JPH03183619A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPH03183619A JPH03183619A JP1321103A JP32110389A JPH03183619A JP H03183619 A JPH03183619 A JP H03183619A JP 1321103 A JP1321103 A JP 1321103A JP 32110389 A JP32110389 A JP 32110389A JP H03183619 A JPH03183619 A JP H03183619A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は，酸化物超電導体の製造方法に関し。
特に、Ｙ，Ｌａを含む希土類、Ｂａ及びＣｕをその一部
として含む酸化物超電導体を、有機酸及び無機酸を用い
た化学液相法で製造する酸化物超電導体の製造方法に適
用して有効な技術に関するものである。
として含む酸化物超電導体を、有機酸及び無機酸を用い
た化学液相法で製造する酸化物超電導体の製造方法に適
用して有効な技術に関するものである。
また、本発明は，！ｌ１化物超電導体の製造とその製品
に関し，特に、高い遷移温度の酸化物超電導体粉末，パ
ルク体．テープ，線材（コイル等の形状変化も含む）、
薄膜及び厚膜の製造に適用して有効な技術に関するもの
である。
に関し，特に、高い遷移温度の酸化物超電導体粉末，パ
ルク体．テープ，線材（コイル等の形状変化も含む）、
薄膜及び厚膜の製造に適用して有効な技術に関するもの
である。
高温超電導体ＲＢａ、Ｃｕ、Ｏ，（１２３相、Ｒは、Ｙ
、Ｌａを含む希土類である）は、約９０に近傍以下の温
度で電気抵抗が零になることが知られている。しかし、
この超電導酸化物は、大気中では、高′＠（例えば１気
圧の空気中で約４５０℃以上）になるとその中に存在す
る酸化の離脱、吸収が発生するため、熱的に不安定であ
る。更に、室温程度でも、前記ＲＢａ、Ｃｕ、Ｏ，（１
２３相）の表面近傍は不安定であるため、特に水蒸気や
二酸化炭素に対して弱い、このような化学的特性がある
ために、この超電導酸化物を実用化するにあたっては、
プロセス加工が極めて困難である。
、Ｌａを含む希土類である）は、約９０に近傍以下の温
度で電気抵抗が零になることが知られている。しかし、
この超電導酸化物は、大気中では、高′＠（例えば１気
圧の空気中で約４５０℃以上）になるとその中に存在す
る酸化の離脱、吸収が発生するため、熱的に不安定であ
る。更に、室温程度でも、前記ＲＢａ、Ｃｕ、Ｏ，（１
２３相）の表面近傍は不安定であるため、特に水蒸気や
二酸化炭素に対して弱い、このような化学的特性がある
ために、この超電導酸化物を実用化するにあたっては、
プロセス加工が極めて困難である。
これに対して、ＲＢａ、Ｃｕ、Ｏ，（１２４相）は、８
５０℃付近まで酸素の吸収、放出が見られず安定であり
、しかも、臨界温度（超電導転移温度：以下Ｔｃという
）が８０に付近にあり、液体窒ｆｌ＠度を上まわるため
、実用上からも重要な物質である。
５０℃付近まで酸素の吸収、放出が見られず安定であり
、しかも、臨界温度（超電導転移温度：以下Ｔｃという
）が８０に付近にあり、液体窒ｆｌ＠度を上まわるため
、実用上からも重要な物質である。
前記ＲＢａ、Ｃｕ、Ｏａ （ｉ２４相）の製造方法とし
て、これまで以下の二つの方法が使用されている。
て、これまで以下の二つの方法が使用されている。
（１）仮焼粉を純酸素の高圧雰囲気で熱処理（例えば９
３０℃で８時間、酸素圧１００ ａｔｍ）する方法（高
圧酸素法：Ｔｃ＝ ８１ Ｋ）（Ｎａｔｕｒｅ ３３６
（１９８ｇ）ｐｐ６６０〜６６２）。
３０℃で８時間、酸素圧１００ ａｔｍ）する方法（高
圧酸素法：Ｔｃ＝ ８１ Ｋ）（Ｎａｔｕｒｅ ３３６
（１９８ｇ）ｐｐ６６０〜６６２）。
（２）仮焼粉を炭酸ナトリウム等の触媒と混合し、これ
を長時間酸素気流中で熱処理する方法（常圧触媒法：Ｔ
ｃ＝ ７７ Ｋ）（Ｎａｔｕｒｅ ３３８ （１９８９
） ｐｐ３２８〜３３０）。
を長時間酸素気流中で熱処理する方法（常圧触媒法：Ｔ
ｃ＝ ７７ Ｋ）（Ｎａｔｕｒｅ ３３８ （１９８９
） ｐｐ３２８〜３３０）。
しかしながら、前記従来の高圧酸素法では、仮焼粉を純
酸素の高圧雰囲気中で熱処理しているため、薄膜材、線
材、テープ材等への実用的な量産性や、複雑な形状への
応用は極めて困難であった。
酸素の高圧雰囲気中で熱処理しているため、薄膜材、線
材、テープ材等への実用的な量産性や、複雑な形状への
応用は極めて困難であった。
また、前記従来の常圧触媒法では、仮焼粉を炭酸ナトリ
ウム等の触媒と混合し、これを長時間酸素気流中で熱処
理しているため、前記高圧酸素法と同様に、実用的な量
産性や複雑な形状への応用は極めて困難であった。
ウム等の触媒と混合し、これを長時間酸素気流中で熱処
理しているため、前記高圧酸素法と同様に、実用的な量
産性や複雑な形状への応用は極めて困難であった。
本発明は、前記問題点を解決するためになされたもので
ある。
ある。
本発明の目的は、０．１ 乃至１０気圧程度の低圧で、
何ら触媒等の不純物を用いることなく、ＲＢ ａｔ Ｃ
ｕ、Ｏｓの酸化物超電導体を製造することができる技術
を提供することにある。
何ら触媒等の不純物を用いることなく、ＲＢ ａｔ Ｃ
ｕ、Ｏｓの酸化物超電導体を製造することができる技術
を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
前記目的を達成するために１本発明は、Ｙ、Ｌａを含む
希土類（以後、Ｒと記述する）、Ｂａ、Ｃｕ及びＯを構
成元素として含み、前記希土類、Ｂａ、Ｃｕの組成が１
：２：４の割合で構成される酸化物超電導体の製造方法
において、金属アルコキシド。
希土類（以後、Ｒと記述する）、Ｂａ、Ｃｕ及びＯを構
成元素として含み、前記希土類、Ｂａ、Ｃｕの組成が１
：２：４の割合で構成される酸化物超電導体の製造方法
において、金属アルコキシド。
水酸化物、硝酸塩のうちの１種以上を組合せる工程と、
それら組合せられた物質が溶解または分散する容媒を加
える工程と、それらの加えられた前駆体ゾル又は超微粒
子を撹拌混合させ混合物又は反応生成物を生成する工程
と、該混合物又は反応生成物を０．１乃至１０気圧の酸
化ガス気流中。
それら組合せられた物質が溶解または分散する容媒を加
える工程と、それらの加えられた前駆体ゾル又は超微粒
子を撹拌混合させ混合物又は反応生成物を生成する工程
と、該混合物又は反応生成物を０．１乃至１０気圧の酸
化ガス気流中。
７００乃至８５０℃の温度範囲で焼成する工程とからな
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
また、前記希土類元素の一部をＣａで置換したことを特
徴とする。
徴とする。
また、前記Ｂ８の一部をＳｒで置換したことを特徴とす
る。
る。
また、前記希土類元素の一部をＣａで置換し。
かつ、前＠；ｅ Ｂ ａの一部をＳｒで置換したことを
特徴とする。
特徴とする。
前述した手段によれば、前記Ｒ，Ｂａ、Ｃｕの組成が１
：２：４の割合で構成されるＲＢａ、Ｃｕ４０゜型結晶
構造、Ｒ１−＊Ｃａ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｏ，型結晶構造。
：２：４の割合で構成されるＲＢａ、Ｃｕ４０゜型結晶
構造、Ｒ１−＊Ｃａ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｏ，型結晶構造。
Ｒ（Ｂａ、、Ｓｒ、）、Ｃｕ、Ｏ，型結晶構造またはＲ
８−１ｃ ａｍ （ｎ ａｘ −２ｓ ｒｙ）１ ｃ
ｕ４０ ａ型結晶構造の高温で安定した酸化物超電導体
を０．１ 乃至１０気圧の酸素雰囲気下で製造すること
ができる。
８−１ｃ ａｍ （ｎ ａｘ −２ｓ ｒｙ）１ ｃ
ｕ４０ ａ型結晶構造の高温で安定した酸化物超電導体
を０．１ 乃至１０気圧の酸素雰囲気下で製造すること
ができる。
以下１本発明の実施例を図面を用いて具体的に説明する
。
。
なお、実施例を説明するための全図において。
同−機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返し
の説明は省略する。
の説明は省略する。
［実施例■コ
本実施例■の酸化物超電導体の製造方法は、第１図に示
すフローチャートに従って１例えば、イツトリウムブト
キサイドのキシレン溶液、バリウムエトキサイドのエタ
ノール溶液及び硝酸塩のエタノール溶液を、Ｙ：Ｂａ：
Ｃｕ＝１：２：４ の割合で混合しくステップ１０１
，１０２）、２０時間、６０℃の窒素雰囲気中で還流し
た後（ステップ１０３）、溶媒を蒸発させて混合物ある
いは反応生成物を合成した（ステップ１０４，１０５）
、この混合物または反応生成物を、１気圧酸素気流中、
１℃／分（ｗｉｎ）で８００℃まで昇温し、その温度で
１０時間焼焼成た（ステップ１０６）。
すフローチャートに従って１例えば、イツトリウムブト
キサイドのキシレン溶液、バリウムエトキサイドのエタ
ノール溶液及び硝酸塩のエタノール溶液を、Ｙ：Ｂａ：
Ｃｕ＝１：２：４ の割合で混合しくステップ１０１
，１０２）、２０時間、６０℃の窒素雰囲気中で還流し
た後（ステップ１０３）、溶媒を蒸発させて混合物ある
いは反応生成物を合成した（ステップ１０４，１０５）
、この混合物または反応生成物を、１気圧酸素気流中、
１℃／分（ｗｉｎ）で８００℃まで昇温し、その温度で
１０時間焼焼成た（ステップ１０６）。
以上の工程により得られたＹ系酸化物超電導体（１２４
相）の試料の焼結体の生成相を、Ｘ線回折を用いて確認
して、そのＸ線回折の結果を、第２図に示す、第２図中
の数字は、 ＲＢ ａ、 ＣＵ４０ ａ型構造に基づい
たピークの指数である。第２図から！ ＸＩ！ ？（’
Ｍ ツ ％ｌ ％−Ｌ ’Ｌ ｇ１１６６１／
／−＊また、この試料の起ｍｓ＋１ＬｊＦ−一・１−〒
四〜・−よりｒＩ４（へ）た、その結果を第３図に示す
、なお、第３図において、Ｔｃは超電導転移点である。
相）の試料の焼結体の生成相を、Ｘ線回折を用いて確認
して、そのＸ線回折の結果を、第２図に示す、第２図中
の数字は、 ＲＢ ａ、 ＣＵ４０ ａ型構造に基づい
たピークの指数である。第２図から！ ＸＩ！ ？（’
Ｍ ツ ％ｌ ％−Ｌ ’Ｌ ｇ１１６６１／
／−＊また、この試料の起ｍｓ＋１ＬｊＦ−一・１−〒
四〜・−よりｒＩ４（へ）た、その結果を第３図に示す
、なお、第３図において、Ｔｃは超電導転移点である。
横軸（Ｘ軸）は、温度（絶対温度：Ｋ）である、縦軸（
Ｙ軸）は、帯磁率であり、その単位は任意単位である。
Ｙ軸）は、帯磁率であり、その単位は任意単位である。
この任意単位は１例えば電圧の単位であるボルト（Ｖ）
であっても良い。
であっても良い。
［実施例■］
本実施例■の酸化物超電導体の製造方法は、硝酸網をエ
タノールに溶解させた溶液にアンモニアガスを吹き込み
水酸化鋼を沈澱させる。更に、アルコールで溶液中の硝
塩イオンを十分に洗浄し。
タノールに溶解させた溶液にアンモニアガスを吹き込み
水酸化鋼を沈澱させる。更に、アルコールで溶液中の硝
塩イオンを十分に洗浄し。
エタノール中に分散させる。更に、前記実施例■と同じ
方法で得たイツトリウムとバリウムの溶液を混合し、前
記実施例■と同様の方法により混合、反応、還流し混合
物または反応生成物を合成した。
方法で得たイツトリウムとバリウムの溶液を混合し、前
記実施例■と同様の方法により混合、反応、還流し混合
物または反応生成物を合成した。
この粉末を前記実施例Ｉと同様の方法で焼成し、酸化物
超電導体を合成した。
超電導体を合成した。
［実施例ｍ］
本実施例■の酸化物超電導体の製造方法は、硝酸イツト
リウムをエタノール中に加え、水酸化イツトリウムの超
微粉末のエタノール中分散溶液を得る。水酸化バリウム
も同様にして、超微粉末のエタノール中分散溶液を得る
。水酸化鋼は、硝酸銅の水溶液にアンモニア水を加えて
沈澱させ、この沈澱物を濾過、洗浄後、エタノール中に
分散させた。これらの溶液を混合し、前記実施例１と同
様の方法により混合１反応、還流し混合物または反応生
成物を合成した。この粉末を前記実施例■と同様の方法
で焼成し、酸化物超電導体を合成した。
リウムをエタノール中に加え、水酸化イツトリウムの超
微粉末のエタノール中分散溶液を得る。水酸化バリウム
も同様にして、超微粉末のエタノール中分散溶液を得る
。水酸化鋼は、硝酸銅の水溶液にアンモニア水を加えて
沈澱させ、この沈澱物を濾過、洗浄後、エタノール中に
分散させた。これらの溶液を混合し、前記実施例１と同
様の方法により混合１反応、還流し混合物または反応生
成物を合成した。この粉末を前記実施例■と同様の方法
で焼成し、酸化物超電導体を合成した。
［実施例■］
本実施例■の酸化物超電導体の製造方法は、前記実施例
ｍと同様の方法で水酸化イツトリウムと水酸化鋼をエタ
ノール中に分散させた溶液を得る。
ｍと同様の方法で水酸化イツトリウムと水酸化鋼をエタ
ノール中に分散させた溶液を得る。
その溶液中に金属バリウムを加え、前記実施例■と同様
の方法により混合１反応、還流し混合物または反応生成
物を合成した。この粉末を前記実施例■と同様の方法で
焼成し酸化物超電導体を合成した。
の方法により混合１反応、還流し混合物または反応生成
物を合成した。この粉末を前記実施例■と同様の方法で
焼成し酸化物超電導体を合成した。
前記実施例■、■、■で得られた試料についても、前記
実施例１と同様に、各試料がＸ線回折法でＲＢａ、Ｃｕ
、Ｏ，型の結晶構造を有することを確認し、かつ、帯磁
率測定法で超電導特性を有することを確認した。
実施例１と同様に、各試料がＸ線回折法でＲＢａ、Ｃｕ
、Ｏ，型の結晶構造を有することを確認し、かつ、帯磁
率測定法で超電導特性を有することを確認した。
以上の説明から分かるように、本実施例■乃至■によれ
ば、高圧装置を使用しなくても安定に酸化物超電導体を
製造できる。また、製造の作業において、極めて高い安
全性を得ることができる。
ば、高圧装置を使用しなくても安定に酸化物超電導体を
製造できる。また、製造の作業において、極めて高い安
全性を得ることができる。
なお、前記実施例Ｉ乃至■においては、好ましい１気圧
（大気圧）の酸素気流中で熱処理を行なう例を説明した
が、本発明は、０．１乃至１０気圧程度の低圧の酸素気
流中で熱処理を行なうこともできる。
（大気圧）の酸素気流中で熱処理を行なう例を説明した
が、本発明は、０．１乃至１０気圧程度の低圧の酸素気
流中で熱処理を行なうこともできる。
また１本発明は、前記Ｒの一部をＣａで置換した酸化物
超電導体、前記Ｂａの一部をＳｒで置換した酸化物超電
導体、前記Ｒの一部をＣａで置換しかつ前記Ｂａの一部
をＳｒで置換した酸化物超電導体等のＲ系酸化物超電導
体で、ＲＢａ、Ｃｕ４０．（１２４相）型の結晶構造を
有し、かつ、超電導特性を示す物質にも適用できること
は容易に理解できるであろう、すなわち、本発明は、１
２４相結晶構造のすべての酸化物超電導体の製造方法に
適用できることは言うまでもない。
超電導体、前記Ｂａの一部をＳｒで置換した酸化物超電
導体、前記Ｒの一部をＣａで置換しかつ前記Ｂａの一部
をＳｒで置換した酸化物超電導体等のＲ系酸化物超電導
体で、ＲＢａ、Ｃｕ４０．（１２４相）型の結晶構造を
有し、かつ、超電導特性を示す物質にも適用できること
は容易に理解できるであろう、すなわち、本発明は、１
２４相結晶構造のすべての酸化物超電導体の製造方法に
適用できることは言うまでもない。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
以上、説明したように１本発明によれば、０．１乃至１
０気圧抵度の低圧の酸素雰囲気下で、 ＲＢａ、Ｃｕ４
Ｑ、型結晶構造、 Ｒ，−ｍｃａ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｏ。
０気圧抵度の低圧の酸素雰囲気下で、 ＲＢａ、Ｃｕ４
Ｑ、型結晶構造、 Ｒ，−ｍｃａ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｏ。
型結晶構造、Ｒ（Ｂａ、、Ｓｒ、）、Ｃｕ、Ｏａ型結晶
構造またはＲ，−ｇｃａｘ（Ｂａ、−、ｓ ｒｙ）＊
Ｃｕ、Ｏ，型結晶構造の高温で安定した酸化物超電導体
を化学液相法により製造することができる。
構造またはＲ，−ｇｃａｘ（Ｂａ、−、ｓ ｒｙ）＊
Ｃｕ、Ｏ，型結晶構造の高温で安定した酸化物超電導体
を化学液相法により製造することができる。
第１図は、本発明の酸化物超電導体の製造方法の実施例
の製造方法のプロセスを示すフローチャート。 第２図は、実施例■の酸化物超電導体のＸ線回折図。 第３図は、実施例■の酸化物超電導体の帯磁率測定法に
よる超電導特性を示す図である。
の製造方法のプロセスを示すフローチャート。 第２図は、実施例■の酸化物超電導体のＸ線回折図。 第３図は、実施例■の酸化物超電導体の帯磁率測定法に
よる超電導特性を示す図である。
Claims (4)
- （１）Ｙ，Ｌａを含む希土類元素、Ｂａ、Ｃｕ及びＯを
構成元素として含み、かつ、前記希土類元素、Ｂａ、Ｃ
ｕの組成が１：２：４の割合で構成される酸化物超電導
体の製造方法において、金属アルコキシド、水酸化物、
硝酸塩のうちの１種以上を組合せる工程と、それら組合
せられた物質が溶解または分散する容媒を加える工程と
、それらの加えられた前駆体ゾル又は超微粒子を撹拌混
合させ混合物又は反応生成物を生成する工程と、該混合
物又は反応生成物を０．１乃至１０気圧の酸化ガス気流
中、７００乃至８５０℃の温度範囲で焼成する工程とか
らなることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。 - （２）前記希土類元素の一部をＣａで置換したことを特
徴とする前記請求項１に記載の酸化物超電導体の製造方
法。 - （３）前記Ｂａの一部をＳｒで置換したことを特徴とす
る前記請求項１に記載の酸化物超電導体の製造方法。 - （４）前記希土類元素の一部をＣａで置換し、かつ、前
記Ｂａの一部をＳｒで置換したことを特徴とする前記請
求項１に記載の酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321103A JPH07110766B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 酸化物超電導体の製造方法 |
| US07/624,219 US5306696A (en) | 1989-12-11 | 1990-12-10 | Method of producing YBa2 Cu4 Ox -type superconducting metal oxides |
| DE69009413T DE69009413T2 (de) | 1989-12-11 | 1990-12-11 | Methode zur Herstellung von Metalloxid-Supraleitern. |
| EP90313417A EP0433006B1 (en) | 1989-12-11 | 1990-12-11 | Method of producing superconductor of metal oxides |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1321103A JPH07110766B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 酸化物超電導体の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183619A true JPH03183619A (ja) | 1991-08-09 |
| JPH07110766B2 JPH07110766B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=18128856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1321103A Expired - Fee Related JPH07110766B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5306696A (ja) |
| EP (1) | EP0433006B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07110766B2 (ja) |
| DE (1) | DE69009413T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| EP0549148B1 (en) * | 1991-11-28 | 1998-03-04 | Kyocera Corporation | A copper oxide superconductor, a process for its production, and a copper complex used therein |
| US5306652A (en) * | 1991-12-30 | 1994-04-26 | Texas Instruments Incorporated | Lateral double diffused insulated gate field effect transistor fabrication process |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63260819A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導体の製造方法 |
| JPS6452658A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | Production of oxide superconducting material |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2594821B1 (fr) * | 1986-02-24 | 1988-05-20 | Solvay | Procede de fabrication d'oxydes metalliques vitreux |
| CA1288644C (en) * | 1987-02-26 | 1991-09-10 | Noriyuki Yoshida | Oxide superconductive material and method of manufacturing the same |
| AU607219B2 (en) * | 1987-05-29 | 1991-02-28 | Toray Industries, Inc. | Method of forming superconductive thin films and solutions for forming the same |
| EP0301591B1 (en) * | 1987-07-31 | 1992-09-30 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition and process for preparing compound metal oxides |
| JPH07106897B2 (ja) * | 1987-08-24 | 1995-11-15 | 三菱電機株式会社 | 酸化物系超電導材料の製造方法 |
| JPS6452075A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | Coating agent for forming oxide-based superconducting film |
| EP0310245A3 (en) * | 1987-09-30 | 1990-01-10 | General Motors Corporation | Formation of film superconductors by metallo-organic deposition |
| US4983577A (en) * | 1987-12-22 | 1991-01-08 | General Motors Corporation | Metalorganic deposition of superconducting Yb-Ba-Cu-O thin films by rapid thermal annealing |
| US4962088A (en) * | 1987-12-22 | 1990-10-09 | General Motors Corporation | Formation of film superconductors by metallo-organic deposition |
| US4845056A (en) * | 1987-10-09 | 1989-07-04 | Allied-Signal Inc. | Continuous process for production of fine particulate ceramics |
| US4962082A (en) * | 1987-11-19 | 1990-10-09 | Bell Communications Research, Inc. | Method of making high tc oxide superconductor particles by adjusting pH value and cationic ratio of admixed solution followed by drying, heating and firming |
| US4957725A (en) * | 1988-07-05 | 1990-09-18 | The Johns Hopkins University | Vanadium dioxide formed by the sol-gel process |
| JPH0230615A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-02-01 | Asahi Glass Co Ltd | 酸化物超伝導体製造方法 |
| US5182255A (en) * | 1988-09-20 | 1993-01-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Co. | Shaped and fired articles of YBa2 Cu3 O7 |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1321103A patent/JPH07110766B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-12-10 US US07/624,219 patent/US5306696A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-11 EP EP90313417A patent/EP0433006B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-11 DE DE69009413T patent/DE69009413T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63260819A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導体の製造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5306696A (en) | 1994-04-26 |
| EP0433006B1 (en) | 1994-06-01 |
| DE69009413T2 (de) | 1994-12-15 |
| EP0433006A2 (en) | 1991-06-19 |
| EP0433006A3 (en) | 1991-09-04 |
| DE69009413D1 (de) | 1994-07-07 |
| JPH07110766B2 (ja) | 1995-11-29 |
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