JPH01164729A - 超伝導材の製造方法 - Google Patents
超伝導材の製造方法Info
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- JPH01164729A JPH01164729A JP63219256A JP21925688A JPH01164729A JP H01164729 A JPH01164729 A JP H01164729A JP 63219256 A JP63219256 A JP 63219256A JP 21925688 A JP21925688 A JP 21925688A JP H01164729 A JPH01164729 A JP H01164729A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、核融合炉、電磁流体発電機、加速器、回転
電気機器、磁気分離機、磁気浮上列車、核磁気共鳴断層
撮影診断装置、磁気推進船、各種実験装置、送電線、エ
ネルギー貯蔵器、ジョセフソン素子、SQU■D(スキ
ッド)素子、磁気センサ、ホロメータなどの用途に適し
た超伝導材を製造する方法に関する。
電気機器、磁気分離機、磁気浮上列車、核磁気共鳴断層
撮影診断装置、磁気推進船、各種実験装置、送電線、エ
ネルギー貯蔵器、ジョセフソン素子、SQU■D(スキ
ッド)素子、磁気センサ、ホロメータなどの用途に適し
た超伝導材を製造する方法に関する。
(従来の技術)
超伝導材を製造する方法はいろいろおるが、そのひとつ
に、CVD法(化学気相蒸着法)がある。
に、CVD法(化学気相蒸着法)がある。
この方法は、必要な元素を含む揮発性化合物を蒸発させ
て基材上に上記化合物の膜を形成した後、その膜を酸化
して超伝導材とするものである。揮発性化合物として、
必要な元素を含む、たとえば1.1.1−トリフルオロ
−2,4−ペンタンジオン、ヘキサフルオロアセチルア
セトン、4,4゜4−トリフルオロ−1−(2−ヂエニ
ル)−1゜3−ブタンジオン等のβ−ジケトン錯体が用
いられる。ところが、この方法は、蒸気圧を高くとれな
いβ−ジケトン錯体等を使用するため、膜の形成が大変
難しいという問題がある。
て基材上に上記化合物の膜を形成した後、その膜を酸化
して超伝導材とするものである。揮発性化合物として、
必要な元素を含む、たとえば1.1.1−トリフルオロ
−2,4−ペンタンジオン、ヘキサフルオロアセチルア
セトン、4,4゜4−トリフルオロ−1−(2−ヂエニ
ル)−1゜3−ブタンジオン等のβ−ジケトン錯体が用
いられる。ところが、この方法は、蒸気圧を高くとれな
いβ−ジケトン錯体等を使用するため、膜の形成が大変
難しいという問題がある。
(発明が解決しようとする課題)
この発明の目的は、従来の方法の上述した問題点を解決
し、膜の形成が大変容易な、超伝導材の製造方法を提供
するにある。
し、膜の形成が大変容易な、超伝導材の製造方法を提供
するにある。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するために、この発明においては、一般
式(α1−X BaX )Z CuO4−’t/ただし
、 CX : Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy。
式(α1−X BaX )Z CuO4−’t/ただし
、 CX : Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy。
HOlErSTmlYbまたはLIJ
OくXく1
0≦V<2
0.5≦Z≦3
で表わされる超伝導材の製造方法であって、上記α、B
aおよびCuの元素を含む化合物の溶液の霧滴流を、加
熱された繊維状またはテープ状基材にその長手方向に対
して直交する方向から接触させ、上記基材に膜状の超伝
導材を形成することを特徴とする、超伝導材の製造方法
が提供される。
aおよびCuの元素を含む化合物の溶液の霧滴流を、加
熱された繊維状またはテープ状基材にその長手方向に対
して直交する方向から接触させ、上記基材に膜状の超伝
導材を形成することを特徴とする、超伝導材の製造方法
が提供される。
また、この発明においては、上記目的を達成するだめに
、一般式(αaBabAg。)7(Cu dA ge
) 04−y ただし、 a :Y、Nd、Sm、Eu、Gd、D”ll/。
、一般式(αaBabAg。)7(Cu dA ge
) 04−y ただし、 a :Y、Nd、Sm、Eu、Gd、D”ll/。
HOlFr、丁m、’ybまたは1−ua〉○
b>0
0≦c<Q、4
a十す十〇=1
0.5<d<1
Q<e≦0.5
d+e=1
0≦’1/<2
0.5≦7≦3
で表わされる超伝導材の製造方法であって、上記α、B
a、’AQおよびCuの元素を含む化合物の溶液の霧滴
流を、加熱された繊維状またはテープ状基材にその長手
方向に対して直交する方向から接触させ、上記基材に膜
状の超伝導材を形成することを特徴とする、゛超伝導材
の製造方法が提供される。
a、’AQおよびCuの元素を含む化合物の溶液の霧滴
流を、加熱された繊維状またはテープ状基材にその長手
方向に対して直交する方向から接触させ、上記基材に膜
状の超伝導材を形成することを特徴とする、゛超伝導材
の製造方法が提供される。
この発明の詳細な説明するに、一般のCVD法において
は、基材が繊維状やテープ状である場合には、原料流は
、基材の長手方向に沿って流すのが普通である。しかし
ながら、原料を霧滴にして反応系に供給する場合には、
原料霧滴流を、基材にその長手方向に対して直交する方
向から接触させると均一性が向上する。
は、基材が繊維状やテープ状である場合には、原料流は
、基材の長手方向に沿って流すのが普通である。しかし
ながら、原料を霧滴にして反応系に供給する場合には、
原料霧滴流を、基材にその長手方向に対して直交する方
向から接触させると均一性が向上する。
基材にその長手方向に対して直交する方向から原料霧滴
流を接触させるとき、原料霧滴流は、上記長手方向に対
して直交する面内において複数の方向から供給すること
ができる。また、反応系に適当な邪魔板を配置する等の
方法によって、原料霧滴流を基材にその長手方向に対し
て直交する方向から接触させることもできる。
流を接触させるとき、原料霧滴流は、上記長手方向に対
して直交する面内において複数の方向から供給すること
ができる。また、反応系に適当な邪魔板を配置する等の
方法によって、原料霧滴流を基材にその長手方向に対し
て直交する方向から接触させることもできる。
この発明において、基材の長手方向に対して直交する方
向とは、原料霧滴流を、基材の長手方向の流速と、それ
と直交する方向の流速とに分けて考えたとき、上記長手
方向の流速よりも直交方向の流速のほうが大きいことを
意味する。換言すれば、基材の長手方向の分速があって
も構わない。
向とは、原料霧滴流を、基材の長手方向の流速と、それ
と直交する方向の流速とに分けて考えたとき、上記長手
方向の流速よりも直交方向の流速のほうが大きいことを
意味する。換言すれば、基材の長手方向の分速があって
も構わない。
また、この発明においては、均一性をさらに向上させる
ため、CVD法を基材を回転させながら実施することが
できる。
ため、CVD法を基材を回転させながら実施することが
できる。
基材は、繊維状またはテープ状の形態のものを使用する
。繊維状基材の場合、磁束の侵入を少なくして発熱を抑
え、またその侵入速度を遅くして単位時間当りの発熱量
を抑え、ざらに冷却効果を高めて超伝導特性を安定化さ
せるために、極細多芯化するのが好ましく、たとえば4
〜10μm程度の太さの単繊維を束ねたものであるのが
好ましい。また、超伝導材は、使用時に、通常、液体ヘ
リウムや液体窒素、その他の冷媒を用いて冷却するが、
この冷却効果を高めるために、中空の基材を用いるのも
好ましいことである。
。繊維状基材の場合、磁束の侵入を少なくして発熱を抑
え、またその侵入速度を遅くして単位時間当りの発熱量
を抑え、ざらに冷却効果を高めて超伝導特性を安定化さ
せるために、極細多芯化するのが好ましく、たとえば4
〜10μm程度の太さの単繊維を束ねたものであるのが
好ましい。また、超伝導材は、使用時に、通常、液体ヘ
リウムや液体窒素、その他の冷媒を用いて冷却するが、
この冷却効果を高めるために、中空の基材を用いるのも
好ましいことである。
そのような基材を構成する材料としては、大別して、金
属系のものと非金属系のものとがある。
属系のものと非金属系のものとがある。
金属系の基材としては、銅、クロム、鉄、モリブデン、
ニッケル、ニオブ、パラジウム、白金、銀、タンタル、
チタン、タングステン、バナジウム、イツトリウム、ジ
ルコニウム等の単体金属や、それら単体金属を主成分と
する合金がある。これら金属系基材の場合、表面をアル
ミナ、サファイア、チタン酸ストロンチウム、酸化マグ
ネシウム、ジルコニア等で被覆してあくこともできる。
ニッケル、ニオブ、パラジウム、白金、銀、タンタル、
チタン、タングステン、バナジウム、イツトリウム、ジ
ルコニウム等の単体金属や、それら単体金属を主成分と
する合金がある。これら金属系基材の場合、表面をアル
ミナ、サファイア、チタン酸ストロンチウム、酸化マグ
ネシウム、ジルコニア等で被覆してあくこともできる。
また、非金属系の基材としては、アルミナ、サファイア
、チタン酸ストロンチウム、酸化マグネシウム、ジルコ
ニア、シリコンカーバイド、チタンとシリコンカーバイ
ドとの混合物、ボロン、窒化ホウ素、チタン酸アルカリ
、ケイ酸鉛カリ等がある。なかでも、ジルコニア、それ
も部分安定化ジルコニア(PSZ)が最も好ましい。P
SZは、周知のように、安定化剤として、イツトリア、
マグネシア、カルシア等の希土類元素の酸化物を固溶せ
しめてなるジルコニアセラミックスである。
、チタン酸ストロンチウム、酸化マグネシウム、ジルコ
ニア、シリコンカーバイド、チタンとシリコンカーバイ
ドとの混合物、ボロン、窒化ホウ素、チタン酸アルカリ
、ケイ酸鉛カリ等がある。なかでも、ジルコニア、それ
も部分安定化ジルコニア(PSZ)が最も好ましい。P
SZは、周知のように、安定化剤として、イツトリア、
マグネシア、カルシア等の希土類元素の酸化物を固溶せ
しめてなるジルコニアセラミックスである。
なかでも、比較的低温で焼結できるために結晶粒子径を
小さくでき、機械的強度の高いものが得られる、イツト
リアやカルシアを使用したPSZが好ましい。
小さくでき、機械的強度の高いものが得られる、イツト
リアやカルシアを使用したPSZが好ましい。
さて、この発明においては、上述したような基材に、元
素α、すなわち、 cx:Y、Nd、Sm、Eu、Gd、DyXHo。
素α、すなわち、 cx:Y、Nd、Sm、Eu、Gd、DyXHo。
Fr1丁mXYbまたはl−u
と、13aと、Cuとを所望の割合で含む化合物の溶液
、または、上記元素αと、Baと、Agと、Cuとを所
望の割合で含む化合物の溶液の霧滴流を、加熱された繊
維状またはテープ状基材にその長手方向に対して直交す
る方向から接触させ、その基材上にそれら化合物の膜を
形成する。元素の割合は、後述する超伝導材が得られる
割合である。
、または、上記元素αと、Baと、Agと、Cuとを所
望の割合で含む化合物の溶液の霧滴流を、加熱された繊
維状またはテープ状基材にその長手方向に対して直交す
る方向から接触させ、その基材上にそれら化合物の膜を
形成する。元素の割合は、後述する超伝導材が得られる
割合である。
特に、a : Ba : cuが1 :、2 :、3で
ある三重ペロブスカイト構造とするのが好適であり、典
型的なものとして、Y : Ba : Cuが’I:2
:3である三重ペロブスカイト構造がある。
ある三重ペロブスカイト構造とするのが好適であり、典
型的なものとして、Y : Ba : Cuが’I:2
:3である三重ペロブスカイト構造がある。
上述した元素を含む化合物は、溶媒に可溶性のものであ
ればよく、硝酸塩、塩化物、過塩素酸塩、蓚酸塩、酢酸
塩、ナフテン酸塩、アルコキシド、β−ジケトン錯体、
エチレンジアミン四酢酸錯体、炭酸塩等である。なかで
も、アルコキシドに炭酸ガスを挿入して得られる金属ア
ルキルカーボネート、それも、メチル、エチル、プロピ
ル、i−プロピル、ブチル、i−ブチル等の低級アルキ
ルカーボネートが好ましい。
ればよく、硝酸塩、塩化物、過塩素酸塩、蓚酸塩、酢酸
塩、ナフテン酸塩、アルコキシド、β−ジケトン錯体、
エチレンジアミン四酢酸錯体、炭酸塩等である。なかで
も、アルコキシドに炭酸ガスを挿入して得られる金属ア
ルキルカーボネート、それも、メチル、エチル、プロピ
ル、i−プロピル、ブチル、i−ブチル等の低級アルキ
ルカーボネートが好ましい。
これらの化合物の溶媒は、水や、アルコール類や、炭化
水素類や、ジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ピリジン、アセトニトリル等の含窒素溶媒や、ジ
メチルスルフオキシド等の含硫黄溶媒など、化合物を溶
解し、かつ霧滴にし得る粘度を有するものであればよい
。なお、溶液中における化合物の濃度は、これら化合物
の溶解度以下であればよいが、10〜300mmol/
lの範囲が適当である。
水素類や、ジメチルフォルムアミド、ジメチルアセトア
ミド、ピリジン、アセトニトリル等の含窒素溶媒や、ジ
メチルスルフオキシド等の含硫黄溶媒など、化合物を溶
解し、かつ霧滴にし得る粘度を有するものであればよい
。なお、溶液中における化合物の濃度は、これら化合物
の溶解度以下であればよいが、10〜300mmol/
lの範囲が適当である。
溶液を霧滴にする方法としては、圧縮ガスを利用したス
プレー法や、超音波振動子を利用する方法等がある。よ
り均一な大きさの霧滴を発生させることができるという
理由で、後者の方法が好ましい。この、超音波振動子を
利用する方法は、圧電素子を用いて溶液を高周波で振動
させて霧滴を作るものであり、霧滴はキャリアーガスで
反応室に運ぶ。キャリヤーガスは、空気、窒素ガス、ア
ルゴンガス、炭酸ガス等である。溶媒が不燃性の場合は
空気が適しているが、可燃性の場合には、窒素ガス、ア
ルゴンガス、炭酸ガス等の非支燃性ガスを使用する。な
お、化合物の分解、酸化のために、適当量の酸素および
/または水等の分解剤や酸化剤をこれらのキャリアーガ
スに含ませておいてもよい。
プレー法や、超音波振動子を利用する方法等がある。よ
り均一な大きさの霧滴を発生させることができるという
理由で、後者の方法が好ましい。この、超音波振動子を
利用する方法は、圧電素子を用いて溶液を高周波で振動
させて霧滴を作るものであり、霧滴はキャリアーガスで
反応室に運ぶ。キャリヤーガスは、空気、窒素ガス、ア
ルゴンガス、炭酸ガス等である。溶媒が不燃性の場合は
空気が適しているが、可燃性の場合には、窒素ガス、ア
ルゴンガス、炭酸ガス等の非支燃性ガスを使用する。な
お、化合物の分解、酸化のために、適当量の酸素および
/または水等の分解剤や酸化剤をこれらのキャリアーガ
スに含ませておいてもよい。
基材の温度は、化合物の種類等によって異なるので一概
にはいえないが、通常、200〜1100′Cの範囲で
ある。好ましくは200〜950’Cの範囲である。
にはいえないが、通常、200〜1100′Cの範囲で
ある。好ましくは200〜950’Cの範囲である。
さて、基材上に形成された膜は、化合物が酸化、分解さ
れて超伝導材になっている場合もあるが、通常は、ざら
に熱処理、酸化処理工程を経て超伝導材とする。この超
伝導材は、元素として上記α、BaおよびCLIを使用
した場合には、一般式、(α1−xBax)7CuO4
−V ただし、 a:Y、Nd、Sm、Eu、Gd5Dy。
れて超伝導材になっている場合もあるが、通常は、ざら
に熱処理、酸化処理工程を経て超伝導材とする。この超
伝導材は、元素として上記α、BaおよびCLIを使用
した場合には、一般式、(α1−xBax)7CuO4
−V ただし、 a:Y、Nd、Sm、Eu、Gd5Dy。
)−1o、 Er、 Tm、 Ybまたはl−uQ<X
<1 0≦V<2 0.5≦7≦3 で表わされるものとなり、元素として上記α、Ba、A
OおよびCuを使用した場合には、一般式、 (α[3a AQ > (CLI6 AQe )
o4−。
<1 0≦V<2 0.5≦7≦3 で表わされるものとなり、元素として上記α、Ba、A
OおよびCuを使用した場合には、一般式、 (α[3a AQ > (CLI6 AQe )
o4−。
a b cz
ただし、
α:Y、Nd、Sm、Eu、Gd1Dy。
HolErlTm1YbまたハLu
a>Q
b>Q
O≦C<O,,4
a十す十G=’1
0.5<d<1
Q<e≦0.5
d十e=1
0≦y<2
0.5≦7≦3
で表わされるものとなる。
−12=
ここで、熱処理、酸化処理は、800〜1200′C程
度で、かつ、基材の融点未満の温度で行う。
度で、かつ、基材の融点未満の温度で行う。
熱処理、酸化処理時間は、10分から数時間程度である
。このとき、昇温は、基材から膜が剥離するのを防止す
るため、10’C/分以下の速度で行うのが好ましい。
。このとき、昇温は、基材から膜が剥離するのを防止す
るため、10’C/分以下の速度で行うのが好ましい。
特に、2〜3°C/分の昇温速度が好ましい。熱処理、
酸化処理の雰囲気は、通常、空気であるが、酸素または
適当な酸素分圧の下で行うこともできる。また、酸化の
方法は、オゾン、酸素、空気、その他の酸化剤による乾
式酸化法が適当である。なお、熱処理、酸化処理の過程
で酸素が逃げ、若干の酸素欠損を生ずる場合があるが、
この場合には、イオン注入法等の方法によって酸素を補
充するのも好ましい。
酸化処理の雰囲気は、通常、空気であるが、酸素または
適当な酸素分圧の下で行うこともできる。また、酸化の
方法は、オゾン、酸素、空気、その他の酸化剤による乾
式酸化法が適当である。なお、熱処理、酸化処理の過程
で酸素が逃げ、若干の酸素欠損を生ずる場合があるが、
この場合には、イオン注入法等の方法によって酸素を補
充するのも好ましい。
(実施例および比較例)
実施例1
Y (NO3)3と、Ba (NO3)2と、Cu(N
O3)2とをそれぞれ80mmol/l 、160mm
ol/l 、240mmol/l含む水溶液を、IMH
z、100Wの超音波振動子を用いて霧滴にし、その霧
滴を空気をキャリアーガスとして300℃に加熱した金
線(直径:0.2mm、長さ100mm)にその長手方
向に対して直交する方向から15分間接触させ、金線上
に化合物の膜を形成した。このとき、金線をlppmで
回転させた。
O3)2とをそれぞれ80mmol/l 、160mm
ol/l 、240mmol/l含む水溶液を、IMH
z、100Wの超音波振動子を用いて霧滴にし、その霧
滴を空気をキャリアーガスとして300℃に加熱した金
線(直径:0.2mm、長さ100mm)にその長手方
向に対して直交する方向から15分間接触させ、金線上
に化合物の膜を形成した。このとき、金線をlppmで
回転させた。
次に、膜が形成された金線を空気中にて900°Cで1
時間熱処理、酸化処理して、金線上に、(Yo、33B
aO,B7)I CuO2,2なる超伝導材を得た。
時間熱処理、酸化処理して、金線上に、(Yo、33B
aO,B7)I CuO2,2なる超伝導材を得た。
この超伝導材を25mmずつに切断し、それぞれについ
て付着している元素を分析したところ、法衣に示すよう
に、位置によらず原子の比がほぼ一定であった。また、
この超伝導材の超伝導転移温度は、45にであった。
て付着している元素を分析したところ、法衣に示すよう
に、位置によらず原子の比がほぼ一定であった。また、
この超伝導材の超伝導転移温度は、45にであった。
比較例1
原料霧滴流を金線にその長手方向に対して平行な方向か
ら供給したほかは実施例1と同様にして、超伝導材を得
た。
ら供給したほかは実施例1と同様にして、超伝導材を得
た。
この超伝導材について、実施例1と同様に元素分析を行
ったところ、次表に示すように、位置によって原子の比
にばらつきがあった。なお、N工1が霧滴流の導入口に
最も近く、N、4が最も遠い。
ったところ、次表に示すように、位置によって原子の比
にばらつきがあった。なお、N工1が霧滴流の導入口に
最も近く、N、4が最も遠い。
実施例2
Y(ClO2>3と、Ba (CI 04 )’2と、
Cu(CIO+>2とをそれぞれ1Qmmol/l、2
0mmol/I 、30mmol/I含む水溶液を、1
’MH2,100Wの超音波振動子を用いて霧滴にし、
350’Cに加熱したアルミナ線(直径:0.2mm、
長さ100mm>にその長手方向に対して直交する方向
から15分間接触させ、アルミナ線上に化合物の膜を形
成した。このとき、アルミナ線を5「p…で回転させた
。
Cu(CIO+>2とをそれぞれ1Qmmol/l、2
0mmol/I 、30mmol/I含む水溶液を、1
’MH2,100Wの超音波振動子を用いて霧滴にし、
350’Cに加熱したアルミナ線(直径:0.2mm、
長さ100mm>にその長手方向に対して直交する方向
から15分間接触させ、アルミナ線上に化合物の膜を形
成した。このとき、アルミナ線を5「p…で回転させた
。
次に、膜が形成されたアルミナ線を空気中にて900’
Cで5時間熱処理、酸化処理し、アルミナ線上に(Yo
、33BaO,67> I CuO2,2なる超伝導材
を得た。
Cで5時間熱処理、酸化処理し、アルミナ線上に(Yo
、33BaO,67> I CuO2,2なる超伝導材
を得た。
この超伝導材を実施例1と同様に分析したところ、次表
に示すように、やはり位置によらず原子の比がほぼ一定
であった。また、この超伝導材の超伝導転移温度は、5
5にであった。
に示すように、やはり位置によらず原子の比がほぼ一定
であった。また、この超伝導材の超伝導転移温度は、5
5にであった。
比較例2
原料霧滴流をアルミナ線にその長手方向に対して平行な
方向から供給したほかは実施例2と同様にして、超伝導
材を得た。
方向から供給したほかは実施例2と同様にして、超伝導
材を得た。
この超伝導材について、実施例2と同様に元素分析を行
ったところ、次表に示すように、位置によって原子の比
にばらつきがあった。
ったところ、次表に示すように、位置によって原子の比
にばらつきがあった。
実施例3
Y (NO3)3と、Ba (NO3)2と、Cu(N
O3)2とをそれぞれ80mmol/I 、160mm
ol/l 、240mmol/l含む水溶液を、1MH
z。
O3)2とをそれぞれ80mmol/I 、160mm
ol/l 、240mmol/l含む水溶液を、1MH
z。
100Wの超音波振動子を用いて霧滴にし、その霧滴を
空気をキャリアーガスとして250°Cに加熱したイツ
トリアテープ(直径:2mm、長さ:1QQmm、厚み
:0.5mm>にその長手方向に対して直交するる方向
から15分間接触させ、テープ上に化合物の膜を形成し
た。このとき、イツトリアテープを1 rpmで回転さ
せた。
空気をキャリアーガスとして250°Cに加熱したイツ
トリアテープ(直径:2mm、長さ:1QQmm、厚み
:0.5mm>にその長手方向に対して直交するる方向
から15分間接触させ、テープ上に化合物の膜を形成し
た。このとき、イツトリアテープを1 rpmで回転さ
せた。
次に、膜が形成されたイツトリアテープを空気中にて9
00’Cで1時間加熱処理、酸化処理し、イツトリアテ
ープ上に(yO,33BaO,67> I CLJ02
.2なる超伝導材を得た。
00’Cで1時間加熱処理、酸化処理し、イツトリアテ
ープ上に(yO,33BaO,67> I CLJ02
.2なる超伝導材を得た。
この超伝導材を実施例1と同様に元素分析したところ、
次表に示すように、やはり位置によらず原子の比がほぼ
一定であった。また、この超伝導材の超伝導転移温度は
75にであった。
次表に示すように、やはり位置によらず原子の比がほぼ
一定であった。また、この超伝導材の超伝導転移温度は
75にであった。
比較例3
原料霧滴流をイツトリアテープにその長手方向に対して
平行な方向から供給したほかは実施例3と同様にして、
超伝導材を得た。
平行な方向から供給したほかは実施例3と同様にして、
超伝導材を得た。
この超伝導材について、実施例3と同様に元素分析を行
ったところ、数表に示すように、位置によって原子の比
にばらつきがあった。
ったところ、数表に示すように、位置によって原子の比
にばらつきがあった。
実施例4
実施例1において、Y (NO,3> 3をNd (N
O3)3に変えた。
O3)3に変えた。
得られた(NdO,33BaO,67> I CuO2
,2なる超伝導材は、実施例1で得られたものと同様、
やはり位置によらず原子の比がほぼ一定であった。
,2なる超伝導材は、実施例1で得られたものと同様、
やはり位置によらず原子の比がほぼ一定であった。
また、この超伝導材の超伝導転移温度は60にでめった
。
。
実施例5
実施例1において、Y (NO3)3をSm (NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた(Sm Ba ) CuO2,2な
0.330.67す る超伝導材は、実施例1で得られたものと同様、やはり
位置によらず原子の比がほぼ一定であった。
0.330.67す る超伝導材は、実施例1で得られたものと同様、やはり
位置によらず原子の比がほぼ一定であった。
また、この超伝導材の超伝導転移温度は59にであった
。
。
実施例6
実施例1において、Y (NO3)3をEu (NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
1qられた(E uO,33BaO,67)1 cuo
2.2なる超伝導材は、実施例1で得られたものと同様
、やはり位置によらず原子の比がほぼ一定でめった。
2.2なる超伝導材は、実施例1で得られたものと同様
、やはり位置によらず原子の比がほぼ一定でめった。
また、この超伝導材の超伝導転移温度は62にであった
。
。
実施例7
実施例1において、Y (NO3)3をGd (N03
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた(、G d □、33B a、o、67) I
Cu 02.2なる超伝導材は、実施例1で得られたも
のと同様、やはり位置によらず原子の、比がほぼ一定で
あった。
Cu 02.2なる超伝導材は、実施例1で得られたも
のと同様、やはり位置によらず原子の、比がほぼ一定で
あった。
また、この超伝導材の超伝導転移温度は65にでめった
。
。
実施例8
実施例1において、Y (No、3 ) 3をDy(N
03)3に変えた。
03)3に変えた。
得られた( D yo、33’3 aO,67> I
Cu 02.2なる超伝導材は、実施例1で得られたも
のと同様、やはり位置によらず原子の比がほぼ一定であ
った。
Cu 02.2なる超伝導材は、実施例1で得られたも
のと同様、やはり位置によらず原子の比がほぼ一定であ
った。
また、この超伝導材の超伝導転移温度は60にであった
。
。
実施例9
実施例1において、Y (NO3)3をHo (NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた(HOo、33BaO,67>I CuO2,
2なる超伝導材は、実施例1て得られたものと同様、や
はり位置によらず原子の比がほぼ一定であった。
2なる超伝導材は、実施例1て得られたものと同様、や
はり位置によらず原子の比がほぼ一定であった。
また、この超伝導材の超伝導転移温度は59にであった
。
。
実施例10
実施例1において、Y (NO3)3をEr(N03)
3に変えた。
3に変えた。
得られた(、E r □、33B ao、67> I
Cu 02.2なる超伝導材は、実施例1で得られたも
のと同様、やはり位置によらず原子の比がほぼ一定であ
った。
Cu 02.2なる超伝導材は、実施例1で得られたも
のと同様、やはり位置によらず原子の比がほぼ一定であ
った。
また、この超伝導材の超伝導転移温度は69にであった
。
。
実施例11
実施例1において、Y (NO3)3をTm (N03
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた(Tmo、33BaO,67>I CuO2,
2なる超伝導材は、実施例1で得られたものと同様、や
はり位置によらず原子の比がほぼ一定でめった。
2なる超伝導材は、実施例1で得られたものと同様、や
はり位置によらず原子の比がほぼ一定でめった。
また、この超伝導材の超伝導転移温度は58にであった
。
。
実施例12
実施例1において、Y (NO3)3をYb (NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた(Ybo、33Bao、67) I CuO2
,2なる超伝導材は、実施例1で得られたものと同様、
やはり位置によらず原子の比がほぼ一定であった。
,2なる超伝導材は、実施例1で得られたものと同様、
やはり位置によらず原子の比がほぼ一定であった。
また、この超伝導材の超伝導転移温度は69にであった
。
。
実施例13
実施例1におイテ、Y (NO3)3をLu (NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた( L uo、33B aO’、67) I
Cu 02.2なる超伝導材は、実施例1で得られたも
のと同様、やはり位置によらず原子の比がほぼ一定でお
った。
Cu 02.2なる超伝導材は、実施例1で得られたも
のと同様、やはり位置によらず原子の比がほぼ一定でお
った。
また、この超伝導材の超伝導転移温度は55にでdろ
つ lこ。
つ lこ。
実施例]4
実施例1において、水溶液を、Y (NO3) 3を8
0mmol/l 、Ba (HNO3) 2を160m
mof/l 、 Cu (HNO3) 2を240mm
ol/l、AQ (HNO3)2を20mmol/l含
むものに変えた。
0mmol/l 、Ba (HNO3) 2を160m
mof/l 、 Cu (HNO3) 2を240mm
ol/l、AQ (HNO3)2を20mmol/l含
むものに変えた。
得られた(Y□、31BaO,6Ag□、1 ) 1(
CuO,B Ag0.2 > 02.27なる超伝導材
は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によら
ず原子の比がほぼ一定であった。また、この超伝導材の
超伝導転移温度は50にであった。
CuO,B Ag0.2 > 02.27なる超伝導材
は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によら
ず原子の比がほぼ一定であった。また、この超伝導材の
超伝導転移温度は50にであった。
23 一
実施例15
実施例14において、Y (NO3)3をNd(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた(Nd□、3 E3aO,6Ag□、1 )
1(Cuo、8△g0.2 > 02.27なる超伝導
材は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によ
らず原子の比かほぼ一定でめった。また、この超伝導材
の超伝導転移温度は60にであった。
1(Cuo、8△g0.2 > 02.27なる超伝導
材は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によ
らず原子の比かほぼ一定でめった。また、この超伝導材
の超伝導転移温度は60にであった。
実施例16
実施例14において、Y (NO3)3を3m(NO3
)−3に変えた。
)−3に変えた。
得られた(Sm(33[3aO,6A g□、1’ >
1(Cu0.8 Aqo、2 > 02.27なる超
伝導材は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置
によらず原子の比がほぼ一定でめった。また、この超伝
導材の超伝導転移温度は50にでおった。
1(Cu0.8 Aqo、2 > 02.27なる超
伝導材は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置
によらず原子の比がほぼ一定でめった。また、この超伝
導材の超伝導転移温度は50にでおった。
実施例17
実施例14において、Y (NO3)3をFu(’N0
3)3に変えた。
3)3に変えた。
得られた(EUO,3BaO,6Ag0.1 > 1(
CU□、B A’0□、2 ) 02.27なる超伝導
材は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によ
らず原子の比がほぼ一定であった。また、この超伝導材
の超伝導転移温度は49にであった。
CU□、B A’0□、2 ) 02.27なる超伝導
材は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によ
らず原子の比がほぼ一定であった。また、この超伝導材
の超伝導転移温度は49にであった。
実施例18
実施例14において、Y (NO3)3をGd(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた(Gd0.3 BaO,6Aqo、1 > 1
(Cu(14Ag0.2 ) 02.27なる超伝導材
は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によら
ず原子の比がほぼ一定であった。また、この超伝導材の
超伝導転移温度は49にであった。
(Cu(14Ag0.2 ) 02.27なる超伝導材
は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によら
ず原子の比がほぼ一定であった。また、この超伝導材の
超伝導転移温度は49にであった。
実施例19
実施例14において、Y (NO3)3をDy(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた(DV□、3 [3aO,6AQo、1 >
1(Cu04 Ag□、2 )02.27なる超伝導材
は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によら
ず原子の比がほぼ一定であった。また、この超伏導材の
超伝導転移温度は52にであった。
1(Cu04 Ag□、2 )02.27なる超伝導材
は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によら
ず原子の比がほぼ一定であった。また、この超伏導材の
超伝導転移温度は52にであった。
実施例20
実施例14において、Y (NO3)3をHO(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた<1−to。、3[3aO,6AQ□、1 )
1(CuO,8Ag(32> 02.27なる超伝導
材は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によ
らず原子の比がほぼ一定でおった。また、この超伝導材
の超伝導転移温度は58にでおった。
1(CuO,8Ag(32> 02.27なる超伝導
材は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によ
らず原子の比がほぼ一定でおった。また、この超伝導材
の超伝導転移温度は58にでおった。
実施例21
実施例14において、Y (NO3)3をFr(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた(E ’0.38a□、6 Ag□、1)1(
C’0.8 ”0.2 > 02.27なる超伝導材は
、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によらず
原子の比がほぼ一定であった。また、この超伝導材の超
伝導転移温度は50にでおった。
C’0.8 ”0.2 > 02.27なる超伝導材は
、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によらず
原子の比がほぼ一定であった。また、この超伝導材の超
伝導転移温度は50にでおった。
実施例22
実施例14において、Y (NO3)3を丁m(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた(T−m□、3 E3aO,6A”0.1 >
1(Cu0.8 A”0.2 > 02.27なる超
伝導材は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置
によらず原子の比がほぼ一定でめった。また、この超伝
導材の超伝導転移温度は55にであった。
1(Cu0.8 A”0.2 > 02.27なる超
伝導材は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置
によらず原子の比がほぼ一定でめった。また、この超伝
導材の超伝導転移温度は55にであった。
実施例23
実施例14においT、Y (NO3) 3をYb(NO
3)3に変えた。
3)3に変えた。
1qられた(Yb□、3 E3aO,6AQ□、1 )
1(CuO,8Ag0.2 > 02.27なる超伝導
材は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によ
らず原子の比がほぼ一定であった。また、この超伝導材
の超伝導転移温度は53にであった。
1(CuO,8Ag0.2 > 02.27なる超伝導
材は、実施例1で得られたものと同様、やはり位置によ
らず原子の比がほぼ一定であった。また、この超伝導材
の超伝導転移温度は53にであった。
実施例24
実施例14において、Y (NO3)3を1u(NO3
)3に変えた。
)3に変えた。
得られた(mu□、3 E3aO,6AQ□、1 )
1(Cu O,B A Q □、2) 02.27なる
超伝導材は、実施例1で得られたものと同様、やはり位
置によらず原子の比がほぼ一定であった。また、この超
伏導材の超伝導転移温度は55にであった。
1(Cu O,B A Q □、2) 02.27なる
超伝導材は、実施例1で得られたものと同様、やはり位
置によらず原子の比がほぼ一定であった。また、この超
伏導材の超伝導転移温度は55にであった。
(発明の効果)
この発明の方法は、基材に、その長手方向に対して直交
する方向から、必要な元素を含む化合物の溶液の霧滴流
を接触させるので、必要な元素を含む揮発性化合物を蒸
発させて使用する従来のCVD法にくらべて、実施例に
も示したように、基材上への膜の形成が大変容易で、均
一性の高い超伝導材を得ることができるようになる。
する方向から、必要な元素を含む化合物の溶液の霧滴流
を接触させるので、必要な元素を含む揮発性化合物を蒸
発させて使用する従来のCVD法にくらべて、実施例に
も示したように、基材上への膜の形成が大変容易で、均
一性の高い超伝導材を得ることができるようになる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)一般式(α_1_−_xBa_x)_zCuO_
4_−_yただし、 α:Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、 Ho、Er、Tm、YbまたはLu 0<x<1 0≦y<2 0.5≦z≦3 で表わされる超伝導材の製造方法であって、上記α、B
aおよびCuの元素を含む化合物の溶液の霧滴流を、加
熱された繊維状またはテープ状基材にその長手方向に対
して直交する方向から接触させ、上記基材に膜状の超伝
導材を形成することを特徴とする、超伝導材の製造方法
。 (2)一般式(α_aBa_bAg_c)_z(Cu_
dAg_e)O_4_−_y ただし、 α:Y、Nd、Sm、EU、Gd、Dy、 Ho、Er、Tm、YbまたはLu a>0 b>0 0≦c<0.4 a+b+c=1 0.5<d<1 0<e≦0.5 d+e=1 0≦y<2 0.5≦z≦3 で表わされる超伝導材の製造方法であって、上記α、B
a、AgおよびCuの元素を含む化合物の溶液の霧滴流
を、加熱された繊維状またはテープ状基材にその長手方
向に対して直交する方向から接触させ、上記基材に膜状
の超伝導材を形成することを特徴とする、超伝導材の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63219256A JPH01164729A (ja) | 1987-09-21 | 1988-09-01 | 超伝導材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62-237044 | 1987-09-21 | ||
JP23704487 | 1987-09-21 | ||
JP63219256A JPH01164729A (ja) | 1987-09-21 | 1988-09-01 | 超伝導材の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01164729A true JPH01164729A (ja) | 1989-06-28 |
Family
ID=26523016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63219256A Pending JPH01164729A (ja) | 1987-09-21 | 1988-09-01 | 超伝導材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01164729A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01224209A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-09-07 | Westinghouse Electric Corp <We> | セラミック超電導体の製造に用いる方法 |
JPH01230403A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-13 | Hitachi Ltd | 酸化物超電導体の製造方法 |
JPH0244613A (ja) * | 1987-12-15 | 1990-02-14 | Junko Nakajima | 超伝導テープとその製作法および製作装置 |
US8119187B2 (en) * | 2003-12-15 | 2012-02-21 | Superpower, Inc. | Chemical vapor deposition process using novel precursors |
-
1988
- 1988-09-01 JP JP63219256A patent/JPH01164729A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0244613A (ja) * | 1987-12-15 | 1990-02-14 | Junko Nakajima | 超伝導テープとその製作法および製作装置 |
JPH01224209A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-09-07 | Westinghouse Electric Corp <We> | セラミック超電導体の製造に用いる方法 |
JPH01230403A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-13 | Hitachi Ltd | 酸化物超電導体の製造方法 |
US8119187B2 (en) * | 2003-12-15 | 2012-02-21 | Superpower, Inc. | Chemical vapor deposition process using novel precursors |
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