JPH07106626A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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JPH07106626A
JPH07106626A JP27307993A JP27307993A JPH07106626A JP H07106626 A JPH07106626 A JP H07106626A JP 27307993 A JP27307993 A JP 27307993A JP 27307993 A JP27307993 A JP 27307993A JP H07106626 A JPH07106626 A JP H07106626A
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Nobuyuki Nagashima
伸幸 長島
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光半導体装置に関し、受光素子に複数のパッ
ドを対角線配置に備えることにより、組立歩留の向上か
つ不良率を低減させる。 【構成】 発光側リードフレーム1上に発光素子(2)
を又、受光側リードフレーム(3a)又は(3b)上に
受光素子(4a)を各々搭載して、ボンディングワイヤ
(5a)による接続を行った後、発光素子(2)上に凸
レンズ状樹脂(6)を形成し、発光素子搭載リードフレ
ーム(1)と受光素子搭載リードフレーム(3a)又は
(3b)とを対向配置して全体を透光性樹脂(7)、遮
光性樹脂(8)により2重モールドしたものである。特
に受光素子は、複数のボンディングパッドを有してお
り、かつ対角線配置になっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体装置に関し、
特に光信号に対し受光素子が複数のボンディングパッド
を対角線配置に備える光半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の光半導体装置は図3(A)の断面
図に示すように発光側リードフレーム(1)上に発光素
子(2)を、また受光素子側リードフレーム(3a)又
は(3b)上に受光素子(4c)を各々搭載し、ボンデ
ィングワイヤ(5c)による接続が終了した後、発光素
子(2)上に凸レンズ状樹脂(6)を形成し、発光素子
搭載リードフレーム(1)と受光素子搭載リードフレー
ム(3a)又は(3b)とを対向配置して、全体を透光
性樹脂(7)、更にその外側を遮光性樹脂(8)により
モールドされた2重モールド構造になっている。又、受
光素子(4c)は発光素子(1)から発した光を電気信
号に変換する素子であり、図3(B)に示すがごとく第
1の信号を伝達する第1の導電型(例えばP型)領域
(9)と、第2の信号を伝達する領域(9)とは異なっ
た導電型(例えばn型)領域(10)の各領域に、各々
複数のボンディングパッド(11)及び(12)を有し
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】光半導体装置には光素
子特有の特徴がある。それは光信号を電気信号に変換す
ることである。よって受光面は、ボンディングワイヤ又
はボンディングパッド等により影になる部分を少なくす
るのが望ましい。従来の光半導体装置では同一の受光素
子を形状が異なるリードフレーム上に搭載する場合が多
い。例えば図3(C)に示す通り受光素子(4c)をリ
ードフレーム(3a)に搭載する場合は特に問題はない
が、図3(D)に示す様に受光素子(4c)をリードフ
レーム(3b)に搭載し、ボンディングワイヤ(5c)
で接続すると、ボンディングワイヤ(5c)が長くなり
すぎてボンディング後もしくは樹脂封止後等組立工程に
おいてワイヤの変形あるいは断線が発生し、組立歩留の
低下さらには信頼度(例えば温度サイクル試験での)低
下の原因となっていた。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、上記課題を解決するために、光の信号を電気信号に
変換する光半導体装置において、前記電気信号に変換す
るうち、第1の信号及び第2の信号を伝達する領域に複
数のボンディングパッドを対角線配置に備えることを特
徴とするものである。
【0005】
【作用】本発明においては、光半導体装置が、光信号に
対し、受光素子が複数のボンディングパッドを対角線配
置に備えていることにより、即ち、光信号を電気信号に
変換するうち、第一の信号を伝達する第1の導電型領域
と第二の信号を伝達する第一の導電型領域とは、異なっ
た導電型領域と各々の領域に対し、複数のボンディング
パッドが対角線上に4隅に配置されていることにより、
ボンディングワイヤで接続したとき、ボンディングワイ
ヤが長くなりすぎて、ボンディング後もしくは樹脂封止
後等組立工程での、ボンディングワイヤの変形、断線等
不良の発生が抑さえられるものである。
【0006】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。 [実施例1]図1(A)は本発明第1の実施例を示す断
面図である。本実施例の光半導体装置を作製するには発
光側リードフレーム(1)上に発光素子(2)を、また
受光側リードフレーム(3a)又は(3b)上に受光素
子(4a)を各々搭載して、ボンディングワイヤ(5
a)による接続を行った後、発光素子(2)上に凸レン
ズ状樹脂(6)を形成し、発光素子搭載リードフレーム
(1)と受光素子搭載リードフレーム(3a)とを対向
配置して全体を透光性樹脂(7)、遮光性樹脂(8)に
より2重モールドしたものである。図1(B)は受講素
子(4a)の平面略図であり、光信号を電気信号に変換
するうち、第一の信号を伝達する第1の導電型(例えば
P型)領域(9)と、第二の信号を伝達する領域(9)
とは異なった導電型(例えばn型)領域(10)と各々
の領域に対しボンディングパッド(11)及び(12)
が対角線上に4隅に配置されている。図1(C)は受光
素子(4a)の断面図で拡大して示している。本実施例
の場合、図1(D)、(E)に受光素子搭載平面図を示
す通り、リードフレーム(3a)、(3b)のどちらの
場合においても、ボンディングワイヤ(5a)は長くす
ることなくリードフレーム(3a)及び(3b)と受光
素子(4a)を接続でき、ワイヤの変形あるいは断線が
発生せず歩留の良い光半導体装置を提供できる。本実施
例では組立歩留を従来と比較して5%程度向上でき、ボ
ンディングワイヤの変形、断線起因の不良率をほぼ0%
にすることができた。
【0007】[実施例2]図2は本発明の第二の実施例
を示す断面図である。実施例1と異なる点は受光素子
(4b)に関し、第一信号を伝達する領域(9)と第2
の信号を伝達する領域の導電型が相反することにある。
つまり領域(9)の導電型はn型、領域(10)の導電
型はP型である。実施例2の場合でも実施例1の場合と
同様に組立歩留を従来と比較して5%程度向上させボン
ディングワイヤ変形、断線起因の不良率をほぼ0%にす
ることができた。
【0008】
【発明の効果】以上、具体的に説明したように、本発明
によれば、光半導体装置が、光信号に対し、受光素子が
複数のボンディングパッドを対角線配置に備えているの
で、ボンディングワイヤの変形、断線等不良の発生を抑
さえ組立歩留の5%向上、さらには変形、断線起因の不
良率をほぼ0%にすることができた。そして、ワイヤの
変形あるいは断線の発生がおさえられ、組立歩留が向上
し、さらには信頼度が向上するという効果を奏するもの
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A) 第一の実施例の断面図。 (B) 第一の実施例における受光素子の平面略図。 (C) 第一の実施例における受光素子の断面図。 (D)、(E) 第一の実施例における受光素子搭載平
面図。
【図2】第二の実施例における受光素子の断面図。
【図3】(A) 従来例の断面図。 (B) 従来例における受光素子の平面略図。 (C)、(D) 従来例における受光素子搭載平面図。
【符号の説明】
1.発光側リードフレーム 2.発光素子 3a、3b、3c.受光側リードフレーム 4a、4b、4c.受光素子 5、5a、5c.ボンディングワイヤ 6.凸レンズ状樹脂 7.透光性樹脂 8.遮光性樹脂 9.第一の信号を伝達する領域 10.第二の信号を伝達する領域 11.領域9のボンディングパッド 12.領域10のボンディングパッド
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年3月29日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0004
【補正方法】変更
【補正内容】
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、上記課題を解決するために、光の信号を電気信号に
変換する光半導体装置において、前記電気信号に変換す
るうち、第1の信号及び第2の信号を伝達する領域に複
数のボンディングパッドを対角線配置に備えることを特
徴とするものであり、また、第1の信号を伝達する領域
の1つの対角線の隅にそのボンディングパッドを対角線
配置し、もう1つの対角線の隅に切り込み部を設け、前
記隅に切り込み部に、第2の信号を伝達する領域のボン
ディングパッドを対角線配置に備えることを特徴とする
ものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光の信号を電気信号に変換する光半導体
    装置において、前記電気信号に変換するうち、第1の信
    号及び第2の信号を伝達する領域に複数のボンディング
    パッドを対角線配置に備えることを特徴とする光半導体
    装置。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61203684A (ja) * 1985-03-06 1986-09-09 Nippon Denso Co Ltd 光半導体結合装置
JPH04111462A (ja) * 1990-08-31 1992-04-13 Fujitsu Ltd 半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS61203684A (ja) * 1985-03-06 1986-09-09 Nippon Denso Co Ltd 光半導体結合装置
JPH04111462A (ja) * 1990-08-31 1992-04-13 Fujitsu Ltd 半導体装置

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