (ja) | 超伝導薄膜の形成方法 | |
JP2635677B2 (ja) | 酸化物超電導体前駆物質の製造方法 | |
JPH01224209A (ja) | セラミック超電導体の製造に用いる方法 | |
EP0691691A1 (en) | Method for making triniobium tin superconductor | |
JPH01200518A (ja) | 酸化物系超電導線材の製造方法 | |
JP3437697B2 (ja) | 炭化水素化合物の酸化方法及びその装置 | |
JP2575443B2 (ja) | 酸化物系超電導線材の製造方法 | |
JPH02208208A (ja) | 酸化物超電導体前駆物質膜の製造方法 | |
JP2005076074A (ja) | チタン化合物被覆ニッケル粉末およびこれを用いた導電ペースト | |
JP2595261B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
JPS63277770A (ja) | 超電導セラミックス薄膜形成用組成物および超電導セラミックス薄膜の製造方法 | |
KR910005405B1 (ko) | 화학 증착법에 의한 PbTiO₃박막의 제조방법 |