JPH01119511A - 高純度酸化ほう素粉末の製造法 - Google Patents

高純度酸化ほう素粉末の製造法

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JPH01119511A
JPH01119511A JP27520687A JP27520687A JPH01119511A JP H01119511 A JPH01119511 A JP H01119511A JP 27520687 A JP27520687 A JP 27520687A JP 27520687 A JP27520687 A JP 27520687A JP H01119511 A JPH01119511 A JP H01119511A
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JP
Japan
Prior art keywords
boric acid
boron oxide
purity
oxide powder
vacuum
Prior art date
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Pending
Application number
JP27520687A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Miyauchi
宮宇地 真人
Kazuhiro Sakai
一弘 堺
Makoto Tsunashima
綱島 真
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
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Publication date
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Publication of JPH01119511A publication Critical patent/JPH01119511A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B35/00Boron; Compounds thereof
    • C01B35/08Compounds containing boron and nitrogen, phosphorus, oxygen, sulfur, selenium or tellurium
    • C01B35/10Compounds containing boron and oxygen
    • C01B35/1027Oxides
    • C01B35/1036Boric anhydride

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (性菌の利用分野)    ′ 本発明は純度99,999 多収上でかつ粉状の酸化ほ
う素の製造法に関する。
(従来技術とその問題点) 従来の酸化#15零のW違法としては、次の如きものが
ある。
+1)  ほう酸を白金るつぼで常圧、soo”c付近
で1独>イする方法。
この方法で侮られた酸化ほう素は非常に固いガラス状の
塊であるため、試薬その他原材料として使用する際には
、 tal  秤1には粉砕を要するので手間がかかりかっ
純度が低下する。
lb)  さらに、その粉砕においては、容易に雰囲気
の水分を吸収するので、十分な乾燥雰囲気下で取板いを
行う必要である1等の問題点がある。
(2)  五酸化二す7等の乾燥剤を入れた真空乾燥管
中で200℃まで徐々に温度を上げてC特別な昇l装置
の指定はない)製造する方法。
この方法で得られた酸化は5孝は Ial  乾燥剤として用いるリノによる汚染のため、
純度が十分に上がらず、半等体用途には逼さない、 lbl  ″I4験レベルでは有効であるが、産業用と
しては、すなわち−度の反応における反応物の曾が多い
ときは、十分く反応が起こらないので、不適である、 等の問題点がある。
(発明の目的) 本発明者等は、上記の従来法の問題点を解決し、ti<
、電子材料における原材料として使用するに当り、高純
度で、しかも定槍供給の際に都合の良いよ5に、粉砕を
必要とすることなく、定量供給可能な粉末状の酸化ほう
素の製造法を提供すべく、検討した結果、真空下で加熱
する際、ほう酸を湿った状態におくこと罠よって、上記
目的を達成しうろことを見出し本発明に到達した。
(発明の構成) すなわち、本発明によれば、ほう酸を真空下で加熱して
酸化ほう素を得る方法において、該ほう酸が湿った状態
(5〜30%水分)であることを特徴とする高純度酸化
ほう素粉末の製造法、が得られる。
次に、本発明方法を工程順に従って説明する。
まず、原料の調整工程では、原料としてほう酸を用いる
が、後述のように、真空乾燥において該ほう酸は湿った
状態であるので、公知の該ほう酸の溶解度より考えられ
る量の純水に溶解させ、濃縮を行い、再結晶して所要の
湿った状態(5〜30%水分)のほう酸を得る。
本発明では上記ほう酸の出発原料としてハロゲン化ほう
素を使用する。すなわち、ハロゲン化ほう零の水溶液に
炭酸カルシウム等の化合物を加えて加水分解させてハロ
ゲンを化合物としt沈殿させ、f過によってほう醗を得
る。このときの反応@度は高いほど反応は早いが、取汲
いを容易(するため反応In度は0〜100℃の範囲で
良く、次に加水分解時の添加物による汚染を取り除くた
めにイオン交換処理を行った後、譲416を行い再結晶
としてほう酸を侮る。
次に、脱水反応工程では、上記工程で得られたほう醗を
湿った状9(5〜3(l水分)のまま、上記の真空乾燥
の条件で脱水反応を行う。ここで湿った状17肩とは、
上記工程で得られた再結晶ほう酸の回収をf過にて行っ
たあとの溶媒(水分)を含んだままの状態のことを指す
。ほうQの含水分′wk!/cりいては、5暢未満では
十分に脱水が行われず、また3G憾を越すと、真空乾燥
の際に水分が多すぎて脱水反応(転F18)終了するの
に、長時間を要するため、工業的には不適である。(5
〜30易)の範囲の水分を含む#ようbノを上記条件に
よりに窒乾哄した場合は、湿っていない(乾燥した)ほ
う酸を上記条件により真空乾燥した場合に比べて、実施
例で示すように、酸化ほう素への転換率(脱水率)が高
い。この真空乾燥の際の真空度、昇温速度及び保持時間
等はすべて本発明者らの研究により決定されたものであ
る。すなわち、真空度が10Torr以上では酸化ほう
素への十分な脱水反応は起こらず、昇温速度が2.0℃
/aI!より早いと、ガラス化が起こり、塊状の粉砕困
難な生成物となり、また0、5℃/閣より遅いと脱水速
度の向上はみられなかった。更に、保持時間が1.5時
間より短いと、十分な脱水反応はみられず、また2、5
時間より長くても転換率の向上は見られなかった。本発
明で得られた酸化ほう素は粉状で純度99.999暢以
上である。
次に、本発明を実施例によって具体的に説明するが、以
下の実施例は本発明の範囲を限定するものではない。
実施例1 ほう素濃度が0.6 mot3/−eであるフッ化ほう
素3!に、炭酸カルシウムを270g加えて、100℃
で10時間反応させた後、反応生成物を濾過して取り除
き、濾過をイオン交換処理して得られた水溶液を約10
0℃で濃縮し、濾過して生成物を取り出した。この生成
物を濾過後の湿った状態で含水分が10%であるものを
真空乾燥器に入れ、ロータリーポンプで真空に引いたま
ま昇温速度1℃/Mで昇温させた後、200℃で2時間
保持して、酸化ほう孝を製造した。この酸化ほう素は粉
状で純度は99.9999%であった。
実施例2 市販の試薬−級のほう酸100.9を蒸留水31に溶か
して、この得られた水溶液を約100℃で濃縮し、濾過
して生成物を取り出した。この生成物を濾過後の湿った
状態で含水分1596であるものを真空乾燥器に入れ、
ロータリーポツプで真空に引いたまま0.7℃/rtu
nで昇@させた後、220℃で1.8時間保持して、酸
化ほう素を製造した。
この酸化ほう素は粉状で純度は99.9999憾であっ
た。
比較例1 は5SR濃度が06 mo#々であるほう酸水溶液をイ
オン交換処理して、得られた水溶液を約100℃で濃縮
し、F遇して生成物を取り出し、次いでこの生成物を6
0℃で5時間乾燥させて含水分0憾としたものを真空乾
燥器に入れロータリーポンプで真空に引いたままt’c
/mで昇温した後、200℃で2時間保持して酸化ほう
雰を表音した。
この酸化ほうttは粉状で純fyL99,9999mで
あった。
比較例2 ほう零−度が0.6 rno−e/43である7ツ化は
5!!31に、炭酸カルシウムを27077加えて、Z
o。
℃で10時間反応させた鏝、反応生成物を濾過して堰り
除き、r液をイオン交換処理して得らhた水溶液を約1
00℃で濃縮し、濾過して生成物な取り出した。次いて
この生成物をP通鏝の湿った状態で含水分が10%であ
るものをlLg!、乾燥器に入れ、ロータリーポンプで
真空に引いたま!3℃/關で昇温した後、200℃で2
時間保持して酸化ほう素を製造した。
上記の測定結果を一括して示す。
ここに、純度とは、重金属を対象としたものであり、水
素元素は含まない。
(発明の効果) 本発明は上記の構故をとることによって、次の効果を示
す。
fil  得られる酸化は・う素は高純度(99,99
9%以上)でかつ粉状である。
(2)ほう酸から酸化ほう素への転換率が高い。
特許出−人  三菱金属株式会社

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ほう酸を真空下で、加熱して酸化ほう素を得る方
    法において、該ほう酸が湿つた状態(5〜30%水分)
    であることを特徴とする高純度酸化ほう素粉末の製造法
  2. (2)特許請求の範囲(1)に記載の高純度酸化ほう素
    粉末の製造法であつて、該湿つた状態のほう酸はほう酸
    水溶液からの濃縮または再結晶で得られることを特徴と
    する製造法。
  3. (3)特許請求の範囲(1)または(2)に記載の高純
    度酸化ほう素粉末の製造法であつて、得られた酸化ほう
    素粉末は純度99.999%以上であることを特徴とす
    る製造法。
  4. (4)特許請求の範囲(1)から(3)にいたるいずれ
    かの項に記載の高純度酸化ほう素粉末の製造法であつて
    、該真空度は10Torr以下で、かつ該加熱は0.5
    〜2.0℃/mmで180〜250℃まで昇温し、その
    温度で1.5〜2.5時間保持することを特徴とする製
    造法。
  5. (5)特許請求の範囲(1)から(4)にいたるいずれ
    かの項に記載の高純度酸化ほう素粉末の製造法であつて
    、該ほう酸はハロゲン化ほう素を加水分解した後、その
    ろ液をイオン交換処理によつて精製することにより得ら
    れることを特徴とする製造法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101948118A (zh) * 2010-09-30 2011-01-19 陆燮英 核级硼酸的制备方法
CN107055562A (zh) * 2017-05-15 2017-08-18 天津市风船化学试剂科技有限公司 一种粉状5n高纯三氧化二硼的制备方法
CN108622912A (zh) * 2018-07-11 2018-10-09 广东先导先进材料股份有限公司 高温覆盖剂级氧化硼的生产方法

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