JPH011202A - サ−ミスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａｌ産業上の利用分野 この発明は、温度補償用の部品等として用いられるサー
ミスタに関する。

［ｂｌ従来の技術 一般に、トランジスタや集積回路の温度特性の補償用に
、負特性サーミスタが用いられている。

このような温度補償用の負特性サーミスタは補償対象に
よってＢ定数（サーミスタ定数）の値を適当に選択する
必要があるが、−膜内にＢ定数の低いものが適している
。Ｂ定数の値はサーミスタの材料組成や焼結条件によっ
て決まり、その値の低いサーミスタは、比抵抗の低い材
料が用いられる。このためＢ定数の低い負特性サーミス
タは、−般に低抵抗の製品となる。

ところで、例えばトランジスタの動作点を定めるバイア
ス回路の温度補償を行う場合、低くとも数ａΩが必要で
あり、このように比較的高抵抗でしかもＢ定数の低い負
特性サーミスタが必要であった。このような性質を備え
る従来のサーミスタを第３図に示す。図において１は直
径２〜３ｍｍ、長さ１０〜３０ｍｍなどのロンド型のｊ
４特性ナーミスタ素体であり、その両端；こ端子電極９
．　１０を形成して、リード端子１）．１２を引き出し
ている。このようにサーミスタ素体の長さを長くするこ
とによって比較的高抵抗のサーミスタを構成している。

（Ｃ１発明が解決しようとする問題点 ところが、上述のようにサーミスタ素体の長さを長くす
ることによって、抵抗値を高くした部品においては、部
品全体が大型化するため、部品実装密度の高い回路基板
に適合させることができないという問題があった。なお
、ロッド型のサーミスタ素体の断面積を小さくすること
によって抵抗値を高めることもできるが、部品全体の機
械的強変が著しく低下し、加工が困難となり、信頼性に
欠けるという問題がある。　この発明の目的は、従来と
同様の材料を用い、小型かつ高抵抗のサーミスタを提供
することにある。

ｆｄ１問題点を解決するための手段 この発明のサーミスタは、シート状サーミスタ素体と絶
縁性シートを積層し、巻回または折り畳むとともに、前
記シート状サーミスタ素体の両端に端子電極を形成した
ことを特徴としている。

（ｅ）作用 この発明のサーミスタにおいては、シート状のサーミス
タ素体を用い、その両端に端子電極を形成したことによ
り、サーミスタ素体の断面積が小さくなり、また端子電
極間の距離が長くなることにより抵抗値が増大する。ま
た、前記シート状サーミスタ素体と絶縁性シートを積層
した状態で巻回または折り畳むことにより部品全体のサ
イズが縮小されて小型化される。

（「）実施例 第１図（Ａ）〜（Ｃ）にこの発明の実施例であるサーミ
スタの製造前および完成された状態の構造を示す。同図
（Ａ）は各シートを積層した状態を表す断面図であり、
■はＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏなどの遷移金属の酸化物の混合物
からなる半導体セラミクスのグリーンシートである。２
，３はともにアルミナなどの絶縁性セラミクスのグリー
ンシートであり、この２つの絶縁性シートはシート状サ
ーミスタ素体１の両側に積層している。

この三層構造のシートを第１図（Ｂ）に示すようにつづ
ら折りに折り畳み、焼成する。その後、少なくともシー
ト状サーミスタ素体ｌの両端部分にＡｇペーストを塗布
し焼き付けることによって端子電極４，５を形成する。

さらに、同図（Ｃ）に示すように端子電極４゜５にそれ
ぞれリード端子６，７を半田などによって接合し、図中
８で示すように外周を樹脂コートすることにより、リー
ド端子付サーミスタを構成する。

以上のような構造のサーミスタの場合、シート状サーミ
スタ素体の組成および焼結条件を定めることにより、Ｂ
定数の低いサーミスタとなり、シート状サーミスタ素体
１の断面積を小さくし、かつ両端の距離を長くすること
によって高抵抗のサーミスタを得ることができる。

上記実施例は、シート状サーミスタ素体と絶縁性シート
を積層し、折り畳むことによって小型化した例であった
が、第２図（Ａ）〜（Ｃ）に示すようにシート状サーミ
スタ素体と絶縁性シートを積層した状態で巻回すること
によって小型化することもできる。すなわち第２図（Ａ
）は各シートの積層状態を表す断面図であり、１はシー
ト状サーミスタ素体のグリーンシート、２はシート状の
ｆ色縁１生セラミクスのグリーンシートである。この積
層体を第２図（Ｂ）に示すように渦巻き状に巻回した状
態で焼成し、その後、中心にある始端と周囲にある終端
部にそれぞれＡｇペーストを塗布し焼き付けることによ
り端子電極４．５を形成し、さらに第２図（Ｃ）に示す
ように両端子電極にリード端子６，７を半田付けなどに
よって接合し、図中８で示すように外周を樹脂コートす
ることによってリード端子付サーミスタを構成する。

なお、いずれの実施例もシート状サーミスタ素体の両端
に形成した端子電極にリード端子を接合した例であった
が、リード端子を用いず端子電極を直接外部との接わ′
ε用端子としてチップ化することも可能である。

（ｇ＋発明の効果 以−ヒのようにこの発明によれば、サーミスタ素体をシ
ート状としたため、比抵抗の低い材料を用いても、抵抗
値が高くなり、しかもシート状サーミスタ素体と絶縁性
シートを積層した状態で巻回または折り畳むことによっ
て、積層体が縮小されて部品全体を小型化することがで
きる。このため、部品の実装密度の高い集積化された回
路基板などにも容易に適合させることができる。特に、
小形でＢ定数が低く、しかも比較的高抵抗の負特性サー
ミスタを得ることができるため、基板実装密度の高いト
ランジスタ回路や集積回路にも温度特性補償用として使
用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の実施例であるサーミ
スタの製造途中および完成された状態における構造を表
す図であり、（八）は未焼成の各シートの幇層状態を表
す断面図、（Ｂ）は積層体を折り畳んだ状態を表す断面
図、（Ｃ）は完成された部品の構造を表す正面図である
。第２図（Ａ）〜（Ｃ）は他の実施例にかかるサーミス
タの製造途中および完成された状態における構造を表す
図であり、（Ａ）は未焼成の各シートの積層状態を表す
断面図、（Ｂ）は積層体を巻回した状態を表す断面図、
（Ｃ）は完成された部品の構造を表す正面図である。第
３図は従来のサーミスタの構造を表す斜視図である。 ■−シート状サーミスタ素体、２．３−絶縁性シート（
シート状絶縁性セラミクス）、 ４．５一端子型Ｉつ１．６，７−リート端子。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）シート状サーミスタ素体と絶縁性シートを積層し
   、巻回または折り畳むとともに、前記シート状サーミス
   タ素体の両端に端子電極を形成してなるサーミスタ。