JPH01120875A - 反射型光結合装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は反射型光結合装置の改良に係り、特に絶縁耐圧
ならびに生産性の向上を図るものである。

（従来の技術） 最近光半導体素子の発展は自相ましいものがあり各種の
新製品が登場していると共に、その全生産量も大幅に向
上しているのが現状である。

ところで光結合装置の一種でいわゆるフォトカブラは通
常相対向して配置するリードフレームに発光素′子と受
光素子例えばホトトランジスタやＴｒ、ｉａｃ等を固着
し更にモールド樹脂層によりこの組立体を被覆して、接
地電位の異となる素子の信号を光によって結合すること
を可能とするのが特徴である。この素子では外囲塁とし
て寸法が規定されたＤＩＰが適用されているので相対向
して配置するリードフレーム間距離にはＭａｘｌ、３＋
ｕ＋と制限があって１，２次間の耐圧も必ずしも満足で
きる値でなかった。

一方反射型光結合装置として第３図に示す素子が知られ
ている。゛この反射型光結合装置では一対のリードフレ
ーム３Ｇ　、　、　３０を準備し、その端部付近に発光
素子３１と受光素子３２を常法によりマウント後この画
素子をエンキャップ層３３．３３で被覆し、更にモール
ド樹脂層３４によりこの組立体を被覆して反射型光結合
装置を完成するのが一般的な手法である。

この装置では発光素子から放射する光を透光性エンキャ
ップ材に連続して設置するモールド樹脂層により反射さ
せて前述の光結合を完成するものである。

この様な構造を持つ反射型光結合装置では一対のリード
フレーム３０．３０端部間の距離は約０．５ｍ園に保持
されており１，２次間耐圧は２．５ＫＶ程度である。

（発明が解決しようとする問題点） このように必ずしも満足できない耐圧を向上するには前
記一対のリードフレーム３０．３０端部間の距離を拡大
することが必要になるが、透光性エンキャップ層３３の
形成が非常に困難になる。この透光性エンキャップ層３
３の形成はいわゆるＤｉｓｐｅｎ−ｓｅｒ装置を利用す
るボッティング方法が適用されており、適当な粘度を持
つ透光性エンキャップ材は間隔の大きいリードフレーム
３０．３０に留まらず下側に流れてしまう、従って透光
性エンキャップ層３３の形成が不能になって反射型光結
合装置が得られない難点を生じる。

本発明は上記難点を除去する新規な反射型光結合装置を
提供し、特に１，２次間耐圧向上をもたらす透光性エン
キャップ層の設置を目的とするものである。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） この目的を達成するのに本発明では一対のリードフレー
ム端部に配置する発光素子と受光素子犬々を透光性エン
キャップ層により被覆し、この透光性エンキャップ層及
びリードフレーム間に発生する隙間には絶縁性フィルム
を設置する手法を採用する。

（作　用） このように本発明では従来リードフレーム端部間の距離
が１．３＋ｕａ程度に制限されていたのを約２ｍｍに拡
大可能とし必要な１，２次間耐圧もＳＫＶ位に向上でき
、製造段階の生産性をも向上できる利点を持つものであ
る。

（実施例） 第１図ａ、ｂ及び第２図ａ、ｂ、Ｑにより本発明を詳述
するが、従来の技術と重複する記載が都合によりでてく
る場合があるものの新しい番号を付けて説明するが、第
１図ａ及び第２図ａ、ｃは本発明の実施例に係る反射型
光結合装置の要部を示す断面図であり、第１図す及び第
２図すは各々の上面図である。

先ず本発明に必要なリードフレームを準備する程により
形成するＳＩＰリードフレームは金属製の枠体から複数
の端子を林立して設置し、この端子の機械的強度を図る
ためにこの枠体から多少前れたこの端子部分に枠体に沿
って連結細条を設置し、更に前記端子の中間にはこの端
子より多少幅広のベツド部を形成してリードフレームを
完成する。

この枠体には工程の自動化に備えて透孔を設置してＳＩ
Ｐ用のリードフレーム（図示せず）を準備する。

一方、ＤＩＰ用のリードフレームもＳＩＰ用のそれと同
様にプレス工程により形成する場合が多く、その完成品
は相対向する金属製枠体を等間隔に区分して単位体を構
成し、この単位体の中心に向けてこの金属製枠体を起点
にする端子を設置し、前記単位体のほぼ中心には半導体
素子をマウントするベツド部をやはり前記金属製枠体を
起点とする端子間に張架し、前記金属製枠体にも工程の
自動化に備えて透孔を設置する。又前記連結細条は各端
子間を結んで前記金属製枠体に沿って形成して機械的強
度の増大を図るのはＳＩＰ用のリードフレームと同じで
ある。

ところで図面にはこのＤＩＰ用のリードフレーム１．１
が示されており、このＤＩＰ用のリードフレームのベツ
ド部は前記金属製枠体を起点とし同じ線分上に形成する
２端子の端部に２個を形成し、夫々には準備した前記発
光素子２と受光素子３をマウントする。

この工程を終えてからこのリードフレーム１゜１間の隙
間にポリイミド樹脂からなるフィルム４を張付け、この
ポリイミド樹脂からなるフィルムの−面には接着剤が塗
付しているので簡単に接着できる。更にこの一対のリー
ドフレーム１，１は同一線上に位置している。

次にマウントした前記発光素子２と受光素子３を含めた
組立体にはデイスペンサ装置を利用するボッティング工
程により第１の透光性エンキャップ材層５を被覆し、更
に全体にモールド樹脂層６を設置して保護層としての役
割を果させる。

第２図ａに示す実施例では前記発光素子２と受光素子３
を同一線上に位置している一対のリードフレーム１，１
の端子に常法によりマウント後素子２素子３　にはデイ
スペンサ装置を利用するポツティング工程により第２の
透光性エンキャップ材層７，７を被覆し、この両道光性
エンキャップ材層６，６の隙間にはポリイミド樹脂から
なるフィルム４を張付けるが、このポリイミド樹脂から
なるフィルムの一面には接着剤が塗付しているので簡単
に接着できるし、又素子２素子３　を被覆する両道光性
エンキャップ材層６，６の頂面に接着するので作業性に
は勝れている。

第２図Ｃには前記発光素子２と受光素子３が同一線上に
位置していないリードフレーム１，１端子に設置する場
合を示している。

前記実施例はＤＩＰ用リードフレームの適用例であるが
ＳＩＰ用リードフレームについても簡単に説明すると（
図示せず）、金属製枠体に林立して設置する端子に形成
するベツド部に前記発光素子２と受光素子３をマウント
するのは前述の通りであるが、１端子に１種類の素子を
固着するので２端子により１組ができることになり、面
端子が平行に設置され保護モールド樹脂層の同じ場所か
ら夫々が導出される点がＤＩＰ用リードフレームの場合
と相違する。

なお前記ポリイミド樹脂フィルムには多少の剛性が必要
であり従って箔状に形成したものは適用できない。

〔発明の効果〕

このように本発明に係る反射型光結合半導体装置は受光
素子用リードフレームと発光素子用リードフレームの間
隔が広くてもエンキャップ樹脂層の隙間もしくは一対の
リードフレームの隙間には絶縁性フィルムが設置されて
いるので、受光素子と発光素子の光結合が容易にできる
。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ、ｂ及び第２図ａ、ｂ、Ｑは本発明の実施例を
示す断面図ならびに上面図、第３図は従来の装置の断面
図である。 代理人　弁理士　　井　上　−男 を 第　２ｒｌＡ 」 第　　３　　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　準備する一対のリードフレームと、このリードフレー
   ムの端部付近に固着する発光素子ならびに受光素子と、
   この各素子を囲んで形成する第１のエンキヤップ材と、
   このエンキヤップ材間もしくは一対のリードフレーム間
   の隙間を塞いで設置する絶縁性フィルムと、この絶縁性
   フィルム及び前記エンキヤップ材を被覆する第２のエン
   キヤップ材と、前記リードフレーム及び前記各部品を覆
   って設置するモールド樹脂層を具備することを特徴とす
   る反射型光結合装置。