JPS60206183A - 半導体光結合装置 - Google Patents
半導体光結合装置Info
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- JPS60206183A JPS60206183A JP59062431A JP6243184A JPS60206183A JP S60206183 A JPS60206183 A JP S60206183A JP 59062431 A JP59062431 A JP 59062431A JP 6243184 A JP6243184 A JP 6243184A JP S60206183 A JPS60206183 A JP S60206183A
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- resin
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 17
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 28
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- -1 titanium halide Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の属する分野の説明
本発明は半導体発光素子と半導体受光素子が同一パッケ
ージに収納された光結合装置に関するものである。
ージに収納された光結合装置に関するものである。
（２）従来の技術の説明
従来この種装置は発光素子と受光素子間の光学的通路を
７リコン系樹脂にて形成し、その外側をエポキシ系樹脂
にて形成していた。ところが、内部のシリコン樹脂と、
外側のエポキシ樹脂との親和力は非常に小さく接着しな
いため、間隙を生ずる。このためデバイスの品質上程々
の欠点があった。例えば、高絶縁耐圧を要求される製品
に対しては、内部のシリコン樹脂と外部エポキシ樹脂に
間隙があるため、１次と２次間の端子に高電圧全付加し
た場合、内部シリコン樹脂の沿面の距離が最も近くなる
ため、沿面上で放電が発生し、絶縁破壊となりやすい。
７リコン系樹脂にて形成し、その外側をエポキシ系樹脂
にて形成していた。ところが、内部のシリコン樹脂と、
外側のエポキシ樹脂との親和力は非常に小さく接着しな
いため、間隙を生ずる。このためデバイスの品質上程々
の欠点があった。例えば、高絶縁耐圧を要求される製品
に対しては、内部のシリコン樹脂と外部エポキシ樹脂に
間隙があるため、１次と２次間の端子に高電圧全付加し
た場合、内部シリコン樹脂の沿面の距離が最も近くなる
ため、沿面上で放電が発生し、絶縁破壊となりやすい。
また、デバイスの耐湿性の観点からも欠点があった。す
なわち、端子と外部樹脂の界面から浸透した水分が、上
記内部樹脂と外部樹脂の間隙を毛管現象で容易に他の端
子へ到達してしまうため端子間のリーク電流が大きくな
るという欠点である。
なわち、端子と外部樹脂の界面から浸透した水分が、上
記内部樹脂と外部樹脂の間隙を毛管現象で容易に他の端
子へ到達してしまうため端子間のリーク電流が大きくな
るという欠点である。
（３）発明の目的
本発明はこれらの欠点を解決するため光の通路を形成す
るだめの内部樹脂と外側をおおう外部樹脂との間に間隙
が生じないデバイスを提供することを目的としたもので
ある。
るだめの内部樹脂と外側をおおう外部樹脂との間に間隙
が生じないデバイスを提供することを目的としたもので
ある。
（４）発明の構成および作用の説明
本発明によれば発光素子と受光素子を同一パッケージ中
に収納した半導体光結合装置において上記発光素子と受
光素子間の光学的通路をポリイミド系樹脂にて形成し、
その外側をエポキシ系樹脂にて形成したことを特徴とす
る半導体光結合装置が得られる。
に収納した半導体光結合装置において上記発光素子と受
光素子間の光学的通路をポリイミド系樹脂にて形成し、
その外側をエポキシ系樹脂にて形成したことを特徴とす
る半導体光結合装置が得られる。
第１図は従来の光結合装置の平面図であり、リードフレ
ーム上に発光素子２及び受光素子をグイポンディング及
びワイヤボンディングした後、発光素子と受光素子間の
光通路を形成するためシリコン樹脂３を滴下し、硬化さ
せる。この後、エポキシ樹脂にてトランスファーモール
ド整形し、製品として仕上げる。
ーム上に発光素子２及び受光素子をグイポンディング及
びワイヤボンディングした後、発光素子と受光素子間の
光通路を形成するためシリコン樹脂３を滴下し、硬化さ
せる。この後、エポキシ樹脂にてトランスファーモール
ド整形し、製品として仕上げる。
第２図はその断面図であシ、斜線で示した内部シリコン
樹脂３と外部のエポキシ樹脂４は接着しないため間隙が
発生している。第３図は内部樹脂トシテホリイミド糸樹
脂を使用したもので、ポリイミド系樹脂とエポキシ系樹
脂は接着性が良く、間隙は生じにくい、特にポリイミド
樹脂を完全に硬化させず未反応の感応基を一部残すこと
によシ、接着性はより良好になる。
樹脂３と外部のエポキシ樹脂４は接着しないため間隙が
発生している。第３図は内部樹脂トシテホリイミド糸樹
脂を使用したもので、ポリイミド系樹脂とエポキシ系樹
脂は接着性が良く、間隙は生じにくい、特にポリイミド
樹脂を完全に硬化させず未反応の感応基を一部残すこと
によシ、接着性はより良好になる。
また外装樹脂としてはば化チタンあるいは酸化マグネシ
ウム等の光の反射率の筒い顔料で着色したエポキシ樹脂
を使用することによシ、発光素子から出た光はエポキシ
樹脂面で反射され効率より受光素子へ入射される。
ウム等の光の反射率の筒い顔料で着色したエポキシ樹脂
を使用することによシ、発光素子から出た光はエポキシ
樹脂面で反射され効率より受光素子へ入射される。
（５）効果の説明
以上説明したように、内部樹脂と外部樹脂が接着し、間
隙が生じないため二層の樹脂間での放電が発生しにくく
絶縁耐圧は向上する。また、端子と外装樹脂から浸透し
た水分も、前記間隙がなくなるため、毛管現象で他端子
へ到達しにくくなり、耐湿性も向上する。
隙が生じないため二層の樹脂間での放電が発生しにくく
絶縁耐圧は向上する。また、端子と外装樹脂から浸透し
た水分も、前記間隙がなくなるため、毛管現象で他端子
へ到達しにくくなり、耐湿性も向上する。
なお光の通路を形成する内部樹脂として、ポリイミド系
樹脂を使用する利点として、本樹脂はシリコン系樹脂と
同様に高温での粘度低下が比較的少なく、本実施例の様
に、光の通路として素子の表面上に出来るだけ半球状に
近い曲面を形成する必要がある場合に有利なことが挙げ
られる。
樹脂を使用する利点として、本樹脂はシリコン系樹脂と
同様に高温での粘度低下が比較的少なく、本実施例の様
に、光の通路として素子の表面上に出来るだけ半球状に
近い曲面を形成する必要がある場合に有利なことが挙げ
られる。
第１図は従来の光結合装置の平面図、第２図は従来の装
置の断面図、第３図は本発明装置の一実施例の断面図で
ある。 １・・・・・・受光素子、２・・団・発光素子、３・・
・・・・従来の装置において光血路を形成している内部
樹脂（シリコン樹脂）、３′・・・・・・本発明装置に
おいて光通路を形成している内部樹脂（ポリイミド樹脂
）、４・・・・・・外部樹脂（エポキシ樹脂）、訃・・
・・・１次側端子、６・・・・・・２次側端子。 代理人 升埋士 内 原 晋 第１図 竿２図 筆３図
置の断面図、第３図は本発明装置の一実施例の断面図で
ある。 １・・・・・・受光素子、２・・団・発光素子、３・・
・・・・従来の装置において光血路を形成している内部
樹脂（シリコン樹脂）、３′・・・・・・本発明装置に
おいて光通路を形成している内部樹脂（ポリイミド樹脂
）、４・・・・・・外部樹脂（エポキシ樹脂）、訃・・
・・・１次側端子、６・・・・・・２次側端子。 代理人 升埋士 内 原 晋 第１図 竿２図 筆３図
Claims (1)
- 発光素子と受光素子を同一パッケージ中に収納した半導
体光結合装置において前記発光素子と受光素子間の光学
的通路をポリイミド系樹脂にて形成し、その外側をエポ
キシ系樹脂にて形成したことを特数とする半導体光結合
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59062431A JPS60206183A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 半導体光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59062431A JPS60206183A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 半導体光結合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60206183A true JPS60206183A (ja) | 1985-10-17 |
Family
ID=13199977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59062431A Pending JPS60206183A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 半導体光結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60206183A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS637657A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置 |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP59062431A patent/JPS60206183A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS637657A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置 |
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