JPH01120795A - 薄膜発光素子 - Google Patents
薄膜発光素子Info
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- JPH01120795A JPH01120795A JP62277432A JP27743287A JPH01120795A JP H01120795 A JPH01120795 A JP H01120795A JP 62277432 A JP62277432 A JP 62277432A JP 27743287 A JP27743287 A JP 27743287A JP H01120795 A JPH01120795 A JP H01120795A
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- JP
- Japan
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- film
- pno
- thin film
- breakdown voltage
- insulating
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- Pending
Links
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- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
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- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- -1 phosphorus nitride Chemical class 0.000 claims 1
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、デイスプレィとして好適なＥＬ素子に関する
。
。
機能材料（１９８７年）６月号ＰＰ５２−５７に示され
たように、ＰＮ、及びＰＮＯ膜は優れた特性の絶縁膜で
あり、 ＩｎＰＭＩＳＦＥＴ等への応用が考案されてい
る。
たように、ＰＮ、及びＰＮＯ膜は優れた特性の絶縁膜で
あり、 ＩｎＰＭＩＳＦＥＴ等への応用が考案されてい
る。
上記従来技術では、ＥＬ素子にＰＮ（又はＰＮＯ）膜を
適用した場合の効果については考慮されていなかった。
適用した場合の効果については考慮されていなかった。
本発明の目的は、駆動特性の安定した破壊しにくいＥ−
Ｌ素子を作成することにある。
Ｌ素子を作成することにある。
上記目的は、ＰＮ（又はＰＮＯ）膜をＥＬ素子の絶縁膜
として用いることにより達成される。この場合、膜は薄
膜形成の手法で作成でき、例えば、ＣＵＤ法、スパッタ
リング法、蒸着法、ＭＢＥ法などが挙げられる。
として用いることにより達成される。この場合、膜は薄
膜形成の手法で作成でき、例えば、ＣＵＤ法、スパッタ
リング法、蒸着法、ＭＢＥ法などが挙げられる。
ＥＬ素子に用いる絶縁膜には、誘電率ｔｏＥｒと破壊電
界強度Ｅａｏの積で得られる、性能指数Ｅ０εｒＥａｏ
（ε。：真空の誘電率）の高い膜が必要とされる。第２
図に、ＰＮ膜にＯを含有させていった時の比誘電率ｉｔ
、破壊電界強度ＥＢｏ、性能指数ｔｏｔｒＥａｏを示す
。ＥＬ素子の絶縁層として用いるには、１μＣ／Ｃ１１
以上の性能指数を要するが、ＰＮＯ膜は含有酸素量０−
５０原子％の範囲でＥＬ素子に適用可能である。この膜
の性能指数の高さは、破壊電界強度がＳｉＯｘ、Ｓｉ３
Ｎ＋＊Ａｌｔｏｓなど従来のＥＬ用絶絶縁膜比較して更
に高くなることに起因する。
界強度Ｅａｏの積で得られる、性能指数Ｅ０εｒＥａｏ
（ε。：真空の誘電率）の高い膜が必要とされる。第２
図に、ＰＮ膜にＯを含有させていった時の比誘電率ｉｔ
、破壊電界強度ＥＢｏ、性能指数ｔｏｔｒＥａｏを示す
。ＥＬ素子の絶縁層として用いるには、１μＣ／Ｃ１１
以上の性能指数を要するが、ＰＮＯ膜は含有酸素量０−
５０原子％の範囲でＥＬ素子に適用可能である。この膜
の性能指数の高さは、破壊電界強度がＳｉＯｘ、Ｓｉ３
Ｎ＋＊Ａｌｔｏｓなど従来のＥＬ用絶絶縁膜比較して更
に高くなることに起因する。
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。
第１図は薄膜ＥＬ素子の断面図である。１はガラス基板
（コーニング＃７０５９）、２は透明電極（ＩＴＯ２０
０ｎｍ）、３は第−絶＃層、４は発光層（ＺｎＳ １Ｍ
ｎ１５００ ｎ ｍ） ５は第二絶縁層、６は背面電極
（Ａｌ、２００ｎｍ）である。電極２と６の間に交番電
界を印加することにより発光が生じる。第一、第二絶縁
層として、ＥＬＬ子用絶縁膜として多く用いられるＴａ
ｚ○δ、ＹｚＯａｔＳ ｉ ｓＮ＜ヲ用イｆ＝Ｅ Ｌ＠
子、及ヒ、ＰｅＮａＯｓを用いたＥＬ素子の比較を第１
表に挙げる。
（コーニング＃７０５９）、２は透明電極（ＩＴＯ２０
０ｎｍ）、３は第−絶＃層、４は発光層（ＺｎＳ １Ｍ
ｎ１５００ ｎ ｍ） ５は第二絶縁層、６は背面電極
（Ａｌ、２００ｎｍ）である。電極２と６の間に交番電
界を印加することにより発光が生じる。第一、第二絶縁
層として、ＥＬＬ子用絶縁膜として多く用いられるＴａ
ｚ○δ、ＹｚＯａｔＳ ｉ ｓＮ＜ヲ用イｆ＝Ｅ Ｌ＠
子、及ヒ、ＰｅＮａＯｓを用いたＥＬ素子の比較を第１
表に挙げる。
第１表に示すように、ＰｅＮａＯｓ膜を用いたＥＬ素子
は、破壊電圧が最も高く、発光開始電圧と破壊電圧との
差が大きいため、破壊しにくい安定なＥＬ素子を作成す
ることが可能できる。
は、破壊電圧が最も高く、発光開始電圧と破壊電圧との
差が大きいため、破壊しにくい安定なＥＬ素子を作成す
ることが可能できる。
又、ＰＮ及びＰＮＯ膜の用い方は、他種の絶縁層と積層
にして用いることもできる。その実施例を第３図に示す
。第３図で、７はＳ ｉ ０２．５Ｌ３Ｎａ＋Ｔａ２０
ａなどの他種の絶縁膜であり、８はＴＮＯ膜である。第
３図の実施例以外にも、７と８を上下逆にして用いるこ
とや、ＰＮＯ膜を第一、第二絶縁層のうち一方のみに用
いることにより破壊しにくい安定なＥＬ素子を作成する
ことができる。
にして用いることもできる。その実施例を第３図に示す
。第３図で、７はＳ ｉ ０２．５Ｌ３Ｎａ＋Ｔａ２０
ａなどの他種の絶縁膜であり、８はＴＮＯ膜である。第
３図の実施例以外にも、７と８を上下逆にして用いるこ
とや、ＰＮＯ膜を第一、第二絶縁層のうち一方のみに用
いることにより破壊しにくい安定なＥＬ素子を作成する
ことができる。
本発明によれば、薄膜ＥＬ素子の破壊電圧を高くでき、
破壊しにくいＥＬ素子を作成することができる。
破壊しにくいＥＬ素子を作成することができる。
第１図は本発明の一実施例の薄膜ＥＬ素子の断面図、第
２図は、ＰＮＯ膜中の酸素含有率を変えた場合の比誘電
率ｔｒ、破壊電界強度ＥＢＤ、性能指数ＥｏＥｒＥＢＤ
（εＯ：真空の誘電率）を示す図。 第３図は、本発明の他の実施例の薄膜ＥＬ素子の断面図
である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第−
絶縁膜、４・・・発光層、５・・・第二絶縁層、６・・
・背面電極、７ 。 ・・・各種絶縁膜、８・・・ＰＮＯ膜。 ＼ 代理人 Ｇ″！ｌ ／Ｊ゛Ｊ”°″Ｉ′” 、）夕め
１ 閉 ／−ｎ゛う又苓不反 乙−背め電池 乎 ２ 口
２図は、ＰＮＯ膜中の酸素含有率を変えた場合の比誘電
率ｔｒ、破壊電界強度ＥＢＤ、性能指数ＥｏＥｒＥＢＤ
（εＯ：真空の誘電率）を示す図。 第３図は、本発明の他の実施例の薄膜ＥＬ素子の断面図
である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・第−
絶縁膜、４・・・発光層、５・・・第二絶縁層、６・・
・背面電極、７ 。 ・・・各種絶縁膜、８・・・ＰＮＯ膜。 ＼ 代理人 Ｇ″！ｌ ／Ｊ゛Ｊ”°″Ｉ′” 、）夕め
１ 閉 ／−ｎ゛う又苓不反 乙−背め電池 乎 ２ 口
Claims (3)
- １． 絶縁層として、窒化リン膜を用いることを特徴と
する薄膜発光素子。 - ２． 絶縁層として、酸窒化リン膜を用いることを特徴
とする薄膜発光素子。 - ３． 特許請求の範囲第２項において、前記酸窒化リン
膜は酸素を０．０１〜５０原子％含むことを特徴とする
薄膜発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277432A JPH01120795A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62277432A JPH01120795A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 薄膜発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120795A true JPH01120795A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17583481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62277432A Pending JPH01120795A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120795A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142456A (ja) * | 2007-02-05 | 2007-06-07 | Fujitsu Ltd | 静電チャック |
-
1987
- 1987-11-04 JP JP62277432A patent/JPH01120795A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142456A (ja) * | 2007-02-05 | 2007-06-07 | Fujitsu Ltd | 静電チャック |
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